CN110779637A - 基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各薄膜设置于基底的其中一面，每一薄膜上分别设置有两个导电件，每一导线的一端与一导电件连接，各导线的远离导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个磁性件分别设置于基底朝向薄膜的一面，两个磁性件围绕各薄膜设置，且两个磁性件对应设置，通过多个薄膜承载等离子体的辐射，当薄膜受到辐射后，会在薄膜表面产生电信号，通过导电件和导线测量能够使得电信号被电数据采集组件采集，从而可以通过薄膜上的电信号计算得到各薄膜所在的平面上的辐射量，从而精确地得到二维平面上的辐射量。

Description

基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计

技术领域

本发明涉及量热计技术领域，特别是涉及基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计。

背景技术

基于未来热核聚变实验装置(托卡马克)和商用聚变堆运行在高Q值输出模式，边界局域模(ELM)是托卡马克中高性能模式(H模)的独特现象。第Ⅰ类ELM产生能流密度为0.5～1.5MJ/m2的热负荷，持续时间约0.5ms，在第一壁材料及偏滤器部件上造成热老化及失效。针对应用于磁约束聚变装置中，面向等离子体材料(PFMs)受到的高热负荷等离子体的强烈辐照以及各种粒子的轰击，根据ITER和CFETR中ELM造成的PFMs上瞬态热负荷参数要求，提出利用毛细管等离子体模拟ELM高热负荷对PFMs侵蚀的相应等效模拟实验装置上等离子体辐射能量的测量。同时与其他传感器结合对等离子体形态调控技术，模拟高热负荷的产生，分析材料损伤和退化及预估寿命，对等离子体材料与部件的设计与加工提供了重要数据参考。目前，国内外相关的等离子体的量热计针对的是单一位置的等离子体辐射能量的测量，对等离子体辐射能量的分布做出了近似进而推算整个范围内的等离子体能量，因此对整个范围的等离子体能量的测量结果较为不准确。

发明内容

基于此，有必要提供一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计。

一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各所述薄膜分别设置于所述基底的其中一面，每一所述薄膜上分别设置有两个所述导电件，每一所述导线的一端与一所述导电件连接，各所述导线的远离所述导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个所述磁性件分别设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。

上述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，通过多个薄膜承载等离子体的辐射，当薄膜受到辐射后，会在薄膜表面产生电信号，通过导电件和导线测量能够使得电信号被电数据采集组件采集，从而可以通过薄膜上的电信号计算得到各薄膜所在的平面上的辐射量，从而精确地得到二维平面上的辐射量，两个磁性件用于产生一个方向上的磁场，从而可以抑制光电子的逸出和带电粒子对薄膜造成的溅射，避免对辐射的测试结果不准确。

在其中一个实施例中，所述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括转移带和固定架，所述基底通过所述转移带与所述固定架粘接。

在其中一个实施例中，所述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包裹所述基底设置。

在其中一个实施例中，所述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括挡板，所述挡板设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，且所述挡板围绕于所述薄膜的外侧设置。

在其中一个实施例中，所述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括电数据采集组件，各所述导线的远离所述导电件的一端分别与电数据采集组件连接。

在其中一个实施例中，各所述薄膜呈矩形阵列设置于所述基底上。

在其中一个实施例中，所述导线远离所述导电件的一端用于穿过所述基底设置。

在其中一个实施例中，所述磁性件为永磁体。

在其中一个实施例中，所述导电件的材料包括银。

在其中一个实施例中，所述薄膜的材料包括镍。

附图说明

图1为一个实施例的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的立体结构示意图；

图2为另一个实施例的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的一方向的剖视结构示意图；

图3为一个实施例的量热装置的工作流程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1和图2所示，在其中一个实施例中，一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，包括基底30、多个薄膜10、多个导电件20、多个导线130及至少两个磁性件70，各所述薄膜10分别设置于所述基底30的其中一面，每一所述薄膜10上分别设置有两个所述导电件20，每一所述导线130的一端与一所述导电件20连接，各所述导线130的远离所述导电件20的一端用于分别与电数据采集组件110连接，两个所述磁性件70分别设置于所述基底30朝向所述薄膜10的一面，两个所述磁性件70围绕各所述薄膜10设置，且两个所述磁性件70对应设置。本实施例中，两个所述磁性件70用于在薄膜形成一预设方向的磁场，使得光电子及带电粒子沿磁场的发射方向运动，从而抑制光电子的逸出和带电粒子对薄膜造成的溅射，即两个所述磁性件70用于在薄膜10的位置处形成一预设方向的磁场，即两个所述磁性件70用于在薄膜10的位置上形成一方向的磁场，具体地，该磁场由其中一个磁性件向另一磁性件的方向发射，即，其中一磁性件的N极朝向薄膜，另一磁性件的S极朝向薄膜，两个所述磁性件70包括磁性件71和磁性件72，磁性件71和磁性件72两者对应设置，且磁性件71和磁性件72围绕所述薄膜10设置；即，两个所述磁性件包括第一磁性件71和第二磁性件72，第一磁性件71和第二磁性件72两者对应设置，且第一磁性件71和第二磁性件72围绕所述薄膜10设置。

在其中一个实施例中，所述基底用于承载各所述薄膜，所述基底为非导电体，即所述基底为绝缘基底，各所述薄膜间隔设置于所述基底，当所述薄膜设置于所述基底时，所述基底能够为所述薄膜进行支撑，具体地，所述基底具有相背设置的第一面和第二面，所述第一面上设置有第一安装区和第二安装区，所述第二安装区围绕所述第一安装区设置，各所述薄膜间隔设置于所述第一安装区，两个所述磁性件分别设置于第二安装区，这样即可实现两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。应当理解的是，所述基底也可以称为基体。

在其中一个实施例中，所述导电件的数量为所述薄膜数量的两倍，所述导线的数量与所述导电件的数量相等，即每一所述薄膜对应两个所述导电件，每一所述导电件对应一所述导线，当薄膜表面的电荷分布改变时，位于薄膜不同位置的导电件能够反映出薄膜表面的电荷改变，从而使得电数据采集组件通过导线检测到薄膜表面的电信号。

请参阅图1和图2，上述基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，通过多个薄膜10承载等离子体的辐射，当薄膜10受到辐射后，会在薄膜10表面产生电信号，通过导电件20和导线130测量能够使得电信号被电数据采集组件110采集，从而可以通过薄膜10上的电信号计算得到各薄膜10所在的平面上的辐射量，从而精确地得到二维平面上的辐射量，两个磁性件70用于产生一个方向上的磁场，从而可以抑制光电子的逸出和带电粒子对薄膜10造成的溅射，避免对辐射的测试结果不准确。具体地，两个磁性件能够抑制薄膜在测量过程中产生的光电子和二次电子发射，在薄膜的两侧放置磁性件，以此产生一方向的磁场，使发射的光电子和二次电子被磁场拉回到薄膜中，从而抑制光电子和二次电子发射引起的电流旁路和能量损失，该磁场的另一个作用是抑制实验过程中产生的低能带电粒子，以减少对薄膜的溅射损害。

在其中一个实施例中，平面上的辐射量通过如下方法计算：

测量基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的薄膜在室温下的电阻值R₀。

将基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计放在恒温箱内，测得薄膜的电阻随温度的变化关系，由此得到薄膜的电阻和温度的关联系数。

将薄膜两端接在脉冲电源上。

在接通脉冲电源的同时，测量薄膜上电流和电压随时间的变化。

在脉冲电源的脉冲电流作用下，通过

计算薄膜产生的欧姆热，通过

计算得到薄膜的电阻变化。其中，τ为采样的时刻；t是薄膜所接收辐射的时长；V(τ)为τ时刻测量得到薄膜的电压；I(τ)为τ时刻测量得到薄膜的电流。

将薄膜的电阻变化除以电阻和温度的关联系数，得到薄膜的温升关联图；

沉积在薄膜中的能量由欧姆热的能量减去薄膜向基底传导的热量

以沉积到薄膜中的能量为坐标得到薄膜电阻变化ΔR随薄膜沉积能量ΔE的变化曲线，ΔR随薄膜沉积能量ΔE的变化曲线的斜率即为薄膜的灵敏度α。其中，Q_loss(t)对应薄膜向基底传导的热量，c为脉冲电流作用下薄膜的温升速率，A为薄膜的几何面积；λ_g，κ_g分别为基底材料的热导率和热扩散系数。

得到薄膜灵敏度α后，在薄膜受到辐射时，通过测量薄膜两端电压的变化即可计算得到薄膜上电阻的变化ΔR，将薄膜的电阻的变化代入公式E＝l*w*ΔR*α就可得到薄膜上的能量。其中，l是薄膜的长度，w是薄膜的宽度。

通过上述的方法能够测量相关参数并计算得到薄膜上的能量，即得到平面上的辐射量。

在其中一个实施例中，通过万用表测量薄膜在室温下的电阻值R₀，具体地，将万用表的两端分别接在薄膜的两个导电件上，从而测量薄膜在室温下的电阻值R₀。在其中一个实施例中，将薄膜两端接在脉冲电源上的步骤具体为：，将薄膜上的导电件通过导线130接在脉冲电源上。

如图1所示，在其中一个实施例中，基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括转移带40和固定架50，所述基底30通过所述转移带40与所述固定架50粘接，所述转移带40具有粘性，能够使得基底30被固定于固定架50上，然后，通过固定架50使得基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计固定于外部架体上，从而使得基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计被固定。在其中一个实施例中，所述固定架50用于与外部架体可拆卸连接，从而使得基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计可以活动地设置在外部架体，方便在维护时将基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计取下。同时，由于可以将基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计取下，这样，当各薄膜10的其中一个或多个需要进行更换时，能够方便地通过固定架50将基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计从外部支架上取下，从而便于逐个替换薄膜10，使得薄膜10的维护更加方便和快捷。

如图1所示，在其中一个实施例中，基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括屏蔽罩60，所述屏蔽罩60包裹所述基底30设置，屏蔽罩60用于避免薄膜10被周围的其他设备干扰，即屏蔽罩60能够阻挡其他设备的电荷，从而避免影响薄膜10上的电信号，从而使得对薄膜10上的电信号的测量更加准确。应当理解的是，为了便于展示基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的整体结构，图1中的屏蔽罩60显示为透明，即可以透过屏蔽罩60看到基底30等结构。在其中一个实施例中，屏蔽罩设置为透明结构。

如图1所示，在其中一个实施例中，基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括挡板80，所述挡板80设置于所述基底30朝向所述薄膜10的一面，且所述挡板80围绕于所述薄膜10的外侧设置，具体地，所述挡板80呈环形，所述挡板80内部中空，当挡板80设置在基底30上时，能够将各薄膜10以及磁性件70容置于挡板80的内侧，从而使得挡板80能够将等离子体的其他两种传热的形式隔绝，即挡板80能够阻挡热传导和对流传热，避免等离子体的能量散失，使得对等离子体辐射的测量更加精确，挡板80配合屏蔽罩60，能够很好地避免薄膜10被外部的因素所干扰，使得薄膜10上的电信号能够更好地反映出等离子体的辐射量，使得测量的准确度更高。应当理解的是，为了便于展示基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的整体结构，图1中的挡板80显示为透明，即可以透过挡板80看到基底30等结构。在其中一个实施例中，屏蔽罩设置为透明结构。

如图1所示，在其中一个实施例中，基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计还包括电数据采集组件110，各所述导线130的远离所述导电件20的一端分别与电数据采集组件110连接，电数据采集组件110用于采集所述薄膜10上的电信号。本实施例中，通过电数据采集组件110能够采集到薄膜10上的电信号，具体地，能够采集薄膜10上的电压的改变，即所述电信号为薄膜10上的电压的改变，从而通过检测到的电压的改变能够计算得到薄膜10所在平面的辐射量。在其中一个实施例中，电数据采集组件110包括数据采集卡和模数转换器，模数转换器与数据采集卡电连接，从而将数据采集卡采集的电信号转换为数字信号，从而使得电信号以数字信号显示，便于计算得到薄膜10所在平面的辐射量。

在其中一个实施例中，各所述薄膜呈矩形阵列设置于所述基底上，本实施例中，所述薄膜均匀覆盖在基底上，且各所述薄膜呈矩形阵列，在其中一个实施例中，所述薄膜的形状为长方体形，当薄膜呈矩形阵列配合薄膜为长方体形时，薄膜能够较好地覆盖基底，使得测试结果更加精确。

如图2所示，在其中一个实施例中，所述导线130远离所述导电件20的一端用于穿过所述基底30设置，本实施例中，基底30开设有多个通道，每一导线130穿过一通道设置，通道的壁部能够给导线130提供支撑，使得导线130稳定地设置于基底30上，避免多个导线130之间相互交错，从而避免引起短路的情况，从而基底30能够固定好导线130，而不需要引入更多的结构，使得基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计的结构较为简洁。

为使得两个磁性件之间的磁场稳定，在其中一个实施例中，所述磁性件为永磁体。永磁体由于自身具有磁性，因此不需要通电产生磁性，避免了通电时引起的磁场不稳定，即永磁体具有更稳定的磁场，从而能够更好抑制光电子的逸出和带电粒子对薄膜造成的溅射。

在其中一个实施例中，所述导电件的材料包括银。银的导电率较高，即电阻较低，这样，电的损耗更小，从而使得电信号的损耗更小，使得电信号能够更精确地被电数据采集组件采集，从而更精确地反映薄膜上的辐射量，提高了辐射测量的精度。在其中一个实施例中，所述导电件为银触点，所述银触点由银制成。

在其中一个实施例中，所述薄膜的材料包括镍，镍制成的薄膜能够更好地使得辐射转化为表面电荷的改变，从而使得测量结果更为精确，进一步地，在其中一个实施例中，所述薄膜为金属镍薄膜或镍铬薄膜；在其中一个实施例中，所述金属镍薄膜或镍铬薄膜采用沉积法经气体团簇离子束技术处理制得，这样的设计具有较好的平面性能；且当镍制成的薄膜配合银制成的导电件时，镍能够很好地将辐射转化为表面电荷的改变，电荷的改变又能很好地通过银制成的导电件，从而被电数据采集组件测量得出，提升了辐射测量的精准度。

在其中一个实施例中，提供一种量热装置，所述量热装置包括电数据采集组件110、分析组件120、脉冲电源90以及如上述任一实施例中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，每一薄膜10的两个导电件20与脉冲电源90以及电数据采集组件110中连接，当薄膜10的两个导电件20与脉冲电源90时，脉冲电源90用于为薄膜10通电，从而实现薄膜10的标定，当薄膜10的两个导电件20与电数据采集组件110时，电数据采集组件110用于采集薄膜10上的电信号，从而通过电信号计算得到薄膜10所在平面上的辐射量，分析组件与电数据采集组件110连接，从而分析电数据采集组件110采集到的电信号，自动计算出薄膜10所在平面上的辐射量。在其中一个实施例中，电数据采集组件包括数据采集卡。

在其中一个实施例中，所述量热装置还包括电源控制器100，所述电源控制器100与所述脉冲电源90连接，并用于控制脉冲电源90工作，这样，能够根据实验需求对脉冲电源90的电流量进行控制，从而能够很好地配合薄膜的标定灵敏度α，使得标定结果更加精确。

在其中一个实施例中，脉冲电源为脉冲恒流/压源，即脉冲电源为脉冲恒流源或脉冲恒压源。在其中一个实施例中，电源控制器为脉冲恒流/压源控制器，即脉冲电源为脉冲恒流源控制器或脉冲恒压源控制器。其中，根据使用不同的脉冲电源，当使用脉冲恒压源则采集卡采集薄膜的电流信号，则此时脉冲恒压源、薄膜和采集卡串联。当使用脉冲恒流源则数据采集卡采集电压信号，则此时脉冲恒压源的两端与薄膜的两端连接，采集卡的两端与薄膜的两端连接，即此时脉冲恒压源与采集卡并联。

在其中一个实施例中，分析组件包括计算机，计算机能够根据算法计算得出薄膜所在平面的辐射量，起到分析和计算功能。

在其中一个实施例中，材料上选择导热系数高的金属镍来制备薄膜材料，通过计算与实验标定来确定镍薄膜的长度、宽度和厚度来达到精确测量以及满足电阻随温度变化分辨的要求。基底材料选择导热系数小而且线膨胀系数与镍材料相近的聚亚酰胺材料，并通过浇筑在模具中制备所需大小的基底。

在其中一个实施例中，利用磁控溅射技术在制备好的基底上分层沉积薄膜及电极材料，从而形成薄膜，利用转移带将基底固定在不锈钢的固定架上，并将导线与导电件相连，并使得导线穿过基底，在其中一个实施例中，导线还穿过转移带和固定架上，从而使得导线被整齐地固定和引出。在其中一个实施例中，采取以上方法制备3*3或5*5的矩阵排列的薄膜，3*3即为九个矩阵排列的薄膜，5*5即为二十五个矩阵排列的薄膜。

在其中一个实施例中，在已经溅射完成的薄膜材料长度方向上固定两块铷铁硼永磁体以减少光子逸出造成测量，并将上述配置完成的整体装配在具有屏蔽电磁辐射影响的屏蔽罩内，在薄膜与屏蔽罩的前端之间可以插入挡板来控制薄膜的辐射能量，同时在挡板对应开口位置上安装有石英玻璃，以减少热对流对测量结果的影响。在其中一个实施例中，石英玻璃沿所述挡板的边沿向内侧凸起，从而阻挡热对流。在其中一个实施例中，石英玻璃活动盖设于所述挡板上，从而当辐射被薄膜吸收时，盖设所述石英玻璃使得薄膜上的热量不会由于对流传热而散失，本实施例中，石英玻璃为石英玻璃盖板。

以下为本发明的一个具体实施例详细描述：

薄膜由磁控溅射在基底表面制备，制备成长度为16mm，宽度为4mm，厚度为1μm的长方体，并在两端镀上银触点，基底通过转移带固定在固定架上。传输导线通过基底、转移带和固定架上的通道从银触点上引出到固定架的背面，并且在薄膜的两侧放置一定厚度的铷铁硼永磁体产生1T的竖直方向上的磁场，抑制了光电子的逸出和带电粒子对薄膜造成的溅射。采用以上的方法在边长cm的立方体基底上制备如图的阵列式的探头部分。最后将探头固定在屏蔽筒内，根据测量需要在探头的正前方装上可以改变矩阵中测量不同位置能量的挡板。

脉冲恒流/压源部分由脉冲恒流/压源及控制器来控制脉冲恒流/压源的脉宽、占空比和触发动作，而触发信号由实验装置上的触发信号分两路，一路用来触发产生等离子体，另一路信号触发脉冲恒流/压源，在等离子体辐射产生的同时向薄膜提供一个脉冲信号，同时也是时间信号的0位置。

数据采集系统由数据采集卡和计算机组成，数据采集卡采用1MHz的采集频率将反映薄膜电阻变化的电压数据采集并送到计算机中，得到薄膜电阻随时间的变化关系，与实验之前标定好的薄膜的灵敏度α和薄膜的几何参数带入公式ΔE＝ΔR/α中，再通过几何关系和辐射的角分布回推等离子体辐射源产生的总能量E。

本发明具体工作流程如图3所示：在触发等离子体产生时，采用电光转换器将触发信号发送至脉冲恒流/压源的触发端，同时通过一定的延时将同样的触发信号发送到毛细管等离子体模拟ELM高热负荷对PFMs侵蚀的等效模拟实验装置上，触发等离子体的发射。在脉冲恒流/压源向薄膜通电后短时间内等离子体辐射能量到达薄膜并吸收。同时数据采集卡依次采集电压信号并传送到计算机。

应当理解的是，基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计也可以简称为薄膜量热计。本发明的薄膜量热计的灵敏度低得多，难以像其他器件一样利用同步辐射源进行标定，无法采用其他一些常用到的软X射线探测器标定方法(如闪烁体、XRD等)。因此，本发明提出了一套电学方法来对量热计进行标定，其基本原理是利用流经薄膜的电流产生的欧姆热使薄膜的温度升高，电阻率发生改变，如果测得薄膜的电阻变化和沉积在薄膜中的电能，即可以确定出薄膜的灵敏度。薄膜的电阻可以通过测量薄膜两端的电压和流经薄膜的电流来得到，电压和电流的测量同时还可以得到薄膜产生的欧姆热。对于镀制在基底上的薄膜，欧姆热并未被薄膜完全吸收，一部分的热量通过热传导损失到基底材料中，最终沉积在薄膜中的能量等于总的欧姆热减去基底中的传导热损失。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及至少两个磁性件，各所述薄膜分别设置于所述基底的其中一面，每一所述薄膜上分别设置有两个所述导电件，每一所述导线的一端与一所述导电件连接，各所述导线的远离所述导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个所述磁性件分别设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。

2.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括转移带和固定架，所述基底通过所述转移带与所述固定架粘接。

3.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包裹所述基底设置。

4.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括挡板，所述挡板设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，且所述挡板围绕于所述薄膜的外侧设置。

5.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括电数据采集组件，各所述导线的远离所述导电件的一端分别与电数据采集组件连接。

6.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，各所述薄膜呈矩形阵列设置于所述基底上。

7.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述导线远离所述导电件的一端用于穿过所述基底设置。

8.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述磁性件为永磁体。

9.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述导电件的材料包括银。

10.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述薄膜的材料包括镍。

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