CN110753290B - 发声装置及安装有该发声装置的声学模块及电子设备 - Google Patents

Abstract

发明提供了一种发声装置，包括振动组件和磁路组件，所述振动组件包括振膜，其中，所述磁路组件的中间区域镂空形成贯穿所述磁路组件的扩容腔，所述磁路组件上位于所述扩容腔内的区域设置有柔性形变部；所述柔性形变部正对所述振膜设置；所述振膜包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的折环部；所述发声装置还包括连接部，所述连接部设置于所述振膜与所述柔性形变部之间，并且所述连接部固定连接所述中间部与所述柔性形变部，所述振膜与所述柔性形变部同步振动。这种发声装置增大了发声装置后声腔的等效容积，提升了发声装置的低频灵敏度，并且可以抑制振膜的偏振。

Description

发声装置及安装有该发声装置的声学模块及电子设备

技术领域

本发明涉及声学技术领域，更具体地，涉及一种发声装置及安装有该发声装置的声学模块及电子设备。

背景技术

一般而言，传统结构的声学系统包括封闭箱体和设置在封闭箱体上的发声单元，封闭箱体与发声单元之间形成腔室，由于声学系统中的的腔室的容积限制，声学系统尤其是小型声学系统很难实现能令人满意地低音再现效果。常规地，为了在声学系统中实现令人满意的低音再现，通常采用两种手段，一种是将吸音材料设置于声学系统的箱体内，用于吸附或脱附箱体内的气体，起到容积增大进而降低低频谐振频率的效果，另一种是在声学系统的箱体上设置被动辐射体。

但是上述两种手段均存在问题，第一种在箱体中添加吸音材料的方案，需要实现吸音材料的良好密封封装，否则如果吸音材料进入发声单元，则损害发声单元的声学性能，影响发声单元的使用寿命；第二种采用被动辐射体的方案，只能提升共振点附近频段的灵敏度，不能对全部低频段有所提升。

因此，需要提供一种新型的发声装置，以提升其低音再现效果。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种发声装置，可以显著的提升发声装置的低音再现效果，并且可以抑制振膜的偏振。

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：

一种发声装置，包括振动组件和磁路组件，所述振动组件包括振膜，所述振膜振动产生声波，其中，所述磁路组件的中间区域镂空形成贯穿所述磁路组件的扩容腔，所述磁路组件上位于所述扩容腔内的区域设置有柔性形变部；所述柔性形变部覆盖于所述扩容腔的端口处或者所述柔性形变部将所述扩容腔间隔为相互隔离的两部分区域；所述柔性形变部正对所述振膜设置；所述振膜包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的折环部；所述发声装置还包括连接部，所述连接部设置于所述振膜与所述柔性形变部之间，并且所述连接部固定连接所述中间部与所述柔性形变部，所述振膜与所述柔性形变部同步振动。

可选地，所述柔性形变部包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的边缘部，所述中间部为平面状结构，所述边缘部为凸起的弧面结构；或者，所述柔性形变部包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的边缘部，所述中间部为平面状结构，所述边缘部为波浪型结构；所述连接部的一端与所述振膜的中间部固定结合，所述连接部的另一端与所述柔性形变部的中间部固定结合。

可选地，所述连接部为实心的柱状结构，所述连接部的上端面和下端面均为平面状结构。

可选地，所述连接部为中空的柱状结构，所述连接部的上端面位于同一平面上，所述连接部的下端面位于同一平面上。

可选地，所述连接部的上端面位于所述振膜的中心区域，所述连接部的下端面位于所述柔性形变部的中心区域。

可选地，所述柔性形变部的所述边缘部可以发生形变，并且所述边缘部的最大形变位移不小于所述振膜的最大振幅。

可选地，所述柔性形变部为波浪型结构，所述连接部结合于所述柔性形变部的中心位置；并且，所述柔性形变部的最大形变位移不小于所述振膜的最大振幅。

可选地，所述磁路组件包括依次结合的上导磁板，中心磁铁和下导磁板；所述柔性形变部结合于所述上导磁板上，或者所述柔性形变部结合于所述上导磁板与所述中心磁铁之间。

可选地，所述柔性形变部固定结合于所述上导磁板上，所述柔性形变部的外周设有固定部，所述上导磁板对应所述固定部的位置设有固定所述柔性形变部的沉台；所述柔性形变部结合于所述上导磁板靠近所述振膜的一侧，所述上导磁板的上侧边缘设有所述沉台；或者，所述柔性形变部结合于所述上导磁板远离所述振膜的一侧，所述上导磁板的下侧边缘设有所述沉台，所述上导磁板在所述扩容腔的一侧设有沿水平方向延伸的延伸部，所述沉台设置于所述上导磁板凸出于所述磁铁的延伸部上。

可选地，所述柔性形变部与所述上导磁板之间设有支撑环；或者，所述柔性形变部与所述上导磁板直接固定结合为一体。

可选地，所述扩容腔的底端覆盖有防护件，所述防护件为透气部件。

本发明还提供了一种声学模块，其中，包含如上所述的发声装置，所述声学模块具有空腔，所述扩容腔与所述声学模块的空腔连通。

本发明还提供了一种电子设备，其中，包含如上所述的发声装置，所述电子设备具有空腔，所述扩容腔与所述电子设备的空腔连通；或者，所述电子设备包含如上所述的声学模块。

本发明将磁路组件的中间区域镂空形成贯穿磁路组件的扩容腔，并在扩容腔上设置柔性形变部，其中柔性形变部将位于柔性形变部上下两侧的空间隔离开，在振膜振动的过程中，柔性形变部受其两侧的气压变化的影响会上下振动，使振膜与柔性形变部之间的气压的变化幅度减小，从而增大了发声装置后声腔的等效容积，提升了发声装置的低频灵敏度。此外，本发明还将振膜与柔性形变部通过连接部连接为一体，柔性形变部可以抑制连接部的偏振，进一步地可以抑制振膜的偏振。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是本发明提供的发声装置的立体分解示意图。

图2是本发明提供的发声装置的剖视图。

图3是本发明提供的发声装置的磁路组件组装后的立体结构示意图。

图4是本发明提供的另一个实施例的发声装置的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

实施例一:

如图1至图3所示，本发明提供的发声装置包括振动组件和磁路组件3，其中振动组件包括振膜1和结合于振膜1下侧的音圈41，其中“上”“下”以图2所示结构为准。振膜1包括位于中间位置的中间部11和位于边缘位置的折环部12，其中，中间部11为一个硬质材料，中间部11的强度大于折环部12的强度，在振动过程中中间部11不会发生变形。磁路组件3位于振膜1的下方，磁路组件3为双磁路结构包括位于中心位置的中心磁路和位于边缘位置的边磁路，中心磁路和边磁路之间形成收容音圈41的磁间隙，音圈41连通电信号后在磁路组件3形成的磁场中受到安培力的作用上下振动，并带动振膜1振动从而形成声波。磁路组件3的中心磁路包括层叠结合的上导磁板311和中心磁铁312，边磁路包括层叠结合的上导磁板321和边磁铁322，中心磁铁312和边磁铁322的底部还结合有下导磁板30，其中，上导磁板311、上导磁板321和下导磁板30均为导磁材料，可以修正中心磁铁312和边磁铁322产生的磁力线，使磁路组件3在磁间隙位置形成相对均匀的磁场，有利于音圈41的稳定振动。但是磁路组件3的磁场并非绝对均匀的，因此，音圈41在磁场中会受到水平方向的力，可能会引起音圈41与磁路组件的碰撞，产生杂音，作为一种改进，在音圈41的上端面上设置有定心支片42，定心支片42与音圈41固定结合为一体，并且可以防止音圈41产生水平方向的偏振，保证了发声装置的声学性能。

本实施例发声装置不包括传统结构收容固定振动组件和磁路组件的外壳，传统结构外壳首先具有的收容固定内部组件的功能，其次，可以通过注塑等方式将电连接件结合于壳体内，作为电连接内部电路和外部电路的载体，对于上述两个功能，本发明发声装置具体实现方式如下。将振动组件的振膜1、音圈41和定心支片42固定结合为一体，磁路组件3固定结合为一体，然后将振动组件和磁路组件3整合为一体结构形成发声装置，具体的，磁路组件3位于外边缘的上导磁板321上设有向上侧凸起的凸台，振膜1的边缘位置固定结合于该凸台上，从而实现振动组件与磁路组件3的整合。对于作为电连接件载体的功能，这种结构的发声装置，定心支片42上设有电连接外部电路的焊盘，本实施例定心支片42上设有导电电路，通过定心支片42实现音圈41的引线与外部电路的电连接。这种去掉外壳的发声装置，可以使磁路组件3的尺寸最大化，即磁路组件3的外边缘可以延伸到现有技术外壳所占用的外置，从而可以显著的增强发声装置的磁性能，进一步提升发声装置的声学性能。

结合图2，振膜1上侧的声波是直接辐射到外界的，能够被人耳接收，振膜1下侧(即振膜1靠近磁路组件3一侧)的声波则是被封闭在发声装置内部的，该部分声波不能直接与振膜1上侧的声波连通，因为两部分声波的相位相差180度，如果连通声波会相互抵消形成声短路。振膜1靠近磁路组件3的一侧形成后声腔，如上所述后声腔内的声波是不与外界连通的，由于后声腔空间有限，随着振膜1的上下振动后声腔内的气压会变大或变小，这种气压的变化会阻止振膜1随着电信号自由振动，会对振膜1的振动形成一个阻力。因此，理想状态下，后声腔的体积应该足够大，后声腔内的气压应该与振膜1上侧的气压(即外界气压)相同，从而使振膜1可以自由振动，但这种理想状态难以实现，通常振膜1在大振幅下，主要在低频段受后声腔空间限制灵敏度会显著降低。

为了改善低频性能，在有限的空间内增大后声腔的容积，本发明磁路组件3的下导磁板30上设有泄声孔301，泄声孔301可以与声学模块或电子设备内的空腔连通，使声学模块或电子设备中的空间也可以作为后声腔的部分区域，可以增大后声腔的体积。此外，本发明在磁路组件3的中间区域镂空形成贯穿磁路组件3的扩容腔，设置扩容腔增大了发声装置的后声腔的体积，可以提升低频灵敏度。由于磁路组件3中间区域离磁间隙较远，对磁场强度的贡献有限，因此，去掉磁路组件3中间区域的部分结构不会显著降低磁路组件3的磁性能。而且本发明的发声装置不具有外壳，磁路组件3的尺寸已经最大化，基于这种结构磁路组件3中间区域镂空不会对磁性能产生显著影响。

作为一种改进，本发明在磁路组件3上位于扩容腔内的区域设置有柔性形变部2，柔性形变部2正对振膜1设置，并可以上下振动。柔性形变部2覆盖于扩容腔的端口处或者柔性形变部2将扩容腔间隔为相互隔离的两部分区域。当振膜1向上振动时，振膜1与上导磁板311之间的气压迅速减小，相应的柔性形变部2上侧的气压小于其下侧的气压，此时，柔性形变部2向上振动，从而减缓了振膜1与上导磁板311之间气压减小的速度；当振膜1向下振动时，振膜1与上导磁板311之间的气压迅速增加，相应的柔性形变部2上侧的气压大于其下侧的气压，此时，柔性形变部2向下振动，从而减缓了振膜1与上导磁板311之间气压增加的速度。由于设置了柔性形变部2，且柔性形变部2可以迅速地响应振膜2的振动带来的气压变化，使振膜1靠近上导磁板311处的气压得到均衡，增加了后声腔的等效容积，提升了发声装置的低频灵敏度。

柔性形变部2的本体可以为塑料材质或者热塑性弹性体材质，还可以是硅橡胶材质，可以是一层也可以是多层复合结构，并且，柔性形变部的本体可以是平板状，或者部分凸起或凹陷的结构，例如中心部凸起、边缘部凸起，或者中心部凸起加边缘部凸起相结合的结构。具体的，柔性形变部22的全部或局部区域至少采用TPU、TPEE、LCP、PAR、PC、PA、PPA、PEEK、PEI、PEN、PES、PET、PI、PPS、PPSU、PSU中的至少一种。

结合图1至图3，柔性形变部2包括位于中间位置的平面状的中间部21和位于边缘位置的边缘部22，边缘部22为弧面状的凸起。当然，边缘部22不限于这种弧面状的凸起结构，由于本发明的边缘部22需要有较大的形变位移，因此其他满足可实现大位移形变的边缘部的结构也可应用于本发明柔性形变部2的结构中。作为另一种优选的实施方案，柔性形变2的边缘部22可以为波浪型结构，波浪型结构也可以具有较大的形变位移，即柔性形变部2包括位于中间位置的平面状的中间部21和位于边缘位置的波浪型的边缘部22。或者，整个柔性形变部2为一个波浪型的结构，波浪型结构从柔性形变部2的中心位置向边缘位置延伸。

柔性形变部2可以结合于上导磁板311上；或者柔性形变部2也可以结合于上导磁板311与中心磁铁312之间，均不影响本发明的实施。本发明柔性形变部2结合于靠近振膜1的一侧，这种柔性形变部2离振膜1的位置较近的结构，有利于快速地作出响应。而且，这种柔性形变部2的设置位置，使振膜1与泄声孔301之间的距离大于振膜1与柔性形变部2之间的距离，使柔性形变部2的作用更明显，更有利于提升发声装置的低频灵敏度。

对于双磁路结构的磁路组件3，扩容腔设置于中心磁路的中间区域，如图2和图3所示，其中图3为了清楚地显示泄露孔301和边磁铁322的结构将上导磁板321去掉了。优选的，扩容腔的形状与中心磁路31的形状相同，并且两者为同心设置的结构，即中心重叠且形状对应，可以保证中心磁路磁场的稳定性。本实施例磁路组件3的形状与振膜1、音圈41的形状相同，均为矩形结构，相应的扩容腔位于上导磁板311的开口端也为矩形结构，柔性形变部2结合于扩容腔内同样为矩形结构，柔性形变部2正对振膜1的中间部11设置。

本发明振膜1和柔性形变部2之间还设有连接部6，连接部6将振膜与柔性形变部2连接为一体，其中，柔性形变部2与振膜1同步振动。将柔性形变部2与振膜1连接，是为了利用柔性形变部2来抑制振膜1的偏振。由于连接部6与振膜1同步振动，连接部6优选采用轻质的材料，以保证振膜1的自由振动。并且连接部6为硬质的材料，可以保证振膜1与柔性形变部2之间的具有固定的间距，维持产品稳定性。

本实施例连接部6为一个实心的柱状结构，实心结构的连接部6的上端面和下端面均为平面状结构，上端面和下端面设置为平面状的结构有利于和振膜1和柔性形变部2的牢固固定结合。连接部6的上端面与振膜1的中间部11固定结合为一体，连接部6的下端面与柔性形变部2的中间部21固定结合为一体，其中，振膜1的中间部11和柔性形变部2的中间部21均为平面结构，可以通过粘结等方式固定结合为一体。

本实施例振膜1与柔性形变部2的中心重叠，具体的，振膜1与柔性形变部2的中心的正投影重叠。连接部6的上端面位于振膜1的中心区域，连接部6的下端面位于柔性形变部2的中心区域。具体的，连接部6的上端面的中心与振膜1的中心重叠，连接部6的下端面的中心与柔性形变部2的中心重叠。这种结构结构有利于柔性形变部2与振膜1的同步振动，从而有利于抑制振膜1的偏振。柔性形变部2通过控制连接部6下端面的振动趋势，来防止振膜1的偏振。

由于柔性形变部2与振膜1同步振动，柔性形变部2的最大位移需要大于等于振膜1的最大振幅，以避免柔性形变部2对振膜1的振动产生阻力。其中，柔性形变部2的边缘部22可以发生形变，具体的，边缘部22的最大形变位移不小于振膜1的最大振幅。

当柔性形变部2整体为波浪型结构时，连接部6的结构相应的作出调整，连接部6可以为锥状结构，或者连接部6为一个细长的柱状结构，连接部6结合于柔性形变部2的中心位置。并且，柔性形变部2的最大形变位移不小于振膜1的最大振幅，从而避免对振膜1的振动产生阻力。

采用这种结构，使本发明柔性形变2即具有增强低频灵敏度的效果，又具有防止振膜1偏振的效果。本实施例这种将柔性形变部2与振膜1固定结合为一体的结构，柔性形变部2与振膜1的中心对应，即两者的中心在正投影方向重叠，此时，柔性形变部2的边缘部22可以起到防止偏振的作用。由于柔性形变部2沿上下方向振动，当振膜1产生偏振的时候，连接部6的位置也会产生偏移，此时，柔性形变部2仍然具有沿上下方向振动的趋势，会对连接部6产生的偏移进行纠正。为了增强防偏振效果，柔性形变部2优选采用强度比较大的材料。本发明音圈41和振膜1之间的定心支片42可以起到防偏振的作用，柔性形变部2结合连接部6同样可以起到防偏振的作用，这种设置双重偏振结构的发声装置，防偏振效果更佳，使振膜1的振动方向基本为上下方向，有利于振膜1灵敏度的提高。

本实施例柔性形变部2的外周(即边缘部22的外围区域)设有与磁路组件3固定结合的固定部23，固定部23设置于边缘部22的外周为平面状的结构，在上导磁板311固定结合柔性形变部2的位置设有沉台3110，如图2所示，固定部23与沉台3110通过胶体直接固定结合为一体。作为其他优选方案，发声装置还可以设有支撑件，支撑件为硬质的环状结构。柔性形变部2与上导磁板311之间通过支撑件固定结合为一体，其中支撑件对应固定部23设置。结合过程中可以将柔性形变部2与支撑件固定结合为一体后，再将柔性形变部2与支撑件的结合体与上导磁板311的沉台3110固定结合。由于柔性形变部2为一个比较小的结构，设置支撑件有利于保持柔性形变部2的形状，并且当柔性形变部2与支撑件作为一个整体与磁路组件3结合时，工艺更简单。当设置支撑件时，柔性形变部2与沉台3110之间有支撑件将两者间隔，这样磁路组件3工作过程中产生的热量不会直接传递到柔性形变部2上，从而降低了柔性形变部2从上导磁板311上脱落的风险。虽然图2所示结构中没有体现支撑件，但是应当理解，柔性形变部2与上导磁板311之间可以设置支撑件，当两者之间设置支撑件时也在本发明的保护范围内。设置沉台3110使柔性形变部2与所述上导磁板311固定结合后，柔性形变部2不会凸出于上导磁板311的表面，从而不会额外的占用发声装置的内部空间，不需要为柔性形变部2提供额外的避让空间或避让结构。当设置有支撑柔性形变部2的支撑件时，沉台3110的凹陷深度应该大于固定部23与支撑件的厚度之和，以避免柔性形变部2占用发声装置过多的空间。

本实施例，柔性形变部2的边缘部22为向下侧凸起的结构，边缘部22向下方凸起，使柔性形变部2主要占用扩容腔内的空间，使振膜1与柔性形变部2之间可以保持正常的距离，不需要为边缘部22的高度预留空间。并且，边缘部22下凹也不容易与连接部113发生碰撞。

这种柔性形变部2结合于上导磁板311上的结构，可以将柔性形变部2与上导磁板311固定结合为一体后，再将上导磁板311与磁路组件3的其他部分固定结合为一体。其中，本实施例上导磁板311的上表面与柔性形变部2固定结合为一体，沉台3110设置于上导磁板311上表面靠近扩容腔的一侧，对于这种上导磁板311与柔性形变部2的结合方式，可以先将磁路组件3组装为一体后，再将柔性形变部2固定结合于沉台3110上，这种先组装磁路组件3的方式，有利于磁路组件3各部件的定位，有利于磁路组件3的准确组装。

需要说明的是，由于柔性形变部2不限于这种结合于上导磁板311上的结构，其也可以结合于中心磁铁312或者与上导磁板311之间，这两种结合方式，使柔性形变部2更靠近振膜1，有利于通过连接部113连接柔性形变部2。

当柔性形变部2与磁路组件3固定结合为一体后，柔性形变部2作为一个整体位于扩容腔内，柔性形变部2的最下端不低于扩容腔的下端面，使装配该发声装置的声学模块或者电子设备不需要为柔性形变部2预留避让空间。具体地，静止状态下柔性形变部2的边缘部22不凸出于下导磁板30的下表面，从而在发声装置与终端的电子设备或者声学模块组装后，声学模块/电子设备不需要为柔性形变部2提供避让空间，提高了发声装置的适配性。并且，柔性形变部2向下振动时在最大位移处不低于扩容腔的下端面。即柔性形变部2的中间部21与下导磁板30的下表面之间的距离大于柔性形变部2的最大振幅，即柔性形变部2振动过程中仅占用发声装置内部的空间，不需要终端的声学模块/电子设备为柔性形变部2提供避让，同样可以提高产品的适配性。

当这种发声装置组装到声学模块/电子设备中之后，扩容腔需要与声学模块/电子设备内的空腔连通，只有当两个腔体连通的后，柔性形变部2才能够正常工作，如果扩容腔底端被声学模块/电子设备内的部件完全堵塞，则扩容腔位于柔性形变部2下方的空间为一个内部容积固定的较小的空间，空间内气压的变化会阻碍柔性形变部2的正常振动，使柔性形变部2失去了调节后声腔体积的作用。其中，扩容腔与声学模块/电子设备内的空腔之间具有连通通道即可，不需要全部连通。结合图3，泄声孔301也需要与声学模块/电子设备内的空腔连通，以实现发声装置后声腔的扩容。

为了防止发声装置装配或运输过程中柔性形变部2被损坏并防止灰尘从扩容腔内落入发声装置，优选的，在下导磁板30的下表面上设有覆盖扩容腔的防护件。防护件上设有透气孔，使扩容腔可以与声学模块/电子设备内的腔体连通，其中防护件可以为阻尼网或者钢网等部件。防护件可以直接通过粘结等方式固定结合于下导磁板30上，也可以通过支撑件固定结合于下导磁板30上。

本发明将磁路组件的中间区域镂空形成贯穿磁路组件的扩容腔，并在扩容腔上设置柔性形变部2，其中柔性形变部2将位于柔性形变部2上下两侧的空间隔离开，在振膜1振动的过程中，柔性形变部2受其两侧的气压变化的影响会上下振动，使振膜1与柔性形变部2之间的气压的变化幅度减小，从而增大了发声装置后声腔的等效容积，提升了发声装置的低频灵敏度。此外，本发明还将振膜1与柔性形变部2通过连接部6连接为一体，柔性形变部2可以抑制连接部6的偏振，进一步地可以抑制振膜1发生偏振。

实施例二：

如图4所示，本实施例相对于实施利一的主要改区别有三点，连接部7为中空的柱状结构，柔性形变部2结合于上导磁板311的下侧表面，以及柔性形变部2与上导磁板311之间设有支撑件5。

本实施例连接部7为中空的柱状结构，连接部7的上端面位于同一平面上，连接部7的下端面位于同一平面上，这种结构有利于连接部7与平面状的中间部11和平面状的中间部21固定结合。其中，连接部7的上端面与振膜1的中间部11固定结合为一体，连接部7的下端面与柔性形变部2的中间部21固定结合为一体，可以通过粘结等方式固定结合。

振膜1与柔性形变部2的中心重叠，具体的，振膜1与柔性形变部2的中心的正投影重叠。连接部7的上端面位于振膜1的中心区域，连接部7的下端面位于柔性形变部2的中心区域。具体的，连接部7的上端面的中心与振膜1的中心重叠，连接部7的下端面的中心与柔性形变部2的中心重叠。这种结构结构有利于柔性形变部2与振膜1的同步振动，从而有利于抑制振膜1的偏振。柔性形变部2通过控制连接部7下端面的振动趋势，来抑制振膜1的偏振。

图示柔性形变部2结合于上导磁板311的下侧表面，其将扩容腔分隔为上下两部分，上导磁板311在扩容腔的一侧设有沿水平方向延伸的延伸部，延伸部向中心磁路的中心轴线的方向延伸形成凸起的结构，沉台3110设置于延伸部的下侧表面，用于固定柔性形变部2的固定部23，由于延伸部的尺寸与固定部23的尺寸相似，因此这种设置延伸部的结构不会减小柔性形变部2的中间部21和边缘部22的尺寸。其中，在柔性形变部2与沉台3110之间还设有支撑件5，支撑件5首先与柔性形变部2固定结合为一体，然后将支撑件5与柔性形变部2的结合体与沉台3110固定结合。设置支撑件5便于柔性形变部2与沉台3110的固定结合，并且由于支撑件5具有间隔作用，可以避免由于工作过程中磁路组件3温度升高引起的柔性形变部2固定不牢固的缺陷。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种发声装置，包括振动组件和磁路组件，所述振动组件包括振膜，所述振膜振动产生声波，其特征在于，

所述磁路组件的中间区域镂空形成贯穿所述磁路组件的扩容腔，所述磁路组件上位于所述扩容腔内的区域设置有柔性形变部；所述柔性形变部覆盖于所述扩容腔的端口处或者所述柔性形变部将所述扩容腔间隔为相互隔离的两部分区域；

所述柔性形变部正对所述振膜设置；所述振膜包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的折环部；

所述发声装置还包括连接部，所述连接部设置于所述振膜与所述柔性形变部之间，并且所述连接部固定连接所述中间部与所述柔性形变部，所述振膜与所述柔性形变部同步振动。

2.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述柔性形变部包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的边缘部，所述中间部为平面状结构，所述边缘部为凸起的弧面结构；或者，

所述柔性形变部包括位于中间位置的中间部和位于边缘位置的边缘部，所述中间部为平面状结构，所述边缘部为波浪型结构；

所述连接部的一端与所述振膜的中间部固定结合，所述连接部的另一端与所述柔性形变部的中间部固定结合。

3.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述连接部为实心的柱状结构，所述连接部的上端面和下端面均为平面状结构。

4.如权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述连接部为中空的柱状结构，所述连接部的上端面位于同一平面上，所述连接部的下端面位于同一平面上。

5.如权利要求3或4所述的发声装置，其特征在于，所述连接部的上端面位于所述振膜的中心区域，所述连接部的下端面位于所述柔性形变部的中心区域。

6.如权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述柔性形变部的所述边缘部可以发生形变，并且所述边缘部的最大形变位移不小于所述振膜的最大振幅。

7.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述柔性形变部为波浪型结构，所述连接部结合于所述柔性形变部的中心位置；并且，所述柔性形变部的最大形变位移不小于所述振膜的最大振幅。

8.如权利要求1所述的发声装置，所述磁路组件包括依次结合的上导磁板，中心磁铁和下导磁板；所述柔性形变部结合于所述上导磁板上，或者所述柔性形变部结合于所述上导磁板与所述中心磁铁之间。

9.如权利要求8所述的发声装置，其特征在于，所述柔性形变部固定结合于所述上导磁板上，所述柔性形变部的外周设有固定部，所述上导磁板对应所述固定部的位置设有固定所述柔性形变部的沉台；

所述柔性形变部结合于所述上导磁板靠近所述振膜的一侧，所述上导磁板的上侧边缘设有所述沉台；或者，

所述柔性形变部结合于所述上导磁板远离所述振膜的一侧，所述上导磁板的下侧边缘设有所述沉台，所述上导磁板在所述扩容腔的一侧设有沿水平方向延伸的延伸部，所述沉台设置于所述上导磁板凸出于所述磁铁的延伸部上。

10.如权利要求9所述的发声装置，其特征在于，所述柔性形变部与所述上导磁板之间设有支撑环；或者，所述柔性形变部与所述上导磁板直接固定结合为一体。

11.如权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述扩容腔的底端覆盖有防护件，所述防护件为透气部件。

12.一种声学模块，其特征在于，包含如权利要求1-11任一权利要求所述的发声装置，所述声学模块具有空腔，所述扩容腔与所述声学模块的空腔连通。

13.一种电子设备，其特征在于，包含如权利要求1-11任一权利要求所述的发声装置，所述电子设备具有空腔，所述扩容腔与所述电子设备的空腔连通；或者，

所述电子设备包含权利要求12所述的声学模块。

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