CN110752425A - 一种带通滤波器及通信装置 - Google Patents

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CN110752425A CN201910919422.1A CN201910919422A CN110752425A CN 110752425 A CN110752425 A CN 110752425A CN 201910919422 A CN201910919422 A CN 201910919422A CN 110752425 A CN110752425 A CN 110752425A
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Abstract

本申请公开了一种带通滤波器及通信装置。该带通滤波器至少包括：依次叠层设置的第一金属层、第一介质基板、公共金属板、第二介质基板及第二金属层，其中，公共金属板至少设有第一耦合孔，第一介质基板至少设有第一谐振腔，第二介质基板至少设有第二谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔通过第一耦合孔进行耦合，第一介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔和/或第二介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔，开孔内设置有金属层；金属片，至少第一谐振腔内或第二谐振腔内嵌设金属片，金属片通过开孔内的金属层与第一金属层或者第二金属层连接。通过这种方式，能够缩小带通滤波器及通信装置的体积，实现其小型化。

Description

一种带通滤波器及通信装置
技术领域
本申请涉及通信技术领域，特别是涉及一种带通滤波器及通信装置。
背景技术
随着新一代无线通讯网络技术的革新，频谱资源将更加紧张，致使频带间的间隔更小，特别是5G时代的到来，对通讯系统的性能要求更高。微波滤波器作为一种无源频率选择器件对通讯系统就显得越发重要了。
本申请的发明人在长期的研发过程中发现，基于集成波导(SubstrateIntegrated Waveguide，SIW)是一种可以集成于介质基板中的新型传输线结构，SIW结构具有传统波导和微带线的优势，即具有低辐射、低插损、较高Q值、高功率容量、小型化、易于连接等优点；但由于波导尺寸由所传播的电磁波波长决定，导致滤波器的体积较大，不利于5G通信对小型化的要求。
发明内容
本申请提供一种带通滤波器及通信装置，以缩小带通滤波器的体积，实现其小型化。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种带通滤波器。该带通滤波器至少包括：依次叠层设置的第一金属层、第一介质基板、公共金属板、第二介质基板及第二金属层，其中，公共金属板至少设有第一耦合孔，第一介质基板至少设有第一谐振腔，第二介质基板至少设有第二谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔通过第一耦合孔进行耦合，第一介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔和/或第二介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔，开孔内设置有金属层；金属片，至少第一谐振腔内或第二谐振腔内嵌设金属片，金属片通过开孔内的金属层与第一金属层或者第二金属层连接。
其中，金属片呈圆形设置，第一耦合孔呈圆形设置，第一谐振腔与第二谐振腔通过第一耦合孔进行电耦合，金属片在公共金属板上投影的圆心与第一耦合孔的圆心重叠。
其中，公共金属板上还设有两个第二耦合孔，第二耦合孔呈矩形设置，第一介质基板还设有第四谐振腔，第二介质基板还设有第三谐振腔，第三谐振腔和第四谐振腔通过第二耦合孔进行磁耦合，第三谐振腔内和/或第四谐振腔内嵌设金属片；第三谐振腔内和/或第四谐振腔内嵌设的金属片在公共金属板上的投影的圆心与两个第二耦合孔之间连线的中心重合。
其中，第一耦合孔的半径小于与第一耦合孔对应的金属片的半径，且第一耦合孔的半径大于开孔的半径；第二耦合孔的边长大于或者等于与第二耦合孔对应的金属片的半径。
其中，开孔的深度大于第一介质基板厚度的一半及第二介质基板厚度的一半。
其中，第一介质基板设有第一通孔，第一通孔内设置有金属层，第一通孔内的金属层与第一金属层和公共金属板连接，第二介质基板设有第二通孔，第二通孔内设置有金属层，第二通孔内的金属层与第二金属层和公共金属板连接。
其中，第一通孔设置在第一谐振腔的外周、第四谐振腔的外周及第一谐振腔与第四谐振腔之间的部分区域，以在第一谐振腔与第四谐振腔之间形成第一窗口，第一窗口用于实现第一谐振腔与第四谐振腔之间的交叉耦合；第二通孔设置在第二谐振腔的外周、第三谐振腔的外周及第二谐振腔与第三谐振腔之间的部分区域，以在第二谐振腔与第三谐振腔之间形成第二窗口，第二窗口用于实现第二谐振腔与第三谐振腔之间的耦合。
其中，第一金属层开设有输入端口和输出端口，输入端口与第一谐振腔连接，输出端口与第四谐振腔连接。
其中，第一介质基板的长度为5.5mm-6.5mm，第一介质基板的宽度为3.9mm-4.9mm，第一介质基板的高度为0.25mm-0.35mm，第一耦合孔的半径为0.18mm-0.26mm，金属片的半径为0.38mm-0.46mm，第一通孔的半径和第二通孔的半径为0.08mm-0.14mm，第二耦合孔的长度为0.65mm-0.75mm，第二耦合孔的宽度为0.38mm-0.46mm，第一窗口的宽度和第二窗口的宽度为1.6mm-2.6mm，金属片到第一金属层的距离为0.07mm-0.13mm，金属片的厚度为0.0003mm-0.0007mm。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是：提供一种通信装置。该通信装置包括天线和上述带通滤波器，带通滤波器对天线的收发信号进行滤波。
本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例带通滤波器至少包括：依次叠层设置的第一金属层、第一介质基板、公共金属板、第二介质基板及第二金属层，其中，公共金属板至少设有第一耦合孔，第一介质基板至少设有第一谐振腔，第二介质基板至少设有第二谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔通过第一耦合孔进行耦合，第一介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔和/或第二介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔，开孔内设置有金属层；金属片，至少第一谐振腔内或第二谐振腔内嵌设金属片，金属片通过开孔与第一金属层或者第二金属层连接。通过这种方式，本申请实施例带通滤波器的谐振腔内嵌设有金属片，金属片通过金属化的开孔连接到上、下金属层，以形成容性加载，即金属片与上、下金属层之间形成电容；容性加载会影响第一谐振腔的谐振特性，能够降低与第一谐振腔对应谐振器的谐振频率。因此，在实现相同谐振频率时，能够减小谐振器的体积，能够实现带通滤波器及通信装置的小型化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请带通滤波器一实施例的结构示意图；
图2是图1实施例带通滤波器的拆解结构示意图；
图3是图1实施例带通滤波器中与第一谐振腔对应的谐振器的结构示意图；
图4是图3实施例谐振器的等效电路；
图5是图3实施例谐振器的谐振频率随距离h2的变化关系图；
图6是图3实施例谐振器的等效结构示意图；
图7是图1实施例带通滤波器的拓扑结构示意图；
图8是图1实施例带通滤波器多个截面结构示意图；
图9是图1实施例带通滤波器一仿真结果示意图；
图10是本申请通信装置一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。
本申请中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请首先提出一种带通滤波器，如图1和图2所示，图1是本申请带通滤波器一实施例的结构示意图，图2是图1实施例带通滤波器的拆解结构示意图。本实施例带通滤波器10包括金属片20、金属片21、依次叠层设置的第一金属层30、第一介质基板40、公共金属板50、第二介质基板60及第二金属层70，其中，公共金属板50至少设有第一耦合孔51，第一介质基板40至少设有第一谐振腔(图未标)，第二介质基板60至少设有第二谐振腔(图未标)，第一谐振腔和第二谐振腔通过第一耦合孔51进行耦合，第一介质基板40背离公共金属板50的一侧设有与第一耦合孔51对应的开孔41，第二介质基板60背离公共金属板50的一侧设有与第一耦合孔51对应的开孔61，开孔41内设置有金属层(图未标)；第一谐振腔内嵌设金属片20，金属片20通过开孔41内的金属层与第一金属层30连接；第二谐振腔内嵌设金属片21，金属片21通过开孔61内的金属层与第二金属层70连接。
开孔41贯穿第一金属层30，第一金属层30和开孔41内的金属层可以为同一金属层，二者可以通过同一工艺实现；开孔61贯穿第二金属层70，第二金属层70和开孔61内的金属层可以为同一金属层，二者可以通过同一工艺实现。
本实施例的第一谐振腔内嵌设有金属片20，金属片20通过金属化的开孔41连接到第一金属层30，以形成容性加载，即金属片20与第一金属层30之间形成电容；容性加载会影响第一谐振腔的谐振特性，能够降低与第一谐振腔对应的谐振器的谐振频率。因此，在实现相同谐振频率，本实施例能够减小该谐振器的体积，提高该谐振器及带通滤波器10的小型化。
具体地，如图3及图4所示，本实施例第一谐振腔的谐振频率ω0、金属片20和第一金属层30之间的距离h2、金属片20的半径rs、第一谐振腔的高度h1、第一谐振腔的半径r之间的关系如公式(1)至公式(3)所示：
Figure BDA0002217126140000051
Figure BDA0002217126140000061
Figure BDA0002217126140000062
如图4所示，图4是图3实施例谐振器的等效电路。L为谐振器的等效电感，C为谐振器的等效电容，二者并联设置。
如图5所示，图5是图3实施例谐振器的谐振频率随距离h2的变化关系图。在金属片20的半径rs以及第一谐振腔的尺寸保持不变的情况下，随着距离h2的增大，等效电容C随之增大，而等效电感L保持不变，相应的谐振频率ω0则会减小，即谐振频率ω0随着金属片20和第一金属层30之间的距离h2的增加而向低频移动。基于此，本实施例能够减小该谐振器的体积，实现谐振器及带通滤波器10的小型化。
本实施例为进一步缩小带通滤波器10的体积，还在第二谐振腔内嵌设金属片61，其结构及原理与上述第一谐振腔类似，这里不赘述。
当然，在其它实施例中，可以根据实际需要在带通滤波器的部分或者全部谐振腔内嵌设金属片。
其中，金属片20与第一谐振腔同轴设置。
区别于现有技术，本实施例带通滤波器的谐振腔内嵌设有金属片，金属片通过金属化的开孔连接到上、下金属层，以形成容性加载，即金属片与上、下金属层之间形成电容；容性加载会影响第一谐振腔的谐振特性，能够降低与谐振器的谐振频率。因此，在实现相同谐振频率时，能够减小谐振器的体积，能够实现带通滤波器及通信装置的小型化。
可选地，继续参阅图1和图2，本实施例的金属片20和金属片21呈圆形设置，第一耦合孔51呈圆形设置，第一谐振腔与第二谐振腔通过第一耦合孔51进行电耦合，金属片20和金属片21在公共金属板50上投影的圆心与第一耦合孔51的圆心重叠。
其中，第一耦合孔51的半径小于金属片20的半径和金属片21的半径，且第一耦合孔的半径大于开孔41的半径和开孔61的半径。
可选地，本实施例的公共金属板50上还设有两个第二耦合孔52，第二耦合孔52呈矩形设置，第一介质基板40还设有第四谐振腔(图未标)，第二介质基板60还设有第三谐振腔(图未标)，第三谐振腔和第四谐振腔通过第二耦合孔52进行磁耦合，第三谐振腔内嵌设金属片22和第四谐振腔内嵌设金属片23；金属片22和金属片23在公共金属板50上的投影的圆心与两个第二耦合孔52之间连线的中心重合。
其中，第二耦合孔52的边长大于或者等于金属片22的半径和金属片23的半径。
可选地，开孔41的深度大于第一介质基板40厚度的一半，开孔61的深度大于第二介质基板60厚度的一半。
本实施例的上述金属片呈正圆设置，在其它实施例中，嵌设在谐振腔内的金属片还可以呈非正圆形设置，例如，椭圆形或者方形等。
其中，本实施例的第一介质基板40设有第一通孔42，第一通孔42内设置有金属层(图未标)，第一通孔42内的金属层与第一金属层30和公共金属板50连接，第二介质基板60设有第二通孔62，第二通孔62内设置有金属层，第二通孔62内的金属层与第二金属层70和公共金属板50连接。
其中，第一通孔42与第二通孔62对应设置，公共金属板50上设置有连通第一通孔42与第二通孔62的通孔(图未标)。
第一通孔42贯穿第一金属层30，第一金属层30和第一通孔42内的金属层可以为同一金属层，二者可以通过同一工艺实现；第二通孔62贯穿第二金属层70，第二金属层70和第二通孔62内的金属层可以为同一金属层，二者可以通过同一工艺实现。
请参阅图1、图2及图6，本实施例在第一介质基板40的两侧边缘用两排的金属化第一通孔42代替传统金属波导的波导壁，并在第一介质基板40的上、下表面分别覆盖第一金属层30和公共金属板50，当两个金属化第一通孔42之间间距很小时，则只有极少电磁波能够从这两个金属化第一通孔42之间的缝隙泄露出去，而两横向平行的金属化第一通孔42则等效于矩形波导的波导壁，以构成SIW。
由于SIW与矩形波导的传播模式具有相似性，SIW与矩形波导在尺寸上存在一定的数学关系，该数学关系如公式(4)和公式(5)所示：
Figure BDA0002217126140000081
Figure BDA0002217126140000082
其中，p是相邻的两个金属化第一通孔42中心的距离，d是金属化第一通孔42的直径，WSIW是SIW的宽度，Weff是矩形波导的等效宽度，Leff是矩形波导的等效长度；在d/p>2.5，d/λ<0.1(λ为电磁波波长)时，SIW几乎不发生电磁泄漏。
SIW具有热稳定性好、高Q值、高功率容量、损耗低、体积小、重量轻、易加工等优点而广泛的应用于微波射频电路的设计中，SIW的加工方式有低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic，LTCC)技术和印刷电路板(PCB，Printed Circuit Board)技术等。
第二介质基板60为SIW，这里不赘述。
通过上述分析可知，本实施例通过金属化通孔形成谐振腔的腔体壁，因此，在其它实施例，第一通孔与第二通孔可以根据对应的谐振腔的尺寸进行设置，二者可以不对应设置，且公共金属板上也不用设置对应的连接第一通孔与第二通孔的通孔。
由上述分析可知，本实施例的第一介质层40设有第一谐振腔和第四谐振腔，第二介质层60设有第二谐振腔和第三谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔之间通过第一耦合孔51进行电耦合，第三谐振腔与第四谐振腔之间通过两个第二耦合孔52进行磁耦合。
进一步地，第一通孔42设置在第一谐振腔的外周、第四谐振腔的外周及第一谐振腔与第四谐振腔之间的部分区域，以在第一谐振腔与第四谐振腔之间形成第一窗口(图未标)，第一窗口用于实现第一谐振腔与第四谐振腔之间的交叉耦合；第二通孔62设置在第二谐振腔的外周、第三谐振腔的外周及第二谐振腔与第三谐振腔之间的部分区域，以在第二谐振腔与第三谐振腔之间形成第二窗口(图未标)，第二窗口用于实现第二谐振腔与第三谐振腔之间的耦合。
进一步地，本实施例的第一金属层30开设有输入端口S和输出端口L，输入端口S与第一谐振腔连接，输出端口L与第四谐振腔连接。
具体地，输入端口S和输出端口L均通过在第一金属层30上开设凹槽来实现，与输入端口S对应的凹槽延伸至第一谐振腔，与输出端口L对应凹槽延伸至第四谐振腔。
当然，在其它实施例中，根据带通滤波器的具体排腔需要，输入端口和输出端口部分或者全部设置在第二金属层上，具体不做限定。
请参阅图1、图2及图7，图7是图1实施例带通滤波器的拓扑结构示意图。本实施例带通滤波器由四个谐振腔组成，输入端口S和输出端口L采用共面波导形式的馈电结构。不同谐振腔之间的耦合方式不同，第一谐振腔R1和第四谐振腔R4以及第二谐振腔R2和第三谐振腔R3之间是通过在谐振腔之间形成感性耦合孔实现耦合；由于靠近金属化通孔附近的腔体磁场最强，第三谐振腔R3和第四谐振腔R4之间则是通过在公共金属板50上靠近金属化通孔阵列的两侧刻蚀一对矩形第二耦合孔52以实现磁耦合；在第一谐振腔R1和第二谐振腔R2中间的公共金属板50中心刻蚀圆形第一耦合孔51，因此处的电场最强因而可以实现第一谐振腔R1和第二谐振腔R2的电耦合。SIW谐振腔在低于其谐振频率时可以看作是容性电路，高于谐振频率可以看作是感性电路；本实施例的第一谐振腔R1和第四谐振腔R4交叉耦合结构能够在带外产生一个传输零点，使得通带的选择性大大提高。
本实施例的第一介质基板40的长度L5为5.5mm-6.5mm，L5具体可以为5.5mm、5.7mm、6.0mm、6.3mm、6.5mm等；第一介质基板40的宽度W3为3.9mm-4.9mm，W3具体可以为3.9mm、4.1mm、4.4mm、4.7mm、4.9mm等；第一介质基板40的高度(图未示)为0.25mm-0.35mm，该高度具体可以为0.25mm、0.27mm、0.30mm、0.33mm、0.35mm等；第一耦合孔51的半径r1为0.18mm-0.26mm，r1具体可以为0.18mm、0.20mm、0.22mm、0.24mm、0.26mm等；金属片r2的半径为0.38mm-0.46mm，r2具体可以为0.38mm、0.40mm、0.42mm、0.44mm、0.46mm等；第一通孔41的半径r3和第二通孔61的半径(图未示)为0.08mm-0.14mm，r3具体可以为0.08mm、0.10mm、0.11mm、0.12mm、0.13mm、0.14mm等；第二耦合孔52的长度L4为0.65mm-0.75mm，L4具体可以为0.65mm、0.67mm、0.70mm、0.72mm、0.75mm等；第二耦合孔52的宽度W2为0.38mm-0.46mm，W2具体可以为0.38mm、0.40mm、0.42mm、0.44mm、0.46mm等；第一窗口的宽度W4和第二窗口的宽度(图未示)为1.6mm-2.6mm，W4具体可以为1.6mm、1.8mm、2.1mm、2.3mm、2.6mm等；金属片20到第一金属层30的距离(图未示)为0.07mm-0.13mm，该距离具体可以为0.07mm、0.10mm、0.13mm等；金属片20(图未示)的厚度为0.0003mm-0.0007mm，该厚度具体可以为0.0003mm、0.0004mm、0.0005mm、0.0006mm、0.0007mm等。
两个输入端口S之间的距离(图未标)及两个输出端口L之间的距离W1为0.11mm-0.21mm，W1具体可以为0.11mm、0.13mm、0.16mm、0.19mm、0.21mm等；输入端口S的宽度L2及输出端口L的宽度(图未标)为0.25mm-0.35mm，L2具体可以为0.25mm、0.27mm、0.30mm、0.32mm、0.35mm等；输入端口S的长度(图未标)及输出端口L的长度L3为1.0mm-2.0mm，L3具体可以为1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.7mm、2.0mm等；两相邻第一通孔42之间的距离p为0.30mm-0.40mm，p具体可以为0.30mm、0.33mm、0.35mm、0.37mm、0.40mm等。
在一应用场景中，带通滤波器10使用的陶瓷材料的相对介电常数为5.9，正切损耗为0.002，第一介质基板40的高度与第二介质基板60的高度相同，即谐振腔的高度，均为0.3mm，第一金属层30和第二金属层60的厚度为0.005mm；金属片20、金属片23到第一金属层30的距离和金属片21、金属片22到第二金属层70的距离为0.1mm，这些金属片的厚度为0.001mm；相邻第一通孔42之间的距离d和相邻第二通孔62之间的距离(图未标)为0.09mm；W1为0.16mm，W2为0.42mm，W3为4.4mm，W4为2.1mm，L1为5.6mm，L2为0.3mm，L3为1.5mm，L4为0.7mm，L5为6mm，r1为0.22mm，r2为0.42mm，r3为0.11mm，p为0.35mm；带通滤波器10的整体尺寸为6×4.4×0.6mm3。
基于上述参数，在全波仿真软件HFSS中对带通滤波器10的结构进行仿真优化，仿真结果如图9所示。从图中曲线S21可以看出该带通滤波器的中心频率为28GHz，相对带宽为15％，在通带左侧有一个传输零点，对应的位置为22.46GHz，通带左侧带外抑制性能明显增强。
本申请进一步提出一种通信装置，如图10所示，本实施例通信装置90包括天线91及带通滤波器92，带通滤波器92对天线91的收发信号进行滤波。
其中，带通滤波器92为上述实施例带通滤波器，其结构及工作原理这里不赘述。
区别于现有技术，本申请实施例带通滤波器至少包括：依次叠层设置的第一金属层、第一介质基板、公共金属板、第二介质基板及第二金属层，其中，公共金属板至少设有第一耦合孔，第一介质基板至少设有第一谐振腔，第二介质基板至少设有第二谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔通过第一耦合孔进行耦合，第一介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔和/或第二介质基板背离公共金属板的一侧设有与第一耦合孔对应的开孔，开孔内设置有金属层；金属片，至少第一谐振腔内或第二谐振腔内嵌设金属片，金属片通过开孔与第一金属层或者第二金属层连接。通过这种方式，本申请实施例带通滤波器的谐振腔内嵌设有金属片，金属片通过金属化的开孔连接到上、下金属层，以形成容性加载，即金属片与上、下金属层之间形成电容；容性加载会影响第一谐振腔的谐振特性，能够降低与第一谐振腔对应谐振器的谐振频率。因此，在实现相同谐振频率时，能够减小谐振器的体积，能够实现带通滤波器及通信装置的小型化。
进一步地，本申请实施例的金属片结构简单、生产工艺简单，能够提高带通滤波器的生产效率及便于维护。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种带通滤波器，其特征在于，所述带通滤波器至少包括：
依次叠层设置的第一金属层、第一介质基板、公共金属板、第二介质基板及第二金属层，其中，所述公共金属板至少设有第一耦合孔，所述第一介质基板至少设有第一谐振腔，所述第二介质基板至少设有第二谐振腔，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔通过所述第一耦合孔进行耦合，所述第一介质基板背离所述公共金属板的一侧设有与所述第一耦合孔对应的开孔和/或所述第二介质基板背离所述公共金属板的一侧设有与所述第一耦合孔对应的开孔，所述开孔内设置有金属层；
金属片，至少所述第一谐振腔内或所述第二谐振腔内嵌设所述金属片，所述金属片通过所述开孔内的金属层与所述第一金属层或者所述第二金属层连接。
2.根据权利要求1所述的带通滤波器，其特征在于，所述金属片呈圆形设置，所述第一耦合孔呈圆形设置，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔通过所述第一耦合孔进行电耦合，所述金属片在所述公共金属板上投影的圆心与所述第一耦合孔的圆心重叠。
3.根据权利要求2所述的带通滤波器，其特征在于，所述公共金属板上还设有两个第二耦合孔，所述第二耦合孔呈矩形设置，所述第一介质基板还设有第四谐振腔，所述第二介质基板还设有第三谐振腔，所述第三谐振腔和所述第四谐振腔通过所述第二耦合孔进行磁耦合，所述第三谐振腔内和/或所述第四谐振腔内嵌设所述金属片；
所述第三谐振腔内和/或所述第四谐振腔内嵌设的金属片在所述公共金属板上的投影的圆心与所述两个第二耦合孔之间连线的中心重合。
4.根据权利要求3所述的带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合孔的半径小于与所述第一耦合孔对应的金属片的半径，且所述第一耦合孔的半径大于所述开孔的半径；所述第二耦合孔的边长大于或者等于与所述第二耦合孔对应的金属片的半径。
5.根据权利要求1所述的带通滤波器，其特征在于，所述开孔的深度大于所述第一介质基板厚度的一半及所述第二介质基板厚度的一半。
6.根据权利要求3所述的带通滤波器，其特征在于，所述第一介质基板设有第一通孔，所述第一通孔内设置有金属层，所述第一通孔内的金属层与所述第一金属层和所述公共金属板连接，所述第二介质基板设有第二通孔，所述第二通孔内设置有金属层，所述第二通孔内的金属层与所述第二金属层和所述公共金属板连接。
7.根据权利要求6所述的带通滤波器，其特征在于，所述第一通孔设置在所述第一谐振腔的外周、所述第四谐振腔的外周及所述第一谐振腔与所述第四谐振腔之间的部分区域，以在所述第一谐振腔与所述第四谐振腔之间形成第一窗口，所述第一窗口用于实现所述第一谐振腔与所述第四谐振腔之间的交叉耦合；
所述第二通孔设置在所述第二谐振腔的外周、所述第三谐振腔的外周及所述第二谐振腔与所述第三谐振腔之间的部分区域，以在所述第二谐振腔与所述第三谐振腔之间形成第二窗口，所述第二窗口用于实现所述第二谐振腔与所述第三谐振腔之间的耦合。
8.根据权利要求3所述的带通滤波器，其特征在于，所述第一金属层开设有输入端口和输出端口，所述输入端口与所述第一谐振腔连接，所述输出端口与所述第四谐振腔连接。
9.根据权利要求7所述的带通滤波器，其特征在于，所述第一介质基板的长度为5.5mm-6.5mm，所述第一介质基板的宽度为3.9mm-4.9mm，所述第一介质基板的高度为0.25mm-0.35mm，所述第一耦合孔的半径为0.18mm-0.26mm，所述金属片的半径为0.38mm-0.46mm，所述第一通孔的半径和所述第二通孔的半径为0.08mm-0.14mm，所述第二耦合孔的长度为0.65mm-0.75mm，所述第二耦合孔的宽度为0.38mm-0.46mm，所述第一窗口的宽度和第二窗口的宽度为1.6mm-2.6mm，所述金属片到所述第一金属层的距离为0.07mm-0.13mm，所述金属片的厚度为0.0003mm-0.0007mm。
10.一种通信装置，其特征在于，所述通信装置包括天线和权利要求1至9任一项所述的带通滤波器，所述带通滤波器对所述天线的收发信号进行滤波。
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