CN104218279A - 基于ltcc的新型双模带通滤波器 - Google Patents
基于ltcc的新型双模带通滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104218279A CN104218279A CN201410443030.XA CN201410443030A CN104218279A CN 104218279 A CN104218279 A CN 104218279A CN 201410443030 A CN201410443030 A CN 201410443030A CN 104218279 A CN104218279 A CN 104218279A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plated
- hole
- array
- hole array
- dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于LTCC的新型双模带通滤波器,包括从上到下依次层叠的微带层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层、第三金属层,使用低损耗的LTCC材料构造具有高Q值的双模基片集成波导谐振腔,大大减小了滤波器尺寸的同时滤波器还具有插损小的优点,由于使用在高频段损耗小的LTCC材料,使得本发明的基于LTCC的新型双模带通滤波器能够运用于高频段的滤波。
Description
技术领域
本发明属于微波毫米波无源器件技术领域,具体涉及一种基于LTCC的双模带通滤波器。
背景技术
目前,常用的允许特定频段的信号通过同时屏蔽其它频段信号的滤波器主要包括:微带线型,波导型和集总电容电感元件型三种。微带线型,波导型和集总元件型的基本构成包括传输线主线,连接在传输线主线的若干个谐振单元和连接谐振单元的耦合单元。当传输线主线上传输的能量通过一个耦合单元耦合到一个谐振单元时,与该谐振单元谐振频率相同的频率在谐振腔内谐振,同时通过下一个耦合单元进入下一个谐振单元,最后依次通过各个谐振单元通过传输主线输出信号,其它频率的信号则全部反射而不会进入谐振单元,所以其它频率的信号不会通过滤波器。通过调整谐振单元的谐振频率、耦合单元的耦合大小,从而得到所需要的能够选择特定频率信号的滤波器。对于微带线型,由于所有单元均位于同一空间层,因此其体积小,但是由于谐振单元的Q值较低,不便于实现较小的插入损耗。对于波导型,由于腔体谐振单元的Q值较高,且结构较微带线简单,所以插入损耗较小。但波导部件体积较微带线大,重量大,会占用较大空间,不便于和其他微带线路集成在一起。对于集总电感电容电路,电容电感元件由于频率较高时分布参数较大,所以不能用于高频率滤波。
低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)技术是由休斯公司在1982年成功研制出来的一种多层基板布线技术,具有集成度高,高频特性优良的特点,它是把低温共烧陶瓷粉加工制作成一定厚度并致密的生磁带,再在磁带上打孔、注浆、印刷导体图形等,可以将电容、电阻、无源部分的设计埋置入多层基板中,最终叠压在一起,在900度左右温度下烧结后,加工制作成高密度的多层立体电路,从而可以实现较高集成度,较好性能的电路功能模块。
基片集成波导是近年来提出的可以集成于介质基片中的具有低损耗低辐射等特性的新的导波结构,是一种新的微波传输线形式,其利用金属过孔在介质基片上实现波导的场传播模式。它由金属过孔和介质板上下两层金属构成与金属波导相似的能够传播场的导波结构。高频应用中,由于波长过小,过于高的容差要求常常使微带线失效,波导就常用于高频情况,但是波导体积大,不易于集成。所以产生了一种新的观点:基片集成波导SIW。SIW是介于微带与介质填充波导之间的一种传输线。SIW兼顾传统波导和微带传输线的优点,可实现高性能微波毫米波平面电路由于其具有和金属波导相似的传播特性,所以其构成的微波部件及其子系统有很高的Q值、高功率容量等优点。与传统金属波导相比,其加工成本十分低廉,重量轻,体积小,非常适合应用于微波毫米波电路当中。
滤波器是一种对信号有处理作用的器件或电路。随着电子市场的不断发展也越来越被广泛生产和使用。滤波器主要分为有源滤波器和无源滤波器。主要作用是让有用信号尽可能无衰减的通过,对无用信号尽可能大的反射。滤波器的功能就是允许某一部分频率的信号顺利的通过,而另外一部分频率的信号则受到较大的抑制,它实质上是一个选频电路。滤波器中,把信号能够通过的频率范围,称为通频带或通带;反之,信号受到很大衰减或完全被抑制的频率范围称为阻带;通带和阻带之间的分界频率称为截止频率;目前,常用的允许特定频段的信号通过同时屏蔽其它频段信号的滤波器基本构成包括传输线主线,连接在传输线主线的若干个谐振单元和连接谐振单元的耦合单元。当传输线主线上传输的能量通过一个耦合单元耦合到一个谐振单元时,与该谐振单元谐振频率相同的频率在谐振腔内谐振,同时通过下一个耦合单元进入下一个谐振单元,最后依次通过各个谐振单元通过传输主线输出信号,其它频率的信号则全部反射而不会进入谐振单元,所以其它频率的信号不会通过滤波器。通过调整谐振单元的谐振频率、耦合单元的耦合大小,从而得到所需要的能够选择特定频率信号的滤波器。
作为滤波器的核心,谐振器起着至关重要的作用,它的谐振频率决定了滤波器的工作频率。通常每个微波谐振器有无数种谐振模式,与之对应的不同频率电磁波能量以各自的模式储存于谐振器中。谐振频率最低的模式为谐振器的主模,其余为谐振器的高次模,谐振器的各种模式的电磁波相互独立,互相没有干扰。因为主模Q值高,滤波器常常使用谐振器的主模做为其工作频率。如果在谐振器中引入一定的干扰来扰动破坏正常电磁场的分布,使得相近的两种模式的电磁波之间能够发生能量的交换,此时谐振器便出现两种存在相互耦合的电磁波,这样一个谐振器就能够实现两个谐振器的功效,两种频率的电磁场在同一谐振器内分别谐振并且存在相互耦合,通过调节引入的干扰就可以调节两种电磁波的耦合大小。由于使用一个谐振器实现了两种谐振频率,从而可以大大减小滤波器的尺寸。双模滤波器的最大特点是它的一个谐振单元可以用作双调谐谐振电路,因此一个n阶滤波器需要的谐振单元数可以减半,这样就使得滤波器的体积减小,结构更加紧凑双模滤波器因为具有小型化的特点,近年已经成为滤波器研究的热点,它被广泛地应用于射频微波电路中。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种基于LTCC的双模带通滤波器。
本发明的技术方案是:一种基于LTCC的双模带通滤波器,包括从上到下依次层叠的微带层(1)、第一介质层(2)、第一金属层(3)、第二介质层(4)、第二金属层(5)、第三介质层(6)、第三金属层(7);
所述微带层(1)包括第一传输线主线(10)、第二传输主线(12)、耦合微带线(11);
所述第一介质层(2)包括介质基板(20);
所述第一金属层(3)包括金属板(30)、第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34);
所述第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34)位于金属板(30)上;
所述第一开口(31)位于第一传输主线(10)的下方,且与第一传输主线(10)垂直;
所述第四开口(34)位于第二传输主线(12)的下方,且与第二传输主线(12)垂直;
所述第二开口(32)、第三开口(33)分别位于耦合微带线(11)的两端且分别与耦合微带线(11)垂直;
所述第二介质层(4)包括介质基板(40)、第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47);
所述第一金属化通孔阵列(41)呈矩形阵列埋置于介质基板(40)中;
所述第二金属化通孔阵列(42)呈矩形阵列埋置于介质板(40)中且位于第一金属化通孔阵列(41)内部;
所述第三金属化通孔阵列(43)呈直线排列埋置于介质板(40)中,并且位于第二金属化通孔阵列(42)的中心,将第二金属化通孔阵列(42)分成两个对称的矩形;
所述第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)和第四金属化通孔(47)分别位于由第二金属化通孔阵列(42)和第三金属化阵列(43)围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列(42)内部;
所述第二金属层(5)包括金属板(50)、第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52);
所述第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)位于金属板(50)上,且与第三金属化通孔阵列(43)将第二金属化通孔阵列(42)分成的两个对称矩形相对应;
所述第三介质层(6)包括介质板(60)、第一金属化通孔阵列(61)、第二金属化通孔阵列(62)、第三金属化通孔阵列(63)、第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)、第四金属化通孔(67);
所述第一金属化通孔阵列(61)呈矩形阵列埋置于介质板(60)中;
所述第二金属化通孔阵列(62)呈矩形阵列埋置于介质板(60)中且位于第一金属化通孔阵列(61)内部;
所述第三金属化通孔阵列(63)呈直线排列埋置于介质板(60)中,并且位于第二金属化通孔阵列(62)的中心,将第二金属化通孔阵列(62)分成两个对称的矩形;
所述第三金属化通孔阵列(63)将第二金属化通孔阵列(62)分成的两个对称矩形,且分别与第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)相对应;
所述第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)和第四金属化通孔(67)分别位于由第二金属化通孔阵列(62)和第三金属化阵列(63)围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列(62)内部;
第一金属化通孔阵列(61)、第二金属化通孔阵列(62)、第三金属化通孔阵列(63)、第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)、第四金属化通孔(67)分别与第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47)相对应;
所述第三金属层(7)包括虚拟金属板(70);
进一步地,所述金属层(30)、介质基板(40)、金属化通孔阵列(41)、金属化通孔阵列(42)、金属化通孔阵列(43)、金属化通孔(44)、金属化通孔(45)、金属层(50)、第一开口(51)、介质层(60)、金属化通孔阵列(61)、金属化通孔阵列(62)、金属化通孔(64)、金属化通孔(65)和金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第一双模谐振腔。
进一步地,所述金属层(30)、介质板(40)、金属化通孔阵列(41)、金属化通孔阵列(42)、金属化通孔阵列(43)、金属化通孔(46)、金属化通孔(47)、金属层(50)、第二开口(52)、介质层(60)、金属化通孔阵列(61)、金属化通孔阵列(62)、金属化通孔(66)、金属化通孔(67)和金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第二双模谐振腔;
更进一步地,所述耦合微带线(11)、介质板(20)、第二开口(32)、第三开口(33)扣合后构成耦合单元。
本发明的有益效果是:本发明使用金属化通孔对谐振腔进行微扰构成双模谐振器,减小了滤波器的尺寸和重量,使得滤波器容易与其他电路集成,采用先进的立体电路LTCC工艺,在LTCC基板中使用基片集成波导技术构造与传统金属腔谐振器具有相同功能的谐振腔,由于使用的是介质基板而不是金属材料,谐振腔在具有传统金属谐振腔的高Q值的优点的同时大大减轻了谐振腔的重量和体积,使得其易于集成和小型化。进而,得益于LTCC材料的优秀高频特性,使得该滤波器也特别适合高频段的滤波。
附图说明
图1是本发明的爆破立体结构示意图。
其中,1、微带线层;10、第一传输主线;11、耦合微带线;12、第二传输主线;2、第一介质层;20、介质基板;3、第一金属层;30、金属板;31、第一条形开口;32、第二条形开口;33、第三条形开口;34、第四条形开口;4、第二介质层;40、介质板;41、第一金属化通孔阵列;42、第二金属化通孔阵列;43、第三金属化通孔阵列;44、第一金属化通孔;45、第二金属化通孔;46、第三金属化通孔;47、第四金属化通孔;5、第二金属层;50、金属板;51、第一开口;52、第二开口;6、第三介质层;60、介质板;61、第一金属化通孔阵列;62、第二金属化通孔阵列;63、第三金属化通孔阵列;64、第一金属化通孔;65、第二金属化通孔;66、第三金属化通孔;67、第四金属化通孔;7、第三金属层;70、金属板。
图2是本发明第二介质层(4)俯视方向的结构示意图。
图3是本发明的俯视图。
图4是图3在A-A方向的截面剖视图。
具体实施方式
本发明将双模滤波器技术,基片集成波导技术(SIW)和先进的立体电路形式低温共烧陶瓷工艺(LTCC技术)相结合,提出了一种具有高Q值,结构紧凑的双模带通滤波器。该双模滤波器采用低损耗LTCC材料,同时使用具有高Q值的基片集成波导双谐振器,大大减小滤波器尺寸的同时具有低损耗的特点,能够运用于较高频段的带通滤波器。
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明:
如图1、图2、图3和图4所示,基于LTCC的双模带通滤波器,包括从上到下依次层叠的微带层1、第一介质层2、第一金属层3、第二介质层4、第二金属层5、第三介质层6、第三金属层7;
所述微带层1包括第一传输线主线10、第二传输主线12、耦合微带线11;
所述第一介质层2包括介质基板20;
所述第一金属层3包括金属板30、第一条形开口31、第二条形开口32、第三条形开口33、第四条形开口34;
所述第二介质层4包括介质基板40、第一金属化通孔阵列41、第二金属化阵列42、第三金属化阵列43、第一金属化通孔44、第二金属化通孔45、第三金属化通孔46、第四金属化通孔47;所述第一金属化通孔阵列41埋置于介质板40中,且围成一个矩形阵列;所述第二金属化通孔阵列42埋置于介质板40中围成一个矩形阵列且位于第一金属化通孔阵列41内部;所述第三金属化通孔阵列43埋置于介质板40中,成一条直线排列,并且位于第二金属化通孔阵列42的中心,将第二金属化通孔阵列42分成两个对称的矩形;所述第一金属化通孔44、第二金属化通孔45、第三金属化通孔46和第四金属化通孔47分别位于由第二金属化通孔阵列42和第三金属化阵列43围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列42内部;
所述第二金属层5包括金属板50、第一开口51、第二开口52;
所述第三介质层6包括介质板60、第一金属化通孔阵列61、第二金属化通孔阵列62、第三金属化通孔阵列63、第一金属化通孔64、第二金属化通孔65、第三金属化通孔66、第四金属化通孔67;所述第一金属化通孔阵列61埋置于介质板60中,且围成一个矩形阵列;所述第二金属化通孔阵列62埋置于介质板60中围成一个矩形阵列且位于第一金属化通孔阵列61内部;所述第三金属化通孔阵列63埋置于介质板60中,成一条直线排列,并且位于第二金属化通孔阵列62的中心,将第二金属化通孔阵列62分成两个对称的矩形;所述第一金属化通孔64、第二金属化通孔65、第三金属化通孔66和第四金属化通孔67分别位于由第二金属化通孔阵列62和第三金属化阵列63围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列62内部;
所述第三金属层7包括虚拟金属板70;
所述金属层30、介质板40、金属化通孔阵列41、金属化通孔阵列42、金属化通孔阵列43、金属化通孔44、金属化通孔45、金属层50、第一开口51、介质层60、金属化通孔阵列61、金属化通孔阵列62、金属化通孔64、金属化通孔65和金属化通孔阵列63上下扣合后构成第一双模谐振腔;
所述金属层30、介质板40、金属化通孔阵列41、金属化通孔阵列42、金属化通孔阵列43、金属化通孔46、金属化通孔47、金属层50、第二开口52、介质层60、金属化通孔阵列61、金属化通孔阵列62、金属化通孔66、金属化通孔67和金属化通孔阵列63上下扣合后构成第二双模谐振腔;
所述第一开口31位于第一传输主线10的下方,且与第一传输主线10垂直;
所述第四开口34位于第二传输主线12的下方,且与第二传输主线12垂直;
所述第二开口32、第三开口33分别位于耦合微带线11的两端且分别与耦合微带线11垂直,耦合微带线11、介质板20、第二开口32、第三开口33扣合后构成耦合单元;
下面对本实施例的工作原理和过程做一个简要说明:由于插入的金属化通孔(涉及标号44,45,46,47)的扰动作用,谐振腔具有两个谐振频率:主模式和第二模式。
能量由带通滤波器的一端流入,沿传输线主线10流动到末端时通过第一条形开口(31)耦合进入第一谐振腔中(涉及标号30,41,42,43,51,61,62,63),与第一谐振腔的主模式和第二模式谐振频率相同电磁波在第一谐振腔内发生谐振,非第一谐振腔主模和第二模式频率的电磁波不能发生谐振将不能流过,全部原路返回。进入第一谐振腔的能量发生振荡后继续向前进行。
从第一个谐振腔流入的能量通过第二条形开口32进入耦合微带线11,进入耦合微带线11的能量继续向前行进,通过第二条形开口33进入第二谐振腔内(涉及标号30,41,42,43,52,61,62,63)。
能量流入第二谐振腔时,与第二谐振腔主模和第二模式谐振频率相同的电磁波在第二谐振腔内发生谐振,非第二谐振腔主模和第二模式频率的电磁波不能发生谐振将不能通过,全部原路返回。进入第二谐振腔的能量发生振荡后继续向前进行。
在第二个谐振腔发生谐振的电磁波通过第四条形开口34耦合进入第二传输主线12.进入第二传输主线12的能量向前继续进行。
最后第二传输线主线12传输出来的能量可以实现选择特定频率能量,反射掉其它频率能量的滤波效果。
本发明使用金属化通孔对谐振腔进行微扰构成双模谐振器,减小了滤波器的尺寸和重量,使得滤波器容易与其他电路集成,采用先进的立体电路LTCC工艺,在LTCC基板中使用基片集成波导技术构造与传统金属腔谐振器具有相同功能的谐振腔,由于使用的是介质基板而不是金属材料,谐振腔在具有传统金属谐振腔的高Q值的优点的同时大大减轻了谐振腔的重量和体积,使得其易于集成和小型化。进而,得益于LTCC材料的优秀高频特性,使得该滤波器也特别适合高频段的滤波。
本领域的普通技术人员将会意识到,这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理,应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合,这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种基于LTCC的双模带通滤波器,其特征在于,包括从上到下依次层叠的微带层(1)、第一介质层(2)、第一金属层(3)、第二介质层(4)、第二金属层(5)、第三介质层(6)、第三金属层(7);
所述微带层(1)包括第一传输线主线(10)、第二传输主线(12)、耦合微带线(11);
所述第一介质层(2)包括介质基板(20);
所述第一金属层(3)包括金属板(30)、第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34);
所述第一条形开口(31)、第二条形开口(32)、第三条形开口(33)、第四条形开口(34)位于金属板(30)上;
所述第一开口(31)位于第一传输主线(10)的下方,且与第一传输主线(10)垂直;
所述第四开口(34)位于第二传输主线(12)的下方,且与第二传输主线(12)垂直;
所述第二开口(32)、第三开口(33)分别位于耦合微带线(11)的两端且分别与耦合微带线(11)垂直;
所述第二介质层(4)包括介质基板(40)、第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47);
所述第一金属化通孔阵列(41)呈矩形阵列埋置于介质基板(40)中;
所述第二金属化通孔阵列(42)呈矩形阵列埋置于介质板(40)中且位于第一金属化通孔阵列(41)内部;
所述第三金属化通孔阵列(43)呈直线排列埋置于介质板(40)中,并且位于第二金属化通孔阵列(42)的中心,将第二金属化通孔阵列(42)分成两个对称的矩形;
所述第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)和第四金属化通孔(47)分别位于由第二金属化通孔阵列(42)和第三金属化阵列(43)围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列(42)内部;
所述第二金属层(5)包括金属板(50)、第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52);
所述第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)位于金属板(50)上,且与第三金属化通孔阵列(43)将第二金属化通孔阵列(42)分成的两个对称矩形相对应;
所述第三介质层(6)包括介质板(60)、第一金属化通孔阵列(61)、第二金属化通孔阵列(62)、第三金属化通孔阵列(63)、第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)、第四金属化通孔(67);
所述第一金属化通孔阵列(61)呈矩形阵列埋置于介质板(60)中;
所述第二金属化通孔阵列(62)呈矩形阵列埋置于介质板(60)中且位于第一金属化通孔阵列(61)内部;
所述第三金属化通孔阵列(63)呈直线排列埋置于介质板(60)中,并且位于第二金属化通孔阵列(62)的中心,将第二金属化通孔阵列(62)分成两个对称的矩形;
所述第三金属化通孔阵列(63)将第二金属化通孔阵列(62)分成的两个对称矩形,且分别与第一矩形开口(51)、第二矩形开口(52)相对应;
所述第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)和第四金属化通孔(67)分别位于由第二金属化通孔阵列(62)和第三金属化阵列(63)围成的两个矩形的对角位置,且都位于第二金属化通孔阵列(62)内部;
第一金属化通孔阵列(61)、第二金属化通孔阵列(62)、第三金属化通孔阵列(63)、第一金属化通孔(64)、第二金属化通孔(65)、第三金属化通孔(66)、第四金属化通孔(67)分别与第一金属化通孔阵列(41)、第二金属化通孔阵列(42)、第三金属化通孔阵列(43)、第一金属化通孔(44)、第二金属化通孔(45)、第三金属化通孔(46)、第四金属化通孔(47)相对应;
所述第三金属层(7)包括虚拟金属板(70)。
2.根据权利要求1所述的基于LTCC的双模带通滤波器,其特征在于,所述金属层(30)、介质基板(40)、金属化通孔阵列(41)、金属化通孔阵列(42)、金属化通孔阵列(43)、金属化通孔(44)、金属化通孔(45)、金属层(50)、第一开口(51)、介质层(60)、金属化通孔阵列(61)、金属化通孔阵列(62)、金属化通孔(64)、金属化通孔(65)和金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第一双模谐振腔。
3.根据权利要求1所述的基于LTCC的双模带通滤波器,其特征在于,所述金属层(30)、介质板(40)、金属化通孔阵列(41)、金属化通孔阵列(42)、金属化通孔阵列(43)、金属化通孔(46)、金属化通孔(47)、金属层(50)、第二开口(52)、介质层(60)、金属化通孔阵列(61)、金属化通孔阵列(62)、金属化通孔(66)、金属化通孔(67)和金属化通孔阵列(63)上下扣合后构成第二双模谐振腔。
4.根据权利要求1基于LTCC的双模带通滤波器,其特征在于,所述耦合微带线(11)、介质板(20)、第二开口(32)、第三开口(33)扣合后构成耦合单元。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410443030.XA CN104218279B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410443030.XA CN104218279B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104218279A true CN104218279A (zh) | 2014-12-17 |
CN104218279B CN104218279B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=52099553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410443030.XA Expired - Fee Related CN104218279B (zh) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104218279B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104868214A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-26 | 南通大学 | 基于探针馈电的微带到基片集成波导的平衡式过渡电路 |
US9520356B1 (en) | 2015-09-09 | 2016-12-13 | Analog Devices, Inc. | Circuit with reduced noise and controlled frequency |
US9929123B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-03-27 | Analog Devices, Inc. | Resonant circuit including bump pads |
CN108832245A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-11-16 | 西安电子科技大学 | 一种基于硅通孔技术的介质腔基片集成波导结构及其制备工艺 |
CN109326859A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-02-12 | 南京航空航天大学 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
CN112490608A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-03-12 | 广东盛路通信科技股份有限公司 | 传输组件 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1988376A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 株式会社爱思塞拉 | 表面安装谐振器及利用绝缘陶瓷基底形成其的方法 |
CN101621147A (zh) * | 2009-08-11 | 2010-01-06 | 南京理工大学 | 低损耗双零点2.4千兆赫微型带通滤波器 |
CN201408828Y (zh) * | 2009-05-20 | 2010-02-17 | 电子科技大学 | 一种ltcc镜频抑制带通滤波器 |
CN102800906A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-11-28 | 电子科技大学 | 多层陶瓷基片集成波导滤波器 |
CN103035990A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 青岛联盟电子仪器有限公司 | Ltcc滤波器 |
CN103107391A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-15 | 南通大学 | 一种紧凑型微波分布式双模带通滤波器 |
CN103515679A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 南京理工大学 | 基于ltcc的w波段高抑制微型带通滤波器 |
CN103904392A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 基片集成波导滤波器 |
-
2014
- 2014-09-02 CN CN201410443030.XA patent/CN104218279B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1988376A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 株式会社爱思塞拉 | 表面安装谐振器及利用绝缘陶瓷基底形成其的方法 |
CN201408828Y (zh) * | 2009-05-20 | 2010-02-17 | 电子科技大学 | 一种ltcc镜频抑制带通滤波器 |
CN101621147A (zh) * | 2009-08-11 | 2010-01-06 | 南京理工大学 | 低损耗双零点2.4千兆赫微型带通滤波器 |
CN102800906A (zh) * | 2012-07-27 | 2012-11-28 | 电子科技大学 | 多层陶瓷基片集成波导滤波器 |
CN103035990A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 青岛联盟电子仪器有限公司 | Ltcc滤波器 |
CN103107391A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-15 | 南通大学 | 一种紧凑型微波分布式双模带通滤波器 |
CN103515679A (zh) * | 2013-10-09 | 2014-01-15 | 南京理工大学 | 基于ltcc的w波段高抑制微型带通滤波器 |
CN103904392A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-02 | 电子科技大学 | 基片集成波导滤波器 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104868214A (zh) * | 2015-04-27 | 2015-08-26 | 南通大学 | 基于探针馈电的微带到基片集成波导的平衡式过渡电路 |
CN104868214B (zh) * | 2015-04-27 | 2018-04-27 | 南通大学 | 基于探针馈电的微带到基片集成波导的平衡式过渡电路 |
US9929123B2 (en) | 2015-06-08 | 2018-03-27 | Analog Devices, Inc. | Resonant circuit including bump pads |
US9520356B1 (en) | 2015-09-09 | 2016-12-13 | Analog Devices, Inc. | Circuit with reduced noise and controlled frequency |
CN108832245A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-11-16 | 西安电子科技大学 | 一种基于硅通孔技术的介质腔基片集成波导结构及其制备工艺 |
CN109326859A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-02-12 | 南京航空航天大学 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
CN109326859B (zh) * | 2018-10-29 | 2020-07-24 | 南京航空航天大学 | 基于siw的tm双模平衡带通滤波器 |
CN112490608A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-03-12 | 广东盛路通信科技股份有限公司 | 传输组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104218279B (zh) | 2017-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Alós et al. | Ka-band gap waveguide coupled-resonator filter for radio link diplexer application | |
US7872550B2 (en) | Vertical coupling structure for non-adjacent resonators | |
CN104218279A (zh) | 基于ltcc的新型双模带通滤波器 | |
Chen et al. | Dual-band vertically stacked laminated waveguide filter design in LTCC technology | |
Zhang et al. | Evanescent-mode substrate integrated waveguide (SIW) filters implemented with complementary split ring resonators | |
CN106602190A (zh) | 高带外抑制的多层基片集成波导滤波器 | |
Wu et al. | A substrate-integrated evanescent-mode waveguide filter with nonresonating node in low-temperature co-fired ceramic | |
CN103165964B (zh) | 一种基于ltcc技术的小型化滤波器 | |
CN103326093A (zh) | 新型交叉耦合基片集成波导带通滤波器 | |
US7663452B2 (en) | Ridge-waveguide filter and filter bank | |
CN114267930B (zh) | 一种适用于5g通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构 | |
KR101812490B1 (ko) | 기판 집적형 도파관의 표면실장을 위한 전이구조 설계 및 그 제조방법 | |
Athanasopoulos et al. | Development of a 60 GHz substrate integrated waveguide planar diplexer | |
US7026893B2 (en) | Dielectric resonator having a multilayer structure | |
Danaeian et al. | Compact metamaterial unit‐cell based on stepped‐impedance resonator technique and its application to miniaturize substrate integrated waveguide filter and diplexer | |
KR101431005B1 (ko) | 3차원 적층 유전체 공진기 조립체 | |
CN104201451B (zh) | 一种新型带状线结构的高频低通滤波器 | |
KR101616768B1 (ko) | 너치가 형성된 유전체 도파관 필터 | |
CN104167578B (zh) | 基片集成波导带通滤波器 | |
CN102646565B (zh) | 一种小型化的功率增益均衡器 | |
CN110752425A (zh) | 一种带通滤波器及通信装置 | |
KR101416998B1 (ko) | Sir형 밴드패스필터 | |
Zhang et al. | Design of a high outband rejection cross-coupled SIW filter for millimeter wave communications | |
WO2021170119A1 (zh) | 介质滤波器和通信设备 | |
CN107919516B (zh) | 一种宽带小型化基片集成同轴线压控谐振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170419 Termination date: 20190902 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |