CN110727150A - 布线基底和包括布线基底的显示装置 - Google Patents

布线基底和包括布线基底的显示装置 Download PDF

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朴弘植
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Abstract

提供一种布线基底和包括布线基底的显示装置。所述显示装置可以包括：第一基体；金属氧化物层，与第一基体的表面叠置；以及导电金属层，直接接触金属氧化物层。金属氧化物层可以包括氧化钼。金属氧化物层的一侧可以相对于第一基体的表面以第一角度定位。导电金属层的一侧可以相对于第一基体的表面以第二角度定位。第二角度的大小可以在30°至75°的范围内。

Description

布线基底和包括布线基底的显示装置
本申请要求于2018年7月17日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0083049号韩国专利申请的优先权；该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
技术领域涉及一种布线基底和一种包括该布线基底的显示装置。
背景技术
现代显示装置包括液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置等。
显示装置可以包括用于显示不同颜色的多个像素。显示装置还可以包括驱动信号布线，驱动信号布线用于将驱动信号传输到针对像素布置的各种功能电极。
驱动信号布线通常要求具有低电阻、高热稳定性和易加工性。
在显示装置中，布线可以反射外部光。由布线反射的外部光会导致显示装置的显示质量的显著劣化，诸如对比度的显著劣化。
发明内容
实施例可以涉及一种具有期望开口率、足够分辨率、满意的显示质量和/或抑制外部光的反射的显示装置。
实施例可以涉及一种用于具有足够的分辨率和满意的显示质量两者的显示装置的布线基底。
显示装置的实施例包括：第一基体；以及第一布线层，设置在第一基体上并且包括相互层叠的导电金属层和金属氧化物层；其中，金属氧化物层包括氧化钼，并且导电金属层具有锥形剖面形状且具有30°至75°的锥角。
布线基底的实施例包括：第一基体；第一布线层，设置在第一基体上并且包括相互层叠的导电金属层和金属氧化物层；其中，金属氧化物层包括氧化钼，并且导电金属层具有锥形剖面形状且具有30°至75°的锥角。
显示装置的实施例包括：第一基体；以及第一布线层，设置在第一基体上并且包括相互层叠的导电金属层和金属氧化物层；其中，金属氧化物层包括MoxTayOz，并且导电金属层具有锥形剖面形状，并且钽在金属原子中的含量为0.5at％至20at％。
实施例可以涉及一种显示装置。所述显示装置可以包括：第一基体；金属氧化物层，与第一基体的表面叠置；以及导电金属层，直接接触金属氧化物层。金属氧化物层可以包括氧化钼。金属氧化物层的一侧可以相对于第一基体的表面以第一角度定位。导电金属层的一侧可以相对于第一基体的表面以第二角度定位。第二角度的大小可以在30度至75度的范围内。
金属氧化物层的光反射率可以小于导电金属层的光反射率。
显示装置的第一布线层可以包括金属氧化物层和导电金属层。第一布线层对从第一基体的表面入射的具有550nm波长的光的光反射率可以为6.0％或更小。
金属氧化物层在与第一基体的表面垂直的方向上的最大厚度可以在
Figure BDA0002116665670000021
至的范围内。
金属氧化物层可以直接设置在第一基体上并且设置在导电金属层与第一基体之间。
第一角度可以小于第二角度。
第二角度的大小可以在45度至70度的范围内。
金属氧化物层的所述侧可以直接连接到导电金属层的所述侧。
金属氧化物层可以直接接触导电金属层的表面并且可以在与第一基体的表面平行的方向上突出超过导电金属层的表面。
金属氧化物层还可以包括钽。在金属氧化物层中，钽在金属原子中的含量可以在0.5at％至12at％的范围内。
导电金属层可以包括第一金属层和第二金属层。第一金属层可以设置在金属氧化物层与第二金属层之间。第二金属层可以具有比第一金属层的导电率高的导电率。
导电金属层可以包括第一金属层和第二金属层。第一金属层可以设置在金属氧化物层与第二金属层之间。第二金属层具有比第一金属层的导电率高的导电率。
显示装置的第一布线层可以包括金属氧化物层和导电金属层。第一布线层对从金属氧化物层的表面入射的具有550nm波长的光的光反射率可以为6.0％或更小。
导电金属层可以包括第一金属层和第二金属层。第二金属层可以设置在第一金属层与金属氧化物层之间并且具有比第一金属层的导电率高的导电率。
金属氧化物层在与第一基体的表面垂直的方向上的最大厚度可以大于第一金属层在所述方向上的最大厚度，并且可以小于第二金属层在所述方向上的最大厚度。
金属氧化物层在与所述方向上的最大厚度可以在
Figure BDA0002116665670000031
至
Figure BDA0002116665670000032
的范围内。
第一金属层可以包括难熔金属。第二金属层可以包括铜和银中的至少一种。
第一金属层的第一表面和第二金属层的第一表面可以设置在第一金属层的第二表面与第二金属层的第二表面之间。第一金属层的第一表面在与第一基体的表面平行的方向上可以比第二金属层的第一表面宽。
金属氧化物层可以直接接触导电金属层的表面并且可以在与第一基体的表面平行的方向上突出超过导电金属层的表面。
实施例可以涉及一种布线基底。所述布线基底可以包括：第一基体；金属氧化物层，与第一基体的表面叠置；以及导电金属层，直接接触金属氧化物层。金属氧化物层可以包括氧化钼。导电金属层的一侧可以相对于第一基体的表面以一角度定位。该角度的大小可以在30°至75°的范围内。
实施例可以涉及一种显示装置。所述显示装置可以包括：第一基体；导电金属层，与第一基体的表面叠置；以及金属氧化物层，直接接触导电金属层。金属氧化物层可以包括MoxTayOz。导电金属层的一侧可以相对于第一基体的表面以锐角定位。在金属氧化物层中，钽在金属原子中的含量可以在0.5at％至20at％的范围内。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的分解透视图。
图2是根据实施例的包括在图1的显示装置中的像素的布局图(或平面图)。
图3是根据实施例的沿图2的线III-III'截取的剖视图。
图4是根据实施例的沿图2的线IVa-IVa'、IVb-IVb'和IVc-IVc'截取的剖视图。
图5是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。
图6是示出根据实施例的可见光波段中的光反射率值相对于包括在图5的第一布线层中的金属氧化物层的厚度值的曲线图。
图7是示出根据实施例的可见光波段中的光反射率值相对于包括在图5的第一布线层中的金属氧化物层的厚度值的曲线图。
图8和图9是示出根据实施例的图5的第一布线层的剖视图。
图10是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。
图11和图12是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。
具体实施方式
参照附图来描述示例实施例。实际实施例可以以许多不同的形式实现，并且不应该被解释为限于所描述的实施例。同样的附图标记可以指示同样的元件。
这里使用的术语是为了描述特定的实施例的目的。如这里所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也可以包括复数形式。术语“包括”和/或“包含”以及它们的变型可以说明存在所陈述的特征、步骤和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、步骤和/或组件。
虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被命名为第二元件。如“第一”元件的元件描述可以不需要或暗示存在第二元件或其它元件。这里还可以使用术语“第一”、“第二”等来区分不同类别或不同组的元件。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”、“连接到”或“结合到”第二元件时，第一元件可以直接在第二元件上、直接连接到或直接结合到第二元件，或者在第一元件与第二元件之间可以存在一个或更多个中间元件。但当第一元件被称为“直接在”第二元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”第二元件时，在第一元件与第二元件之间不存在预期的中间元件(除了诸如空气的环境要素之外)。术语“和/或”可以包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
术语“连接”可以表示“电连接”；术语“隔离”可以表示“电隔离”；术语“绝缘”可以表示“电绝缘”；术语“接触”可以表示“直接地接触”或“直接接触”。
图1是根据实施例的显示装置的分解透视图。
参照图1，显示装置1包括显示面板1a和可选择地向显示面板1a提供光的光源单元1b。
显示面板1a包括像素PXa和PXb，并且像素PXa和PXb可以沿第一方向X和第二方向Y以大致矩阵形式布置。像素可以表现预定原色中的一种或更多种。一个像素可以是能够独立于其它像素表现一种或更多种颜色的最小单元。原色可以包括红色、绿色和蓝色。例如，沿第一方向X布置的第一像素PXa和第二像素PXb可以表现不同的原色。
显示面板1a可以包括驱动信号布线，驱动信号布线可以包括在第一方向X上延伸的栅极信号布线210和在第二方向Y上延伸并且与栅极信号布线210隔离的数据信号布线510。栅极信号布线210和数据信号布线510中的每条连接到驱动单元(未示出)并且连接到设置在像素中的像素电极600，以将驱动信号从驱动单元传输到像素。
光源单元1b可以设置在显示面板1a的一侧处，以将具有特定波长的光提供到显示面板1a。例如，光源单元1b可以设置在显示面板1a的上侧处。在这种情况下，显示面板1a的下表面可以是显示表面，并且图像能够显示在显示表面上。作为另一示例，光源单元1b可以设置在显示面板1a的下侧处。在这种情况下，显示面板1a的上表面可以是显示表面，并且图像能够显示在显示表面上。
光源单元1b可以包括直接发射光的光源(未示出)和引导从光源接收的光的路径并朝向显示面板1a发射光的导光板(未示出)。导光板可以具有高透光率，并且可以包括玻璃材料、石英材料和诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯的塑料材料中的至少一种。
光源可以是发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)。例如，光源可以发射蓝光或白光。
尽管未在图中示出，但是可以在显示面板1a与光源单元1b之间设置至少一个光学片。光学片可以包括棱镜片、漫射片、偏振片(或反射偏振片)、双凸透镜片和微透镜片中的至少一种。光学片可以通过调制从光源单元1b提供并朝向显示面板1a行进的光的光学特性来改善显示装置1的显示质量。例如，光学片可以收集光、漫射/散射光和/或调制偏振特性。
图2是根据实施例的包括在图1的显示装置中的像素的布局图(或平面图)。图3是根据实施例的沿图2的线III-III'截取的剖视图。
参照图1至图3，显示面板1a可以包括下基底10、与下基底10叠置的上基底20以及设置在基底10与20之间的液晶层30。液晶层30可以被下基底10、上基底20以及将这些基底10和20彼此附着的封装构件(未示出)封装。下基底10可以是设置有用于驱动显示面板1a的驱动信号布线的布线基底，上基底20可以是设置有颜色转换图案的颜色转换基底。
下基底10可以包括第一基体110(或第一基体基底)、第一布线层200(在图2中指示)、第一绝缘层310、有源层400、第二布线层500(在图2中指示)、第二绝缘层330和像素电极600(在图2中指示)。
第一基体110可以是透明绝缘基底。例如，第一基体110可以是由玻璃材料、石英材料或半透明塑料材料制成的基底。在实施例中，第一基体110可以具有柔性，显示装置1可以是弯曲的显示装置。
第一布线层200可以设置在第一基体110上。第一布线层200可以直接设置在第一基体110上。第一布线层200可以包括栅极信号布线210和维持电极230。栅极信号布线210和维持电极230可以设置在同一层上。例如，栅极信号布线210和维持电极230可以具有相同的结构，可以由相同的材料制成，并且可以通过一个工艺(例如，掩模工艺)同时形成。
栅极信号布线210可以沿大致第一方向X延伸。栅极信号布线210可以将从栅极驱动单元(未示出)提供的栅极驱动信号传输到设置在像素PXa和PXb中的每个中的开关元件。例如，沿第一方向X布置的像素可以共用一条栅极信号布线210。
栅极信号布线210的一部分可以形成开关元件的栅电极。例如，栅极信号布线210的部分可以形成第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3的控制端子(或控制电极)。开关元件的控制端子可以从栅极信号布线210突出。
维持电极230可以与第二布线层500的一部分和/或像素电极600的一部分叠置。维持电极230可以与第二布线层500(和/或像素电极600)以及置于维持电极230与第二布线层500(和/或像素电极600)之间的介电层(或绝缘层)一起形成存储电容器。存储电容器可以在一帧(或特定时间)期间保持施加到像素电极600的电压。维持电极230可以具有部分地延伸的部分。在这种情况下，可以使维持电极230与第二布线层500和像素电极600的叠置面积最大化，可以使存储电容器的容量最大化，并且可以稳定地保持一帧的电压。
在实施例中，维持电极230可以与第一子像素电极610的边缘部分地叠置。当第一子像素电极610具有大致矩形的平面形状时，维持电极230可以具有包括在第一方向X上延伸的部分231和在第二方向Y上延伸的部分232的大致正方形的带。在实施例中，维持电极230可以具有其它构造。
在实施例中，第一布线层200(例如，栅极信号布线210和维持电极230)可以包括导电金属层和金属氧化物层。第一布线层200可以具有其中层叠有导电金属层和金属氧化物层的层叠结构。第一绝缘层310可以在第一基体110的整个表面之上设置在第一布线层200上。第一绝缘层310可以包括绝缘材料以使组件彼此绝缘。第一绝缘层310可以是用于使开关元件Q1、Q2和Q3的控制端子(或栅电极)与沟道层(即，有源层400)绝缘的栅极绝缘层。第一绝缘层310可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
有源层400可以设置在第一绝缘层310上。有源层400可以包括半导体材料。例如，有源层400可以包括非晶硅或多晶硅，或者可以包括氧化物半导体。有源层400的一部分可以形成开关元件的沟道。例如，有源层400的部分可以形成第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3的沟道，并且沟道中的一个或更多个可以根据施加到栅极信号布线210的电压而导通或截止。有源层400的至少一部分可以在大致第二方向Y上延伸并且与数据信号布线510叠置。
第二布线层500可以设置在有源层400上。第二布线层500可以包括数据信号布线510、源电极层530和漏电极层550，并且还可以包括参考电压布线570。数据信号布线510、源电极层530、漏电极层550和参考电压布线570可以设置在同一层上。例如，数据信号布线510、源电极层530、漏电极层550和参考电压布线570可以具有相同的结构，可以由相同的材料制成，并且可以通过一个工艺同时形成。
数据信号布线510可以沿大致第二方向Y延伸。数据信号布线510可以将从数据驱动单元(未示出)提供的数据驱动信号传输到设置在沿第二方向Y布置在同一像素列中的每个像素中的开关元件。
源电极层530可以包括第一源电极531、第二源电极532和第三源电极533。第一源电极531、第二源电极532和第三源电极533可以分别用作第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3的输入端子。
第一源电极531可以从数据信号布线510突出，并且可以与数据信号布线510一体形成。第一源电极531可以在栅极信号布线210和有源层400上与第一漏电极551分开。
类似地，第二源电极532可以从数据信号布线510突出，并且可以与数据信号布线510和第一源电极531一体形成。第二源电极532可以在栅极信号布线210和有源层400上与第二漏电极552分开。
第三源电极533可以从第二漏电极552延伸，并且可以与第二漏电极552一体形成。第三源电极533可以在栅极信号布线210和有源层400上与第三漏电极553分开。
漏电极层550可以包括第一漏电极551、第二漏电极552和第三漏电极553。第一漏电极551、第二漏电极552和第三漏电极553可以分别用作第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3的输出端子。
第一漏电极551可以在栅极信号布线210和有源层400上与第一源电极531分开。第一漏电极551可以通过第一接触孔H1电连接到第一子像素电极610(包括部分601、602和603)。
类似地，第二漏电极552可以在栅极信号布线210和有源层400上与第二源电极532分开。第二漏电极552可以通过第二接触孔H2电连接到第二子像素电极630。第二漏电极552可以与第三源电极533一体形成。
第三漏电极553可以在栅极信号布线210和有源层400上与第三源电极533间隔开。
参考电压布线570可以在大致第二方向Y上延伸。例如，参考电压布线570的一部分(在第二方向Y上延伸的部分)可以与像素电极600的主干部分601叠置。当参考电压布线570与像素电极600的主干部分601叠置时，能够使由于穿过开口区域的参考电压布线570引起的亮度劣化最小化。参考电压可以施加到参考电压布线570。
在实施例中，参考电压布线570的一部分可以部分地形成第三漏电极553。例如，参考电压布线570可以同时用作第三开关元件Q3的输出端子。在实施例中，参考电压布线570和第三漏电极553可以在物理上彼此分开，但是也可以彼此电连接。
在实施例中，第二布线层500(例如，数据信号布线510、源电极层530、漏电极层550和参考电压布线570)可以包括导电金属层和金属氧化物层。第二布线层500可以具有其中层叠有导电金属层和金属氧化物层的层叠结构。
第二绝缘层330可以在第一基体110的整个表面之上设置在第二布线层500上。第二绝缘层330可以包括绝缘材料。第二绝缘层330可以使第二布线层500与像素电极600隔离。第二绝缘层330可以具有多个层的层叠结构。例如，第二绝缘层330可以具有包括由无机材料制成的保护层331和由有机材料制成的平坦化层332的双层结构。
接触孔可以形成在第二绝缘层330中。例如，第一接触孔H1可以穿透第二绝缘层330以使第一漏电极551部分地暴露，第二接触孔H2可以穿透第二绝缘层330以使第二漏电极552部分地暴露。
像素电极600可以设置在第二绝缘层330上。像素电极600可以与共电极900一起在液晶层30中形成电场，以控制对应像素中的液晶31的取向方向。像素电极600可以设置在相应的像素PXa和PXb中，并且电压可以彼此独立地施加到像素电极600。像素电极600可以是由透明导电材料制成的透明电极。用于形成透明电极的材料的示例可以包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)。
在实施例中，在一个像素中，像素电极600可以包括彼此间隔开的第一子像素电极610和第二子像素电极630。由第一子像素电极610占据的平面区域可以比由第二子像素电极630占据的平面区域小。
第一子像素电极610和第二子像素电极630中的每个在平面图中可以具有大致矩形的形状，并且可以是具有域划分方法的图案电极。例如，第一子像素电极610和第二子像素电极630中的每个可以包括主干部分601、多个分支部分602和从分支部分602延伸的连接部分603。
主干部分601可以形成为大致十字形。主干部分601可以与在大致第二方向Y上延伸的参考电压布线570叠置。分支部分602可以在从十字形的主干部分601倾斜的方向上(例如，在相对于主干部分601的延伸方向约45°的方向上)延伸。即，第一子像素电极610和第二子像素电极630中的每个可以具有被主干部分601划分并且具有不同对准方向的分支部分602的四个域。在这种情况下，可以改善显示装置1的液晶控制能力，可以改善显示装置1的视角，并且可以改善显示装置1的亮度和响应速度。
第一子像素电极610的连接部分603可以通过第一接触孔H1使第一子像素电极610和第一漏电极551电连接，并且第二子像素电极630的连接部分603可以通过第二接触孔H2使第二子像素电极630和第二漏电极552电连接。
第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3共用一条栅极信号布线210并且可以被同时控制。从数据信号布线510提供的数据电压可以通过第一开关元件Q1施加到第一子像素电极610。由于第二开关元件Q2的第二漏电极552通过第三开关元件Q3电连接到参考电压布线570，所以具有在从数据信号布线510提供的数据电压与从参考电压布线570提供的参考电压之间的值的预定电压可以施加到第二子像素电极630。因此，具有比施加到第一子像素电极610的电压的幅值相对低的幅值的电压可以施加到第二子像素电极630。施加不同电压的第一子像素电极610和第二子像素电极630设置在一个像素中以改善显示装置1的侧面可视性。
在图2中，第一子像素电极610的边缘与维持电极230叠置。在实施例中，第二子像素电极630的边缘可以与维持电极230叠置。在实施例中，第一子像素电极610和第二子像素电极630两者可以与维持电极230叠置。
上基底20可以包括第二基体130、设置在第二基体130的一个表面(图3中的下表面)上的光阻挡构件700、设置在第二基体130上的颜色转换图案810、设置在颜色转换图案810和光阻挡构件700上的覆层830以及设置在覆层830上的共电极900。
第二基体130可以是透明基底。第一基体110和第二基体130可以由相同材料或不同材料制成。
光阻挡构件700可以设置在第二基体130上。光阻挡构件700可以由能够阻挡可见光波段中的光的材料制成。光阻挡构件700可以与第一开关元件Q1、第二开关元件Q2和第三开关元件Q3叠置，从而防止在非预期区域中的光泄漏。
光阻挡构件700可以具有在第一方向X上延伸的线形状，并且可以与开关元件Q1至Q3叠置。此外，光阻挡构件700可以与维持电极230、有源层400的一部分和数据信号布线510的一部分部分地叠置。栅极信号布线210可以被光阻挡构件700完全覆盖。在图3中，光阻挡构件700包括在上基底20中。在实施例中，光阻挡构件700可以包括在下基底10中。在实施例中，光阻挡构件700可以是不必要的。
颜色转换图案810可以与光阻挡构件700部分地叠置并且可以与像素电极600叠置。颜色转换图案810可以设置在与像素PXa和PXb中的每个对应的位置处。已经穿过颜色转换图案810的光可以处于特定波段中。因此，显示装置1的像素PXa和PXb可以表现不同的颜色。
颜色转换图案810可以是包括诸如染料或颜料的着色剂的滤色器。着色剂可以选择性地吸收特定波段的入射光。颜色转换图案810可以吸收入射光中的特定波段的光，并且选择性地透射入射光中的另一特定波段的光。
颜色转换图案810可以是包括诸如量子点材料或荧光材料的波长移位材料的波长移位构件。波长移位材料可以将入射光的峰值波长转换或移位到另一特定峰值波长。颜色转换图案810可以在吸收入射光的至少一部分之后发射具有特定峰值波长的光。
覆层830可以在第二基体130的整个表面之上设置在颜色转换图案810上。覆层830可以使层叠在第二基体130上的多个组件平坦化，以提供共电极900将设置在其上的表面。
共电极900可以设置在覆层830上。共电极900可以针对所有像素PXa和PXb一体形成，并且共电压可以施加到共电极900。共电极900可以是透明电极。
液晶层30可以包括初始取向的液晶31。例如，液晶31可以具有负介电各向异性，并且可以在初始取向状态下竖直取向。液晶31可以在初始取向状态下具有预定的预倾角。当在像素电极600与共电极900之间形成电场时，液晶31可以改变透射通过液晶层30的光的量。作为另一示例，液晶31可以具有正介电各向异性，并且可以在初始取向状态下水平取向。当形成电场时，液晶31可以改变光的透射率。
图4是根据实施例的沿图2的线IVa-IVa'、IVb-IVb'和IVc-IVc'截取的剖视图。图5是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。图6是示出根据实施例的可见光波段中的光反射率值相对于包括在图5的第一布线层中金属氧化物层的厚度值的图表。
在图4中，沿线IVa-IVa'截取的剖面表示维持电极230和栅极信号布线210，沿线IVb-IVb'截取的剖面表示在不与光阻挡构件700叠置的区域中的参考电压布线570和数据信号布线510，并且沿线IVc-IVc'截取的剖面表示在与光阻挡构件700叠置的区域中的参考电压布线570和数据信号布线510。
参照图1至图6，第一布线层200可以具有其中层叠有第一金属氧化物层201和第一导电金属层202的层叠结构，并且第二布线层500可以具有其中层叠有第二金属氧化物层501和第二导电金属层502的层叠结构。在图4和图5中，第一布线层200包括第一金属氧化物层201和第一导电金属层202，并且第二布线层500包括第二金属氧化物层501和第二导电金属层502。在实施例中，第二布线层500可以不包括第二金属氧化物层501，或者第一布线层200可以不包括第二金属氧化物层201。
第一布线层200可以包括第一金属氧化物层201和第一导电金属层202。
第一金属氧化物层201可以设置在第一基体110上。第一金属氧化物层201可以是单层。第一金属氧化物层201可以包括具有比第一导电金属层202的光吸收率高的光吸收率并且比第一导电金属层202的光反射率小的光反射率的材料。
在实施例中，第一金属氧化物层201可以包括氧化钼(MoOx)。例如，第一金属氧化物层201可以包括二氧化钼(MoO2)。作为另一示例，第一金属氧化物层201可以包括二氧化钼(MoO2)和三氧化钼(MoO3)。
氧化钼的折射率可以为约2.55，并且氧化钼的吸收系数(或消光系数，k)可以为3697.6cm-1。在这种情况下，包括氧化钼的第一金属氧化物层201的折射率可以在2.2至2.6的范围内，第一金属氧化物层201的吸收系数可以与厚度的增大成比例地增大并且可以为0.40至0.90。
第一导电金属层202可以设置在第一金属氧化物层201上。第一导电金属层202可以直接设置在第一金属氧化物层201上。第一导电金属层202可以包括具有低电阻率和优异导电率的金属材料。例如，第一导电金属层202可以包括铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)或合金。第一导电金属层202可以呈现不透明的性质。例如，第一导电金属层202可以是仅包括铜的铜层，或者可以是包括铜的合金的单层。
在实施例中，第一金属氧化物层201的折射率可以比第一导电金属层202的折射率大。例如，第一金属氧化物层201对可见光波段中的光的折射率可以在2.2至2.6的范围内，并且第一金属氧化物层201对具有550nm波长的光的折射率可以在2.2至2.3的范围内。
在实施例中，第一金属氧化物层201的厚度T201可以比第一导电金属层202的厚度T202小。第一金属氧化物层201可以具有能够对可见光波段中的光呈现相消干涉的厚度(例如，T201＝λ/4/n，其中，λ是光的波长，n是第一金属氧化物层201的折射率)。类似地，第二金属氧化物层501的厚度T501可以比第二导电金属层502的厚度T502小，第二金属氧化物层501可以具有能够对可见光波段中的光呈现相消干涉的厚度。
图6示出了第一金属氧化物层201(或包括第一金属氧化物层201的第一布线层200)对可见光波段(例如，波长为550nm)中的光的光反射率与第一金属氧化物层201在第三方向Z上的厚度T201之间的关系。假设第一导电金属层202包括铜(Cu)并且第一导电金属层202的厚度T202是
当第一金属氧化物层201的厚度T201为
Figure BDA0002116665670000132
时(即，当第一布线层200仅包括第一导电金属层202时)，第一布线层200的光反射率可以为79.6％。也就是说，从第一金属氧化物层201的后表面入射的光EXL中的大部分光EXL被反射，并且可以作为反射光RFL被用户观看到。
随着第一金属氧化物层201的厚度T201增大，第一金属氧化物层201的光反射率逐渐减小。当第一金属氧化物层201的厚度T201为
Figure BDA0002116665670000133
时，第一金属氧化物层201的光反射率可以具有最小值1.7％。随着第一金属氧化物层201的厚度T201增大超过
Figure BDA0002116665670000134
第一金属氧化物层201的光反射率逐渐增大。当第一金属氧化物层201的厚度T201为
Figure BDA0002116665670000135
时，第一金属氧化物层201的光反射率可以为17.7％。
由于第一金属氧化物层201的光反射率由第一金属氧化物层201的光吸收率、透射率和折射率以及透射光的相消干涉来确定，因此在厚度T201为引起相消干涉的处，第一金属氧化物层201的光反射率可以具有最小值。随着厚度T201增大超过第一金属氧化物层201的光反射率略有增大，但第一金属氧化物层201的光吸收率随厚度T201的增大而增大，使得第一金属氧化物层201的光反射率可以再次减小并饱和。
根据实施例，第一金属氧化物层201的厚度T201可以在使光反射率减小到50％或更小的
Figure BDA0002116665670000142
至
Figure BDA0002116665670000143
的范围内，可以在使光反射率减小到10％或更小的
Figure BDA0002116665670000144
至
Figure BDA0002116665670000145
的范围内，并且可以为使光反射率最小化的约
Figure BDA0002116665670000146
当可见光波段在380nm至780nm的范围内时，考虑到整体光吸收率和相消干涉，第一金属氧化物层201的厚度T201可以为约
Figure BDA0002116665670000147
当第一金属氧化物层201的厚度T201为约
Figure BDA0002116665670000148
时，第一金属氧化物层201(或者包括第一金属氧化物层201的第一布线层200)的光吸收率可以为约40％或更大，为约45％或更大，为约50％或更大，为约55％或更大，或者为约60％或更大。第一金属氧化物层201(或者包括第一金属氧化物层201的第一布线层200)的光反射率本身可以在25％至40％的范围内，第一金属氧化物层201的光透射率可以在15％至25％的范围内。
第一金属氧化物层201的侧壁可以在第二方向Y和/或第一方向X上突出超过第一导电金属层202的侧壁，以形成尖端T1。第一金属氧化物层201的尖端T1可以改善第一导电金属层202的稳定性。第一金属氧化物层201的面对/接触第一导电金属层202的表面(即，图5中的第一金属氧化物层201的上表面)的宽度W1可以比第一导电金属层202的面对/接触第一金属氧化物层201的表面(即，图5中的第一导电金属层202的下表面)的宽度W2大。第一金属氧化物层201的尖端T1的上侧的长度L1可以为约0.5μm或更小。当尖端T1的长度L1大于0.5μm时，开关元件的漏电流(截止电流)会显着地、不期望地增大。
第一金属氧化物层201可以位于第一布线层200的最下层处。具有其自身的高光吸收率且具有相消干涉厚度的第一金属氧化物层201设置在第一布线层200的最下位置处，使得可以有效地减小第一布线层200对从后表面入射的光EXL的反射率，或者可以有效地减少反射光RFL。第一布线层200对从第一金属氧化物层201的一侧(或图中下侧)朝向第一布线层200入射的具有550nm波长的光EXL的反射率可以为约6.0％或更小，为约3.0％或更小，或者为约1.7％或更小。由于第一布线层200包括第一导电金属层202，因此它可以提供优异的导电性并且可以用作布线和电极。
第一布线层200可以包括栅极信号布线210和维持电极230。
在第一方向X上延伸的栅极信号布线210可以与在第一方向X上延伸的线形光阻挡构件700完全叠置。栅极信号布线210可以被光阻挡构件700完全覆盖和遮盖。
维持电极230可以与光阻挡构件700部分地叠置。当维持电极230包括在第一方向X上延伸的部分和在第二方向Y上延伸的部分时，维持电极230在第二方向Y上延伸的部分的至少一部分可以暴露于外部光，而不与光阻挡构件700叠置。
第一布线层200相对于可见光波段中的光可以具有非常低的反射率，因此可以使由光阻挡构件700占据的平面区域最小化。即使当光阻挡构件700不具有仅在第一方向X上延伸并且不在第二方向Y上延伸的部分时，显示装置1也可以具有优异的对比度特性。在第二方向Y上延伸的光阻挡构件700可以不存于在第一方向X上的相邻像素PXa和PXb的边界处，从而可以改善显示装置1的开口率。
第二布线层500可以包括设置在第一布线层200上并且与第一布线层200绝缘的第二金属氧化物层501和第二导电金属层502。
第二金属氧化物层501与上面描述的第一金属氧化物层201基本相同或相似，第二导电金属层502与上面描述的第一导电金属层202基本相同或相似。
第一绝缘层310可以设置在第一布线层200与第二布线层500之间。第一绝缘层310可以使第二布线层500与第一布线层200隔离。
有源层400可以设置在第二布线层500与第一绝缘层310之间。当第二金属氧化物层501和有源层400彼此接触时，第二金属氧化物层501可以用作用于防止第二导电金属层502中的离子扩散到有源层400中的阻挡件。在一些实施例中，当有源层400包括非晶硅时，还可以在第二布线层500与有源层400之间设置欧姆接触层(未示出)。欧姆接触层可以包括掺杂有高浓度的n型杂质的n+氢化非晶硅，或者可以包括硅化物。欧姆接触层可以减小第二布线层500与有源层400之间的接触电阻。
第二布线层500可以包括数据信号布线510并且还可以包括参考电压布线570。
在第二方向Y上延伸的数据信号布线510和参考电压布线570中的每条可以与光阻挡构件700部分地叠置。数据信号布线510和参考电压布线570中的至少一部分可以暴露于外部光，而不与光阻挡构件700叠置。
类似于第一布线层200，第二布线层500相对于可见光波段中的光可以具有非常低的反射率，因此可以使由光阻挡构件700占据的平面区域最小化。即使当光阻挡构件700不具有仅在第一方向X上延伸并且不在第二方向Y上延伸的部分时，显示装置1也可具有优异的对比度特性。在第二方向Y上延伸的光阻挡构件700可以不存于在第一方向X上的相邻像素PXa和PXb的边界处，从而可以改善显示装置1的开口率。
图7是示出根据实施例的可见光波段中的光反射率值相对于包括在图5的第一布线层中的金属氧化物层的厚度值的曲线图。
参照图1至图5，第一金属氧化物层201(和/或第二金属氧化物层501)还可以包括钽。第一金属氧化物层201可以包括MoxTayOz。
第一金属氧化物层201中的金属原子中的钽的含量可以为约20.0at％(原子百分比)或更小，为约12at％或更小，或者为约2at％或更小。y与(x+y)的比率(y/(x+y))的上限可以为约0.20。当钽的含量大于20at％时，蚀刻稳定性劣化，因此难以控制蚀刻表面。
第一金属氧化物层201中的金属原子中的钽的含量的下限没有特别限制，但是从加工性的观点来看，第一金属氧化物层201中的金属原子中的钽的含量的下限可以为约0.3at％或更大，或者为约0.5at％或更大。当钽的含量小于0.3at％时，第一金属氧化物层201会呈现出不期望的蚀刻特性，因此是不稳定的。
随着钽的含量增大，第一金属氧化物层201对可见光波段中的光的光反射率可以增大。
图7示出了第一金属氧化物层201(即，包括钽的第一金属氧化物层201)对可见光波段(例如，波长为550nm)中的光的光反射率与第一金属氧化物层201在第三方向Z上的厚度T201_1之间的关系。假设第一导电金属层202包括铜(Cu)，第一导电金属层202的厚度T202为
Figure BDA0002116665670000161
并且钽的含量为约2.0at％。
当第一金属氧化物层201的厚度T201_1为
Figure BDA0002116665670000162
时，第一金属氧化物层201的光反射率可以为39.6％，这可以比不包括钽的第一金属氧化物层201的光反射率(图6中示出的30.4％)高。
随着第一金属氧化物层201的厚度T201_1增大，第一金属氧化物层201的光反射率逐渐减小。在这种情况下，当第一金属氧化物层201的厚度T201_1为时，第一金属氧化物层201的光反射率可以具有最小值2.9％。随着第一金属氧化物层201的厚度T201_1增大超过
Figure BDA0002116665670000172
第一金属氧化物层201的光反射率可以逐渐增大然后饱和。
根据实施例，第一金属氧化物层201(包括钽)的厚度T201_1可以在光反射率减小到50％或更小的
Figure BDA0002116665670000173
至
Figure BDA0002116665670000174
的范围内，可以在光反射率减小到10％或更小的
Figure BDA0002116665670000175
至的范围内，或者可以在光反射率减小到3％或更小的约至
Figure BDA0002116665670000178
的范围内。考虑到可见光波段(约380nm至约780nm)、光吸收率和相消干涉等，第一金属氧化物层201的厚度T201_1可以为约
当第一金属氧化物层201包括钽时，尖端T1可以更容易地形成在第一金属氧化物层201的侧壁上。第一金属氧化物层201的尖端T1可以在第二方向Y和/或第一方向X上突出超过第一导电金属层202的侧壁，并且可以防止被第一导电金属层202反射的光(即，已经到达第一导电金属层202并且透过第一基体110而不穿过第一金属氧化物层201的光)被用户观看到。
图8和图9是示出根据实施例的图5的第一布线层的剖视图。
参照图5和图8，第一金属氧化物层201可以具有锥形剖面形状。第一金属氧化物层201的两个侧壁可以相对于第一基体110的底面倾斜，并且两个相对的侧壁之间的距离(或第一金属氧化物层201在水平方向上的宽度)可以随与第一基体110的距离增大而减小。第一导电金属层202也可以具有锥形剖面形状。
第一金属氧化物层201的侧壁可以与第一基体110一起形成第一角度(或第一锥角或第一倾斜角)Θ1，第一导电金属层202的侧壁可以与第一基体110一起形成第二角度(或第二锥角、第二倾斜角或第二平均角)Θ2。第一角度Θ1和第二角度Θ2可以是锐角。第一角度Θ1和第二角度Θ2中的每个可以是当相应的侧壁不是竖直平面时由连接侧壁的两个端部的线或面与第一基体110的上表面所限定的角度。
第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1和第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2可以小于或等于参考角度Θr。参考角度Θr基于显示装置1的推荐观看距离(或最小可视距离)来计算，并且可以例如在60°至80°的范围内。
例如，当显示装置1具有矩形65英寸显示屏时，显示装置1(或显示屏)可以取决于纵横比具有约1.5m的长度和约0.8m的高度。在这种情况下，显示装置1的推荐观看距离可以是约3.3m或更大，这是显示装置1的高度的四倍至八倍。当用户在垂直于显示屏并穿过显示屏中心点的线上位于距显示装置1约3.3m处时，用户的视角可以是约24.6°。也就是说，由位于显示装置1的中心处的中心用户的视线轴(或视线方向)D_V与显示装置1形成的角度为至少约77.7°(即，90°-24.6°/2＝77.7°)。
根据实施例，第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1小于77.7°(即，参考角度Θr)，第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2小于77.7°(即，参考角度Θr)，使得第一导电金属层202可以不暴露于中心用户，并且使得由第一导电金属层202反射的光不会被用户观看到。
当第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1小于第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2时，如图8中所示，第一导电金属层202的侧壁可以与视线轴D_V分开，并且第一导电金属层202可以不暴露于中心用户。
在实施例中，即使当第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1大于77.7°(即，参考角度Θr)时，第一导电金属层202在第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1小于第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2时也不会暴露于中心用户。
由于推荐的观看距离与显示装置1的高度(或长度)成比例，因此，即使显示装置1的显示屏的尺寸变小，由中心用户的视线轴D_V与显示装置1形成的角度也可以为约77.7°。
在实施例中，当用户在垂直于显示屏并穿过显示屏的边界的线上位于距显示装置1约3.3m处时，用户的视角可以为约23.7°。也就是说，位于距显示装置1的中心的一侧处的外围用户的视线轴(或视线方向)D_V与显示装置1形成的角度为至少约66.3°(即，90°-23.7°＝66.3°)。
根据实施例，当第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1小于66.3°并且第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2小于66.3°时，第一导电金属层202不会暴露于外围用户。
随着第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2减小，第一导电金属层202的宽度W2需要增大，或者第一导电金属层202的厚度T202需要减小。考虑到第一导电金属层202的宽度W2为至少约3μm并且第一导电金属层202的厚度T202为至少约0.6μm的情况，第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2可以为45°或更大。
取决于用户相对于显示装置1(或显示装置1的显示屏)的位置，由用户的视线轴D_V与显示屏形成的角度(或参考角度Θr)可以为约77.7°或更小。因此，考虑外围用户以及中心用户，第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2可以为约75°或更小，为约66.3°或更小，为约60°或更小，为约50°或更小，或者为约30°或更小。
此外，当第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1小于参考角度Θr时，第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1可以小于第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2。
在实施例中，第一金属氧化物层201的侧壁的第一角度Θ1可以大于参考角度Θr。
参照图5、图8和图9，图9中的第一金属氧化物层201与参照图8描述的第一金属氧化物层201的不同之处在于，它还包括突出超过第一导电金属层202的侧壁的尖端T1。图9中的第一金属氧化物层201除了尖端T1之外与参照图8描述的第一金属氧化物层201基本相同。
尖端T1的长度L1可以为0.5μm或更小。由于第一金属氧化物层201的厚度T201处于诸如
Figure BDA0002116665670000191
和
Figure BDA0002116665670000192
的数百埃的水平，所以第一金属氧化物层201在第一角度Θ1处的突出长度La1远小于尖端T1的长度L1，使得突出长度La1可以在第二角度Θ2的计算中不被考虑。
由于第一导电金属层202的厚度T202为数千埃至
Figure BDA0002116665670000193
因此第一金属氧化物层201的下表面与第一导电金属层202的上表面之间的水平距离差Ld(或L1+La2)根据参考角度Θr的最大角度77.7°可以是约0.43μm(即，2μm/tan77.7°＝0.43μm)。因此，第一导电金属层202的上表面和下表面之间的水平长度差La2可以基本上等于或大于0。因此，第一导电金属层202的第二角度Θ2可以小于90°。
当第一金属氧化物层201的侧壁从第一导电金属层202的侧壁突出以形成尖端T1时，第一导电金属层202的侧壁的第二角度Θ2可以大于参考角度Θr。即使在这种情况下，第一导电金属层202和被其反射的光也不会被用户观看到。
图10是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。
参照图1、图2、图4和图10，图10中的第一布线层200(或者栅极布线210_1和延伸部分232_1)与参照图4描述的第一布线层200的不同之处在于，它还包括设置在第一金属氧化物层201与第一导电金属层202之间的第一中间金属层203。类似地，图10中的第二布线层500(或者数据布线510_1和参考电压布线570_1)与参照图4描述的第二布线层500的不同之处在于，它还包括设置在第二金属氧化物层501与第二导电金属层502之间的第二中间金属层503。
第一中间金属层203可以包括对第一金属氧化物层201具有优异粘附性的金属材料，并且可以设置在第一金属氧化物层201上。例如，第一中间金属层203可以包括具有优异加工性的难熔金属。如这里所使用的，“难熔金属”指具有熔点高于1500℃的金属或合金。难熔金属的示例包括铌(Nb)、钒(V)、钽(Ta)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钼(Mo)和铼(Re)。例如，第一中间金属层203可以是包括钛的钛层，或者可以是包括钛的合金的单层。第一中间金属层203可以呈现不透明的性质。
第二中间金属层503与第一中间金属层203基本相同。
图11和图12是示出根据实施例的包括在图2的像素中的第一布线层和第二布线层的剖视图。
参照图1、图2、图4、图5、图11和图12，图11和图12中的第一布线层200_2(或者栅极布线210_2和延伸部分232_2)与参照图4描述的第一布线层200不同之处在于，它还包括第一金属氧化物层201_2和第一导电金属层202_2。类似地，图11和图12中的第二布线层500_2(或者数据布线510_2和参考电压布线570_2)与参照图4描述的第二布线层500不同之处在于，它还包括第二金属氧化物层501_2和第二导电金属层502_2。
第一导电金属层202_2可以设置在第一基体110上。第一导电金属层202_2可以具有两层或更多层的层叠结构。例如，第一导电金属层202_2可以包括相互层叠的第一金属层202a和第二金属层202b。
第一金属层202a可以包括对第一基体110具有优异粘附性的金属材料，并且可以直接设置在第一基体110上。第一金属层202a除了布局之外可以与参照图10描述的第一中间金属层203基本相同。
第二金属层202b可以直接设置在第一金属层202a上。第二金属层202b可以位于具有多个层的层叠结构的第一导电金属层202_2的最上层上。第二金属层202b可以与参照图4描述的第一导电金属层202基本相同。在实施例中，第二金属层202b可以具有比第一金属层202a的导电率高的导电率。
在实施例中，第一金属层202a可以由具有比第二金属层202b的折射率高的折射率的金属材料制成。例如，第一金属层202a对可见光波段中的光的折射率可以在1.5至2.8的范围内，并且第二金属层202b对可见光波段中的光的折射率可以在0.20至1.2的范围内。例如，第一金属层202a对具有550nm波长的光的折射率可以在2.3至2.6的范围内，或者为约2.5，并且第二金属层202b对具有550nm波长的光的折射率为可以在0.8至1.2的范围内，或者为约1.0。
第二金属层202b的厚度T202b可以大于第一金属层202a的厚度T202a。例如，第一金属层202a的厚度T202a可以在
Figure BDA0002116665670000211
至
Figure BDA0002116665670000212
的范围内，或者在
Figure BDA0002116665670000213
至
Figure BDA0002116665670000214
的范围内，第二金属层202b的厚度T202b可以在
Figure BDA0002116665670000215
至
Figure BDA0002116665670000216
的范围内，或者在
Figure BDA0002116665670000217
至
Figure BDA0002116665670000218
的范围内。
第一金属层202a的侧壁可以突出超过第二金属层202b的侧壁以形成尖端T2。第一金属层202a的尖端T2可以改善第二金属层202b的稳定性。例如，第一金属层202a的面对/接触第二金属层202b的表面的宽度W2a可以比第二金属层202b的面对/接触第一金属层202a的表面的宽度W2b大。第一金属层202a的尖端T2的上侧的长度L2可以为约0.5μm或更小。当尖端T2的长度L2大于0.5μm时，会显著地、不期望地增大开关元件的漏电流(截止电流)。
第一金属氧化物层201_2可以是直接设置在第二金属层202b上的单层。第一金属氧化物层201_2可以包括具有比第一导电金属层202_2的光吸收率大的光吸收率并且比第一导电金属层202_2的光反射率小的光反射率的材料。第一金属氧化物层201_2可以具有比第一金属层202a和第二金属层202b中的每个的光吸收率大的光吸收率并且比第一金属层202a和第二金属层202b中的每个的光反射率小的光反射率。第一金属氧化物层201_2可以与参照图4描述的第一金属氧化物层201基本相同。
在实施例中，第一金属氧化物层201_2可以包括MoxTayOz。
第一金属氧化物层201_2中的金属原子中的钽的含量可以为约20.0at％(原子百分比)或更小，为约12at％或更小，或者为约2at％或更小。也就是说，y与(x+y)的比率(y/(x+y))的上限可以是约0.20。当钽的含量大于20at％时，蚀刻稳定性劣化，因此难以控制蚀刻表面。例如，第一金属氧化物层201_2的尖端T1可能变得过长。
随着钽的含量增大，第一金属氧化物层201_2对可见光波段中的光的光反射率可以如参照图7描述的一样增大。
在实施例中，第一金属氧化物层201_2的侧壁可以突出超过第二金属层202b的侧壁以形成尖端T1。第一金属氧化物层201_2的尖端T1可以有助于第一布线层200_2的上侧上的反射率的减小。例如，第一金属氧化物层201_2的面对/接触第二金属层202b的表面的宽度W1a可以大于第二金属层202b的面对/接触第一金属氧化物层201_2的表面的宽度W1b。第一金属氧化物层201_2的尖端T1的下侧的长度L1可以是约0.80μm或更小。当尖端T1的长度L1大于0.80μm时，会使在形成第一布线层200_2之后的后续加工性劣化。例如，当第一金属氧化物层201_2的尖端T1的长度L1小于0.80μm时，可以改善第一绝缘层310的膜致密性。此外，尖端T1的长度L1可以为约0.03μm或更大。当第一金属氧化物层201_2的尖端T1的长度L1大于0.03μm时，可以有效减小第一布线层200_2的反射率。
第一金属氧化物层201_2可以位于第一布线层200_2的最上层处。第一金属氧化物层201_2具有其自身的高光吸收率并且具有相消干涉厚度，使得可以有效地减小第一布线层200_2对从上方入射的光EXL的反射率。在实施例中，第一布线层200_2对从第一金属氧化物层201_2的一侧向第一布线层200_2入射的具有550nm的波长的光EXL的反射率可以为约6.0％或更小，为约5.5％或更小，约5.4％或更小，为约5.3％或更小，为约5.2％或更小，为约5.1％或更小，或者为约5.0％或更小。由于第一布线层200_2包括第一导电金属层202_2，因此它可以提供优异的导电率并且可以用作布线和电极。
除了第二布线层500_2设置在第一绝缘层310和有源层400上之外，第二布线层500_2可以与第一布线层200_2基本相同。
第一布线层200_2和第二布线层500_2相对于可见光波段中的光可以具有非常低的反射率，从而可以使由光阻挡构件700占据的平面区域最小化，因此可以使显示装置1的开口率最大化。
根据实施例的显示装置包括针对可见光波段中的光具有非常低的反射率的包含氧化钼(MoOx、MoxTayOz)的布线层，从而使由外部光的反射引起的可能的显示质量的劣化最小化。除了第二布线层500_2设置在第一绝缘层310和有源层400上之外，第二布线层500_2可以与第一布线层200_2基本相同。第二导电金属层502_2可以设置在有源层400上。第二导电金属层502_2可以具有两层或更多层的层叠结构。例如，第二导电金属层502_2可以包括相互层叠的第一金属层502a和第二金属层502b。
第二金属层502b可以直接设置在第一金属层502a上。第二金属层502b可以位于具有多个层的层叠结构的第二导电金属层502_2的最上层上。第二金属层502b可以与参照图4描述的第二导电金属层502基本相同。
在实施例中，第一金属层502a可以由具有比第二金属层502b的折射率高的折射率的金属材料制成。例如，第一金属层502a对可见光波段中的光的折射率可以在1.5至2.8的范围内，第二金属层502b对可见光波段中的光的折射率可以在0.20至1.2的范围内。例如，第一金属层502a对具有550nm波长的光的折射率可以在2.3至2.6的范围内，或者为约2.5，并且第二金属层502b对具有550nm波长的光的折射率可以在0.8至1.2的范围内，或者为约1.0。
第二金属层502b的厚度T502b可以比第一金属层502a的厚度T502a大。例如，第一金属层502a的厚度T502a可以在
Figure BDA0002116665670000231
至的范围内，或者在至
Figure BDA0002116665670000234
的范围内，第二金属层502b的厚度T502b可以在至
Figure BDA0002116665670000236
的范围内，或者在至
Figure BDA0002116665670000238
的范围内。
第一金属氧化物层501_2可以是直接设置在第二金属层502b上的单层。第二金属氧化物层501_2可以包括具有比第二导电金属层502_2的光吸收率大的光吸收率并且比第二导电金属层502_2的光反射率小的光反射率的材料。第二金属氧化物层501_2可以具有比第一金属层502a和第二金属层502b中的每个的光吸收率大的光吸收率和比第一金属层502a和第二金属层502b中的每个的光反射率小的光反射率。第二金属氧化物层501_2可以与参照图4描述的第二金属氧化物层501基本相同。
在实施例中，第二金属氧化物层501_2的侧壁可以突出超过第二金属层502b的侧壁以形成尖端T3。第二金属氧化物层501_2的尖端T3可以有助于使第二布线层500_2的上侧上的反射率的减小。例如，第二金属氧化物层501_2的面对/接触第二金属层502b的表面的宽度W3a可以大于第二金属层502b的面对/接触第二金属氧化物层501_2的表面的宽度W3b。第二金属氧化物层501_2的尖端T3的下侧的长度L3可以是约0.80μm或更小。当尖端T3的长度L3大于0.80μm时，会使在形成第二布线层500_2之后的后续加工性劣化。例如，当第二金属氧化物层501_2的尖端T3的长度L3小于0.80μm时，可以改善保护层331的膜致密性。此外，尖端T3的长度L3可以是约0.03μm或更大。当第二金属氧化物层501_2的尖端T3的长度L3大于0.03μm时，可以有效减小第二布线层500_2的反射率。
在实施例中，由于布线层本身的反射率非常低，因此可以使由光阻挡构件占据的平面区域最小化，从而能够使显示装置的开口率最大化，并且还可以提高显示装置的分辨率。
尽管为了说明的目的公开了示例实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离所附权利要求限定的范围的情况下，能够进行各种修改、添加和替换。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基体；
金属氧化物层，与所述第一基体的表面叠置；以及
导电金属层，直接接触所述金属氧化物层，
其中，所述金属氧化物层包括氧化钼，
其中，所述金属氧化物层的一侧相对于所述第一基体的所述表面以第一角度定位，
其中，所述导电金属层的一侧相对于所述第一基体的所述表面以第二角度定位，并且
其中，所述第二角度的大小在30°至75°的范围内。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层的光反射率小于所述导电金属层的光反射率。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置的第一布线层包括所述金属氧化物层和所述导电金属层，并且
其中，所述第一布线层对从所述第一基体的所述表面入射的具有550nm波长的光的光反射率为6.0％或更小。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层在与所述第一基体的所述表面垂直的方向上的最大厚度在
Figure FDA0002116665660000011
至
Figure FDA0002116665660000012
的范围内。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层直接设置在所述第一基体上并且设置在所述导电金属层与所述第一基体之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一角度小于所述第二角度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二角度的大小在45°至70°的范围内。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层直接接触所述导电金属层的表面并且在与所述第一基体的所述表面平行的方向上突出超过所述导电金属层的所述表面。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层还包括钽，并且
其中，在所述金属氧化物层中，所述钽在金属原子中的含量在0.5at％至12at％的范围内。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述导电金属层包括第一金属层和第二金属层，
其中，所述第一金属层设置在所述金属氧化物层与所述第二金属层之间，并且
其中，所述第二金属层具有比所述第一金属层的导电率高的导电率。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电金属层包括第一金属层和第二金属层，
其中，所述第一金属层设置在所述金属氧化物层与所述第二金属层之间，并且
其中，所述第二金属层具有比所述第一金属层的导电率高的导电率。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示装置的第一布线层包括所述金属氧化物层和所述导电金属层，并且
其中，所述第一布线层对从所述金属氧化物层的所述表面入射的具有550nm波长的光的光反射率为6.0％或更小。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电金属层包括第一金属层和第二金属层，并且
其中，所述第二金属层设置在所述第一金属层与所述金属氧化物层之间并且具有比所述第一金属层的导电率高的导电率。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层在与所述第一基体的所述表面垂直的方向上的最大厚度大于所述第一金属层在所述方向上的最大厚度，并且小于所述第二金属层在所述方向上的最大厚度。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述金属氧化物层在与所述方向上的所述最大厚度在至
Figure FDA0002116665660000022
的范围内。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一金属层包括难熔金属，并且
其中，所述第二金属层包括铜和银中的至少一种。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一金属层的第一表面和所述第二金属层的第一表面设置在所述第一金属层的第二表面与所述第二金属层的第二表面之间，并且
其中，所述第一金属层的所述第一表面在与所述第一基体的所述表面平行的方向上比所述第二金属层的所述第一表面宽。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层直接接触所述导电金属层的表面并且在与所述第一基体的所述表面平行的方向上突出超过所述导电金属层的所述表面。
19.一种布线基底，所述布线基底包括：
第一基体；
金属氧化物层，与所述第一基体的表面叠置；以及
导电金属层，直接接触所述金属氧化物层，
其中，所述金属氧化物层包括氧化钼，
其中，所述导电金属层的一侧相对于所述第一基体的所述表面以一角度定位，并且
其中，所述角度的大小在30°至75°的范围内。
20.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基体；
导电金属层，与所述第一基体的表面叠置；以及
金属氧化物层，直接接触所述导电金属层，
其中，所述金属氧化物层包括MoxTayOz，
其中，所述导电金属层的一侧相对于所述第一基体的所述表面以锐角定位，并且
其中，在所述金属氧化物层中，钽在金属原子中的含量在0.5at％至20at％的范围内。
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