CN218831225U - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN218831225U
CN218831225U CN202222559653.6U CN202222559653U CN218831225U CN 218831225 U CN218831225 U CN 218831225U CN 202222559653 U CN202222559653 U CN 202222559653U CN 218831225 U CN218831225 U CN 218831225U
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
light
layer
emitting layer
refraction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202222559653.6U
Other languages
English (en)
Inventor
金雄植
金俊基
裵东焕
边镇洙
崔正珉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN218831225U publication Critical patent/CN218831225U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示装置包括：第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；第二发光层，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；多个折射图案，各自具有第一折射率，所述多个折射图案分别对应于所述第一发光层和所述第二发光层；第一折射层，在所述第一发光层和所述第二发光层上；第二折射层，覆盖所述第一折射层并且具有比所述第一折射率低的第二折射率；以及多个第一黑矩阵，在所述第一折射层上并且在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一发光层和所述第二发光层相邻。

Description

显示装置
技术领域
实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种能够显示图像的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括多个像素。多个像素中的每一个可以包括多个子像素。多个子像素可以发射不同颜色的光。例如，多个子像素可以包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。多个子像素中的每一个可以包括多个驱动元件和发光层。另外，显示装置可以进一步包括多个像素中的组件。组件的示例包括具有不同的折射率的折射层、阻挡发射的光的光阻挡层、封装层、玻璃层和触摸感测层等。
从显示装置发射的光可以在各种方向上发射，使得可以从各种角度观察显示在显示装置上的图像。然而，当从各种角度观察显示装置的图像时，可能出现诸如亮度降低的问题。因此，正在进行用于调整显示装置的视角的各种研究。
实用新型内容
实施例提供了一种具有改善的视角的显示装置。
显示装置的实施例包括：第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；第二发光层，沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一发光层间隔开，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；多个折射图案，各自具有第一折射率，所述多个折射图案分别对应于所述第一发光层和所述第二发光层；第一折射层，面对所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个且所述多个折射图案分别在所述第一折射层与所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个之间，所述第一折射层具有比所述多个折射图案的所述第一折射率低的第二折射率；以及光阻挡层，包括多个第一黑矩阵，所述多个第一黑矩阵在所述第一折射层上并且布置为沿所述第二方向彼此间隔开且所述多个折射图案在所述多个第一黑矩阵之间。
在实施例中，所述第一发光层的所述第一长度可以等于所述第二发光层的所述第二长度，所述第一发光层可以在所述第二方向上具有小于所述第一长度的第一宽度，并且所述第二发光层可以在所述第二方向上具有小于所述第二长度的第二宽度。
在实施例中，所述多个折射图案可以包括：第一折射图案，对应于所述第一发光层；以及第二折射图案，对应于所述第二发光层。
在实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个可以具有由多个外边缘限定的平面形状，所述第一折射图案比所述第一发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远，并且所述第二折射图案比所述第二发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远。
在实施例中，所述第一发光层的所述第一长度可以大于所述第二发光层的所述第二长度，所述第一发光层可以在所述第二方向上具有小于所述第一长度的第一宽度，并且所述第二发光层可以在所述第二方向上具有小于所述第二长度的第二宽度。
在实施例中，所述第一发光层的所述第一宽度和所述第二发光层的所述第二宽度可以相等。
在实施例中，所述多个折射图案可以包括：第一折射图案，对应于所述第一发光层；以及第二折射图案，对应于所述第二发光层。
在实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个可以具有由多个外边缘限定的平面形状，所述第一折射图案比所述第一发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远，并且所述第二折射图案比所述第二发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远。
在实施例中，所述多个第一黑矩阵可以包括：第一光阻挡图案和第二光阻挡图案，沿所述第二方向彼此间隔开且所述第一发光层在所述第一光阻挡图案与所述第二光阻挡图案之间，并且所述第二光阻挡图案比所述第一光阻挡图案更靠近所述第二发光层。
在实施例中，所述第一光阻挡图案在所述第一方向上可以具有所述第一长度，并且所述第二光阻挡图案在所述第一方向上可以具有所述第一长度。
显示装置的实施例包括：第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；第二发光层，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；多个折射图案，具有第一折射率；第一折射层，在所述折射图案上并且具有比所述第一折射率低的第二折射率；以及多个第一黑矩阵，在所述第一折射层上并且在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一发光层和所述第二发光层相邻。
在实施例中，所述第一长度可以等于所述第二长度。
在实施例中，所述第一发光层可以在所述第二方向上具有第一宽度，所述第二发光层可以在所述第二方向上具有第二宽度，所述第一长度可以大于所述第一宽度，并且所述第二长度可以大于所述第二宽度。
在实施例中，在平面图中，所述折射图案可以包括：第一折射图案，与所述第一发光层重叠；和第二折射图案，与所述第二发光层重叠。
在实施例中，所述第一折射图案可以在所述第一方向上具有大于所述第一长度的第三长度并且在所述第二方向上具有大于所述第一宽度的第三宽度，并且所述第二折射图案可以在所述第一方向上具有大于所述第二长度的第四长度并且在所述第二方向上具有大于所述第二宽度的第四宽度。
在实施例中，所述第一长度可以大于所述第二长度。
在实施例中，所述第一发光层可以在所述第二方向上具有第一宽度，所述第二发光层可以在所述第二方向上具有第二宽度，所述第一长度可以大于所述第一宽度，并且所述第二长度可以大于所述第二宽度。
在实施例中，所述第一宽度和所述第二宽度可以相同。
在实施例中，在平面图中，所述折射图案可以包括：第一折射图案，与所述第一发光层重叠；和第二折射图案，与所述第二发光层重叠。
在实施例中，所述第一折射图案可以在所述第一方向上具有大于所述第一长度的第三长度并且在所述第二方向上具有大于所述第一宽度的第三宽度，并且所述第二折射图案可以在所述第一方向上具有大于所述第二长度的第四长度并且在所述第二方向上具有大于所述第二宽度的第四宽度。
在实施例中，所述多个第一黑矩阵可以包括：第一光阻挡图案，与所述第一发光层相邻；和第二光阻挡图案，与所述第二发光层相邻。
在实施例中，所述第一光阻挡图案可以在所述第一方向上具有所述第一长度，并且所述第二光阻挡图案可以在所述第一方向上具有所述第一长度。
在实施例中，所述第一光阻挡图案可以在所述第一方向上具有所述第一长度，并且所述第二光阻挡图案可以在所述第一方向上具有所述第二长度。
在实施例中，所述折射图案的在与所述第一方向和所述第二方向中的每一个交叉的第三方向上的高度可以为大约3.2微米至大约5微米。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第二折射层，覆盖所述第一黑矩阵；和多个第二黑矩阵，在所述第二折射层上并且在平面图中与所述多个第一黑矩阵重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：封装层，在所述第一发光层和所述第二发光层与所述第一折射层之间；和触摸感测层，在所述封装层与所述第一折射层之间。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：触摸感测层，在所述封装层与所述第一折射层之间。
显示装置的实施例包括：第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；第二发光层，在所述第一方向上具有所述第一长度并且发射所述第一光；第三发光层，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；和第四发光层，在所述第一方向上具有所述第二长度并且发射所述第二光；多个折射图案，具有第一折射率；第一折射层，在所述折射图案上并且具有比所述第一折射率低的第二折射率；以及多个第一黑矩阵，在所述第一折射层上并且在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一发光层至所述第四发光层中的每一个相邻。
在实施例中，所述第一长度可以大于所述第二长度，并且所述第一发光层可以在所述第二方向上具有第一宽度，所述第二发光层可以在所述第二方向上具有第二宽度，所述第三发光层可以在所述第二方向上具有第三宽度，并且所述第四发光层可以在所述第二方向上具有第四宽度。
在实施例中，所述第一宽度可以大于所述第二宽度，并且所述第三宽度大于所述第四宽度。
在实施例中，所述第一长度和所述第二长度可以相同。
在实施例中，在平面图中，所述折射图案可以包括：第一折射图案，与所述第一发光层重叠并且在所述第一方向上具有大于所述第一长度的第三长度；第二折射图案，与所述第二发光层重叠并且在所述第一方向上具有所述第三长度；第三折射图案，与所述第三发光层重叠并且在所述第一方向上具有大于所述第二长度的第四长度；以及第四折射图案，与所述第四发光层重叠并且在所述第一方向上具有所述第四长度。
在实施例中，在平面图中，所述第一折射图案的面积大于所述第一发光层的面积，所述第二折射图案的面积大于所述第二发光层的面积，所述第三折射图案的面积大于所述第三发光层的面积，并且所述第四折射图案的面积大于所述第四发光层的面积。
在实施例中，所述折射图案的在与所述第一方向和所述第二方向中的每一个交叉的第三方向上的高度可以为大约3.2微米至大约5微米。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：第二折射层，覆盖所述多个第一黑矩阵；和第二黑矩阵，在所述第二折射层上并且在平面图中与所述多个第一黑矩阵重叠。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：封装层，在所述第一发光层至所述第四发光层与所述第一折射层之间；和触摸感测层，在所述封装层与所述第一折射层之间。
在实施例中，所述显示装置可以进一步包括：玻璃层，在所述第一发光层至所述第四发光层与所述第一折射层之间。
显示装置的一个或多个实施例包括：第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；第二发光层，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；多个折射图案，具有第一折射率；第一折射层，在所述多个折射图案上并且具有比所述第一折射率低的第二折射率；以及多个第一黑矩阵，在所述第一折射层上并且在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一发光层和所述第二发光层相邻。
第一发光层和第二发光层可以具有不同的尺寸，第一长度可以大于第一宽度，并且第二长度可以大于第二宽度。因此，在第二方向上发射的光的视角(或发射角)可以被窄地调整，并且在第二方向上发射的光的视角可以由于多个折射图案和第一折射层而变窄。此外，多个第一黑矩阵可以阻挡在第二方向上发射的光。因此，可以窄地调整在第二方向上发射的光的视角。此外，当多个折射图案具有大约3.2微米至大约5微米的高度时，光可以比相关技术中被更多地折射，并且因此可以有效地折射从显示装置的下部部分发射的光。这样，也可以改善从显示装置发射的光的亮度特性。
附图说明
根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图2是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图3是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图4是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图5是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图6是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图7是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图8是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图9是示意性地示出包括在图1的显示装置中的像素的实施例的平面图。
图10是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
图11是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
图12是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
图13是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
具体实施方式
现在将参照其中示出了各种实施例的附图在下文中更充分地描述本实用新型。然而，本实用新型可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的范围。同样的附图标记始终指代同样的元件。
将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上，或者在它们之间可以存在居间元件。相反，当元件被称为与另一元件相关，诸如“直接在”另个元件“上”时，不存在居间元件。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区”、“第二层”或“第二部分”。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不旨在是限制性的。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则“一个”、“一种”、“所述(该)”和“至少一个(种)”不表示数量的限制，而是旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件”具有与“至少一个(种)元件”相同的含义。“至少一个(种)”不被解释为限于“一个”或“一种”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，附图标记可以指示单个元件或多个元件。例如，在附图中标记单数形式的元件的附图标记可以用于在说明书的文本中引用多个单数元件。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语以描述如在附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下”侧上的元件随后将被定向在其它元件“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为在其它元件“上方”。因此，术语“下方”或“之下”可以涵盖上方和下方两种方位。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意指在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差的范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
在本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。这样，将预计到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为限于如在本文中示出的区的具体形状，而是包括例如由于制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区在本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
图1是示出根据实施例的显示装置DD的平面图。
参考图1，显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以设置为与显示区域DA相邻，诸如设置为围绕显示区域DA。然而，为了减少无用空间，非显示区域NDA可以仅设置在显示区域DA的一侧上。
显示装置DD可以包括包含多个像素P的以复数提供的像素P。多个像素P可以设置在显示区域DA中。多个像素P可以以各种图案布置在显示区域DA中。在实施例中，例如，多个像素P通常可以以矩阵形式设置在显示区域DA中。也就是说，多个像素P可以沿在第一方向DR1上(或沿第一方向DR1)延伸的行和在第二方向DR2上(或沿第二方向DR2)延伸的列设置。第一方向DR1和第二方向DR2可以彼此交叉。平面可以由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2限定。显示装置DD可以通过多个像素P(或在多个像素P处)发射光。光可以沿显示装置DD的诸如在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个交叉的第三方向DR3上的厚度方向发射。
多个像素P可以包括发光层。发光层可以是有机发光层或无机发光层。另外，多个像素P可以包括用于驱动发光层的多个驱动元件。发光层可以连接到多个驱动元件。多个驱动元件可以包括晶体管和电容器。
驱动电路可以设置在非显示区域NDA中。驱动电路可以包括数据驱动电路、栅极驱动电路和发光驱动电路。另外，电路板可以设置在非显示区域NDA中以接收从电路板外部或显示装置DD外部传输的信号(例如，电信号)。驱动电路可以接收信号并将信号传输到多个像素P。多个像素P可以基于信号发射光。
当能够反射光的反射构件(诸如玻璃或镜子)设置在显示装置DD周围时，从显示装置DD发射的光可以被反射构件反射。因此，由于反射光，可能难以识别从显示装置DD发射的光。因此，为了改善对从显示装置DD发射的光的识别，可以减少或有效地防止从显示装置DD发射的入射在反射构件上的光。在实施例中，例如，反射构件可以沿显示装置DD的第二方向DR2设置。在这种情况下，当从显示装置DD朝向第二方向DR2发射的光被阻挡时，光可以不被反射构件反射。也就是说，可以通过缩小显示装置DD的视角来改善对从显示装置DD发射的光的识别。在这种情况下，显示装置DD的亮度可以随着视角减小而被改善。
图2是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图2，像素P可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3在平面图中可以具有不同的形状(例如，沿由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平面形状)。在实施例中，第一子像素SP1可以在第一方向DR1上具有比第二子像素SP2和第三子像素SP3的长度大的长度。长度可以限定平面形状的主要尺寸(或最大尺寸)，并且第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的主要尺寸可以沿第一方向DR1延伸，但不限于此。
在第一子像素SP1中，第一发光层EMB可以发射第一光。第一发光层EMB可以发射蓝光。在第二子像素SP2中，第二发光层EMR可以发射光(例如，与第一光不同的第二光)。第二发光层EMR可以发射红光。在第三子像素SP3中，第三发光层EMG可以发射光(例如，与第一光不同的第三光)。第三发光层EMG可以发射绿光。然而，这仅仅是示例，并且由在第一方向DR1上具有长的长度(例如，主要尺寸)的第一子像素SP1发射的光可以是绿色或红色。
每个子像素可以具有沿平面延伸的尺寸(例如，长度、宽度等)，以限定平面形状。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以分别具有长度和宽度。第一子像素SP1可以在第一方向DR1上具有第一长度并且可以在第二方向DR2上具有第一宽度。第二子像素SP2可以在第一方向DR1上具有第二长度并且可以在第二方向DR2上具有第二宽度。第三子像素SP3可以在第一方向DR1上具有第三长度并且可以在第二方向DR2上具有第三宽度。第一长度可以大于第二长度和第三长度。
第一宽度至第三宽度可以彼此相同或不同。
尽管在平面图中未示出，但是包括多个折射图案HR的以复数提供的折射图案HR可以设置在第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG上。多个折射图案HR中的每一个可以具有比第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG的平面面积大的面积(例如，平面面积)。
第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG(例如，发光元件层内的多个发光层)中的每一个可以在第一方向DR1上具有大于第二方向DR2上的宽度的长度，以限定发光层沿第一方向DR1的主要尺寸。因此，第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG可以调整光发射，使得在第二方向DR2上发射的光可以在第三方向DR3上发射，同时确保发光面积。在这种情况下，第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG可以发射光，同时在第一方向DR1上具有宽视角。
尽管在平面图中未示出，但是包括多个黑矩阵BM的以复数提供的黑矩阵BM可以设置在折射图案HR上。在平面图中，多个黑矩阵BM可以设置为在第二方向DR2上与第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG相邻。多个黑矩阵BM可以阻挡在第二方向DR2上发射的光。因此，显示装置DD(参见图1)的在第二方向DR2上的视角(或光发射角)可以变窄。
黑矩阵BM包括在第二方向DR2上按顺序布置的第一光阻挡图案、第二光阻挡图案和第三光阻挡图案。在实施例中，第一光阻挡图案和第二光阻挡图案沿第二方向DR2彼此间隔开且第一发光层EMB在第一光阻挡图案与第二光阻挡图案之间，并且，第二光阻挡图案比第一光阻挡图案更靠近第二发光层EMR。在多个光阻挡图案中，光阻挡图案可以沿第一方向DR1是连续的或者可以沿第一方向DR1断开以限定多个子光阻挡图案。参考图2，多个黑矩阵BM之中的多个光阻挡图案中的沿第一方向DR1具有长的长度的一个光阻挡图案可以对应于沿第一方向DR1布置的多个子像素。
在根据实施例的显示装置DD中，通过分别设置在第一方向DR1上具有长的长度的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3，并且通过设置在第二方向DR2上与多个第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3相邻的多个黑矩阵BM，显示装置DD可以调整在第二方向DR2上发射的光的视角(或光发射角)。参考图2，沿第二方向DR2，黑矩阵BM可以与不同颜色的子像素交替。
图3是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图3，在实施例中，两个子像素可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。沿第二方向DR2，布置为直接与彼此相邻的多于一个的子像素可以限定子像素组或发光层组。子像素组(或发光层组)可以发射彼此相同(颜色)的光，但不限于此。在实施例中，例如，各自包括第一发光层EMB的两个第一子像素SP1可以设置在沿第二方向DR2连续的黑矩阵BM(例如，黑矩阵BM之中的相邻的黑矩阵BM)之间。此外，各自包括第二发光层EMR的两个第二子像素SP2设置在沿第二方向DR2连续的黑矩阵BM之间，并且各自包括第三发光层EMG的两个第三子像素SP3设置在沿第二方向DR2连续的黑矩阵BM之间。
参考图3，沿第二方向DR2，黑矩阵BM可以与发光层组交替。在实施例中，例如，发光元件层包括多个第一发光层EMB以及第二发光层EMR和第三发光层EMG，多个第一发光层EMB各自在第一方向DR1上具有第一长度并且各自发射第一光，多个第一发光层EMB在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上直接与彼此相邻以限定发光层组，第二发光层EMR和第三发光层EMG各自在第二方向DR2上与发光层组相邻，各自在第一方向DR1上具有第二长度并且第二发光层EMR和第三发光层EMG分别发射与第一光不同的第二光和第三光。仍参考图3，代替第二发光层EMR和第三发光层EMG，实施例可以将在第二方向DR2上直接与彼此相邻的第二发光层EMR中的两个视为第二/第三发光层和/或将在第二方向DR2上直接与彼此相邻的第三发光层EMG中的两个视为第二/第三发光层。
图3的两个第一子像素SP1的面积的和(例如，平面面积的和)可以等于图2的一个第一子像素SP1的面积(例如，平面面积)。可替代地，图3的两个第一子像素SP1中的每一个的平面面积可以与图2的一个第一子像素SP1的面积基本上相同。同样的可以应用于第二子像素SP2和第三子像素SP3。
图4是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图4，在实施例中，黑矩阵BM可以具有与相邻的子像素的在第一方向DR1上的长度基本上相同的长度。也就是说，黑矩阵BM可以沿第一方向DR1布置并且沿第一方向DR1具有长的长度，使得黑矩阵BM可以分别对应于沿第一方向DR1布置的多个子像素。在实施例中，例如，在第二方向DR2上与第一子像素SP1(例如，沿第二方向DR2最靠近第一子像素SP1)相邻的黑矩阵BM可以具有基本上等于第一子像素SP1的在第一方向DR1上的长度的长度。在第二方向DR2上与第二子像素SP2相邻的黑矩阵BM可以具有与第二子像素SP2的在第一方向DR1上的长度基本上相同的长度。在第二方向DR2上与第三子像素SP3相邻的黑矩阵BM可以具有与第三子像素SP3的在第一方向DR1上的长度基本上相同的长度。这样，可以减小像素P内的黑矩阵BM的总平面面积。参考图4，黑矩阵BM可以沿第一方向DR1和第二方向DR2两者彼此断开。
图5是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图5，在实施例中，两个子像素可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。在实施例中，例如，各自包括第一发光层EMB的两个第一子像素SP1可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。此外，各自包括第二发光层EMR的两个第二子像素SP2可以设置在相邻的黑矩阵BM之间，并且各自包括第三发光层EMG的两个第三子像素SP3可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。
图5的两个第一子像素SP1的面积的和可以等于图4的一个第一子像素SP1的面积。可替代地，图5的两个第一子像素SP1中的每一个的面积可以与图4的一个第一子像素SP1的面积基本上相同。同样的可以应用于第二子像素SP2和第三子像素SP3。
图6是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图6，在与第二方向DR2相反的方向上与第一子像素SP1相邻的黑矩阵BM可以具有基本上等于第一子像素SP1的在第一方向DR1上的长度的长度。沿第二方向DR2与第二子像素SP2相邻的黑矩阵BM可以具有与第二子像素SP2的在第一方向DR1上的长度基本上相同的长度。沿第二方向DR2与第三子像素SP3相邻的黑矩阵BM可以具有与第三子像素SP3的在第一方向DR1上的长度基本上相同的长度。
图7是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图7，在实施例中，两个子像素可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。在实施例中，例如，各自包括第一发光层EMB的两个第一子像素SP1可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。此外，各自包括第二发光层EMR的两个第二子像素SP2可以设置在相邻的黑矩阵BM之间，并且各自包括第三发光层EMG的两个第三子像素SP3可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。
图7的两个第一子像素SP1的面积的和可以等于图6的一个第一子像素SP1的面积。可替代地，图7的两个第一子像素SP1中的每一个的面积可以与图6的一个第一子像素SP1的面积基本上相同。同样的可以应用于第二子像素SP2和第三子像素SP3。
图8是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图8，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以在第一方向DR1上具有基本上相同的长度。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的在第二方向DR2上的宽度可以小于在第一方向DR1上的长度。在这种情况下，在第二方向DR2上发射的光的视角可以变窄。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以在第二方向DR2上具有相同的宽度，或者可以在第二方向DR2上具有不同的宽度。
图9是示意性地示出包括在图1的显示装置DD中的像素P的实施例的平面图。
参考图9，在实施例中，多个子像素之中的两个子像素可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。也就是说，黑矩阵BM可以沿第二方向DR2与多个子像素组交替。在实施例中，例如，第一子像素组内的各自包括第一发光层EMB的两个第一子像素SP1可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。此外，第二子像素组内的各自包括第二发光层EMR的两个第二子像素SP2可以设置在相邻的黑矩阵BM之间，并且第三子像素组内的各自包括第三发光层EMG的两个第三子像素SP3可以设置在相邻的黑矩阵BM之间。
图9的两个第一子像素SP1的面积的和可以等于图8的一个第一子像素SP1的面积。可替代地，图9的两个第一子像素SP1中的每一个的面积可以与图8的一个第一子像素SP1的面积基本上相同。同样的可以应用于第二子像素SP2和第三子像素SP3。
可以在显示区域DA(参见图1)内组合使用参照图2至图9描述的像素P的各种布置。在实施例中，例如，显示装置DD(参见图1)可以包括多个像素P，并且所有的多个像素P可以与图2至图9中的一者具有相同的子像素结构。可替代地，多个像素P的第一部分可以具有图2至图9中的任意一者的子像素布置，并且多个像素P的第二部分可以具有与图2至图9中的任意一者的子像素布置不同的子像素布置。
图10是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
参考图1、图2和图10，显示装置DD可以包括基底SUB、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第一发光二极管ED1(例如，第一发光元件)、第二发光二极管ED2(例如，第二发光元件)、像素限定层PDL、第一无机薄膜封装层ILE1、有机薄膜封装层OLE、第二无机薄膜封装层ILE2、第一绝缘层TIL1、第一触摸电极TE1、第二绝缘层TIL2、第二触摸电极TE2、折射图案HR、第一折射层LR1、以及第一黑矩阵BM1。
第一晶体管TFT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。第二晶体管TFT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。
第一发光二极管ED1可以包括第一阳极电极ANO1(例如，第一电极)、第一发光层EMB和第一阴极电极CATH1(例如，面对第一电极的第二电极)。第二发光二极管ED2可以包括第二阳极电极ANO2、第二发光层EMR和第二阴极电极CATH2。第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以一体地形成。也就是说，第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2中的每一个可以被限定为阴极电极CATH的一部分，作为多个子像素的公共的第二电极。
基底SUB可以包括柔性材料或刚性材料。在实施例中，例如，基底SUB可以通过包括诸如聚酰亚胺的聚合物材料而具有柔性特性。可替代地，例如，基底SUB可以通过包括诸如玻璃的材料而具有刚性特性。
缓冲层BUF可以设置在基底SUB上。缓冲层BUF可以包括无机绝缘材料。可以用作缓冲层BUF的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。缓冲层BUF可以阻止金属原子或杂质扩散到第一有源层ACT1和第二有源层ACT2中。另外，缓冲层BUF可以控制在用于形成第一有源层ACT1和第二有源层ACT2的结晶工艺期间提供给第一有源层ACT1和第二有源层ACT2的热量的速率。
第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以设置在缓冲层BUF上。在实施例中，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以包括硅半导体。在实施例中，例如，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以包括非晶硅或多晶硅等。可替代地，在实施例中，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以包括氧化物半导体。在实施例示例中，第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟锌(IZO)等。
栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以设置为覆盖第一有源层ACT1和第二有源层ACT2。栅极绝缘层GI可以包括绝缘材料。可以用作栅极绝缘层GI的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以设置在栅极绝缘层GI上。第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以分别与第一有源层ACT1和第二有源层ACT2重叠。响应于提供给第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2的栅极信号(例如，电信号)，信号和/或作为电信号的电压可以流过第一有源层ACT1和第二有源层ACT2。在实施例中，第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以包括金属、合金、金属氧化物、金属氮化物或透明导电材料等。在实施例中，例如，第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以包括银(“Ag”)、包含银的合金、钼(“Mo”)、包含钼的合金、铝(“Al”)、包含铝的合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。
层间绝缘层ILD可以设置在栅极绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以设置为覆盖第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2。在实施例中，层间绝缘层ILD可以包括绝缘材料。可以用作层间绝缘层ILD的材料的示例可以包括氧化硅(“SiOx”)、氮化硅(“SiNx”)和氮氧化硅(“SiON”)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2可以设置在层间绝缘层ILD上。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以接触第一有源层ACT1，诸如电连接到第一有源层ACT1。第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2可以接触第二有源层ACT2，诸如电连接到第二有源层ACT2。在实施例中，第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2中的每一个可以包括金属、合金、金属氧化物、金属氮化物或透明导电材料等。在实施例中，例如，第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2中的每一个可以包括银(“Ag”)、包含银的合金、钼(“Mo”)、包含钼的合金、铝(“Al”)、包含铝的合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。
通孔绝缘层VIA可以设置在层间绝缘层ILD上。通孔绝缘层VIA可以设置为覆盖第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2。在实施例中，通孔绝缘层VIA可以包括有机绝缘材料。在实施例中，例如，通孔绝缘层VIA可以包括光刻胶、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。通孔绝缘层VIA可以具有基本上平坦的顶表面。
作为上述组件的基底SUB、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2可以一起构成晶体管基底或驱动电路基底。
第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2可以设置在通孔绝缘层VIA上。第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2可以分别接触第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2。在实施例中，第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2中的每一个可以包括金属、合金、金属氧化物、金属氮化物或透明导电材料等。在实施例中，例如，第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2中的每一个可以包括银(“Ag”)、包含银的合金、钼(“Mo”)、包含钼的合金、铝(“Al”)、包含铝的合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。
像素限定层PDL可以设置在通孔绝缘层VIA上。暴露第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2的开口可以形成(或提供)在像素限定层PDL中。在实施例中，像素限定层PDL可以包括有机材料。在实施例中，例如，像素限定层PDL可以包括光刻胶、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等。
第一发光层EMB和第二发光层EMR可以分别设置在第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2上。第一发光层EMB和第二发光层EMR可以包括发射预定颜色的光的有机材料。第一发光层EMB和第二发光层EMR可以分别基于第一阳极电极ANO1与第一阴极电极CATH1之间的电势差以及第二阳极电极ANO2与第二阴极电极CATH2之间的电势差来发射光。
第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以设置在第一发光层EMB和第二发光层EMR上。第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以包括金属、合金、金属氧化物、金属氮化物或透明导电材料等。在实施例中，例如，第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以包括银(“Ag”)、包含银的合金、钼(“Mo”)、包含钼的合金、铝(“Al”)、包含铝的合金、氮化铝(“AlN”)、钨(“W”)、氮化钨(“WN”)、铜(“Cu”)、镍(“Ni”)、铬(“Cr”)、氮化铬(“CrN”)、钛(“Ti”)、钽(“Ta”)、铂(“Pt”)、钪(“Sc”)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等。
薄膜封装层可以设置在阴极电极CATH上。薄膜封装层可以具有第一无机薄膜封装层ILE1、有机薄膜封装层OLE和第二无机薄膜封装层ILE2在远离基底SUB或包括第一发光二极管ED1和第二发光二极管ED2的发光元件层的方向上按顺序布置的结构。
触摸感测层可以设置在薄膜封装层上。触摸感测层可以用于感测来自显示装置DD外部的外部输入(诸如外部触摸)或物体朝向显示装置DD的接近等。为此，触摸感测层可以具有第一绝缘层TIL1、第一触摸电极TE1、第二绝缘层TIL2和第二触摸电极TE2在远离薄膜封装层的方向上按顺序布置的结构。第一触摸电极TE1可以在提供在两个电极层之间的层中的接触孔处或通过提供在两个电极层之间的层中的接触孔连接到第二触摸电极TE2。第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可以与像素限定层PDL的实体部分重叠，并且可以在像素限定层PDL中的在像素限定层PDL的实体部分之间的开口处不与第一发光层EMB和第二发光层EMR重叠。因此，第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可以不阻挡从触摸感测层下方(诸如从发光元件层)发射的光。
第一折射层LR1可以设置在第二绝缘层TIL2上。第一折射层LR1可以覆盖沿第一折射层LR1彼此间隔开的多个折射图案HR。可以调整多个折射图案HR的尺寸、形状、截面轮廓等，使得从显示装置DD的下部部分发射的光的路径被引导在第三方向DR3上。多个折射图案HR可以分别与第一发光层EMB和第二发光层EMR重叠。多个折射图案HR中的每一个的面积(例如，平面面积)可以大于第一发光层EMB和第二发光层EMR中的每一个的面积(例如，平面面积)。多个发光层中的每一个可以具有由多个外边缘限定的平面形状，并且对应于相应发光层的折射图案HR可以在沿基底SUB的方向上比相应发光层的多个外边缘中的每一个延伸得更远。在实施例中，例如，多个折射图案HR包括分别对应于多个第一发光层EMB的多个第一折射图案、分别对应于第二发光层EMR和第三发光层EMG的第二折射图案和第三折射图案，并且多个第一折射图案、第二折射图案和第三折射图案中的每一个分别比多个第一发光层EMB、第二发光层EMR和第三发光层EMG的多个外边缘中的每一个延伸得更远。
在实施例中，例如，第一发光层EMB的面积可以与第二发光层EMR的面积不同。在这种情况下，与第一发光层EMB重叠的折射图案HR的面积可以大于第一发光层EMB的面积，并且与第二发光层EMR重叠的折射图案HR的面积可以大于第二发光层EMR的面积。在这种情况下，折射图案HR的面积可以彼此不同。
多个折射图案HR可以在截面中具有锥形形状，该锥形形状由在相应折射图案的相对侧中的每一个处的倾斜侧表面限定。另外，多个折射图案HR中的每一个的在第三方向DR3上的第一高度H1可以是大约3.2微米至大约5微米。当折射图案HR具有3.2微米或更小的高度时，折射图案HR可能不能有效地调整从显示装置DD的下部部分发射的光的视角以被引导在第三方向DR3上。此外，由于第一折射层LR1的第二高度H2大于或等于大约5微米，因此折射图案HR的第一高度H1可以小于或等于大约5微米。
第一折射层LR1可以设置为覆盖多个折射图案HR、多个第二触摸电极TE2和第二绝缘层TIL2。第一折射层LR1可以平坦化多个折射图案HR。第一折射层LR1可以具有比折射图案HR的第一折射率低的第二折射率。由于折射图案HR与第一折射层LR1之间的折射率的差异，从显示装置DD的下部部分发射的光的路径可以被调整为沿着第三方向DR3。
多个第一黑矩阵BM1可以设置在第一折射层LR1上。多个第一黑矩阵BM1可以设置为分别与第二触摸电极TE2重叠。多个第一黑矩阵BM1可以阻挡在第二方向DR2上传播的光。因此，可以通过阻挡在第二方向DR2上发射的光来调整从显示装置DD发射的光的视角。另外，多个第一黑矩阵BM1可以减少或有效地防止从第一发光层EMB发射的光与从第二发光层EMR发射的光的混合。在光阻挡层内，多个第一黑矩阵BM1可以包括能够阻挡光的材料。在实施例中，例如，多个第一黑矩阵BM1可以由包含特定颜色(例如，黑色)的有机颜料的材料形成(或者可以包括包含特定颜色(例如，黑色)的有机颜料的材料)。因此，多个第一黑矩阵BM1可以阻挡从显示装置DD的下部部分发射的光中的一些光。多个第一黑矩阵BM1可以对应于前面提及的黑矩阵BM。
图11是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
参考图11，除了进一步设置第二折射层LR2和第二黑矩阵BM2之外，图11可以与图10基本上相同。因此，将省略重复配置的描述。
第二折射层LR2可以与第一折射层LR1包括基本上相同的材料。第二黑矩阵BM2还可以与第一黑矩阵BM1包括基本上相同的材料。第二黑矩阵BM2可以对应于前面提及的黑矩阵BM。
第二折射层LR2可以设置为覆盖多个第一黑矩阵BM1。多个第二黑矩阵BM2可以设置在第二折射层LR2上。多个第二黑矩阵BM2可以设置为与多个第一黑矩阵BM1重叠。
通过设置第二折射层LR2和多个第二黑矩阵BM2，可以进一步阻挡从显示装置DD(参见图1)的下部部分发射的光在第二方向DR2上传播。
尽管在附图中未示出，但是一个或多个折射层和一个或多个光阻挡层可以额外地堆叠在第二折射层LR2和多个第二黑矩阵BM2上。
图12是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
参考图1、图2和图12，显示装置DD可以包括基底SUB、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2、像素限定层PDL、玻璃层ENG、第一折射层LR1、以及第一黑矩阵BM1。
第一晶体管TFT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。第二晶体管TFT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。
第一发光二极管ED1可以包括第一阳极电极ANO1、第一发光层EMB和第一阴极电极CATH1。第二发光二极管ED2可以包括第二阳极电极ANO2、第二发光层EMR和第二阴极电极CATH2。第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以一体地形成。也就是说，第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2中的每一个可以被限定为阴极电极CATH的一部分。
基底SUB可以包括柔性材料或刚性材料。缓冲层BUF可以设置在基底SUB上。
第一有源层ACT1和第二有源层ACT2可以设置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以设置为覆盖第一有源层ACT1和第二有源层ACT2。第一栅极电极GE1和第二栅极电极GE2可以设置在栅极绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以设置在栅极绝缘层GI上。第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2可以设置在层间绝缘层ILD上。通孔绝缘层VIA可以设置在层间绝缘层ILD上并覆盖第一源极电极SE1和第二源极电极SE2以及第一漏极电极DE1和第二漏极电极DE2。
第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2可以设置在通孔绝缘层VIA上。像素限定层PDL可以设置在通孔绝缘层VIA上。第一发光层EMB和第二发光层EMR可以分别设置在第一阳极电极ANO1和第二阳极电极ANO2上。第一阴极电极CATH1和第二阴极电极CATH2可以设置在第一发光层EMB和第二发光层EMR上。
玻璃层ENG可以设置在阴极电极CATH上。当设置玻璃层ENG时，可以不设置单独的触摸感测层。玻璃层ENG可以用作封装层。因此，第一折射层LR1可以设置在玻璃层ENG上。然而，单独的触摸膜可以附接到显示装置DD。
第一折射层LR1可以设置在玻璃层ENG上。第一折射层LR1可以覆盖多个折射图案HR。可以调整多个折射图案HR，使得从显示装置DD的下部部分发射的光的路径被引导在第三方向DR3上。多个折射图案HR可以分别与第一发光层EMB和第二发光层EMR重叠。多个折射图案HR中的每一个的面积可以大于第一发光层EMB和第二发光层EMR的面积。在实施例中，例如，第一发光层EMB的面积可以与第二发光层EMR的面积不同。在这种情况下，与第一发光层EMB重叠的折射图案HR的面积可以大于第一发光层EMB的面积，并且与第二发光层EMR重叠的折射图案HR的面积可以大于第二发光层EMR的面积。在这种情况下，折射图案HR的面积可以彼此不同。
多个折射图案HR可以具有锥形形状。另外，多个折射图案HR中的每一个的在第三方向DR3上的第一高度H1可以是大约3.2微米至大约5微米。当折射图案HR具有3.2微米或更小的高度时，折射图案HR可能不能有效地调整光发射方向使得从显示装置DD的下部部分发射的光被引导在第三方向DR3上。此外，由于第一折射层LR1的第二高度H2通常大于或等于大约5微米，因此折射图案HR的第一高度H1可以小于或等于大约5微米。
第一折射层LR1可以设置为覆盖多个折射图案HR和玻璃层ENG。第一折射层LR1可以具有比折射图案HR的第一折射率低的第二折射率。由于折射图案HR与第一折射层LR1之间的折射率的差异，从显示装置DD的下部部分发射的光的路径可以被调整为沿着第三方向DR3。
多个第一黑矩阵BM1可以设置在第一折射层LR1上。多个第一黑矩阵BM1可以设置为与像素限定层PDL重叠。多个第一黑矩阵BM1可以阻挡在第二方向DR2上传播的光。因此，可以调整从显示装置DD发射的光的视角。另外，多个第一黑矩阵BM1可以防止从第一发光层EMB发射的光与从第二发光层EMR发射的光的混合。多个第一黑矩阵BM1可以包括能够阻挡光的材料。在实施例中，例如，多个第一黑矩阵BM1可以由包括特定颜色(例如，黑色)的有机颜料的材料形成。因此，多个第一黑矩阵BM1可以阻挡从显示装置DD的下部部分发射的光中的一些光。
图13是示意性地示出沿图2的线I-I'截取的截面的实施例的截面图。
参考图13，除了进一步设置第二折射层LR2和第二黑矩阵BM2之外，图13可以与图12基本上相同。因此，将省略重复配置的描述。
第二折射层LR2可以与第一折射层LR1包括基本上相同的材料。第二黑矩阵BM2还可以与第一黑矩阵BM1包括基本上相同的材料。第二黑矩阵BM2可以对应于前面提及的黑矩阵BM。
第二折射层LR2可以设置为覆盖多个第一黑矩阵BM1。多个第二黑矩阵BM2可以设置在第二折射层LR2上。多个第二黑矩阵BM2可以设置为与多个第一黑矩阵BM1重叠。
通过设置第二折射层LR2和多个第二黑矩阵BM2，可以进一步阻挡从显示装置DD(参见图1)的下部部分发射的光在第二方向DR2上传播。
尽管在附图中未示出，但是一个或多个折射层和一个或多个光阻挡层可以额外地堆叠在第二折射层LR2和多个第二黑矩阵BM2上。
本实用新型不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的概念。
尽管已经参照本实用新型的实施例具体地示出和描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在不脱离如由权利要求所限定的本实用新型的精神或范围的情况下在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
第一发光层，在第一方向上具有第一长度并且发射第一光；
第二发光层，沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一发光层间隔开，在所述第一方向上具有第二长度并且发射与所述第一光不同的第二光；
多个折射图案，各自具有第一折射率，所述多个折射图案分别对应于所述第一发光层和所述第二发光层；
第一折射层，面对所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个且所述多个折射图案分别在所述第一折射层与所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个之间，所述第一折射层具有比所述多个折射图案的所述第一折射率低的第二折射率；以及
光阻挡层，包括多个第一黑矩阵，所述多个第一黑矩阵在所述第一折射层上并且布置为沿所述第二方向彼此间隔开且所述多个折射图案在所述多个第一黑矩阵之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一发光层的所述第一长度等于所述第二发光层的所述第二长度，
所述第一发光层在所述第二方向上具有小于所述第一长度的第一宽度，并且
所述第二发光层在所述第二方向上具有小于所述第二长度的第二宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个折射图案包括：
第一折射图案，对应于所述第一发光层；以及
第二折射图案，对应于所述第二发光层。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个具有由多个外边缘限定的平面形状，
所述第一折射图案比所述第一发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远，并且
所述第二折射图案比所述第二发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一发光层的所述第一长度大于所述第二发光层的所述第二长度，
所述第一发光层在所述第二方向上具有小于所述第一长度的第一宽度，并且
所述第二发光层在所述第二方向上具有小于所述第二长度的第二宽度。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一发光层的所述第一宽度和所述第二发光层的所述第二宽度相等。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述多个折射图案包括：
第一折射图案，对应于所述第一发光层；以及
第二折射图案，对应于所述第二发光层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第一发光层和所述第二发光层中的每一个具有由多个外边缘限定的平面形状，
所述第一折射图案比所述第一发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远，并且
所述第二折射图案比所述第二发光层的所述多个外边缘中的每一个延伸得更远。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一黑矩阵包括：
第一光阻挡图案和第二光阻挡图案，沿所述第二方向彼此间隔开且所述第一发光层在所述第一光阻挡图案与所述第二光阻挡图案之间，并且
所述第二光阻挡图案比所述第一光阻挡图案更靠近所述第二发光层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一光阻挡图案在所述第一方向上具有所述第一长度，并且
所述第二光阻挡图案在所述第一方向上具有所述第一长度。
CN202222559653.6U 2021-09-27 2022-09-27 显示装置 Active CN218831225U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0127066 2021-09-27
KR1020210127066A KR20230045659A (ko) 2021-09-27 2021-09-27 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN218831225U true CN218831225U (zh) 2023-04-07

Family

ID=85706357

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202222559653.6U Active CN218831225U (zh) 2021-09-27 2022-09-27 显示装置
CN202211181772.0A Pending CN115884625A (zh) 2021-09-27 2022-09-27 显示装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211181772.0A Pending CN115884625A (zh) 2021-09-27 2022-09-27 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230095066A1 (zh)
KR (1) KR20230045659A (zh)
CN (2) CN218831225U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN115884625A (zh) 2023-03-31
US20230095066A1 (en) 2023-03-30
KR20230045659A (ko) 2023-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230296950A1 (en) Display device
US10684481B2 (en) Display device, organic light emitting display device, and head-mounted display device
US11641764B2 (en) Display device using a flexible substrate with alignment marks for folding
US9793515B2 (en) Organic light-emitting display apparatus including reflection adjusting layer
US10903243B2 (en) Display device
US11112665B2 (en) Wiring substrate and display device including wiring substrate
US20170176792A1 (en) Display device
US20190155098A1 (en) Display device
KR101778364B1 (ko) 디스플레이 디바이스
CN113130552B (zh) 显示装置
CN218831225U (zh) 显示装置
US20230143915A1 (en) Display device and method of providing the same
US20220158036A1 (en) Display device
KR102575531B1 (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20080038538A (ko) 액정 표시 장치
US10802323B2 (en) Liquid crystal display device
KR102593756B1 (ko) 액정 표시 장치
US20230189559A1 (en) Display device
US11194206B2 (en) Semiconductor substrate and display device
US11169424B2 (en) Display device
KR100709502B1 (ko) 반사형 및 투과반사형 액정 표시장치와 그 제조방법
US20240074232A1 (en) Display device
CN218413959U (zh) 像素和包括像素的显示装置
KR102662750B1 (ko) 표시장치
KR102667952B1 (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant