KR20230045659A - 표시 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 309
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 17
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 17
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 17
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 102100022992 Anoctamin-1 Human genes 0.000 description 12
- 102100022991 Anoctamin-2 Human genes 0.000 description 12
- 101000757261 Homo sapiens Anoctamin-1 Proteins 0.000 description 12
- 101000757263 Homo sapiens Anoctamin-2 Proteins 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 101100224485 Arabidopsis thaliana POL2B gene Proteins 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100499944 Arabidopsis thaliana POL2A gene Proteins 0.000 description 4
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100028962 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PDR1 gene Proteins 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
표시 장치는 트랜지스터 기판, 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층, 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제2 길이를 가지며, 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제2 발광층, 제1 발광층 및 제2 발광층 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층, 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층 및 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 제1 발광층 및 제2 발광층과 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 영상을 표시할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 복수의 화소들 각각은 복수의 서브 화소들을 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소들은 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소들은 적색 서브 화소, 청색 서브 화소 및 녹색 서브 화소를 포함할 수 있다. 복수의 서브 화소들 각각은 복수의 구동 소자들 및 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치는 복수의 화소들 상에서 배치되는 구성들을 더 포함할 수 있다. 상기 구성들의 예로는, 서로 다른 굴절률을 갖는 굴절층들, 하부에서 방출되는 광을 차단하는 광 차단층, 박막 봉지층, 글래스층, 터치 센싱층 등을 들 수 있다.
표시 장치에서 방출되는 광은 다양한 방향으로 방출될 수 있어서 다양한 각도에서 표시 장치에서 표시하는 영상을 시인할 수 있다. 다만, 표시 장치의 영상이 다양한 각도에서 시인될 경우, 휘도 저하 등의 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 시야각을 조절하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 시야각이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 트랜지스터 기판, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 제2 길이를 가지며, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제2 발광층, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층, 상기 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층 및 상기 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이와 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며, 상기 제1 길이는 상기 제1 너비보다 길고, 상기 제2 길이는 상기 제2 너비보다 길 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되는 제1 굴절 패턴 및 상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되는 제2 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제1 너비보다 긴 제3 너비를 가지고, 상기 제2 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제2 너비보다 긴 제4 너비를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이보다 길 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며, 상기 제1 길이는 상기 제1 너비보다 길고, 상기 제2 길이는 상기 제2 너비보다 길 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 너비 및 상기 제2 너비는 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되는 제1 굴절 패턴 및 상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되는 제2 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제1 너비보다 긴 제3 너비를 가지고, 상기 제2 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제2 너비보다 긴 제4 너비를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들은 상기 제1 발광층과 인접하게 배치되는 제1-a 블랙 매트릭스 및 상기 제2 발광층과 인접하게 배치되는 제1-b 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1-a 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 갖고, 상기 제1-b 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1-a 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 갖고, 상기 제1-b 블랙 매트릭스는 상기 제2 방향으로 상기 제2 길이를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향으로의 높이는 3.2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 블랙 매트릭스들을 덮으며 배치되는 제3 굴절층 및 상기 제3 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들과 중첩하는 제2 블랙 매트릭스들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 박막 봉지층 및 상기 박막 봉지층 및 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 터치 센싱층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 글래스층을 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 트랜지스터 기판, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 가지며, 상기 제1 광을 방출하는 제2 발광층, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 제2 길이를 가지며, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제3 발광층, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이를 가지며, 상기 제2 광을 방출하는 제4 발광층, 상기 제1 내지 제4 발광층들 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층, 상기 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층 및 상기 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 제1 내지 제4 발광층들 각각과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이보다 길고, 상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며, 상기 제3 발광층은 상기 제2 방향으로 제3 너비를 가지고, 상기 제4 발광층은 상기 제2 방향으로 제4 너비를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 너비는 상기 제2 너비보다 길고, 상기 제3 너비는 상기 제4 너비보다 길 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 길이 및 상기 제2 길이는 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이를 갖는 제1 굴절 패턴, 상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제3 길이를 갖는 제2 굴절 패턴, 상기 제3 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이를 갖는 제3 굴절 패턴 및 상기 제4 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제4 길이를 갖는 제4 굴절 패턴을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 평면도 상에서, 상기 제1 굴절 패턴의 면적은 상기 제1 발광층의 면적보다 크고, 상기 제2 굴절 패턴의 면적은 상기 제2 발광층의 면적보다 크며, 상기 제3 굴절 패턴의 면적은 상기 제3 발광층의 면적보다 크고, 상기 제4 굴절 패턴의 면적은 상기 제4 발광층의 면적보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향으로의 높이는 3.2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 굴절 패턴들의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향으로의 높이는 3.2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터 일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 블랙 매트릭스들을 덮으며 배치되는 제3 굴절층 및 상기 제3 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들과 중첩하는 제2 블랙 매트릭스들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 발광층들과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 박막 봉지층 및 상기 박막 봉지층 및 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 터치 센싱층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제4 발광층들과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 글래스층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 트랜지스터 기판, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이 및 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 제1 너비를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 제2 길이 및 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제2 발광층, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층, 상기 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층 및 상기 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함할 수 있다.
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 사이즈가 다르고, 상기 제1 길이는 상기 제1 너비보다 길고, 상기 제2 길이는 상기 제2 너비보다 넓을 수 있다. 따라서, 상기 제2 방향으로 방출되는 광의 시야각이 좁게 조절될 수 있고, 또한, 복수의 굴절 패턴들 및 제2 굴절층으로 인해, 상기 제2 방향으로 방출되는 광의 시야각이 좁게 조절 수 있다. 또한, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들이 상기 제2 방향으로 방출되는 광을 차단할 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 방향으로 방출되는 광의 시야각이 좁게 조절될 수 있다. 또한, 상기 복수의 굴절 패턴들의 높이가 약 3.2 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터인 경우, 종래에 비해 광을 더 많이 굴절시킬 수 있어서, 하부에서 방출되는 광을 효과적으로 굴절시킬 수 있다. 이를 통해, 상기 표시 장치에서 방출되는 광의 휘도 특성도 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DD)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 다만, 데드 스페이스를 줄이기 위해, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측에만 배치될 수도 있다.
표시 장치(DD)는 복수의 화소들(P)을 포함할 수 있다. 복수의 화소들(P)은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 복수의 화소들(P)은 표시 영역(DA)에 다양한 형태로 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소들(P)은 표시 영역(DA)에 매트릭스 형태로 전반적으로 배치될 수 있다. 즉, 복수의 화소들(P)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 행 및 제2 방향(DR2)으로 연장되는 열을 따라 배치될 수 있다. 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)은 서로 교차할 수 있다. 표시 장치(DD)는 복수의 화소들(P)을 통화 광을 방출할 수 있다. 복수의 화소들(P)은 발광층을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 유기 발광층 또는 무기 발광층일 수 있다. 또한, 복수의 화소들(P)은 발광층을 구동하기 위한, 복수의 구동 소자들을 포함할 수 있다. 상기 발광층은 상기 복수의 구동 소자들과 연결될 수 있다. 상기 복수의 구동 소자들은 트랜지스터 및 커패시터를 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 구동 회로들이 배치될 수 있다. 상기 구동 회로들은 데이터 구동 회로, 게이트 구동 회로 및 발광 구동 회로를 포함할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에는 회로 기판이 배치되어, 외부에서 전달하는 신호를 수신할 수 있다. 상기 구동 회로들은 상기 신호를 수신하여 복수의 화소들(P)에 전달할 수 있다. 복수의 화소들(P)은 상기 신호에 기초하여 광을 방출할 수 있다.
표시 장치(DD)의 주변에 유리나 거울과 같이 빛을 반사할 수 있는 반사 부재가 배치될 경우, 표시 장치(DD)에서 방출되는 광이 상기 반사 부재에 의해 반사될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(DD)를 사용하는 사용자가 표시 장치(DD)에서 방출되는 광을 시인하기 어려울 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해, 표시 장치(DD)에서 방출되는 광이 상기 반사 부재로 입사하는 것을 방지할 필요가 있다. 예를 들어, 표시 장치의 제2 방향(DR2)에 상기 반사 부재가 배치될 수 있다. 이 때, 표시 장치(DD)에서 방출되는 광 중 제2 방향(DR2)으로 향하는 광을 차단하면, 상기 반사 부재에서 광이 반사되지 않을 수 있다. 즉, 표시 장치(DD)의 시야각을 좁게 조절할 필요가 있다. 이 경우, 시야각이 좁아지면서 표시 장치(DD)의 휘도가 향상될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 화소(P)는 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 실시예들에 있어서, 제1 서브 화소(SP1)는 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)에 비해 제1 방향(DR1)으로 긴 길이를 가질 수 있다.
제1 서브 화소(SP1)는 제1 발광층(EMB)가 제1 광을 방출할 수 있다. 제1 발광층(EMB)는 청색 광을 방출할 수 있다. 제2 서브 화소(SP2)는 제2 발광층(EMR)가 광을 방출할 수 있다. 제2 발광층(EMR)는 적색 광을 방출할 수 있다. 제3 서브 화소(SP3)는 제3 발광층(EMG)가 광을 방출할 수 있다. 제3 발광층(EMG)는 녹색 광을 방출할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 방향(DR1)으로 긴 길이를 갖는 제1 서브 화소(SP1)가 방출하는 광은 녹색 또는 적색일 수도 있다.
제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)은 각각 길이와 너비를 가질 수 있다. 제1 서브 화소(SP1)는 제1 방향(DR1)으로 제1 길이를 가질 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 제1 너비를 가질 수 있다. 제2 서브 화소(SP2)는 제1 방향(DR1)으로 제2 길이를 가질 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 제2 너비를 가질 수 있다. 제3 서브 화소(SP3)는 제1 방향(DR1)으로 제3 길이를 가질 수 있고, 제2 방향(DR2)으로 제3 너비를 가질 수 있다. 상기 제1 길이는 상기 제2 길이 및 상기 제3 길이보다 클 수 있다. 상기 제1 너비 내지 제3 너비는 서로 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다.
평면도 상에는 도시되지 않았지만, 굴절 패턴들(HR)이 제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG) 상에 배치될 수 있다. 굴절 패턴들(HR)은 각각 제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG)보다 넓은 면적을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG)은 각각 제1 방향(DR1)으로의 길이가 제2 방향(DR2)으로의 너비보다 길 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG)은 발광 면적을 확보하면서, 제2 방향(DR2)으로 방출되는 광이 제3 방향(DR3)으로 나올 수 있도록 조절할 수 있다. 이 때, 제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG)은 제1 방향(DR1)으로는 넓은 시야각을 가지면서 광을 방출할 수 있다.
평면도 상에는 도시되지 않았지만, 복수의 블랙 매트릭스들(BM)이 굴절 패턴들(HR) 상에 배치될 수 있다. 복수의 블랙 매트릭스들(BM)은 제1 내지 제3 발광층들(EMB, EMR, EMG)과 제2 방향(DR2)으로 인접하게 배치될 수 있다. 복수의 블랙 매트릭스들(BM)은 제2 방향(DR2)으로 방출되는 광을 차단할 수 있다. 이를 통해, 표시 장치(DD)의 제2 방향(DR2)으로의 시야각이 좁아질 수 있다.
실시예들에 따른 표시 장치(DD)는 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)이 각각 제1 방향(DR1)으로 긴 길이를 갖도록 배치하고, 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1, SP2, SP3)의 제2 방향(DR2)에 복수의 블랙 매트릭스들(BM)을 배치함으로써, 제2 방향(DR2)으로 방출되는 광의 시야각을 조절할 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 실시예들에 있어서, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 두 개의 서브 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제1 발광층(EMB)를 포함하는 제1 서브 화소(SP1)가 두 개 배치될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제2 발광층(EMR)를 포함하는 제2 서브 화소(SP2)가 두 개 배치되고, 제3 발광층(EMG)를 포함하는 제3 서브 화소(SP3)가 두 개 배치될 수 있다.
도 3의 두 개의 서브 화소들(SP1)의 면적의 합은 도 2의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 동일할 수 있다. 또는, 도 3의 두 개의 서브 화소들(SP1) 각각의 면적은 도 2의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 이는, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 실시예들에 있어서, 블랙 매트릭스들(BM)은 인접한 서브 화소들의 제1 방향(DR1)으로의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 방향(DR2)으로 인접하는 블랙 매트릭스들(BM)은 제1 서브 화소(SP1)의 제1 방향(DR1)으로의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제2 서브 화소(SP2)와 제2 방향(DR2)으로 인접하는 블랙 매트릭스들(BM)은 제2 서브 화소(SP2)의 제1 방향(DR1)으로의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제3 서브 화소(SP3)와 제2 방향(DR2)으로 인접하는 블랙 매트릭스들(BM)은 제3 서브 화소(SP3)의 제1 방향(DR1)으로의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 이를 통해, 블랙 매트릭스들(BM)이 불필요하게 배치되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 실시예들에 있어서, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 두 개의 서브 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제1 발광층(EMB)를 포함하는 제1 서브 화소(SP1)가 두 개 배치될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제2 발광층(EMR)를 포함하는 제2 서브 화소(SP2)가 두 개 배치되고, 제3 발광층(EMG)를 포함하는 제3 서브 화소(SP3)가 두 개 배치될 수 있다.
도 5의 두 개의 서브 화소들(SP1)의 면적의 합은 도 4의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 동일할 수 있다. 또는, 도 5의 두 개의 서브 화소들(SP1) 각각의 면적은 도 4의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 이는, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 6은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6을 참조하면, 제1 서브 화소(SP1)의 제2 방향(DR2)에 배치되는 블랙 매트릭스들(BM)의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 각각 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)의 제1 방향(DR1)으로의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 7은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7을 참조하면, 실시예들에 있어서, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 두 개의 서브 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제1 발광층(EMB)를 포함하는 제1 서브 화소(SP1)가 두 개 배치될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제2 발광층(EMR)를 포함하는 제2 서브 화소(SP2)가 두 개 배치되고, 제3 발광층(EMG)를 포함하는 제3 서브 화소(SP3)가 두 개 배치될 수 있다.
도 7의 두 개의 서브 화소들(SP1)의 면적의 합은 도 6의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 동일할 수 있다. 또는, 도 7의 두 개의 서브 화소들(SP1) 각각의 면적은 도 6의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 이는, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 8은 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8을 참조하면, 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1)은 제1 방향(DR1)으로 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1)의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 제2 방향(DR2)으로의 너비보다 길 수 있다. 이 경우, 제2 방향(DR2)으로 방출되는 광의 시야각을 좁게 할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소들(SP1)은 각각 제2 방향(DR2)으로 동일한 너비를 가질 수도 있고, 서로 상이한 너비를 가질 수도 있다.
도 9는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9를 참조하면, 실시예들에 있어서, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 두 개의 서브 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제1 발광층(EMB)를 포함하는 제1 서브 화소(SP1)가 두 개 배치될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스들(BM) 사이에 제2 발광층(EMR)를 포함하는 제2 서브 화소(SP2)가 두 개 배치되고, 제3 발광층(EMG)를 포함하는 제3 서브 화소(SP3)가 두 개 배치될 수 있다.
도 9의 두 개의 서브 화소들(SP1)의 면적의 합은 도 8의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 동일할 수 있다. 또는, 도 9의 두 개의 서브 화소들(SP1) 각각의 면적은 도 8의 하나의 서브 화소(SP1)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 이는, 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 2 내지 도 9를 참조하여 설명한 화소(P)는 서로 혼합하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 복수의 화소들(P)을 포함할 수 있고, 복수의 화소들(P)은 모두 동일하게 도 2 내지 도 9 중 하나의 화소 구조를 가질 수 있다. 또는, 복수의 화소들(P) 중 일부는 도 2 내지 도 9 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있고, 다른 일부는 도 2 내지 도 9 중 상기 어느 하나의 구조를 제외한 다른 하나의 구조를 가질 수 있다.
도 10은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 10을 참조하면, 표시 장치(DD)는 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 제1 트랜지스터(TFT1), 제2 트랜지스터(TFT2), 제1 발광 다이오드(ED1), 제2 발광 다이오드(ED2) 화소 정의막(PDL), 제1 무기 박막 봉지층(ILE1), 유기 박막 봉지층(OLE), 제2 무기 박막 봉지층(ILE2), 제1 절연층(TIL1), 제1 터치 전극들(TE1), 제2 절연층(TIL2), 제2 터치 전극들(TE2), 굴절 패턴들(HR)을 포함하는 제1 굴절층, 제2 굴절층(LR1), 제1 블랙 매트릭스들(BM1)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(TFT1)는 제1 액티브층(ACT1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(TFT2)는 제2 액티브층(ACT2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
제1 발광 다이오드(ED1)는 제1 애노드 전극(ANO1), 제1 발광층(EMB), 제1 캐소드 전극(CATH1)을 포함할 수 있다. 제2 발광 다이오드(ED1)는 제2 애노드 전극(ANO2), 제2 발광층(EMR) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)을 포함할 수 있다. 제1 캐소드 전극(CATH1) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 캐소드 전극(CATH1) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)은 각각 캐소드 전극(CATH)의 일 부분으로 정의될 수 있다.
기판(SUB)은 플렉서블한 물질 또는 리지드한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 폴리이미드와 같은 고분자 물질을 포함함으로써 플렉서블한 특성을 가질 수 있다. 또는, 예를 들어, 기판(SUB)은 유리와 같은 물질을 포함함으로써 리지드한 특성을 가질 수 있다.
버퍼층(BUF)이 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BUF)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 금속 원자들이나 불순물들이 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)로 확산되지 않도록 차단할 수 있다. 또한, 버퍼층(BUF)은 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)로 제공되는 열의 속도를 조절할 수 있다.
제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 또는, 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듕-갈륨 산화물(IGO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(GI)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)을 덮으며 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(GI)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)은 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)과 중첩할 수 있다. 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)로 제공되는 게이트 신호에 응답하여, 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)에 신호 및/또는 전압이 흐를 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(ILD)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(ILD)은 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)을 덮으며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 층간 절연층(ILD)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 층간 절연층(ILD)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 및 제2 소스 전극들(SE1, SE2) 및 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)은 제1 액티브층(ACT1)과 접촉할 수 있다. 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)은 제2 액티브층(ACT2)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제3 소스 전극들(SE1, SE2) 및 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)은 각각 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제3 소스 전극들(SE1, SE2) 및 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2) 각각은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
비아 절연층(VIA)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 제1 및 제2 소스 전극들(SE1, SE2) 및 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)을 덮으며 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 비아 절연층(VIA)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비아 절연층(VIA)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
전술한 구성들인, 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 제1 트랜지스터(TFT1) 및 제2 트랜지스터(TFT2)는 트랜지스터 기판을 구성할 수 있다.
제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)은 각각 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)과 접촉할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)은 각각 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)은 각각 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)을 노출시키는 개구가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR)은 각각 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR)은 기설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR)은 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2) 및 제1 및 제2 캐소드 전극들(CATH1, CATH2)의 전위차에 기초하여 상기 광을 방출할 수 있다.
제1 및 제2 캐소드 전극들(CATH1, CATH2)은 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 캐소드 전극들(CATH1, CATH2)은 은 금속, 합금, 금속 산화물, 투명 도전 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 캐소드 전극들(CATH1, CATH2)은 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다.
봉지층이 캐소드 전극(CATH) 상에 배치될 수 있다. 상기 봉지층은 제1 무기 박막 봉지층(ILE1), 유기 박막 봉지층(OLE) 및 제2 무기 박막 봉지층(ILE2)이 적층된 구조를 가질 수 있다.
터치 센싱층이 상기 봉지층 상에 배치될 수 있다. 상기 터치 센싱층은 외부의 터치를 센싱하는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 상기 터치 센싱층은 제1 절연층(TIL1), 제1 터치 전극들(TE1), 제2 절연층(TIL2) 및 제2 터치 전극들(TE2)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 터치 전극들(TE1)은 제2 터치 전극들(TE2)과 콘택홀에 의해 서로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 터치 전극들(TE1, TE2)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하고, 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR)과는 중첩하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 터치 전극들(TE1, TE2)이 하부에서 방출되는 광을 차단하지 않을 수 있다.
상기 제1 굴절층이 제2 절연층(TIL2) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 굴절층은 복수의 굴절 패턴들(HR)을 포함할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR)은 하부에서 방출되는 광의 경로가 제3 방향(DR3)으로 향하도록 조절할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR)은 각각 제1 발광층(EMB) 및 제2 발광층(EMR)과 중첩할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR) 각각의 면적은 제1 발광층(EMB) 및 제2 발광층(EMR)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 발광층(EMB)의 면적은 제2 발광층(EMR)의 면적과 상이할 수 있다. 이 때, 제1 발광층(EMB)과 중첩하는 굴절 패턴(HR)의 면적은 제1 발광층(EMB)의 면적보다 클 수 있고, 제2 발광층(EMR)과 중첩하는 굴절 패턴(HR)의 면적은 제2 발광층(EMR)의 면적보다 클 수 있다. 이 경우, 굴절 패턴들(HR)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
복수의 굴절 패턴들(HR)은 테이퍼 된 형상을 가질 수 있다. 또한, 복수의 굴절 패턴들(HR) 각각의 제3 방향(DR3)으로의 높이(H1)는 약 3.2 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터 일 수 있다. 종래에는 3.2 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 굴절 패턴(HR)이 사용되었으나, 3.2 마이크로미터 이하의 높이를 가질 경우, 굴절 패턴(HR)은 하부에서 방출되는 광이 제3 방향(DR3)으로 향하도록 효과적으로 조절할 수 없다. 또한, 제2 굴절층(HR)의 높이(H2)가 통상적으로 약 5마이크로미터 이상이므로, 굴절 패턴(HR)의 높이는 약 5 마이크로미터 이하인 것이 바람직할 수 있다.
상기 제1 굴절층 상에는 제2 굴절층(LR1)이 배치될 수 있다. 제2 굴절층(LR1)은 복수의 굴절 패턴들(HR), 복수의 제2 터치 전극들(TE2) 및 제2 절연층(TIL2)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2 굴절층(LR1)은 굴절 패턴(HR)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 굴절 패턴(HR)과 제2 굴절층(LR1) 사이의 굴절률 차이로 인해, 하부에서 방출되는 광의 경로가 제3 방향(DR3)을 향하도록 조절될 수 있다.
복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)이 제2 굴절층(LR1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 제2 터치 전극들(TE2)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 제2 방향으로 퍼지는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(DD)에서 방출되는 광의 시야각을 조절할 수 있다. 또한, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 제1 발광층(EMB)에서 방출되는 광과 제2 발광층(EMR)에서 방출되는 광이 섞이는 것을 방지할 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)은 광을 차단할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)은 특정색(예를 들어, 검정색)의 유기 안료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)이 하부에서 방출되는 광 중 일부를 차단할 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)은 전술한 블랙 매트릭스들(BM)에 대응할 수 있다.
도 11은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 도 11은 제3 굴절층(LR2) 및 제2 블랙 매트릭스들(BM2)이 더 배치된 것을 제외하면 도 10과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
제3 굴절층(LR2)은 제2 굴절층(LR1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 블랙 매트릭스들(BM2)도 제1 블랙 매트릭스들(BM1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 전술한 블랙 매트릭스들(BM)과 대응할 수 있다.
제3 굴절층(LR2)은 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)을 덮으며 배치될 수 있다. 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 제3 굴절층(LR2) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
제3 굴절층(LR2) 및 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)이 배치됨으로써, 하부에서 방출되는 광이 제2 방향(DR2)으로 퍼지는 것을, 도 10의 실시예보다, 더욱 효과적으로 차단할 수 있다.
도면 상에는 도시되지 않았으나, 제3 굴절층(LR2) 및 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2) 상에 굴절층 및 복수의 블랙 매트릭스들이 추가적으로 적층될 수 있다.
도 12는 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 12를 참조하면, 표시 장치(DD)는 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 제1 트랜지스터(TFT1), 제2 트랜지스터(TFT2), 제1 발광 다이오드(ED1), 제2 발광 다이오드(ED2) 화소 정의막(PDL), 제1 무기 박막 봉지층(ILE1), 유기 박막 봉지층(OLE), 제2 무기 박막 봉지층(ILE2), 제1 절연층(TIL1), 제1 터치 전극들(TE1), 제2 절연층(TIL2), 제2 터치 전극들(TE2), 굴절 패턴들(HR)을 포함하는 제1 굴절층, 제2 굴절층(LR1), 제1 블랙 매트릭스들(BM1)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(TFT1)는 제1 액티브층(ACT1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2 트랜지스터(TFT2)는 제2 액티브층(ACT2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
제1 발광 다이오드(ED1)는 제1 애노드 전극(ANO1), 제1 발광층(EMB), 제1 캐소드 전극(CATH1)을 포함할 수 있다. 제2 발광 다이오드(ED1)는 제2 애노드 전극(ANO2), 제2 발광층(EMR) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)을 포함할 수 있다. 제1 캐소드 전극(CATH1) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 캐소드 전극(CATH1) 및 제2 캐소드 전극(CATH2)은 각각 캐소드 전극(CATH)의 일 부분으로 정의될 수 있다.
기판(SUB)은 플렉서블한 물질 또는 리지드한 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(BUF)이 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 제1 및 제2 액티브층들(ACT1, ACT2)을 덮으며 배치될 수 있다. 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 소스 전극들(SE1, SE2) 및 제1 및 제2 드레인 전극들(DE1, DE2)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다.
제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR)은 각각 제1 및 제2 애노드 전극들(ANO1, ANO2) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 캐소드 전극들(CATH1, CATH2)은 제1 및 제2 발광층들(EMB, EMR) 상에 배치될 수 있다.
글래스층(ENG)이 캐소드 전극(CATH) 상에 배치될 수 있다. 글래스층(ENG)이 배치될 경우, 별도의 상기 터치 센싱층이 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 글래스층(ENG) 상에 상기 제1 굴절층이 배치될 수 있다. 다만, 표시 장치(DD)에는 별도의 터치 필름이 부착될 수 있다.
상기 제1 굴절층이 글래스층(ENG) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 굴절층은 복수의 굴절 패턴들(HR)을 포함할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR)은 하부에서 방출되는 광의 경로가 제3 방향(DR3)으로 향하도록 조절할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR)은 각각 제1 발광층(EMB) 및 제2 발광층(EMR)과 중첩할 수 있다. 복수의 굴절 패턴들(HR) 각각의 면적은 제1 발광층(EMB) 및 제2 발광층(EMR)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 발광층(EMB)의 면적은 제2 발광층(EMR)의 면적과 상이할 수 있다. 이 때, 제1 발광층(EMB)과 중첩하는 굴절 패턴(HR)의 면적은 제1 발광층(EMB)의 면적보다 클 수 있고, 제2 발광층(EMR)과 중첩하는 굴절 패턴(HR)의 면적은 제2 발광층(EMR)의 면적보다 클 수 있다. 이 경우, 굴절 패턴들(HR)의 면적은 서로 상이할 수도 있다.
복수의 굴절 패턴들(HR)은 테이퍼 된 형상을 가질 수 있다. 또한, 복수의 굴절 패턴들(HR) 각각의 제3 방향(DR3)으로의 높이(H1)는 약 3.2 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터 일 수 있다. 종래에는 3.2 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 굴절 패턴(HR)이 사용되었으나, 3.2 마이크로미터 이하의 높이를 가질 경우, 굴절 패턴(HR)은 하부에서 방출되는 광이 제3 방향(DR3)으로 향하도록 효과적으로 조절할 수 없다. 또한, 제2 굴절층(HR)의 높이(H2)가 통상적으로 약 5마이크로미터 이상이므로, 굴절 패턴(HR)의 높이는 약 5 마이크로미터 이하인 것이 바람직할 수 있다.
상기 제1 굴절층 상에는 제2 굴절층(LR1)이 배치될 수 있다. 제2 굴절층(LR1)은 복수의 굴절 패턴들(HR) 및 글래스층(ENG)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2 굴절층(LR1)은 굴절 패턴(HR)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 굴절 패턴(HR)과 제2 굴절층(LR1) 사이의 굴절률 차이로 인해, 하부에서 방출되는 광의 경로가 제3 방향(DR3)을 향하도록 조절될 수 있다.
복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)이 제2 굴절층(LR1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 화소 정의막(PDL)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 제2 방향(DR2)으로 퍼지는 빛을 차단할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(DD)에서 방출되는 광의 시야각을 조절할 수 있다. 또한, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM)은 제1 발광층(EMB)에서 방출되는 광과 제2 발광층(EMR)에서 방출되는 광이 섞이는 것을 방지할 수 있다. 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)은 광을 차단할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)은 특정색(예를 들어, 검정색)의 유기 안료를 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)이 하부에서 방출되는 광 중 일부를 차단할 수 있다.
도 13은 도 2의 I-I' 라인을 따라 절취한 단면의 또 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13을 참조하면, 도 13은 제3 굴절층(LR2) 및 제2 블랙 매트릭스들(BM2)이 더 배치된 것을 제외하면 도 12과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
제3 굴절층(LR2)은 제2 굴절층(LR1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 블랙 매트릭스들(BM2)도 제1 블랙 매트릭스들(BM1)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 전술한 블랙 매트릭스들(BM)과 대응할 수 있다.
제3 굴절층(LR2)은 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)을 덮으며 배치될 수 있다. 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 제3 굴절층(LR2) 상에 배치될 수 있다. 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)은 복수의 제1 블랙 매트릭스들(BM1)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
제3 굴절층(LR2) 및 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2)이 배치됨으로써, 하부에서 방출되는 광이 제2 방향(DR2)으로 퍼지는 것을, 도 12의 실시예보다, 더욱 효과적으로 차단할 수 있다.
도면 상에는 도시되지 않았으나, 제3 굴절층(LR2) 및 복수의 제2 블랙 매트릭스들(BM2) 상에 굴절층 및 복수의 블랙 매트릭스들이 추가적으로 적층될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 다양한 표시 장치들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 표시 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 표시 장치들, 의료용 표시 장치들에 적용 가능하다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
DD: 표시 장치
P: 화소
DA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
SP1, SP2, SP3: 제1 내지 제3 서브 화소들
EMB, EMR, EMG: 제1 내지 제3 발광층들
HR: 굴절 패턴들 LR1, LR2: 제1 및 제2 굴절층들
BM1, BM2: 제1 및 제2 블랙 매트릭스들
BM: 블랙 매트릭스들
SUB: 기판 BUF: 버퍼층
GI: 게이트 절연층 ILD: 층간 절연층
VIA: 비아 절연층 CATH: 캐소드 전극
TFT1, TFT2: 제1 및 제2 트랜지스터들
ACT1, ACT2: 제1 및 제2 액티브층들
GE1, GE2: 제1 및 제2 게이트 전극들
SE1, SE2: 제1 및 제2 소스 전극들
DE1, DE2: 제1 및 제2 드레인 전극들
ANO1, ANO2: 제1 및 제2 애노드 전극들
CATH1, CATH2: 제1 및 제2 캐소드 전극들
ILE1, ILE2: 제1 및 제2 무기 박막 봉지층
OLE: 유기 박막 봉지층 TIL1, TIL2: 제1 및 제2 절연층들
TE1, TE2: 제1 및 제2 터치 전극들
ENG: 글래스층
DA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
SP1, SP2, SP3: 제1 내지 제3 서브 화소들
EMB, EMR, EMG: 제1 내지 제3 발광층들
HR: 굴절 패턴들 LR1, LR2: 제1 및 제2 굴절층들
BM1, BM2: 제1 및 제2 블랙 매트릭스들
BM: 블랙 매트릭스들
SUB: 기판 BUF: 버퍼층
GI: 게이트 절연층 ILD: 층간 절연층
VIA: 비아 절연층 CATH: 캐소드 전극
TFT1, TFT2: 제1 및 제2 트랜지스터들
ACT1, ACT2: 제1 및 제2 액티브층들
GE1, GE2: 제1 및 제2 게이트 전극들
SE1, SE2: 제1 및 제2 소스 전극들
DE1, DE2: 제1 및 제2 드레인 전극들
ANO1, ANO2: 제1 및 제2 애노드 전극들
CATH1, CATH2: 제1 및 제2 캐소드 전극들
ILE1, ILE2: 제1 및 제2 무기 박막 봉지층
OLE: 유기 박막 봉지층 TIL1, TIL2: 제1 및 제2 절연층들
TE1, TE2: 제1 및 제2 터치 전극들
ENG: 글래스층
Claims (27)
- 트랜지스터 기판;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 제2 길이를 가지며, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제2 발광층;
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층;
상기 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층; 및
상기 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이와 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2 항에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며,
상기 제1 길이는 상기 제1 너비보다 길고, 상기 제2 길이는 상기 제2 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서,
상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되는 제1 굴절 패턴; 및
상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되는 제2 굴절 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제4 항에 있어서, 상기 제1 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제1 너비보다 긴 제3 너비를 가지고, 상기 제2 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제2 너비보다 긴 제4 너비를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제6 항에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며,
상기 제1 길이는 상기 제1 너비보다 길고, 상기 제2 길이는 상기 제2 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 너비 및 상기 제2 너비는 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서,
상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되는 제1 굴절 패턴; 및
상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되는 제2 굴절 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서, 상기 제1 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제1 너비보다 긴 제3 너비를 가지고, 상기 제2 굴절 패턴은 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이 및 상기 제2 방향으로 상기 제2 너비보다 긴 제4 너비를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들은,
상기 제1 발광층과 인접하게 배치되는 제1-a 블랙 매트릭스; 및
상기 제2 발광층과 인접하게 배치되는 제1-b 블랙 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제11 항에 있어서, 상기 제1-a 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 갖고, 상기 제1-b 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 제1-a 블랙 매트릭스는 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 갖고, 상기 제1-b 블랙 매트릭스는 상기 제2 방향으로 상기 제2 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 굴절 패턴들의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향으로의 높이는 3.2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 제1 블랙 매트릭스들을 덮으며 배치되는 제3 굴절층; 및
상기 제3 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들과 중첩하는 제2 블랙 매트릭스들을 더 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 및 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 터치 센싱층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 글래스층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 트랜지스터 기판;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 제1 길이를 가지며, 제1 광을 방출하는 제1 발광층;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이를 가지며, 상기 제1 광을 방출하는 제2 발광층;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 제2 길이를 가지며, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 방출하는 제3 발광층;
상기 트랜지스터 기판 상에 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이를 가지며, 상기 제2 광을 방출하는 제4 발광층;
상기 제1 내지 제4 발광층들 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 복수의 굴절 패턴들을 포함하는 제1 굴절층;
상기 제1 굴절층을 덮으며 배치되고, 상기 제1 굴절률 보다 낮은 제2 굴절률을 갖는 제2 굴절층; 및
상기 제2 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 제1 내지 제4 발광층들 각각과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 인접하게 배치되는 복수의 제1 블랙 매트릭스들을 포함하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서, 상기 제1 길이는 상기 제2 길이보다 길고,
상기 제1 발광층은 상기 제2 방향으로 제1 너비를 가지고, 상기 제2 발광층은 상기 제2 방향으로 제2 너비를 가지며, 상기 제3 발광층은 상기 제2 방향으로 제3 너비를 가지고, 상기 제4 발광층은 상기 제2 방향으로 제4 너비를 가지는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제19 항에 있어서, 상기 제1 너비는 상기 제2 너비보다 길고, 상기 제3 너비는 상기 제4 너비보다 긴 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제19 항에 있어서, 상기 제1 길이 및 상기 제2 길이는 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제18 항에 있어서, 상기 굴절 패턴들은, 평면도 상에서,
상기 제1 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제1 길이보다 긴 제3 길이를 갖는 제1 굴절 패턴;
상기 제2 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제3 길이를 갖는 제2 굴절 패턴;
상기 제3 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제2 길이보다 긴 제4 길이를 갖는 제3 굴절 패턴; 및
상기 제4 발광층과 중첩하게 배치되고, 상기 제1 방향으로 상기 제4 길이를 갖는 제4 굴절 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서, 평면도 상에서,
상기 제1 굴절 패턴의 면적은 상기 제1 발광층의 면적보다 크고,
상기 제2 굴절 패턴의 면적은 상기 제2 발광층의 면적보다 크며,
상기 제3 굴절 패턴의 면적은 상기 제3 발광층의 면적보다 크고,
상기 제4 굴절 패턴의 면적은 상기 제4 발광층의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서, 상기 굴절 패턴들의 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 수직한 제3 방향으로의 높이는 3.2 마이크로미터 내지 5 마이크로미터 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제18 항에 있어서,
상기 제1 블랙 매트릭스들을 덮으며 배치되는 제3 굴절층; 및
상기 제3 굴절층 상에 배치되고, 평면도 상에서, 상기 복수의 제1 블랙 매트릭스들과 중첩하는 제2 블랙 매트릭스들을 더 포함하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 발광층들과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 박막 봉지층; 및
상기 박막 봉지층 및 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 터치 센싱층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 발광층들과 상기 제1 굴절층 사이에 배치되는 글래스층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210127066A KR20230045659A (ko) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 표시 장치 |
| US17/842,993 US20230095066A1 (en) | 2021-09-27 | 2022-06-17 | Display device |
| CN202222559653.6U CN218831225U (zh) | 2021-09-27 | 2022-09-27 | 显示装置 |
| CN202211181772.0A CN115884625A (zh) | 2021-09-27 | 2022-09-27 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210127066A KR20230045659A (ko) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230045659A true KR20230045659A (ko) | 2023-04-05 |
Family
ID=85706357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210127066A KR20230045659A (ko) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 표시 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230095066A1 (ko) |
| KR (1) | KR20230045659A (ko) |
| CN (2) | CN218831225U (ko) |
-
2021
- 2021-09-27 KR KR1020210127066A patent/KR20230045659A/ko unknown
-
2022
- 2022-06-17 US US17/842,993 patent/US20230095066A1/en active Pending
- 2022-09-27 CN CN202222559653.6U patent/CN218831225U/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115884625A (zh) | 2023-03-31 |
| US20230095066A1 (en) | 2023-03-30 |
| CN218831225U (zh) | 2023-04-07 |
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