CN110718761B - 天线装置及移动终端 - Google Patents

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Abstract

一种天线装置包括辐射体、第一接地支路和第二接地支路，辐射体包括馈电点、第一辐射段和第二辐射段，第一辐射段和第二辐射段设在馈电点的两侧，第一辐射段、第二辐射段与馈电点之间分别设有第一间隙、第二间隙；第一辐射段远离第一间隙的一端设有第一接地端，第二辐射段远离第二间隙的一端设有第二接地端；第一接地支路包括第三接地端和第一连接端，第一连接端位于第一接地支路与第一辐射段的交点位置，第一连接端与第一接地端之间串联匹配电路；第二接地支路包括第四接地端和第二连接端，第二连接端位于第二接地支路与第二辐射段的交点位置，第二连接端与第二接地端之间串联第一高频滤波器。本申请能实现低频双谐振，节省了调谐开关。

Description

天线装置及移动终端
技术领域
本发明涉及天线技术领域，特别涉及应用在移动终端中的天线装置。
背景技术
全球市场范围内手机使用频段较多，例如：低频699MHz～960MHz，中高频1710MHz～2690MHz，超高频3400MHz～3600MHz。目前，大部分的手机天线方案是通过天线调谐开关进行口径或是阻抗调谐，覆盖更多的频段。例如，如图1所示，现有的天线辐射体通过在馈电点和接地点上的两个开关来切换不同的频段，低频模式主要是左手模式，高频模式主要是倒置F天线(inverted F antenna，IFA)模式。
通过天线调谐开关进行调频的方法虽然灵活，但是引入了开关插损，开关器件容易损坏。而且，开关器件体积大、增加了天线净空。对于当前大屏占比手机来说，单纯通过增加调谐开关的数量，并不能完全解决天线的性能问题。
如果设计一种天线装置，在不增加开关器件的情况下，能实现多频段范围的覆盖，为业界研究的方向。
发明内容
本发明实施例提供了一种天线装置，能够在不增加开关器件的情况下实现多频段范围的覆盖。
第一方面，本申请提供了一种天线装置，该天线装置可包括：辐射体、第一接地支路和第二接地支路。其中：该辐射体可包括馈电点、第一辐射段和第二辐射段，第一辐射段与馈电点之间设有第一间隙，第二辐射段与馈电点之间设有第二间隙。另外，第一辐射段远离间隙的一端设有第一接地端，第二辐射段远离间隙的一端设有第二接地端。第一接地支路可包括第三接地端和第一连接端，其中，第一连接端位于第一接地支路与第一辐射段的交点位置，第三接地端和第一连接端之间串联匹配电路。这里，匹配电路可以是天线调谐开关。第二接地支路可包括第四接地端和第二连接端，其中，第二连接端位于第二接地支路与第二辐射段的交点位置，第四接地端和第二连接端之间串联第一高频滤波器。
本申请对第一辐射段和第二辐射段的具体的形状不作限制。一种实施方式中，第一辐射段可以呈直线状延伸，第二辐射段可以呈弧线状延伸。在设计辐射体时，可以将第一辐射段和第二辐射段靠近移动终端(如手机)的边角位置设置，具体的，第一辐射段可以与移动终端的短边延伸方向一致且靠近短边，第二辐射段可以设置在移动终端的长边与短边交汇的位置(如边角位置)处，采用这样的位置排布有利于减少移动终端内部元器件对天线装置的影响，提升天线装置的辐射性能。其他实施方式中，第一辐射段也可以呈波浪状，或不规则形状延伸，第二辐射段也可以呈直线状或其他的形状延伸。
实施第一方面提供的天线装置，可支持同时覆盖两个低频频段，如LTE B5和LTEB8，以及两个高频频段，如LTE B3和LTE B4。并通过在第三接地端处加可调器件(即匹配电路)支持切换至LTE B28频段，即当匹配电路开路时辐射体可辐射LTE B28频段的信号。而且，本申请提供的天线装置的SAR值比传统天线装置的SAR值低0.2-0.3。也即是说，相比传统天线，本申请提供的天线装置能够降低用户的电磁波吸收率，可防止发射电波太强而伤害人体。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置可以同时在两个低频频段产生谐振。具体的，在第三接地端和第一连接端之间串联匹配电路处于合路状态下，第一间隙到第一连接端之间的辐射体可辐射第一低频频段的信号，即产生谐振①。也即是说，在串联匹配电路处于合路状态下，第一辐射段可用于辐射第一低频频段的信号。匹配电路可用于对第一低频频段的信号进行调频。具体的，在第三接地端和第一连接端之间串联匹配电路处于合路状态下，第二间隙到第二接地端之间的辐射体可辐射第二低频频段的信号，即产生谐振②。也即是说，在串联匹配电路处于合路状态下，第二辐射段可用于辐射第二低频频段的信号。
可以看出，在匹配电路处于合路状态下，该天线装置可以在低频同时辐射2个频段段的信号，能够支持低频2载波聚合(2CA)，节约了调谐开关。
一种可选的实施方式中，第一低频频段可以但不限于是LTE B5，第二低频频段可以但不限于是LTE B8，此时第一辐射段比第二辐射段更长。另一种可选的实施方式中，第一低频频段可以但不限于是LTE B8，第二低频频段可以但不限于是LTE B5，此时第二辐射段比第一辐射段更长。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置还可以在另一个低频频段产生谐振。具体的，在第三接地端和第一连接端之间串联匹配电路处于开路状态下，第一间隙到第一接地端之间的辐射体可辐射第三低频频段的信号，即产生谐振⑤。也即是说，在串联匹配电路处于开路状态下，第一辐射段可用于辐射第三低频频段的信号。可选的，第三低频频段可以但不限于是LTE B28。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置还可以在两个高频频段产生谐振。具体的，第二间隙到第二连接端之间的辐射体可辐射第一高频频段的信号，即产生谐振③这里，第一高频频段为第一高频滤波器允许通过的频段。一种可选的实施方式中,第一高频滤波器可以是LTE B3的带通滤波器，用于第二间隙到第二连接端之间的辐射段辐射LTEB3的高频信号。第一高频频段可以但不限于是LTE B3。具体的，在第一辐射段上出现电流零点的状态下，第一辐射段可以辐射第二高频频段的信号，即产生谐振④。一种可选的实施方式中，第二高频频段可以但不限于是LTE B4。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置还可包括：馈电点与供电侧之间串联电容。该电容的电容值在预设范围内，能够同时覆盖3个低频频段，如LTE B5、LTE B8、LTE B28。具体的，在第三接地端和第一连接端之间串联匹配电路处于合路状态下，第一连接端到第二接地端之间的辐射体可以辐射第三低频频段的信号，如LTE B28。第一连接端到第二接地端之间的辐射体上出现了电流零点，第三低频频段的信号辐射为第一连接端到第二接地端之间的辐射体的二分之一波长模式。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置还可包括：第三接地支路。其中，第三接地支路可包括第五接地端和第三连接端，第三连接端位于第三接地支路与第一辐射段的交点位置，第三连接端与第五接地端之间串联第二高频滤波器。
具体的，第一间隙到第一连接端之间的辐射体可辐射第二高频频段的信号。这里，第二高频频段为第二高频滤波器允许通过的频段。一种可选的实施方式中,第二高频滤波器可以是LTE B4的带通滤波器，用于第一间隙到第一连接端之间的辐射段辐射LTE B4的高频信号。即第二高频频段可以但不限于是LTE B4。这样，该天线装置可以同时覆盖两个低频频段以及两个高频频段，具体可以同时覆盖LTE B5、LTE B8以及全高频频段。
结合第一方面，在一些可选实施例中，第一间隙，馈电点与第一辐射段之间可以串联集总电容；在第二间隙，馈电点与第二辐射段之间可以串联集总电容。也即是说，馈电点与第一辐射段、第二辐射段之间的间隙可以用集总电容代替。
结合第一方面，在一些可选实施例中，在第一间隙，馈电点与第一辐射段之间可以串联可变电容；在第二间隙，馈电点与第二辐射段之间可以串联可变电容。也即是说，馈电点与第一辐射段、第二辐射段之间的间隙可以用可变电容代替。
结合第一方面，在一些可选实施例中，在第一间隙，馈电点与第一辐射段之间可以串联调谐开关；在第二间隙，馈电点与第二辐射段之间可以串联调谐开关。也即是说，馈电点与第一辐射段、第二辐射段之间的间隙可以用调谐开关代替。
结合第一方面，在一些可选实施例中，该天线装置还可包括：第三接地支路。其中，第三接地支路可包括第五接地端和第三连接端，第三连接端位于第三接地支路与第一辐射段的交点位置，第三连接端与第五接地端之间串联第二高频滤波器。另外，第一辐射段上靠近第一间隙的一端设有第二馈电点，第一辐射段可以辐射第一频段的信号。这里，第二辐射段可用于检测第二频段的信号的特定吸收比SAR。第二频段远远高于第一频段，第二频段与第一频段之间的差值大于第一预设阈值。本申请对第一预设阈值的取值不作特别限制。
可选的，第二馈电点可以为近场通信NFC馈电点，第一频段的信号为NFC信号。NFC信号的频率约为13.56MHz，远远低于LTE B3、LTE B4等移动通信的高频频段。这样，第一辐射段可以作为NFC天线的共体辐射体，第二辐射段可以作为SAR传感器的共体辐射体，可用于检测高频信号的SAR。这样可以实现NFC天线和SAR传感器的兼容设计。
第二方面，本申请提供了一种移动终端，该移动终端可包括金属外壳和第一方面描述的天线装置。一种可选的实施方式中，本申请提供的天线装置的辐射体可以为该金属外壳的一部分，关于如何利用金属外壳构成本申请提供的天线装置的辐射体，这里不作限制。另一种可选的实施方式中，本申请提供的天线装置的辐射体可以设于该金属外壳的内部，关于如何在金属外壳的内部布局本申请提供的天线装置的辐射体，这里不作限制。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图进行说明。
图1是一种传统天线装置的示意图；
图2是本申请的一个实施例提供的天线装置的示意图；
图3是图2所示天线装置产生5个谐振的仿真示意图；
图4A是图2所示天线装置产生第一低频频段的谐振的电流分布示意图；
图4B是图2所示天线装置产生第二低频频段的谐振的电流分布示意图；
图4C是图2所示天线装置产生第一高频频段的谐振的电流分布示意图；
图4D是图2所示天线装置产生第二高频频段的谐振的电流分布示意图；
图4E是图2所示天线装置产生第三低频频段的谐振的电流分布示意图；
图5是图2所示天线装置辐射LTE B5和LTE B8信号的效率仿真图；
图6是图2所示天线装置辐射LTE B3和LTE B4的信号的效率仿真图；
图7是图2所示天线装置辐射LTE B28的信号的效率仿真图；
图8是本申请的另一个实施例提供的天线装置的示意图；
图9是图8所示天线装置同时覆盖3个低频频段的仿真示意图；
图10是图8所示天线装置产生第三低频频段的信号的电流分布的示意图；
图11是图8所示天线装置辐射LTE B5、LTE B8和LTE B28信号的效率仿真图；
图12是本申请的再一个实施例提供的天线装置的示意图；
图13A-13C是本申请提供的天线装置中馈电点两侧的间隙的几种替代方式的示意图；
图14是本申请的再一个实施例提供的天线装置的示意图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例中的附图对本发明实施例进行描述。
请参阅图2，图2中G代表接地点。如图2所示，本申请的一个实施例提供的天线装置可包括辐射体10、第一接地支路30和第二接地支路20。其中：
辐射体10可包括馈电点13、第一辐射段12和第二辐射段11，第一辐射段12与馈电点13之间设有第一间隙61，第二辐射段11与馈电点13之间设有第二间隙62。另外，第一辐射段12远离间隙61的一端设有第一接地端40(G2)，第二辐射段11远离间隙62的一端设有第二接地端50(G3)。也即是说，图2所示的天线装置在馈电点13的两侧设有两个辐射体，这两个辐射体与馈电点13不直接连接，而是通过间隙耦合连接。馈电点13的长度远远小于第一辐射段12或第二辐射段11的长度，例如馈电点13的长度远小于LTE B7频段四分之一波长，本申请对馈电点13的具体长度不作限制。LTE B7频段的范围为：上行2500-2570MHz，下行2620-2690MHz。
第一接地支路30可包括第三接地端32(G1)和第一连接端33，其中，第一连接端33位于第一接地支路30与第一辐射段12的交点位置，第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31。这里，匹配电路31可以是天线调谐开关。
第二接地支路20可包括第四接地端22(G4)和第二连接端23，其中，第二连接端23位于第二接地支路20与第二辐射段11的交点位置，第四接地端22(G4)和第二连接端23之间串联第一高频滤波器21(M)。
本申请对第一辐射段12和第二辐射段11的具体的形状不作限制。一种实施方式中，第一辐射段12可以呈直线状延伸，第二辐射段11可以呈弧线状延伸。在设计辐射体10时，可以将第一辐射段12和第二辐射段11靠近移动终端(如手机)的边角位置设置，具体的，第一辐射段12可以与移动终端的短边延伸方向一致且靠近短边，第二辐射段11可以设置在移动终端的长边与短边交汇的位置(如边角位置)处，采用这样的位置排布有利于减少移动终端内部元器件对天线装置的影响，提升天线装置的辐射性能。其他实施方式中，第一辐射段12也可以呈波浪状，或不规则形状延伸，第二辐射段11也可以呈直线状或其他的形状延伸。
下面来说明图2所示的天线装置可以产生的谐振模式。
请参阅图2，图2中的①、②、③、④、⑤代表不同的谐振。该天线装置可以同时在两个低频频段产生谐振①和②。
具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第一间隙61到第一连接端33之间的辐射体可辐射第一低频频段的信号，即产生谐振①。也即是说，在串联匹配电路31处于合路状态下，第一辐射段12可用于辐射第一低频频段的信号。这里，匹配电路31处于合路状态是指匹配电路31中的开关34处于闭合状态。匹配电路31可用于对第一低频频段的信号进行调频。附图中示例性示出了匹配电路31中开关34可连接的3个器件，开关34处于闭合状态是指开关34连接到其中任意一个器件。开关34连接到不同的器件用于进行不同程度的调频。不限于附图所示，匹配电路31可以有更多或更少这样的供开关34连接的器件。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第二间隙62到第二接地端50(G3)之间的辐射体可辐射第二低频频段的信号，即产生谐振②。也即是说，在串联匹配电路31处于合路状态下，第二辐射段11可用于辐射第二低频频段的信号。
也即是说，在匹配电路31处于合路状态下，该天线装置可以在低频同时辐射2个频段段的信号，能够支持低频2载波聚合(2carrier aggregation，2CA)，节约了调谐开关。
一种可选的实施方式中，第一低频频段可以但不限于是LTE B5，第二低频频段可以但不限于是LTE B8，此时第一辐射段12比第二辐射段11更长。另一种可选的实施方式中，第一低频频段可以但不限于是LTE B8，第二低频频段可以但不限于是LTE B5，此时第二辐射段11比第一辐射段12更长。LTE B5频段的范围为：上行824-849MHz，下行869-894MHz。LTEB8频段的范围为：上行880-915MHz，下行925-960MHz。
具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于开路状态下，该天线装置还可以在低频产生谐振⑤。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于开路状态下，第一间隙61到第一接地端40(G2)之间的辐射体可辐射第三低频频段的信号，即产生谐振⑤。也即是说，在串联匹配电路31处于开路状态下，第一辐射段11可用于辐射第三低频频段的信号。可选的，第三低频频段可以但不限于是LTEB28。LTE B28频段的范围为：上行703-748MHz，下行758-803MHz。这里，匹配电路31处于开路状态是指匹配电路31中的开关34处于断开状态。
请参阅图2，该天线装置还可以在两个高频频段产生谐振③和④。
具体的，第二间隙62到第二连接端23之间的辐射体可辐射第一高频频段的信号，即产生谐振③。这里，第一高频频段为第一高频滤波器21允许通过的频段。一种可选的实施方式中,第一高频滤波器21(M)可以是LTE B3的带通滤波器，用于第二间隙62到第二连接端23之间的辐射段辐射LTE B3的高频信号。第一高频频段可以但不限于是LTE B3。LTE B3频段的范围为：上行1710-1785MHz，下行1805-1880MHz。
具体的，在第一辐射段12上出现电流零点的状态下，第一辐射段12可以辐射第二高频频段的信号，即产生谐振④。一种可选的实施方式中，第二高频频段可以但不限于是LTE B4。LTE B4频段的范围为：上行1710-1733MHz，下行2110-2133MHz。这里，电流零点是指电流为零的位置，又可称为反相点。
图3示出了该天线装置辐射信号的仿真。其中，该天线装置初始可产生4个谐振，分别是①、②、③、④。匹配电路31处于开路状态下，该天线装置可产生谐振⑤。
图4A-4E分别示出了谐振①、②、③、④、⑤的电流分布。谐振①的电流分布可以如图4A所示，谐振①可以为从第一间隙61到第三接地端32(G1)的左右手复合(compositeright left hand，CRLH)模式。谐振②的电流分布可以如图4B所示，谐振②可以为从第二间隙62到第二接地端50(G3)的左右手复合(CRLH)模式。谐振③的电流分布可以如图4C所示，谐振③可以为从第二间隙62到第四接地端22的左右手复合(CRLH)模式。谐振④的电流分布可以如图4D所示，谐振④可以为从第一间隙61到第三接地端32(G1)或者到第一接地端40(G2)的二分之一波长模式。在匹配电路31处于开路状态下，会产生谐振⑤，谐振⑤的电流分布可以如图4E所示，谐振⑤可以为从第一间隙61到第一接地端40(G2)的左右手复合(CRLH)模式。
可以看出，图2所示的天线装置可以同时覆盖两个低频频段，如LTE B5和LTE B8，以及两个高频频段，如LTE B3和LTE B4。并通过在第三接地端32(G1)处加可调器件(即匹配电路31)来切换至LTE B28频段，即当匹配电路31开路时辐射体10可辐射LTE B28频段的信号。
另外，图5示出了该天线装置在LTE B5、LTE B8的系统效率和辐射效率的仿真，图6示出了该天线装置在高频频段1710MHz—2690MHz(包括LTE B3、LTE B4)的系统效率和辐射效率的仿真，图7示出了该天线装置在LTE B28的系统效率和辐射效率的仿真。可以看出，该天线装置在低频、高频的辐射效率均较高，没有明显的效率凹坑。
再者，表1示出了本申请提供的天线装置(双CRLH方案，参考图2)与传统天线装置(单CRLH方案，如图1所示)的特定吸收比(specific absorption rate，SAP)的比较。
Figure BDA0001727554840000061
表1
可以看出，在效率基本相同的情况下，本申请提供的天线装置(双CRLH方案，参考图2)的SAR值比传统天线装置(单CRLH方案，如图1所示)的SAR值低0.2-0.3。也即是说，相比传统天线，本申请提供的天线装置能够降低用户的电磁波吸收率，可防止发射电波太强而伤害人体。从前述内容可以知道，830MHz处于LTE B5的频段，是由第一辐射段12产生的CRLH谐振模式(即谐振①)；900MHz处于LTE B8的频段，是由第二辐射段11产生的CRLH谐振模式(即谐振②)。由于这两个低频频段的电流分散于第一辐射段12、第二辐射段11，而不是集中在一个区域，因此图2所示的天线装置能够降低SAR值。
请参阅图8，图8中G代表接地点。图8示出了本申请的另一个实施例提供的天线装置。与图2所示的天线装置不同的是，图8所示的天线装置还包括：馈电点13与供电侧之间串联电容70。电容70的电容值在预设范围内，能够同时覆盖3个低频频段，如LTE B5、LTE B8、LTE B28。
与图2所示的天线装置相同的是，图8所示的天线装置可以同时覆盖两个低频频段。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第一间隙61到第一连接端33之间的辐射体辐射第一低频频段的信号。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第二间隙62到第二接地端50(G3)之间的辐射体辐射第二低频频段的信号。
另外，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第一连接端33到第二接地端50(G3)之间的辐射体可以辐射第三低频频段的信号，如LTEB28。
也即是说，在匹配电路31处于合路状态下，该天线装置可以在低频同时辐射3个频段段的信号，能够支持低频3载波聚合(3 carrier aggregation，3CA)。图9示出了该天线装置同时辐射3个低频频段(LTE B5、LTE B8、LTE B28)的信号的仿真。
图10示出了图8所示的天线装置辐射第三低频频段的信号的电流分布。如图10所示，第三低频频段(如LTE B28)的信号是由第一连接端33到第二接地端50(G3)之间的辐射体辐射，第一连接端33到第二接地端50(G3)之间的辐射体上出现了电流零点，第三低频频段(如LTE B28)的信号辐射为第一连接端33到第二接地端50(G3)之间的辐射体的二分之一波长模式。
另外，图11示出了图8所示的天线装置同时辐射3个低频频段(LTE B5、LTE B8、LTEB28)的信号的效率仿真，可以看出，图8所示的天线装置同时辐射3个低频频段的效率均较高，没有明显的效率凹坑。
请参阅图12，图12中G代表接地点，M代表滤波器。图12示出了本申请的再一个实施例提供的天线装置。与图2所示的天线装置不同的是，图12所示的天线装置还可包括：第三接地支路80。其中，第三接地支路80可包括第五接地端83(G5)和第三连接端82，第三连接端82位于第三接地支路80与第一辐射段12的交点位置，第三连接端82与第五接地端83之间串联第二高频滤波器81(M2)。即，在第一辐射段12上增加接地点G5，M1和M2分别为不同高频频段的带通滤波器，这样可以在高频多产生一个CRLH模式。
与图2所示的天线装置相同的是，图12所示的天线装置可以同时覆盖两个低频频段。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第一间隙61到第一连接端33之间的辐射体辐射第一低频频段的信号。具体的，在第三接地端32(G1)和第一连接端33之间串联匹配电路31处于合路状态下，第二间隙62到第二接地端50(G3)之间的辐射体辐射第二低频频段的信号。
另外，图12所示的天线装置还可以同时覆盖两个高频频段。下面描述：
具体的，第二间隙62到第二连接端23之间的辐射体可辐射第一高频频段的信号。这里，第一高频频段为第一高频滤波器21(M1)允许通过的频段。一种可选的实施方式中,第一高频滤波器21(M1)可以是LTE B3的带通滤波器，用于第二间隙62到第二连接端23之间的辐射段辐射LTE B3的高频信号。即第一高频频段可以但不限于是LTE B3。
具体的，第一间隙61到第一连接端33之间的辐射体可辐射第二高频频段的信号。这里，第二高频频段为第二高频滤波器81(M2)允许通过的频段。一种可选的实施方式中,第二高频滤波器81(M2)可以是LTE B4的带通滤波器，用于第一间隙61到第一连接端33之间的辐射段辐射LTE B4的高频信号。即第二高频频段可以但不限于是LTE B4。
图12所示的天线装置在馈电点两侧有两个辐射段，这两个辐射段与馈电点不直接连接，而是通过间隙耦合连接，M1和M2分别为不同高频频段的带通滤波器，G1/G2/G3/G4分别为天线的四个接地点，并在G1接地点增加开关来切换低频频段。可以看出，图12所示的天线装置可以同时覆盖两个低频频段以及两个高频频段，具体可以同时覆盖LTE B5、LTE B8以及全高频频段。
在一些可选的实施方式中，如图13A所示，在第一间隙61，馈电点13与第一辐射段12之间可以串联集总电容C1；在第二间隙62，馈电点13与第二辐射段11之间可以串联集总电容C2。也即是说，馈电点13与第一辐射段12、第二辐射段11之间的间隙可以用集总电容代替。
在一些可选的实施方式中，如图13B所示，在第一间隙61，馈电点13与第一辐射段12之间可以串联可变电容C3；在第二间隙62，馈电点13与第二辐射段11之间可以串联可变电容C4。也即是说，馈电点13与第一辐射段12、第二辐射段11之间的间隙可以用可变电容代替。
在一些可选的实施方式中，如图13C所示，在第一间隙61，馈电点13与第一辐射段12之间可以串联调谐开关S1；在第二间隙62，馈电点13与第二辐射段11之间可以串联调谐开关S2。也即是说，馈电点13与第一辐射段12、第二辐射段11之间的间隙可以用调谐开关代替。
不限于图13A-13C所示，馈电点13与第一辐射段12、第二辐射段11之间的间隙还可以采用其他形式的器件来代替，本申请不作限制。
不限于图12所示的天线装置，图2或图8所示的天线装置中的间隙也可以采用集总电容、可变电容或调谐开关来代替。
请参阅图14，图14中G代表接地点，M代表滤波器。图14示出了本申请的再一个实施例提供的天线装置。
与图2所示的天线装置不同的是，图14所示的天线装置还可包括：第三接地支路80。其中，第三接地支路80可包括第五接地端83(G5)和第三连接端82，第三连接端82位于第三接地支路80与第一辐射段12的交点位置，第三连接端82与第五接地端83之间串联第二高频滤波器81(M2)。另外，第一辐射段12上靠近第一间隙61的一端设有第二馈电点，第一辐射段12可以辐射第一频段的信号。这里，第二辐射段11可用于检测第二频段的信号的特定吸收比SAR。第二频段远远高于第一频段，第二频段与第一频段之间的差值大于第一预设阈值。本申请对第一预设阈值的取值不作特别限制。
这里，第一频段与前述第一低频频段之间不存在包含关系，第一频段是独立于前述第一低频频段的概念。同理，第二频段是独立于前述第二低频频段的概念。
一种可选的实施方式中，如图14所示，第二馈电点可以为近场通信NFC馈电点，第一频段的信号为NFC信号。NFC信号的频率约为13.56MHz，远远低于LTE B3、LTE B4等移动通信的高频频段。
可以看出，图14所示的天线装置中，第一辐射段12可以作为NFC天线的共体辐射体，第二辐射段11可以作为SAR传感器的共体辐射体，可用于检测高频信号的SAR。这样可以实现NFC天线和SAR传感器的兼容设计。
不限于NFC天线和SAR传感器的兼容设计，第二馈电点还可以是其他低频信号的馈电点，图14所示的天线装置还可以实施为工作频段相差较大的其他两种天线的兼容设计。
另外，本申请提供的天线装置应用在移动终端中，移动终端可以为智能手机，该移动终端可包括金属外壳，本申请提供的天线装置的辐射体可以为该金属外壳的一部分，关于如何利用金属外壳构成本申请提供的天线装置的辐射体，这里不作限制。可选的，本申请提供的天线装置的辐射体可以设于该金属外壳的内部，关于如何在金属外壳的内部布局本申请提供的天线装置的辐射体，这里不作限制。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种天线装置，其特征在于，包括：辐射体、第一接地支路和第二接地支路，
所述辐射体包括馈电点、第一辐射段和第二辐射段，所述第一辐射段和所述第二辐射段设在所述馈电点的两侧，所述第一辐射段与所述馈电点之间设有第一间隙，所述第二辐射段与所述馈电点之间设有第二间隙；所述第一辐射段远离所述第一间隙的一端设有第一接地端，所述第二辐射段远离所述第二间隙的一端设有第二接地端；
所述第一接地支路包括第三接地端和第一连接端，所述第一连接端位于所述第一接地支路与所述第一辐射段的交点位置，所述第一连接端与所述第三接地端之间串联匹配电路；所述第二接地支路包括第四接地端和第二连接端，所述第二连接端位于所述第二接地支路与所述第二辐射段的交点位置，所述第二连接端与所述第四接地端之间串联第一高频滤波器；
所述第一辐射段上靠近所述第一间隙的一端设有第二馈电点，所述第一辐射段辐射第一频段的信号；所述第二辐射段用于检测第二频段的信号的特定吸收比SAR；所述第二频段高于所述第一频段，所述第二频段与所述第一频段之间的差值大于第一预设阈值；所述第一辐射段为近场通信NFC天线的共体辐射体，所述第二馈电点为NFC馈电点，所述第一频段的信号为低频信号。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，在所述第一连接端与所述第三接地端之间串联的匹配电路处于合路状态下，所述第一间隙到所述第一连接端之间的辐射体辐射第一低频频段的信号，所述匹配电路用于对所述第一低频频段的信号进行调频，所述第二间隙到第二接地端之间的辐射体辐射第二低频频段的信号；在所述第一连接端与所述第三接地端之间串联的匹配电路处于开路状态下，所述第一间隙到第一接地端之间的辐射体辐射第三低频频段的信号；所述第一低频频段与所述第一频段之间不存在包含关系，所述第一低频频段独立于所述第一频段。
3.如权利要求1或2所述的天线装置，其特征在于，所述第二间隙到所述第二连接端之间的辐射体辐射第一高频频段的信号，所述第一高频频段为所述第一高频滤波器允许通过的频段。
4.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，在所述第一辐射段上出现电流零点的状态下，所述第一辐射段辐射第二高频频段的信号。
5.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包括：所述馈电点与供电侧之间串联电容；所述电容的电容值在预设范围内；
在所述第一连接端与所述第三接地端之间串联的匹配电路处于合路状态下，所述第一连接端到所述第二接地端之间的辐射体辐射第三低频频段的信号。
6.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述天线装置还包括：第三接地支路；所述第三接地支路包括第五接地端和第三连接端，所述第三连接端位于所述第三接地支路与所述第一辐射段的交点位置，所述第三连接端与所述第五接地端之间串联第二高频滤波器。
7.如权利要求1所述的天线装置，在所述馈电点与所述第一辐射段之间的所述第一间隙中串联集总电容；在所述馈电点与所述第二辐射段之间的所述第二间隙中串联集总电容。
8.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，在所述馈电点与所述第一辐射段之间的所述第一间隙中串联可变电容；在所述馈电点与所述第二辐射段之间的所述第二间隙中串联可变电容。
9.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，在所述馈电点与所述第一辐射段之间的所述第一间隙中串联天线调谐开关；在所述馈电点与所述第二辐射段之间的所述第二间隙中串联天线调谐开关。
10.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第二馈电点为近场通信NFC馈电点，所述第一频段的信号为NFC信号。
11.一种移动终端，其特征在于，包括金属外壳和如权利要求1至10任意一项所述的天线装置，所述天线装置的辐射体为所述金属外壳的一部分，或者所述辐射体设于所述金属外壳的内部。
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