CN110707237A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板和显示装置，其中，显示面板包括基底；位于基底一侧的薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层包括像素电路，像素电路包括驱动晶体管，与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管和与驱动晶体管栅极电连接的电容；遮光层，遮光层设置于第一开关晶体管远离基底的一侧并完全遮蔽第一开关晶体管的沟道区域，使得光线射向第一开关晶体管时，被遮光层所遮挡，进而无法照射到与第一开关晶体管的沟道区域，进而使得第一开关晶体管的关态电流不会升高，使得驱动晶体管的栅极电位可以得到良好保持，使得驱动电流可以保持稳定，进而使得发光器件的亮度稳定，保证良好的显示效果。

Description

一种显示面板和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，有机发光显示面板因其响应快、色域广以及较为轻薄的特点而得到越来越广泛的应用。

现有的有机发光显示面板一般包括发光器件和驱动发光器件发光的像素电路，像素电路包括驱动晶体管和开关晶体管。然而，在现有像素电路中，与驱动晶体管栅极连接的开关晶体管存在关不断的风险，导致像素电路无法正常工作，进而影响有机发光显示面板的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以实现减小与驱动晶体管栅极连接的开关晶体管的关态电流，进而使与驱动晶体管栅极电连接的开关晶体管正常关断，保证良好的显示效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

基底；

位于基底一侧的薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层包括像素电路，像素电路包括驱动晶体管、与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管和与驱动晶体管栅极电连接的电容；

遮光层，遮光层设置于第一开关晶体管远离基底的一侧并完全遮蔽第一开关晶体管的沟道区域。

可选的，遮光层完全遮蔽第一开关晶体管。

可选的，显示面板还包括发光器件，发光器件包括自薄膜晶体管阵列层源极基底的一侧依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；遮光层与第一电极同层设置。

可选的，遮光层与第一电极为一体结构。

可选的，薄膜晶体管阵列层包括自基底一侧依次设置的多个金属层，多个金属层包括距离基底最远的外沿金属层；外沿金属层设置有电源线，遮光层与第一电极之间绝缘，遮光层通过过孔连接至外沿金属层中电源线。

可选的，薄膜晶体管阵列层包括自基底一侧依次设置的多个金属层，多个金属层包括距离基底最远的外沿金属层；遮光层与外沿金属层同层设置；

优选的，遮光层的材料为半导体材料，或者，所述遮光层的材料为与所述外沿金属层相同的金属材料。

可选的，像素电路中仅包括一个与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管。

可选的，电容包括相对设置的第一极板和第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的绝缘层，绝缘层的材料包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种。可选的，像素电路还第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管和发光器件；

第一开关晶体管的栅极与像素电路的第一扫描信号输入端电连接，第一开关晶体管的第一极与驱动晶体管的第二极电连接，第一开关晶体管的第二极与驱动晶体管的栅极电连接；

第二开关晶体管的栅极与第一发光控制信号输入端电连接，第二开关晶体管的第一极与像素电路的第一电源电压输入端电连接，第二开关晶体管的第二极与驱动晶体管的第一极电连接；

第三开关晶体管的栅极与第二发光控制信号输入端电连接，第三开关晶体管的第一极与驱动晶体管的第二极电连接，第三开关晶体管的第二极与发光器件的第一极电连接，发光器件的第二极连接至像素电路的第二电源电压输入端；

第四开关晶体管的栅极与像素电路的第二扫描信号输入端电连接，第四开关晶体管的第一极与像素电路的初始化电压输入端电连接，第四开关晶体管的第二极与驱动晶体管的第二极电连接；

第五开关晶体管的栅极与像素电路的第三扫描信号输入端电连接，第五开关晶体管的第一极与像素电路的数据电压输入端电连接，第五开关晶体管的第二极与驱动晶体管的第一极电连接；

电容的两端分别与驱动晶体管的栅极和像素电路的第一电源电压输入端电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面提供的显示面板。

本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置，通过在与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管远离基底的一侧设置遮光层，且遮光层完全遮蔽第一开关晶体管的沟道区域，显示面板中发光器件发出的光线经过显示面板内部结构(例如发光器件的阴极、偏光片等)发生反射并射向第一开关晶体管时，被遮光层所遮挡，无法照射到与第一开关晶体管的沟道区域，进而使得第一开关晶体管的关态电流不会升高，保证第一开关晶体管可以正常关断，使得驱动晶体管的栅极电位可以得到良好保持，进而保证驱动晶体管可以提供稳定的驱动电流，使得发光器件的亮度稳定，保证良好的显示效果。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图；

图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种像素电路的工作时序图；

图10是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术中所述，现有显示面板结构所包括的像素电路中，与驱动晶体管栅极连接的开关晶体管存在关不断的风险，影响显示效果。经发明人研究发现，出现上述问题的原因在于，现有显示面板结构中，像素电路通常设置于发光器件的背光侧，即像素电路设置于发光器件出光侧的相反侧，并且由于不同像素排布结构的版图设计不同，发光器件不能完全遮挡住像素电路，尤其是像素电路中与驱动晶体管栅极电连接的开关晶体管不能被发光器件遮挡时，会使得与驱动晶体管栅极电连接的开关晶体管的关态电流增大，进而使该开关晶体管存在关不断的风险，使得驱动晶体管栅极电位通过该开关晶体管泄露，进而使得驱动晶体管栅极电位不能很好地保持，驱动晶体管的驱动电流与栅极电位大小相关，因此驱动晶体管栅极电位不能保持将造成驱动电流发生变化，影响显示面板的显示效果。

基于上述原因，本发明实施例提供了一种显示面板，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，参考图1，该显示面板包括：

基底100；

位于基底100一侧的薄膜晶体管阵列层200，薄膜晶体管阵列层200包括像素电路210，像素电路210包括驱动晶体管211，与驱动晶体管211栅极电连接的第一开关晶体管212和与驱动晶体管211栅极电连接的电容213；

遮光层300，遮光层300设置于与第一开关晶体管212远离基底100的一侧并完全遮蔽第一开关晶体管212的沟道区域2121。

具体的，基底100可以为显示装置提供缓冲、保护或支撑等作用。基底100可以是柔性基底，柔性基底的材料可以是聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，也可以是上述多种材料的混合材料。基底100也可以为采用玻璃等材料形成的硬质基底。

薄膜晶体管阵列层200可以包括多个薄膜晶体管和电容213，并且，薄膜晶体管可以包括驱动晶体管211和开关晶体管，驱动晶体管211、开关晶体管和电容213以一定的连接关系可形成像素电路210，其中驱动晶体管211可以产生驱动电流，驱动发光器件发光，开关晶体管则主要起到开关作用，而不用于驱动发光器件。本实施例的显示面板中，像素电路210中包括与驱动晶体管211栅极电连接的电容213，其中，电容213用于在驱动晶体管211栅极被写入数据电压后，保持驱动晶体管211栅极的电位，以使驱动晶体管211能够为发光器件提供稳定的驱动电流，使发光器件所发出的光的亮度保持稳定。像素电路210中还包括与驱动晶体管211栅极电连接的第一开关晶体管212，示例性的，该第一开关晶体管212可以作为初始化晶体管，即第一开关晶体管212的栅极接入控制信号，第一开关晶体管212的第一极接入初始化电压，第一晶体管的第二极连接驱动晶体管211的栅极，进而使得第一开关晶体管212在其栅极输入的控制信号的控制下，将初始化电压传输至驱动晶体管211的栅极，其中第一极可以是源极或漏极，相应的，第二极可以是漏极或源极。第一开关晶体管212还可以作为补偿晶体管，用于补偿驱动晶体管211的阈值电压，第一开关晶体管212作为补偿晶体管时，第一开关晶体管212的第一极和第二极可分别连接驱动晶体管211的漏极和驱动晶体管211的栅极，第一开关晶体管212的栅极用于输入控制信号。驱动晶体管211驱动发光器件发光时，第一开关晶体管212处于关断状态，为了使驱动晶体管211的栅极电位可以得到良好保持，则要求第一开关晶体管212具有较小的关态电流。

具体的，显示面板通常包括在薄膜晶体管阵列层200远离基底100一侧的发光器件，发光器件发出的光被反射照射到第一开关晶体管212的沟道区域2121时，会造成第一开关晶体管212的关态电流变大，使得驱动晶体管211的栅极电位不能得到良好保持。本实施例提供的显示面板中，在第一开关晶体管212远离所述基底100的一侧设置遮光层300，可选的，遮光层300可以具有反光或吸光作用，即当有光照射到遮光层300时，遮光层300可以将光线反射出去，或者吸收照射过来的光线。遮光层300第一完全遮蔽开关晶体管212的沟道区域2121，具体可以是遮光层300在基底100上的正交投影覆盖第一开关晶体管212的沟道区域2121在基底100上的正交投影，可以使得发光器件发出的光被反射(例如发光器件的阴极、偏光片等)射向第一开关晶体管212时，被遮光层300所遮挡，例如可以是被遮光层300反射或者被遮光层300所吸收，进而使得光线无法照射到第一开关晶体管212的沟道区域2121，使得第一开关晶体管212的工作环境为暗态环境，进而保证第一开关晶体管212的关态电流不会升高，即使得第一开关晶体管212具有较小的关态电流，保证第一开关晶体管可以正常关断，进而使得驱动晶体管211的栅极电位可以得到良好保持，进而保证驱动晶体管211可以为发光器件提供稳定的驱动电流，使得发光器件的亮度稳定，保证良好的显示效果。

本实施例提供的显示面板，通过在与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管远离基底的一侧设置遮光层，且遮光层完全遮蔽第一开关晶体管的沟道区域，使得显示面板中发光器件发出的光线经过显示面板内部结构(例如发光器件的阴极、偏光片等)发生反射并射向第一开关晶体管时，被遮光层所遮挡，无法照射到与第一开关晶体管的沟道区域，进而使得第一开关晶体管的关态电流不会升高，保证第一开关晶体管可以正常关断，使得驱动晶体管的栅极电位可以得到良好保持，进而驱动晶体管可以提供稳定的驱动电流，使得发光器件的亮度稳定，保证良好的显示效果。

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图2，可选的，遮光层300完全遮蔽第一开关晶体管212。

参考图2，遮光层300不仅完全遮蔽第一开关晶体管212的沟道区域2121，还完全遮蔽第一开关晶体管212除沟道区域2121的其他区域，即遮光层300完全遮蔽整个第一开关晶体管212，具体可以是遮光层300在基底100上的正交投影完全覆盖整个第一开关晶体管212在基底100上的正交投影。具体的，因第一开关晶体管212通常包括栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极通常为金属，其中源极和漏极通常位于同一层，栅极与源极和漏极位于不同层，光线照射到栅极、源极和漏极时，可能会在栅极与源极，和/或栅极与漏极之间发生反射，进而使得光线有可能最终照射到第一开关晶体管212的沟道区域2121。本实施例提供的显示面板中，遮光层300在基底100上的正交投影覆盖第一开关晶体管212上的正交投影，可以使得光线无法照射到第一开关晶体管212的栅极、源极和漏极，避免光线在第一开关晶体管212内部反射，造成光线最终照射至第一开关晶体管212的沟道区域2121造成的关态电流上升，进一步保证第一开关晶体管212可以被关断，进一步保证驱动晶体管211的栅极电位稳定，进而保证良好的显示效果。

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图3，该显示面板还包括发光器件400，发光器件400包括自薄膜晶体管阵列层200远离基底100的一侧依次层叠设置的第一电极410、发光层420和第二电极430；遮光层300与第一电极410同层设置。

可选的，第一电极410为阳极，第二电极430为阴极。阳极可以采用三层结构，其中第一层与第三层可为金属氧化物层例如可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)，中间的第二层可为金属层(如银或铜)。阴极可以是ITO透明电极或镁银合金。

发光层420可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层；也可以包括自基底100侧层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构。并且，可选的，发光层420至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，进而可实现多种颜色的显示。

可选的，遮光层300材料与第一电极410的材料相同。参考图3，具体的，将遮光层300与第一电极410同层设置，可以使得遮光层300与第一电极410在同一道工序中制备完成，进而简化制备工艺。示例性的，可以将原来制备阳极用到的只具有阳极图案的掩膜版替换为具有阳极图案和遮光层300图案的掩膜版，进而在使得遮光层300与发光器件400的第一电极410一起形成。

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视图，参考图4，可选的，遮光层300与第一电极410为一体结构。

具体的，因遮光层300处于浮置状态时容易与显示面板中其他膜层形成寄生电容213，本实施例的显示面板，通过设置遮光层300与第一电极410为一体结构，可以在保证遮光层300在基底100上的正交投影覆盖第一开关晶体管212在基底100上的正交投影的基础上，使得遮光层300可以具有与第一电极410相同的电位，使得遮光层300不再处于浮置状态，进而降低遮光层300与显示面板中其他膜层之间产生寄生电容213对显示效果造成的影响，进而保证良好的显示效果。

图5是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图5和图6，可选的，薄膜晶体管阵列层200包括自基底100一侧依次设置的多个金属层，多个金属层包括距离基底最远的外沿金属层；外沿金属层设置有电源线，遮光层300与第一电极410之间绝缘，遮光层300通过过孔连接至外沿金属层中电源线。

示例性的，参考图5，薄膜晶体管阵列层200至少包括自基底100一侧依次设置的第一金属层220、第二金属层230和第三金属层240，第三金属层240包括电源线241；遮光层300通过过孔连接至第三金属层240的电源线241。

参考图5，其中，第三金属层240作为外沿金属层。可选的，驱动晶体管211的栅极2111、第一开关晶体管212的栅极2121位于第一金属层220；驱动晶体管211的源极2112和漏极2113、第一开关晶体管212的源极2122和漏极2123位于第三金属层240。第三金属层240的电源线241可接入固定电压。因遮光层300不接入电压时处于浮置状态，容易与薄膜晶体管阵列层200中金属层形成寄生电容213。本实施例的显示面板中，遮光层300通过过孔与电源线241电连接，可以使得遮光层300接入固定电位，使遮光层300不容易与薄膜晶体管阵列层200中的金属层形成寄生电容213，进而有利于提高显示效果。示例性的，参考图6，可选的，薄膜晶体管阵列至少包括自基底100一侧依次设置的第一金属层220、第二金属层230、第三金属层240和第四金属层250，第四金属层250包括电源线251；遮光层300通过过孔连接至第四金属层250的电源线251电连接。

参考图6，其中，第四金属层250作为外沿金属层。可选的，驱动晶体管211的栅极2111、第一开关晶体管212的栅极2121位于第一金属层220；驱动晶体管211的源极2112和漏极2113、第一开关晶体管212的源极2122和漏极2123位于第三金属层240。图6所示显示面板中，电源线251可只设置在第四金属层250，也可以设置在第三金属层240和第四金属层250两层，电源线251可接入固定电压。因遮光层300不接入电压时处于浮置状态，容易与薄膜晶体管阵列层200中金属层形成寄生电容213。本实施例的显示面板中，遮光层300通过过孔与电源线251电连接，可以使得遮光层300接入固定电位，使遮光层300不容易与薄膜晶体管阵列层200中的金属层形成寄生电容213，进而有利于提高显示效果。

需要说明的是，图5和图6所示薄膜晶体管阵列层200的结构只是两个具体示例，本实施例的显示面板中，薄膜晶体管阵列层200所包括的多个金属层并不限定于图5和图6所示结构。

图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，参考图7，可选的，薄膜晶体管阵列层200包括自基底100一侧依次设置的多个金属层，多个金属层包括距离基底最远的外沿金属层；遮光层与外沿金属层同层设置。

示例性的，参考图7，薄膜晶体管阵列层200至少包括自基底100一侧依次设置的第一金属层220、第二金属层230、第三金属层240和第四金属层250；第四金属层250作为外沿金属层，遮光层300与第四金属层250同层设置。

具体的，因薄膜晶体管阵列层200所包括的薄膜晶体管中的金属层通常位于第一金属层220、第二金属层230和第三金属层240，故遮光层300与外沿金属层同层设置，可以保证外沿金属层可以将发光器件400所发出的光被反射后可以被遮光层300所遮挡，而不会照射到第一开关晶体管212的沟道区域2121，进而使得第一开关晶体管212工作在黑暗环境，保证第一开关晶体管212的关态电流较小。

可选的，遮光层300材料与外沿金属层材料相同。

具体的，遮光层300材料与外沿金属层材料相同，可以使得遮光层300可以与外沿金属层在同一道工艺中进行制备，进而简化制备工艺。

可选的，遮光层300材料为半导体材料，例如可选为非晶硅。具体的，相对于金属材料，非晶硅等半导体材料对光的吸收能力较强，使得光线照射到遮光层300时，光线被非晶硅材料所吸收，而减少甚至消除光线在遮光层300处的反射，进而可以避免光线在遮光层300处反射后，照射到其他金属膜层继续反射可能引起的光线照射至第一开关晶体管212，进而进一步保证第一开关晶体管212可以工作在黑暗环境，保证第一开关晶体管212具有较小的关态电流。

在上述技术方案的基础上，可选的，像素电路中仅包括一个与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管。

具体的，与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管的数量越多，像素电路中驱动晶体管栅极电位的漏电路径越多，不利于驱动晶体管栅极电位的保持。本实施例提供的显示面板中，像素电路中仅包括一个与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管，进而减少驱动晶体管栅极电位的漏电路径，进而有利于驱动晶体管栅极电位的保持，进而保证良好的显示效果。

继续参考图5、图6和图7，在上述技术方案的基础上，可选的，电容213包括相对设置的第一极板2131和第二极板2132以及第一极板2131和第二极板2132之间的绝缘层2133，绝缘层2133的材料包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种。

具体的，氧化铪、氧化锆和氧化铝的介电常数较高，绝缘层2133的材料包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种，可以使得电容213的保持能力较强，进而可以将电容213面积做得较小，有利于提高像素密度。并且，电容213的保持能力较强，有利于实现低频驱动。

需要说明的是，本实施例中绝缘层2133还可以其他与氧化铪、氧化锆和氧化铝具有相当介电常数的材料，本发明实施例在此不做具体限定。

图8是本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图，参考图8，可选的，像素电路还第二开关晶体管T2、第二开关晶体管T3、第四开关晶体管T4、第五开关晶体管T5和发光器件D1；

第一开关晶体管T1的栅极与像素电路210的第一扫描信号输入端Scan1电连接，第一开关晶体管T1的第一极与驱动晶体管DT的栅极电连接，第一开关晶体管T1的第二极与驱动晶体管DT的第二极电连接；

第二开关晶体管T2的栅极与第一发光控制信号输入端EM1电连接，第二开关晶体管T2的第一极与像素电路210的第一电源电压输入端Vdd电连接，第一开关晶体管T1的第二极与驱动晶体管DT的第一极电连接；

第三开关晶体管T3的栅极与第二发光控制信号输入端EM2电连接，第三开关晶体管T3的第一极与驱动晶体管DT的第二极电连接，第三开关晶体管T3的第二极与发光器件D1的第一极电连接，发光器件D1的第二极连接至像素电路210的第二电源电压输入端Vss；

第四开关晶体管T4的栅极与像素电路210的第二扫描信号输入端Scan2电连接，第四开关晶体管T4的第一极与像素电路210的初始化电压输入端Vref电连接，第四开关晶体管T4的第二极与驱动晶体管DT的第二极电连接；

第五开关晶体管T5的栅极与像素电路210的第三扫描信号输入端Scan3电连接，第五开关晶体管T5的第一极与像素电路210的数据电压输入端Vdata电连接，第五开关晶体管T5的第二极与驱动晶体管DT的第一极电连接；

电容Cst的两端分别与驱动晶体管DT的栅极和像素电路210的第一电源电压输入端Vdd电连接。

其中，本实施例的像素电路中，第一开关晶体管T1可以是上述任意实施例中的第一开关晶体管212；电容Cst可以是上述任意实施例中的电容213；发光器件D1可以是上述任意实施例中的发光器件400。

图9是本发明实施例提供的一种像素电路的工作时序图，该工作时序图可对应图8所示像素电路。其中，驱动晶体管DT和各开关晶体管可以是P型晶体管，也可以是N型晶体管。以下以驱动晶体管DT和各开关晶体管均为P型晶体管为例进行示例性说明。

参考图8和图9，图8所示像素电路210的工作过程可以包括三个工作阶段，即初始化阶段t1、数据写入阶段t2和发光阶段t3。

在初始化阶段t1，第一扫描信号输入端Scan1输入低电平信号，第一开关晶体管T1导通；第二扫描信号输入端Scan2输入低电平信号，第四开关晶体管T4导通，初始化电压输入端Vref输入的初始化电压沿着导通的第四开关晶体管T4和第一开关晶体管T1写入到驱动晶体管DT的栅极，进而对驱动晶体管DT的栅极电位进行初始化；第一发光控制信号输入端EM1和第三扫描信号输入端Scan3输入高电平，第二开关晶体管T2和第五开关晶体管T5截止；第二发光控制信号输入端EM2输入低电平，第三开关晶体管T3导通，初始化电压输入端Vref输入的初始化电压沿着导通的第四开关晶体管T4和第三开关晶体管T3写入到发光器件D1的阳极，进而完成对发光器件D1阳极的初始化；

在数据写入阶段t2，第一扫描信号输入端Scan1输入低电平信号，第一开关晶体管T1继续导通；第二扫描信号输入端Scan2输入高电平信号，第四开关晶体管T4截止；第三扫描信号输入端Scan3输入低电平信号，第五开关晶体管T5导通，数据电压输入端Vdata输入的数据电压沿着导通的第五开关晶体管T5、驱动晶体管DT和第一开关晶体管T1写入到驱动晶体管DT的栅极，写入数据电压的过程中，完成对驱动晶体管DT阈值电压的补偿；

在发光阶段t3，第一扫描信号输入端Scan1、第二扫描信号输入端Scan2和第三扫描信号输入端Scan3均输入高电平信号，第一开关晶体管T1、第四开关晶体管T4和第五开关晶体管T5截止；第一发光控制信号输入端EM1和第二发光控制信号输入端EM2输入低电平信号，第二开关晶体管T2和第三开关晶体管T3导通，驱动晶体管DT驱动发光器件D1发光。

本实施例提供的显示面板中，像素电路210中只包括一个与驱动晶体管DT栅极电连接的第一开关晶体管T1，使得驱动晶体管DT栅极的漏电路径只有一条，进而使得在发光阶段，驱动晶体管DT栅极电位可以被较好的保持，进而保证良好的显示效果。

本发明实施例还提供了一种显示装置，图10是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，参考图10，该显示装置1000包括本发明任意实施例提供的显示面板10。显示装置1000可以为图10所示的手机，也可以为电脑、电视机、智能穿戴显示装置等，本发明实施例对此不作特殊限定。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底一侧的薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管和与所述驱动晶体管栅极电连接的电容；

遮光层，所述遮光层设置于所述第一开关晶体管远离所述基底的一侧并完全遮蔽所述第一开关晶体管的沟道区域。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层完全遮蔽所述第一开关晶体管。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括发光器件，所述发光器件包括自所述薄膜晶体管阵列层远离所述基底的一侧依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极；所述遮光层与所述第一电极同层设置。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层与所述第一电极为一体结构。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括自所述基底一侧依次设置的多个金属层，所述多个金属层包括距离所述基底最远的外沿金属层；所述外沿金属层设置有电源线，所述遮光层与所述第一电极之间绝缘，所述遮光层通过过孔连接至所述外沿金属层中所述电源线。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括自所述基底一侧依次设置的多个金属层，所述多个金属层包括距离所述基底最远的外沿金属层；所述遮光层与所述外沿金属层同层设置；

优选的，所述遮光层的材料为半导体材料，或者，所述遮光层的材料为与所述外沿金属层相同的金属材料。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路中仅包括一个与驱动晶体管栅极电连接的第一开关晶体管。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述电容包括相对设置的第一极板和第二极板以及位于所述第一极板和第二极板之间的绝缘层，所述绝缘层的材料包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第五开关晶体管和发光器件；

所述第一开关晶体管的栅极与所述像素电路的第一扫描信号输入端电连接，所述第一开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第一开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接；

所述第二开关晶体管的栅极与第一发光控制信号输入端电连接，所述第二开关晶体管的第一极与所述像素电路的第一电源电压输入端电连接，所述第二开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；

所述第三开关晶体管的栅极与第二发光控制信号输入端电连接，所述第三开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接，所述第三开关晶体管的第二极与所述发光器件的第一极电连接，所述发光器件的第二极连接至所述像素电路的第二电源电压输入端；

所述第四开关晶体管的栅极与所述像素电路的第二扫描信号输入端电连接，所述第四开关晶体管的第一极与所述像素电路的初始化电压输入端电连接，所述第四开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极电连接；

所述第五开关晶体管的栅极与所述像素电路的第三扫描信号输入端电连接，所述第五开关晶体管的第一极与所述像素电路的数据电压输入端电连接，所述第五开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接；

所述电容的两端分别与所述驱动晶体管的栅极和所述像素电路的第一电源电压输入端电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。

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