CN110687704A - 检测影响coa基板拼接曝光缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，通过测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及所述色阻层的开口的宽度值和长度值，并将所述色阻层搭接处的长度值与数据线的预设宽度值进行比较；再分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处对应的液晶层之间的间隔柱的高度值；最终找出影响COA基板拼接曝光的缺陷，在后续生产中加以管控；有益效果：首先，通过对所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及液晶层之间的间隔柱的高度值等关键尺寸的测量，并绘制相关影响曲线，找出影响COA基板拼接曝光缺陷的关键因素；其次，再通过对影响COA基板拼接曝光缺陷的关键因素的控制，改善所述拼接曝光产品的色差和外观缺陷等问题。

Description

检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法。
背景技术
在平板显示领域中，目前液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)处于占领市场主流位置。彩膜曝光机是COA基板(COA，Color Filter On Array)生产中的重要组成设备，是彩膜湿膜成形设备，固定的产线尺寸对应生产品尺寸，当A产品尺寸大于曝光机光罩尺寸时，需采用拼接的方式进行生产；由于一个产品经多次曝光成形，曝光机会存在一定的曝光精度问题，造成拼接区域会形成色差，在产品成型后导致外观缺陷。
因此，现有的COA基板拼接曝光技术中，还存在着COA基板在拼接曝光时，拼接产品在数据线上方的搭接处的搭接长度值、高度值对液晶层之间的间隔柱的高度值存在影响，以及所述色阻层搭接处的牛角地形、色阻开口的大小等对拼接产品拼接区域的色差和外观造成缺陷的问题，急需改进。
发明内容
本申请涉及一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，用于解决现有技术中存在的COA基板在拼接曝光时，拼接产品在数据线上方的搭接处的搭接长度值、高度值对液晶层之间的间隔柱的高度值存在的影响，以及所述色阻层搭接处的牛角地形、色阻开口的大小等对拼接产品拼接区域的色差和外观造成缺陷的问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供的一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，包括如下步骤：
S10，分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及所述色阻层的开口的宽度值和长度值，并将所述色阻层搭接处的长度值与数据线的预设宽度值进行比较；
S20，再分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处对应的液晶层之间的间隔柱的高度值，并记录；
S30，根据所测得的相连的两个所述色阻层搭接处的高度值、所述色阻层的开口的宽度值和长度值，分析不同的所述色阻层开口的宽度值和长度值对液晶层的排列情况的影响；
S40，再绘制各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值与所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值之间的关系曲线图，并分析相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值对相连的两个拼接COA基板之间的倾斜角的影响。
根据本申请提供的一优选实施例，步骤“S10”包括：
S101，若所测得的所述色阻层搭接处的长度值大于或等于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间存在倾斜角；
S102，若所测得的所述色阻层搭接处的长度值小于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间无倾斜角。
根据本申请提供的一优选实施例，所述数据线的预设宽度值为：9.5um。
根据本申请提供的一优选实施例，所述色阻层搭接处设置在所述数据线的正上方。
根据本申请提供的一优选实施例，栅绝缘层设置在所述第一金属层和第二金属层之间，所述色阻层的开口设置在所述第二金属层背离所述栅绝缘层的表面。
根据本申请提供的一优选实施例，所述第一金属层的长度大于所述第二金属层的长度。
根据本申请提供的一优选实施例，所述色阻层搭接处形成一层共电极层取代黑色矩阵，即所述色阻层上方不设置所述黑色矩阵。
根据本申请提供的一优选实施例，所述共电极层具有一定的预设宽度值。
根据本申请提供的一优选实施例，所述共电极的预设宽度值为：12.4um。
根据本申请提供的一优选实施例，各所述色阻层设置在所述第一金属层上方。
与现有技术相比，本申请提供的一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法具有如下有益效果：
1.通过对所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及液晶层之间的间隔柱的高度值等关键尺寸的测量，并绘制相关影响曲线，找出影响COA基板拼接曝光缺陷的关键因素；
2.再通过对影响COA基板拼接曝光缺陷的关键因素的控制，改善所述拼接曝光产品的色差和外观缺陷等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的检测影响COA基板拼接曝光缺陷方法的流程示意图。
图2为本申请实施例提供的COA基板的色阻层牛角地形结构示意图。
图3为本申请实施例提供的COA基板的色阻层搭接处结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，具体参阅图1-3。
参阅图1，为本申请实施例提供的一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法的流程示意图。本方法主要是通过对拼接前后的COA基板上的所述色阻层搭接处(OL，overlayer)的长度值、高度值以及所述色阻层的开口的宽度值和长度值等关键尺寸(CD，Critical Dimension)，找出拼接影响的最大因素，并在生产过程中进行管控。该方法的步骤包括：首先，分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及所述色阻层的开口的宽度值和长度值，并将所述色阻层搭接处的长度值与数据线的预设宽度值进行比较；然后，再分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处对应的液晶层之间的间隔柱的高度值，并记录；其次，再根据所测得的相连的两个所述色阻层搭接处的高度值、所述色阻层的开口宽度值和长度值，分析不同的所述色阻层开口的宽度值和长度值对液晶层的排列情况的影响；最后，再绘制各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值与所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值之间的关系曲线图，并分析相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值对相连的两个拼接COA基板之间的倾斜角的影响。在上述步骤中，若测得的所述色阻层搭接处的长度值大于或等于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间存在倾斜角；若所测得的所述色阻层搭接处的长度值小于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间无倾斜角。其中，所述数据线的预设宽度值为：9.5um。
参阅图2，为本申请实施例提供的COA基板的色阻层牛角地形的结构示意图100，即为所述COA基板平行于所述数据线方向的剖视图。包括：所述第一金属层11，所述栅绝缘层12，所述第二金属层13，所述第一色阻层14和所述第二色阻层15。所述第二金属层12设置在所述第一金属层的上方，且所述第一金属层的长度大于所述第二金属层的长度；所述栅绝缘层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，所述设置色阻层的开口设置在所述第二金属层背离所述栅绝缘层的表面，所述色阻层搭接处设置在所述数据线的正上方。
参阅图3，为本申请实施例提供的COA基板的色阻层搭接处结构示意图200，即所述COA基板垂直于所述数据线方向的剖视图。包括：基板21，第一色阻层22，第二色阻层23，第三色阻层24，以及第一牛角231和第二牛角232。所述第一色阻层和所述第二色阻层之间，所述第二色阻层与所述第三色阻层之间的搭接处无法完全平坦，因此会出现一定高度的牛角，即附图3中的第一牛角231和第二牛角232。牛角过高在成盒之后由于地形不平坦，会影响液晶的倒向，造成暗态漏光，进而影响对比度，降低面板品质。由于牛角的形成是由于色阻层之间存在搭接而引起的高度差，因此，牛角的高度也会随着色阻层搭接高度的增加而增加，若要减小牛角的高度，则应对应减小各所述色阻层之间的搭接处的宽度。
所述色阻层由ITO(Indium Tin Oxide，氧化烟锡)覆盖，所述色阻层搭接处形成一层共电极层(DBS，Data Line BM less)，由于在面板正常工作时，共电极层形成的电场可以使液晶分子保持不偏转的状态，从而起到遮光的目的，可以取代黑色矩阵，即所述色阻层上方不设置所述黑色矩阵。因此，所述共电极层走线的宽度应略大于所述数据线的宽度。本申请所述的共电极层具有一定的预设宽度值，所述共电极层的预设宽度值为：12.4um。若色阻层搭接处的宽度值超过所述数据线的预设宽度值9.5um，则表示拼接的两个相连的所述COA基板之间存在倾斜角，需要进行调整。
通过对上述影响因素的检测判定，可以找出影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，进而在后续的生产中进行相关的程序管控。
以上对本申请实施例所提供的一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10，分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、高度值以及所述色阻层的开口的宽度值和长度值，并将所述色阻层搭接处的长度值与数据线的预设宽度值进行比较；
S20，再分别测量各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处对应的液晶层之间的间隔柱的高度值，并记录；
S30，根据所测得的相连的两个所述色阻层搭接处的高度值、所述色阻层的开口的宽度值和长度值，分析不同的所述色阻层开口的宽度值和长度值对液晶层的排列情况的影响；
S40，再绘制各不同拼接区内相连的两个所述色阻层搭接处的长度值与所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值之间的关系曲线图，并分析相连的两个所述色阻层搭接处的长度值、所述色阻层搭接处对应的所述液晶层之间的间隔柱的高度值对相连的两个拼接COA基板之间的倾斜角的影响。
2.根据权利要求1所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，步骤“S10”包括：
S101，若所测得的所述色阻层搭接处的长度值大于或等于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间存在倾斜角；
S102，若所测得的所述色阻层搭接处的长度值小于所述数据线的预设宽度值，则表示相连的两个拼接COA基板之间无倾斜角。
3.根据权利要求2所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述数据线的预设宽度值为：9.5um。
4.根据权利要求1所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述色阻层搭接处设置在所述数据线的正上方。
5.根据权利要求4所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，栅绝缘层设置在第一金属层和第二金属层之间，所述色阻层的开口设置在所述第二金属层背离所述栅绝缘层的表面。
6.根据权利要求5所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述第一金属层的长度大于所述第二金属层的长度。
7.根据权利要求1所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述色阻层搭接处形成一层共电极层取代黑色矩阵，即所述色阻层上方不设置所述黑色矩阵。
8.根据权利要求7所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述共电极层具有一定的预设宽度值。
9.根据权利要求2所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，所述共电极的预设宽度值为：12.4um。
10.根据权利要求9所述的检测影响COA基板拼接曝光缺陷的方法，其特征在于，各所述色阻层设置在所述第一金属层上方。
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