CN110661417B - 一种电压传输电路及相关电路结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件；防击穿保护器件的输入端接入输入电压，防击穿保护器件的输出端连接主传输MOS管的第一端，主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及主传输MOS管的第二端外接负载，其中，防击穿保护器件用于将输入电压钳位预设电压后输出至主传输MOS管的第一端，预设电压小于输入电压。在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。

Description

一种电压传输电路及相关电路结构
技术领域
本发明涉及电压传输技术领域，更为具体的说，涉及一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器。
背景技术
在半导体存储器的电路结构中，需要使用高电压对存储阵列进行操作，但是在半导体存储器的电路结构中传输该高压过程中需要将该高压升高，因此需要通过升压电路对该高压进行升压，如需要将电荷泵输出的高压传输至下一级时，由于传输线路中晶体管的阈值电压的影响，需要将该电荷泵输出的高压升至少升高到其与晶体管的阈值电压之和的程度。传统的升压电路中，为了防止主传输晶体管被击穿，主传输晶体管一般采用高压晶体管，但是，如果输入电压过高，在主传输晶体管导通或关闭瞬时，其源漏两端的压差超过其所能承受的最大电压，同样能够将该主传输晶体管击穿而使得器件失效。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种电压传输电路，所述电压传输电路包括：
主传输MOS管及防击穿保护器件；
所述防击穿保护器件的输入端接入输入电压，所述防击穿保护器件的输出端连接所述主传输MOS管的第一端，所述主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及所述主传输MOS管的第二端外接负载，其中，所述防击穿保护器件用于将所述输入电压钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管的第一端，所述预设电压小于所述输入电压。
可选的，所述防击穿保护器件包括耗尽型MOS管，其中，所述耗尽型MOS管的第一端接入所述输入电压，所述耗尽型MOS管的第二端连接所述主传输MOS管的第一端，及所述耗尽型MOS管的栅极连接辅助开关控制端。
可选的，所述主传输MOS管为N型MOS管或P型MOS管；
及，所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管或P型耗尽型MOS管。
可选的，所述主传输MOS管与所述耗尽型MOS管的类型相同时，所述主开关控制端和所述辅助开关控制端为同一控制端。
可选的，所述主传输MOS管与所述耗尽型MOS管类型的类型不同、且在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端控制所述耗尽型MOS管的导通，较所述主开关控制端控制所述主传输MOS管的导通延迟预设时间。
可选的，所述主传输MOS管为P型MOS管、且所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管时，在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端控制所述耗尽型MOS管的栅极接地，且在所述预设时间后，所述辅助开关控制端传输高电平开启信号至所述耗尽型MOS管的栅极，其中，所述输入电压减去所述高电平开启信号的电压为所述耗尽型MOS管的阈值电压。
相应的，本发明还提供了一种高压开关电路，所述高压开关电路包括：
供电端口、输出端口及上述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
以及，所述输出端口与所述主传输MOS管的第二端相连。
相应的，本发明还提供了一种升压电路，所述升压电路包括：
供电端口、输出端口、二极管、第一电容、第二电容、第一时钟信号端、第二时钟信号端及上述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
所述主传输MOS管的第二端、所述第一电容的第一极板和所述二极管的正极均相连，所述第一电容的第二极板与所述第一时钟信号端相连；
所述二极管的负极、所述第二电容的第一极板和所述输出端口均相连，所述第二电容的第二极板与所述第二时钟信号端相连，其中，所述第一时钟信号端和所述第二时钟信号端输出的时钟信号相位相反。
相应的，本发明还提供了一种稳压电路，所述稳压电路包括：
供电端口、输出端口、基准电压端口、差分放大器、分压电路及上述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
所述差分放大器的同相端与所述基准电压端口相连，所述基准电压端口用于输出基准电压，所述差分放大器的反相端与所述分压电路的输出端相连，所述差分放大器的输出端为所述主开关控制端；
以及，所述分压电路的输入端、所述主传输MOS管的第二端和所述输出端口均相连。
相应的，本发明还提供了一种半导体存储器，所述半导体存储器包括上述的电压传输电路、上述的高压开关电路和上述的升压电路中任意一种或多种。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，所述电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件； 所述防击穿保护器件的输入端接入输入电压，所述防击穿保护器件的输出端连接所述主传输MOS管的第一端，所述主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及所述主传输MOS管的第二端外接负载，其中，所述防击穿保护器件用于将所述输入电压钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管的第一端，所述预设电压小于所述输入电压。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种电压传输电路的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种电压传输电路的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种电压传输电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种电压传输电路的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种高压开关电路的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种升压电路的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种稳压电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，在半导体存储器的电路结构中，需要使用高电压对存储阵列进行操作，但是在半导体存储器的电路结构中传输该高压过程中需要将该高压升高，因此需要通过升压电路对该高压进行升压，如需要将电荷泵输出的高压传输至下一级时，由于传输线路中晶体管的阈值电压的影响，需要将该电荷泵输出的高压升至少升高到其与晶体管的阈值电压之和的程度。传统的升压电路中，为了防止主传输晶体管被击穿，主传输晶体管一般采用高压晶体管，但是，如果输入电压过高，在主传输晶体管导通或关闭瞬时，其源漏两端的压差超过其所能承受的最大电压，同样能够将该主传输晶体管击穿而使得器件失效。
基于此，本申请实施例提供了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图7对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示，为本申请实施例提供的一种电压传输电路的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述电压传输电路包括：
主传输MOS管M0及防击穿保护器件100；
所述防击穿保护器件100的输入端接入输入电压Vin，所述防击穿保护器件100的输出端连接所述主传输MOS管M0的第一端，所述主传输MOS管M0的栅极连接主开关控制端K0，及所述主传输MOS管M0的第二端外接负载200，其中，所述防击穿保护器件100用于将所述输入电压Vin钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管M0的第一端，所述预设电压小于所述输入电压Vin。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，使得主传输MOS管的源漏电压处于其耐压范围内，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
本申请对于防击穿保护器件的具体组成和结构不做限制，满足将输入电压钳位至较低的预设电压，进而保证主传输MOS管的源漏电压处于其耐压范围即可。在本申请一实施例中，本申请提供的防击穿保护器件可以为一耗尽型MOS管，通过简单的器件结构保护主传输MOS管不被击穿，其结构简单且成本低廉。
参考图2所示，为本申请实施例提供的另一种电压传输电路的结构示意图，其中，电压传输电路包括：
主传输MOS管M0及防击穿保护器件100；
所述防击穿保护器件100的输入端接入输入电压Vin，所述防击穿保护器件100的输出端连接所述主传输MOS管M0的第一端，所述主传输MOS管M0的栅极连接主开关控制端K0，及所述主传输MOS管M0的第二端外接负载200，其中，所述防击穿保护器件100用于将所述输入电压Vin钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管M0的第一端，所述预设电压小于所述输入电压Vin。
以及，本申请实施例提供的所述防击穿保护器件100包括耗尽型MOS管M1，其中，所述耗尽型MOS管M1的第一端接入所述输入电压Vin，所述耗尽型MOS管M1的第二端连接所述主传输MOS管M0的第一端，及所述耗尽型MOS管M1的栅极连接辅助开关控制端K1。
由上述内容可知，本申请实施例提供的电压传输电路，通过耗尽型MOS管对主传输MOS管进行保护，其中，耗尽型MOS管阈值电压小于0V，在工作过程中耗尽型MOS管一直处于导通状态而不会存在失效问题，进而通过耗尽型MOS管将输入电压钳位到一个相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，使得主传输MOS管的源漏电压处于其耐压范围内，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
本申请实施例对于主传输MOS管的类型和耗尽型MOS管的类型不做具体限制，其中，所述主传输MOS管为N型MOS管或P型MOS管；
及，所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管或P型耗尽型MOS管，对此主传输MOS管的类型和耗尽型MOS管的类型需要根据实际应用进行具体设计。
在本申请一实施例中，在主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型相同时，可以将主开关控制端和辅助开关控制端设置为同一控制端。参考图3所示，为本申请实施例提供的又一种电压传输电路的结构示意图，图3以主传输MOS管M0和耗尽型MOS管M1均为N型晶体管为例进行说明，其中，所述主传输MOS管M0与所述耗尽型MOS管M1的类型相同时，所述主开关控制端K0和所述辅助开关控制端K1可以为同一控制端。
可以理解的，在主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型相同时，且将主开关控制端和辅助开关控制端设置为同一控制端，能够减少端口的数量，进而更加便于对电路进行布线。需要说明的是，在本申请其他实施例中，当主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型相同时，主开关控制端和辅助开关控制端还可以为独立的控制端，对此需要根据实际应用进行具体设计；以及，主传输MOS管和耗尽型MOS管还可以均为P型晶体管。
在本申请一实施例中，主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型还可以不同，此时在电压传输电路初始工作时，控制耗尽型MOS管晚于主传输MOS管导通，进一步保护主传输MOS管不被击穿。参考图4所示，为本申请实施例提供的又一种电压传输电路的结构示意图，图4以主传输MOS管M0为P型晶体管、且耗尽型MOS管M1为N型晶体管为例进行说明，其中，所述主传输MOS管M0与所述耗尽型MOS管M1类型的类型不同、且在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端K1控制所述耗尽型MOS管的导通，较所述主开关控制端K0控制所述主传输MOS管M0的导通延迟预设时间。
优选的，本申请实施例提供的所述主传输MOS管为P型MOS管、且所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管时，在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端控制所述耗尽型MOS管的栅极接地，且在所述预设时间后，所述辅助开关控制端传输高电平开启信号至所述耗尽型MOS管的栅极，其中，所述输入电压减去所述高电平开启信号的电压为所述耗尽型MOS管的阈值电压。需要说明的是，在本申请其他实施例中，主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型不同时，主传输MOS管还可以为N型MOS管，而耗尽型MOS管为P型耗尽型MOS管。
需要说明的是，无论主传输MOS管和耗尽型MOS管的类型相同或是不同，由于耗尽型MOS管对主传输MOS管的保护，因此，本申请实施例优选的可以将主传输MOS管设计为低压管，进而能够降低工艺实现难度。
相应的，本申请实施例还提供了一种高压开关电路，具体参考图5所示，为本申请实施例提供的一种高压开关电路的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述高压开关电路包括：
供电端口IN、输出端口OUT及上述任意一实施例提供的电压传输电路；
电压传输电路包括：主传输MOS管M0及防击穿保护器件100；
所述防击穿保护器件100的输入端接入输入电压Vin，所述防击穿保护器件100的输出端连接所述主传输MOS管M0的第一端，所述主传输MOS管M0的栅极连接主开关控制端K0，及所述主传输MOS管M0的第二端外接负载200，其中，所述防击穿保护器件100用于将所述输入电压Vin钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管M0的第一端，所述预设电压小于所述输入电压Vin。
其中，所述供电端口IN与所述防击穿保护器件100的输入端相连，所述供电端口IN用于输出所述输入电压Vin；
以及，所述输出端口OUT与所述主传输MOS管M0的第二端相连，且输出端口OUT与负载200相连。
由上述内容可知，本申请实施例提供的高压开关电路，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，使得主传输MOS管的源漏电压处于其耐压范围内，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
相应的，本申请实施例还提供了一种升压电路，具体参考图6所示，为本申请实施例提供的一种升压电路的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述升压电路包括：
供电端口IN、输出端口OUT、二极管D、第一电容C1、第二电容C2、第一时钟信号端CLK1、第二时钟信号端CLK2及上述任意一实施例提供的电压传输电路；
电压传输电路包括：主传输MOS管M0及防击穿保护器件100；
所述防击穿保护器件100的输入端接入输入电压Vin，所述防击穿保护器件100的输出端连接所述主传输MOS管M0的第一端，所述主传输MOS管M0的栅极连接主开关控制端K0，及所述主传输MOS管M0的第二端外接负载200，其中，所述防击穿保护器件100用于将所述输入电压Vin钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管M0的第一端，所述预设电压小于所述输入电压Vin。
其中，所述供电端口IN与所述防击穿保护器件100的输入端相连，所述供电端口IN用于输出所述输入电压Vin；
所述主传输MOS管M0的第二端、所述第一电容C1的第一极板和所述二极管D的正极均相连，所述第一电容C1的第二极板与所述第一时钟信号端CLK1相连；
所述二极管D的负极、所述第二电容C2的第一极板和所述输出端口OUT均相连，所述第二电容C2的第二极板与所述第二时钟信号端CLK2相连，其中，所述第一时钟信号端CLK1和所述第二时钟信号端CLK2输出的时钟信号相位相反，及输出端口OUT连接负载200。
结合图6所示升压电路，在升压电路初始工作时，第一时钟信号端CLK1输出的时钟信号为高电平，输出端口OUT的输出电压Vout=Vin-Vth-2Vds+Vclk1，其中，Vth为主传输MOS管M0的阈值电压，及Vds为主传输MOS管M0的源漏电压，Vclk1为第一时钟信号端CLK1输出的时钟电压，之后第一时钟信号端CLK1变换为低电平，输出端口OUT的输出电压Vout=Vin-Vth-2Vds+2Vclk1，由于一般情况下Vclk1的值大于Vth与2Vds之和，进而升压电路实现了升压功能。
在本申请一实施例中，参考图6所示，本申请实施例提供的主开关控制端K0可以与二极管D的负极、第二电容C2的第一极板和输出端口OUT均相连（如图6中所示主开关控制端K0的连接虚线），对此本申请不做具体限制。此外，在防击穿保护器件包括的耗尽型MOS管的类型与主传输MOS管的类型相同时，辅助开关控制端同样能够与主开关控制端、二极管的负极、第二电容的第一极板和输出端口均相连。
相应的，本申请实施例还提供了一种稳压电路，具体参考图7所示，为本申请实施例提供的一种稳压电路的结构示意图，其中，本申请实施例提供的所述稳压电路包括：
供电端口IN、输出端口OUT、基准电压端口VR、差分放大器30、分压电路40及上述任意一实施例提供的电压传输电路；
电压传输电路包括：主传输MOS管M0及防击穿保护器件100；
所述防击穿保护器件100的输入端接入输入电压Vin，所述防击穿保护器件100的输出端连接所述主传输MOS管M0的第一端，所述主传输MOS管M0的栅极连接主开关控制端K0，及所述主传输MOS管M0的第二端外接负载200，其中，所述防击穿保护器件100用于将所述输入电压Vin钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管M0的第一端，所述预设电压小于所述输入电压Vin。
其中，所述供电端口IN与所述防击穿保护器件100的输入端相连，所述供电端口IN用于输出所述输入电压Vin；
所述差分放大器30的同相端与所述基准电压端口VR相连，所述基准电压端口VR用于输出基准电压Vref，所述差分放大器30的反相端与所述分压电路40的输出端相连，所述差分放大器30的输出端为所述主开关控制端K0；
以及，所述分压电路40的输入端、所述主传输MOS管M0的第二端和所述输出端口OUT均相连，输出端口OUT连接负载200。在本申请一实施例中，本申请提供的分压电路40为可变电阻器。
进一步的，参考图7所示，本申请实施例提供的稳压电路还包括有一滤波器件，滤波器件包括一串联的电阻R和电容C3，电阻R连接至差分放大器30的输出端，且电容C3连接至接地端Gnd。
相应的，本申请实施例还提供了一种半导体存储器，所述半导体存储器包括上述任意一实施例提供的电压传输电路、上述任意一实施例提供的高压开关电路和上述任意一实施例提供的升压电路中任意一种或多种。
本申请对于半导体存储器的类型不做具体限制，其中，本申请实施例提供的半导体存储器可以为单值半导体存储器，还可以为多值半导体存储器等。
本申请实施例提供了一种电压传输电路、高压开关电路、升压电路、稳压电路及半导体存储器，所述电压传输电路包括：主传输MOS管及防击穿保护器件； 所述防击穿保护器件的输入端接入输入电压，所述防击穿保护器件的输出端连接所述主传输MOS管的第一端，所述主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及所述主传输MOS管的第二端外接负载，其中，所述防击穿保护器件用于将所述输入电压钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管的第一端，所述预设电压小于所述输入电压。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，在主传输MOS管和输入电压之间接入一防击穿保护器件，通过防击穿保护器件将输入电压钳位到一电压相对较低的预设电压后，传输至主传输MOS管，进而能够避免出现主传输MOS管被击穿而失效的情况，提高器件的使用寿命。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种电压传输电路，其特征在于，所述电压传输电路包括：
主传输MOS管及防击穿保护器件；
所述防击穿保护器件的输入端接入输入电压，所述防击穿保护器件的输出端连接所述主传输MOS管的第一端，所述主传输MOS管的栅极连接主开关控制端，及所述主传输MOS管的第二端外接负载，其中，所述防击穿保护器件用于将所述输入电压钳位预设电压后输出至所述主传输MOS管的第一端，所述预设电压小于所述输入电压；
所述防击穿保护器件包括耗尽型MOS管，其中，所述耗尽型MOS管的第一端接入所述输入电压，所述耗尽型MOS管的第二端连接所述主传输MOS管的第一端，及所述耗尽型MOS管的栅极连接辅助开关控制端；
所述主传输MOS管与所述耗尽型MOS管的类型相同时，所述主开关控制端和所述辅助开关控制端为同一控制端；所述主传输MOS管与所述耗尽型MOS管类型的类型不同、且在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端控制所述耗尽型MOS管的导通，较所述主开关控制端控制所述主传输MOS管的导通延迟预设时间；所述主传输MOS管为P型MOS管、且所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管时，在所述电压传输电路初始工作时，所述辅助开关控制端控制所述耗尽型MOS管的栅极接地，且在所述预设时间后，所述辅助开关控制端传输高电平开启信号至所述耗尽型MOS管的栅极，其中，所述输入电压减去所述高电平开启信号的电压为所述耗尽型MOS管的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的电压传输电路，其特征在于，所述主传输MOS管为N型MOS管或P型MOS管；
及，所述耗尽型MOS管为N型耗尽型MOS管或P型耗尽型MOS管。
3.一种高压开关电路，其特征在于，所述高压开关电路包括：
供电端口、输出端口及权利要求1或2所述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
以及，所述输出端口与所述主传输MOS管的第二端相连。
4.一种升压电路，其特征在于，所述升压电路包括：
供电端口、输出端口、二极管、第一电容、第二电容、第一时钟信号端、第二时钟信号端及权利要求1或2任意一项所述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
所述主传输MOS管的第二端、所述第一电容的第一极板和所述二极管的正极均相连，所述第一电容的第二极板与所述第一时钟信号端相连；
所述二极管的负极、所述第二电容的第一极板和所述输出端口均相连，所述第二电容的第二极板与所述第二时钟信号端相连，其中，所述第一时钟信号端和所述第二时钟信号端输出的时钟信号相位相反。
5.一种稳压电路，其特征在于，所述稳压电路包括：
供电端口、输出端口、基准电压端口、差分放大器、分压电路及权利要求1或2任意一项所述的电压传输电路；
所述供电端口与所述防击穿保护器件的输入端相连，所述供电端口用于输出所述输入电压；
所述差分放大器的同相端与所述基准电压端口相连，所述基准电压端口用于输出基准电压，所述差分放大器的反相端与所述分压电路的输出端相连，所述差分放大器的输出端为所述主开关控制端；
以及，所述分压电路的输入端、所述主传输MOS管的第二端和所述输出端口均相连。
6.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括权利要求1或2所述的电压传输电路、权利要求3所述的高压开关电路和权利要求4所述的升压电路中任意一种或多种。
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