CN110660872A - 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件 - Google Patents
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Abstract
一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，其中，多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为第一量子阱层。通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层，有效抑制了电子从有源区溢出，并将其应用于光电器件外延片及光电器件中，提升了光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，实现了大功率光电器件的制备。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件。
背景技术
随着人们对紫外光需求的日益增长，深紫外发光二极管(Deep UltravioletLight Emitting Diode，DUV_LED)和紫外激光器(Ultraviolet laser)发展迅速。铝镓氮(AlGaN)基DUV_LED、laser具有禁带宽度宽、直接带隙、发光波长在200nm到360nm范围内连续可调等特点，并且可以通过异质外延在廉价的硅或者蓝宝石衬底上大规模生产，AlGaN半导体材料已成为制备DUV_LED和laser的主流材料。同样，利用AlGaN可以实现紫外探测器(Ultraviolet detector)。
传统DUV_LED、laser、detector通常主要由电子注入层、多量子阱有源区、电子阻挡层以及空穴注入层构成。器件工作过程中，大量电子积聚在多量子阱结构中最后一个量子垒层和电子阻挡层的界面处，导致很多电子无法参与发光，从而使得DUV_LED的内量子效率、外量子效率和发光效率都很低，laser能量较低，detector探测效率低。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本公开提供了一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，解决以上技术问题。
(二)技术方案
本公开提供了一种多量子阱结构，由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，其中，所述多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为所述第一量子阱层。
可选地，所述最后一层第一量子阱层上生长有第二量子垒层，所述第二量子垒层与所述第一量子垒层的组分不同或组分含量不同。
可选地，所述第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，所述第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递减至第一预设值。
可选地，所述第一预设值为所述第一量子阱层的Al组分含量。
可选地，所述第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，所述第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递增至第二预设值。
可选地，所述第一量子垒层为AlaGa1-aN量子垒，所述第二量子垒层为BmAlnGa1-m-nN量子垒或InmAlnGa1-m-nN量子垒中的一种0＜a＜1，0＜m＜1，0≤n＜1。
可选地，所述最后一层第一量子阱层为BxAlyGa1-x-yN量子阱或InxAlyGal-x-yN量子阱中的一种，所述最后一层第一量子阱层之外的其它第一量子阱层为AlbGa1-bN量子阱，0＜x＜1，0≤y＜1，0＜b＜1。
本公开还提供了一种光电器件外延片，包括上述多量子阱结构。
可选地，所述光电器件外延片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层外延生长在所述多量子阱结构上，所述多量子阱结构中的第二预设值为所述电子阻挡层的Al组分含量。
本公开还提供了一种光电器件，包括上述光电器件外延片。
(三)有益效果
本公开提供的多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件，具有以下有益效果：
(1)通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层，提高了电子阻挡层的电子有效势垒高度，增强了电子阻挡层对电子的阻挡能力，有效抑制电子从有源区溢出，并且极大地增加了最后一个量子阱内的电子浓度，从而提升光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，从而实现大功率光电器件的制备，并且缩减了成本和材料；
(2)通过改变最后一层量子阱层的组分，进一步提升了形成的光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，从而实现大功率光电器件的制备；
(3)通过将传统多量子阱结构中最后一层量子垒层进行组分渐变或改变组分，也可以提升形成的光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率，从而实现大功率光电器件的制备。
附图说明
图1示意性示出了本公开一实施例提供的多量子阱结构的结构示意图；
图2示意性示出了本公开另一实施例提供的多量子阱结构的结构示意图；
图3A示意性示出了图2所示多量子阱结构中第二量子垒层中Al组分含量的一变化示意图；
图3B示意性示出了图2所示多量子阱结构中第二量子垒层中Al组分含量的另一变化示意图；
图4示意性示出了本公开一实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图5A示意性示出了现有光电器件外延片中Al组分分布图；
图5B示意性示出了本公开实施例提供的光电器件外延片中Al组分分布图；
图6A示意性示出了现有光电器件与本公开实施例提供的光电器件的发光功率的比较示意图；
图6B示意性示出了现有光电器件与本公开实施例提供的光电器件的外量子效率的比较示意图。
附图标记说明：
1-衬底；2-电子注入层；3-多量子阱层；4-电子阻挡层；5-空穴注入层。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
图1示意性示出了本公开一实施例提供的多量子阱结构的结构示意图。参阅图1，对本公开多量子阱结构进行详细说明。
多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，该多量子阱结构中，沿着其生长方向的最后一层为第一量子阱层。与传统方法中多量子阱结构的最后一层为量子垒层相比，本公开实施例中直接在最后一个第一量子阱层上生长电子阻挡层，可以避免电子大量堆积量子垒层和电子阻挡层的界面处无法参与发光的问题。
进一步地，本公开实施例中，最后一层生长的第一量子阱层为BxAlyGa1-x-yN量子阱或InxAlyGa1-x-yN量子阱中的一种，除此之外的其它第一量子阱层为AlbGa1-bN量子阱，0＜x＜1，0≤y＜1，0＜b＜1。通过改变多量子阱结构中最后一层多量子阱层的成分，可以进一步提升发光效率。
图2示意性示出了本公开另一实施例提供的多量子阱结构的结构示意图。参阅图2，结合图3A和3B，对本公开另一种多量子阱结构进行详细说明。
多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，该多量子阱结构中，沿着其生长方向的最后一层为第一量子阱层，进一步地，该最后一层第一量子阱层上还生长有第二量子垒层，该第二量子垒层与第一量子垒层的组分不同，或者该第二量子垒层与第一量子垒层的组分相同但组分含量不同。
第二量子垒层与第一量子垒层的组分不同，具体地，第一量子垒层为AlaGa1-aN量子垒，第二量子垒层为BmAlnGa1-m-nN量子垒或InmAlnGa1-m-nN量子垒中的一种，0＜a＜1，0＜m＜1，0≤n＜1。
第二量子垒层与第一量子垒层的组分相同但组分含量不同，具体地，分为以下两种情况：
第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递减至第一预设值。第一预设值为第一量子阱层的Al组分含量。如图3A所示，图3A中a表示第一量子垒层中的Al组分含量，b表示第一量子垒层中的Al组分含量，第一预设值等于b。可以理解的是，多量子阱结构中，第一量子阱层中Al组分含量b＜第一量子垒层中Al组分含量a。
第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递增至第二预设值。如图3B所示，图3B中a表示第一量子垒层中的Al组分含量，k表示在第二量子垒层上生长的电子阻挡层的Al组分含量，第二预设值等于k，a＜k。
本公开实施例还示出了一种光电器件外延片，包括图1或图2所示实施例中的多量子阱结构。
仅以光电器件外延片为图4所示发光二极管外延片为例，光电器件外延片自下往上可依次包括衬底1、电子注入层2、多量子阱层3、电子阻挡层4和空穴注入层5，多量子阱层3为本公开实施例提供的多量子阱结构。其中，衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、金属衬底、碳化硅、氮化镓、氮化铝等，这里不对衬底的材料做任何限制。电子注入层2外延生长在衬底1上，多量子阱层3外延生长在电子注入层2上，电子阻挡层4生长在多量子阱层3上，空穴注入层5生长在电子阻挡层4上。并且，现有发光二极管外延片的衬底、多量子阱层、电子阻挡层和空穴注入层的结构均适用于本公开实施例中衬底1、电子注入层2、电子阻挡层4和空穴注入层5的结构。
本公开实施例中的发光二极管外延片中，除了多量子阱结构采用图1或图2所示实施例中的多量子阱结构之外，多量子阱结构之外的其它结构与现有发光二极管外延片的其它结构相同。
图5A示意性示出了现有光电器件外延片中Al组分分布图，图5B示意性示出了本公开实施例提供的光电器件外延片中Al组分分布图。i、a、b、k、j分别表示电子注入层2、电子垒层、量子阱层、电子阻挡层4、空穴注入层5中Al组分的含量，其中1＞k＞j＞i＞a＞b，量子阱层和量子垒层的数目在1到10之间。
对比图5A和图5B可以看出，与传统光电器件外延片相比，本公开实施例中的光电器件外延片去除多量子阱结构中的最后一个量子垒层，大幅度提高了电子阻挡层的电子有效势垒高度，增强了外延片对电子的阻挡能力，有效抑制电子从有源区溢出，从而提升形成的光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出率。
可以理解的是，图1或图2所示实施例中的多量子阱结构也适用于其它光电器件外延片中，例如用于发光激光器外延片、发光探测器外延片等。与发光二极管外延片相似的是，其它光电器件外延片中，除了多量子阱结构采用图1或图2所示实施例中的多量子阱结构之外，光电器件外延片的其它结构为现有结构，本公开实施例中不再赘述。
本公开实施例还示出了一种光电器件，包括上述实施例中的光电器件外延片。
光电器件例如为发光二极管、发光激光器、发光探测器中的一种。可以将上述实施例中的光电器件外延片应用在光电器件中，例如在发光二极管外延片上制备电极，以封装形成发光二极管芯片等。
图6A示意性示出了现有光电器件与本公开实施例提供的光电器件的发光效率的比较示意图，图6B示意性示出了现有光电器件与本公开实施例提供的光电器件的外量子效率的比较示意图。其中，图6A和图6B中没有最后一层量子垒层(Last Quantum Barrier，LQB)的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，是指去除传统LED结构的LQB后形成的LED，即基于图1所示实施例中多量子阱结构形成的LED。
对比图6A和图6B可以看出，与传统光电器件相比，本公开实施例中的光电器件去除多量子阱结构中的最后一个量子垒层，大大提升了光电器件的发光功率和外量子效率。
至此，已对本公开多量子阱结构、光电器件外延片、光电器件进行了详细说明，通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层，或者将最后一层设置为量子阱层且改变量子阱的成分，或者将传统多量子阱结构中最后一层量子垒层进行组分渐变或改变组分，都可以有效抑制了电子从有源区溢出，并将上述任一种多量子阱结构应用于光电器件外延片及光电器件中，提高了外延片中载流子的光复合效率、内量子效率等，从而实现大功率光电器件的制备。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种多量子阱结构，由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成，其中，所述多量子阱结构中，沿其生长方向的最后一层为所述第一量子阱层。
2.根据权利要求1所述的多量子阱结构，其中，所述最后一层第一量子阱层上生长有第二量子垒层，所述第二量子垒层与所述第一量子垒层的组分不同或组分含量不同。
3.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其中，所述第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，所述第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递减至第一预设值。
4.根据权利要求3所述的多量子阱结构，其中，所述第一预设值为所述第一量子阱层的Al组分含量。
5.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其中，所述第一量子垒层的Al组分含量沿着生长方向固定不变，所述第二量子垒层的Al组分含量沿着其生长方向均匀递增至第二预设值。
6.根据权利要求2所述的多量子阱结构，其中，所述第一量子垒层为AlaGa1-aN量子垒，所述第二量子垒层为BmAlnGa1-m-nN量子垒或InmAlnGa1-m-nN量子垒中的一种，0＜a＜1，0＜m＜1，0≤n＜1。
7.根据权利要求1所述的多量子阱结构，其中，所述最后一层第一量子阱层为BxAlyGa1-x-yN量子阱或InxAlyGa1-x-yN量子阱中的一种，所述最后一层第一量子阱层之外的其它第一量子阱层为AlbGa1-bN量子阱，0＜x＜1，0≤y＜1，0＜b＜1。
8.一种光电器件外延片，包括如权利要求1至7任一项所述的多量子阱结构。
9.根据权利要求8所述的光电器件外延片，其中，所述光电器件外延片还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层外延生长在所述多量子阱结构上，所述多量子结构中的第二预设值为所述电子阻挡层的Al组分含量。
10.一种光电器件，包括如权利要求8至9任一项所述的光电器件外延片。
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|---|---|
| CN (1) | CN110660872A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510124A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-16 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102931302A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-02-13 | 华灿光电股份有限公司 | 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 |
| CN103378241A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种新型的GaN基发光二极管器件及其制作方法 |
| CN103633218A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 一种氮化镓系发光器件 |
| CN104993028A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-21 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片 |
| CN105977356A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-09-28 | 东南大学 | 一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管 |
| CN108231960A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-06-29 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法 |
| CN108231965A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-29 | 华南师范大学 | 一种提高光输出的AlGaN基深紫外LED外延结构 |
| US20190198708A1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Light emitting diode epitaxial wafer and method for manufacturing the same |
-
2019
- 2019-09-27 CN CN201910939163.9A patent/CN110660872A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103378241A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种新型的GaN基发光二极管器件及其制作方法 |
| CN102931302A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-02-13 | 华灿光电股份有限公司 | 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 |
| CN103633218A (zh) * | 2013-12-04 | 2014-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 一种氮化镓系发光器件 |
| CN104993028A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-10-21 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种发光二极管外延片 |
| CN105977356A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-09-28 | 东南大学 | 一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管 |
| US20190198708A1 (en) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Light emitting diode epitaxial wafer and method for manufacturing the same |
| CN108231960A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-06-29 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法 |
| CN108231965A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-06-29 | 华南师范大学 | 一种提高光输出的AlGaN基深紫外LED外延结构 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112510124A (zh) * | 2020-11-18 | 2021-03-16 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN112510124B (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-13 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
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