CN104993028A - 一种发光二极管外延片 - Google Patents

一种发光二极管外延片 Download PDF

Info

Publication number
CN104993028A
CN104993028A CN201510266884.XA CN201510266884A CN104993028A CN 104993028 A CN104993028 A CN 104993028A CN 201510266884 A CN201510266884 A CN 201510266884A CN 104993028 A CN104993028 A CN 104993028A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
quantum well
epitaxial wafer
span
superlattice structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510266884.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104993028B (zh
Inventor
李昱桦
乔楠
陈柏松
胡加辉
魏世祯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Semitek Corp
HC Semitek Suzhou Co Ltd
Original Assignee
HC Semitek Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Semitek Suzhou Co Ltd filed Critical HC Semitek Suzhou Co Ltd
Priority to CN201510266884.XA priority Critical patent/CN104993028B/zh
Publication of CN104993028A publication Critical patent/CN104993028A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104993028B publication Critical patent/CN104993028B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述外延片包括：衬底、和依次覆盖在衬底上的缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、以及P型层，多量子阱层为多周期结构，每个周期结构包括：量子阱层和覆盖在量子阱层上的量子垒层，最靠近P型层的量子垒层为超晶格结构，超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1-xN子层和GaN子层，0＜x＜1，AlxGa1-xN子层中Al的组分随着生长顺序递变。本发明通过将外延片的多量子阱层中最靠近P型层的量子垒层设置为上述超晶格结构，一方面可以有效阻碍电子溢流，另一方面可以增加空穴的注入率，进而能提高外延片的内量子效率，提高发光二极管的发光效率。

Description

一种发光二极管外延片
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diodes，简称“LED”)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，因其具有节能环保、可靠性高、使用寿命长等优点而受到广泛的关注和应用。
常规的发光二极管外延片制备方法中，会通过金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称“MOCVD”)的方法，在衬底材料(例如：蓝宝石、硅、碳化硅等)上依次生长缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、以及P型层等。
现有的发光二极管外延片中，一方面，多量子阱层中存在电子溢流，且溢流出的电子进入P型层与P型层中的空穴发生非辐射复合；另一方面，P型层中的空穴需要克服较高的有效位势才能注入多量子阱层，空穴的注入率较低。上述电子溢流和空穴的注入率低会影响外延片的内量子效率，进而影响到了发光二极管的发光效率。
发明内容
为了解决现有外延片的内量子效率较低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述外延片包括：
所述外延片包括：衬底、和依次覆盖在所述衬底上的缓冲层、无掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、以及P型层，所述多量子阱层为多周期结构，每个所述周期结构包括：量子阱层和覆盖在所述量子阱层上的量子垒层，最靠近所述P型层的所述量子垒层为超晶格结构，所述超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1-xN子层和GaN子层，0＜x＜1，所述AlxGa1-xN子层中Al的组分随着生长顺序递变。
具体地，所述AlxGa1-xN子层中Al的组分随着生长顺序递增。
具体地，所述超晶格结构包括：2～20个交替生长的AlxGa1-xN子层和GaN子层。
具体地，所述超晶格结构生长厚度的取值范围不超过100nm。
具体地，所述超晶格结构为掺杂结构。
进一步地，所述超晶格结构中的掺杂元素为硅或者锗，所述超晶格结构中电子浓度的取值范围为1017～1018cm-3。
具体地，所述超晶格结构的生长温度的取值范围为880°～930°。
进一步地，所述多量子阱层中的量子阱层为InyGa1-yN，0＜y＜1。
进一步地，所述缓冲层生长厚度的取值范围为10nm～30nm；
所述无掺杂的GaN层生长厚度的取值范围为1μm～3μm；
所述N型层生长厚度的取值范围为1μm～2μm；
所述P型层生长厚度的取值范围为200nm～1μm。
进一步地，所述缓冲层的生长温度的取值范围为530°～550°；
所述无掺杂的GaN层的生长温度的取值范围为1070°～1100°；
所述N型层的生长温度的取值范围为1070°～1100°；
所述P型层的生长温度的取值范围为940°～970°。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过将外延片的多量子阱层中最靠近P型层的量子垒层设置为超晶格结构，该超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1-xN子层和GaN子层，0＜x＜1，其中，AlxGa1-xN子层中Al的组分随着生长顺序递变，一方面，可以提高最靠近P型层的量子垒层的势垒，进而能有效阻碍多量子阱层中的电子溢流，增大外延片的内量子效率；另一方面，超晶格结构中Al组分随着生长顺序递变，可以缓解超晶格结构与P型层的接触面的导带底向下弯曲，使得该导带底高于电子的准费米能级，从而可以改善因电子在导带底聚集引起的电子溢流；另外由于该接触面的电荷密度降低，该接触面的极化电场强度也随之减弱，这样空穴需要克服的有效位势高度降低，P型层中的空穴注入多量子阱层中的注入效率提高，进而增大了外延片的内量子效率，也增大了发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种多量子阱层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种超晶格结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，参见图1，该外延片包括：衬底10、和依次覆盖在衬底10上的缓冲层20、无掺杂的GaN层30、N型层40、多量子阱层50、以及P型层60。
参见图2，该多量子阱层50为多周期结构，每个周期结构包括：量子阱层51和覆盖在量子阱层51上的量子垒层52，最靠近P型层60的量子垒层52为超晶格结构。
参见图3，该超晶格结构包括：多个相互交替生长的AlxGa1-xN子层521和GaN子层522，0＜x＜1，AlxGa1-xN子层511中Al的组分随着生长顺序递变。
在本实施例中，衬底10可以为蓝宝石衬底，也可以是Si衬底或SiC衬底。超晶格结构可以为掺杂结构或者不掺杂结构，AlxGa1-xN子层511中Al组分随着生长顺序可以递增或者递减。
在本实施例中，生长该超晶格结构的过程中，并不限定AlxGa1-xN子层521和GaN子层522的生长顺序，即可以先生长AlxGa1-xN子层521，也可以先生长GaN子层522，图3中的超晶格结构仅为举例。
需要说明的是，现有的发光二极管中，多量子阱层中最靠近P型层的一个周期结构(即由一对量子阱层和量子垒层构成的量子阱)对电子与空穴的辐射复合的贡献最大。
在本实施例中，最靠近P型层60的量子垒层52为超晶格结构，该超晶格结构由多个相互交替生长的AlxGa1-xN子层521和GaN子层522构成，使得最靠近P型层60的量子垒层52的势垒高于现有的多量子阱层中量子垒层的势垒，进而可以有效阻碍多量子阱层50中电子的溢流。另外，最靠近P型层60的量子垒层52采用上述超晶格结构，可以更好地阻挡多量子阱层50产生的缺陷向上延伸。
而且，该超晶格结构中Al组分随着生长顺序递变，可以缓解超晶格结构与P型层的接触面的导带底向下弯曲，使得该导带底高于电子的准费米能级，进而可以改善因电子在导带底聚集引起的电子溢流。另外由于该接触面的电荷密度的降低，该接触面的极化电场强度也随之减弱，空穴需要克服的有效位势高度也随之降低，这样P型层60中的空穴能更多的注入多量子阱层50中，从而提高了空穴的注入效率。
具体地，该AlxGa1-xN子层511中Al组分随着生长顺序递增。
在本实施例中，AlxGa1-xN子层511中Al组分随着生长顺序递增，这样可以减少多量子阱层50中最靠近P型层60的一个周期结构内的应力作用。因为，在多量子阱层50中最靠近P型层60的一个周期结构中，量子阱层51为InyGa1-yN，量子垒层52为由多个相互交替生长的AlxGa1-xN子层521和GaN子层522构成的超晶格结构，由于AlxGa1-xN子层中的AlN与量子阱层51中的InN的晶格常数差别较大，减少与量子阱层51相邻近的AlxGa1-xN子层521中的Al组分，可以降低上述低量子阱层51和量子垒层52之间的应力作用，故优选AlxGa1-xN子层511中Al组分随着生长顺序递增。
具体地，该超晶格结构包括：2～20个交替生成的AlxGa1-xN子层521和GaN子层522。
具体地，该超晶格结构生长厚度的取值范围不超过100nm。
在实际应用中，该超晶格结构的生长厚度可以根据实际需求确定，优选的，超晶格结构生长厚度的取值范围为10～40nm。另外，在生长该超晶格结构时，AlxGa1-xN子层521和GaN子层522的生长厚度可以相同，也可以不相同。
具体地，该超晶格结构可以为掺杂结构。
在本实施例中，该超晶格结构可以少量掺杂的掺杂结构。
进一步地，该超晶格结构中的掺杂元素可以为硅或者锗，该超晶格结构中的电子浓度的取值范围可以为1017～1018cm-3。
在本实施例中，该超晶格结构中如果掺入适量的掺杂，则可以提高发光二极管的抗静电能力。具体地，适量掺杂的时候可以提高该超晶格结构中载流子的浓度，因此电流可以更好地通过该层，不会由于电流聚集导致热击穿，因此发光二极管的抗静电能力会提高。
需要说明的是，该超晶格结构中，如果掺杂较多，则可能会影响到多量子阱层的质量，引起发光二极管的反向工作电压的下降。故该超晶格结构的掺杂量需要根据实际情况确定。
具体地，该超晶格结构的生长温度的取值范围为880°～930°。
在本实施例中，最靠近P型层60的量子垒层52的生长温度、生长气氛与多量子阱层50中其他的量子垒层52的一样，只是在生长最靠近P型层60的量子垒层52时，通入的Mo源不同。
进一步地，多量子阱层50中的量子阱层51可以为InyGa1-yN，0＜y＜1。
在本实施例中，量子阱层51中的In含量可以根据实际需求来确定，例如制备蓝绿光发光二极管与制备红黄光发光二极管时，量子阱层51中的In含量不同。另外，量子阱层51的生长温度与In含量相关，故量子阱层51的生长温度也需要根据实际需求来确定。
在本实施例中，多量子阱层50中除了最靠近P型层60的量子垒层51外，其他的量子垒层51可以为GaN。
进一步地，缓冲层20生长厚度的取值范围可以为10nm～30nm；
无掺杂的GaN层30生长厚度的取值范围可以为1μm～3μm；
N型层40生长厚度的取值范围可以为1μm～2μm；
P型层60生长厚度的取值范围可以为200nm～1μm。
进一步地，缓冲层20的生长温度的取值范围可以为530°～550°；
无掺杂的GaN层30的生长温度的取值范围可以为1070°～1100°；
N型层40的生长温度的取值范围可以为1070°～1100°；
P型层60的生长温度的取值范围可以为940°～970°。
在本实施例中，N型层40可以为N型GaN，其包括但不限于Si掺杂，还可以采用其他掺杂，例如Ge掺杂。P型层60可以为复合结构，该复合结构包括P型AlGaN电子阻挡子层、P型GaN子层、以及P型GaN接触子层。其中，P型层60的掺杂元素包括但不限于镁。
本发明实施例通过将外延片的多量子阱层中最靠近P型层的量子垒层设置为超晶格结构，该超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1-xN子层和GaN子层，0＜x＜1，其中，AlxGa1-xN子层中Al的组分随着生长顺序递变，一方面，可以提高最靠近P型层的量子垒层的势垒，进而能有效阻碍多量子阱层中的电子溢流，增大外延片的内量子效率；另一方面，超晶格结构中Al组分随着生长顺序递变，可以缓解超晶格结构与P型层的接触面的导带底向下弯曲，使得该导带底高于电子的准费米能级，从而可以改善因电子在导带底聚集引起的电子溢流；另外由于该接触面的电荷密度降低，该接触面的极化电场强度也随之减弱，这样空穴需要克服的有效位势高度降低，P型层中的空穴注入多量子阱层中的注入效率提高，进而增大了外延片的内量子效率，也增大了发光二极管的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底(10)、和依次覆盖在所述衬底(10)上的缓冲层(20)、无掺杂的GaN层(30)、N型层(40)、多量子阱层(50)、以及P型层(60)，其特征在于，所述多量子阱层(50)为多周期结构，每个所述周期结构包括：量子阱层(51)和覆盖在所述量子阱层(51)上的量子垒层(52)，最靠近所述P型层(60)的所述量子垒层(52)为超晶格结构，所述超晶格结构包括：多个交替生长的AlxGa1-xN子层(521)和GaN子层(522)，0＜x＜1，所述AlxGa1-xN子层(521)中Al的组分随着生长顺序递变。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述AlxGa1-xN子层(521)中Al的组分随着生长顺序递增。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构包括：2～20个交替生长的AlxGa1-xN子层(521)和GaN子层(522)。
4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构生长厚度的取值范围不超过100nm。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构为掺杂结构。
6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构中的掺杂元素为硅或者锗，所述超晶格结构中电子浓度的取值范围为1017～1018cm-3。
7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构的生长温度的取值范围为880°～930°。
8.根据权利要求1-7所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层(50)中的量子阱层(51)为InyGa1-yN，0＜y＜1。
9.根据权利要求1-7所述的外延片，其特征在于，所述缓冲层(20)生长厚度的取值范围为10nm～30nm；
所述无掺杂的GaN层(30)生长厚度的取值范围为1μm～3μm；
所述N型层(40)生长厚度的取值范围为1μm～2μm；
所述P型层(60)生长厚度的取值范围为200nm～1μm。
10.根据权利要求1-7所述的外延片，其特征在于，所述缓冲层(20)的生长温度的取值范围为530°～550°；
所述无掺杂的GaN层(30)的生长温度的取值范围为1070°～1100°；
所述N型层(40)的生长温度的取值范围为1070°～1100°；
所述P型层(60)的生长温度的取值范围为940°～970°。
CN201510266884.XA 2015-05-22 2015-05-22 一种发光二极管外延片 Active CN104993028B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510266884.XA CN104993028B (zh) 2015-05-22 2015-05-22 一种发光二极管外延片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510266884.XA CN104993028B (zh) 2015-05-22 2015-05-22 一种发光二极管外延片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104993028A true CN104993028A (zh) 2015-10-21
CN104993028B CN104993028B (zh) 2018-07-06

Family

ID=54304812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510266884.XA Active CN104993028B (zh) 2015-05-22 2015-05-22 一种发光二极管外延片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104993028B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108110104A (zh) * 2018-01-18 2018-06-01 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN108767078A (zh) * 2018-04-02 2018-11-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN109103310A (zh) * 2018-09-03 2018-12-28 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提升氮化镓基led发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法
CN109192824A (zh) * 2018-09-03 2019-01-11 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提升氮化镓基发光二极管亮度的外延片及生长方法
CN110660872A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 中国科学技术大学 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件
CN114335272A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光二极管及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825500B1 (en) * 1999-08-23 2004-11-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Light-emitting thyristor and self-scanning light-emitting device
CN102623599A (zh) * 2012-04-25 2012-08-01 华灿光电股份有限公司 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管
CN102820392A (zh) * 2012-08-31 2012-12-12 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管的外延片及其制造方法
CN103730552A (zh) * 2014-01-03 2014-04-16 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种提高led发光效率的外延生长方法
CN103887380A (zh) * 2014-03-28 2014-06-25 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种紫光led的外延生长方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825500B1 (en) * 1999-08-23 2004-11-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Light-emitting thyristor and self-scanning light-emitting device
CN102623599A (zh) * 2012-04-25 2012-08-01 华灿光电股份有限公司 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管
CN102820392A (zh) * 2012-08-31 2012-12-12 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管的外延片及其制造方法
CN103730552A (zh) * 2014-01-03 2014-04-16 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种提高led发光效率的外延生长方法
CN103887380A (zh) * 2014-03-28 2014-06-25 西安神光皓瑞光电科技有限公司 一种紫光led的外延生长方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108110104A (zh) * 2018-01-18 2018-06-01 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN108110104B (zh) * 2018-01-18 2021-01-22 厦门乾照光电股份有限公司 一种发光二极管及其制备方法
CN108767078A (zh) * 2018-04-02 2018-11-06 华灿光电(苏州）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN109103310A (zh) * 2018-09-03 2018-12-28 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提升氮化镓基led发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法
CN109192824A (zh) * 2018-09-03 2019-01-11 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种提升氮化镓基发光二极管亮度的外延片及生长方法
CN110660872A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 中国科学技术大学 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件
CN114335272A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104993028B (zh) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104993028B (zh) 一种发光二极管外延片
CN103730557B (zh) 一种具有新型的p型电子阻挡层结构的发光二极管的生长方法
CN104810442B (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN103500780B (zh) 一种氮化镓基led外延结构及其制备方法
CN103681985B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制作方法
US20180269349A1 (en) Nitride semiconductor structure
CN105826440B (zh) 氮化镓基发光二极管及其制备方法
CN105990479A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法
CN103165777B (zh) 具有梯形结构的n型插入层的led外延片及其生长方法
CN105449051B (zh) 一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法
CN106159048B (zh) 一种发光二极管外延片及其生长方法
CN105428482A (zh) 一种led外延结构及制作方法
CN104681676B (zh) 一种发光二极管外延片
CN105206726A (zh) 一种led结构及其生长方法
CN104641475B (zh) 一种发光装置
Kurin et al. Characterization of HVPE‐grown UV LED heterostructures
CN103594579B (zh) 一种氮化物发光二极管的外延结构
CN103178178A (zh) 一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法
CN101289173B (zh) 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
CN109962132A (zh) 发光二极管外延片及其制造方法
CN108365060B (zh) GaN基LED的外延结构及其生长方法
CN105405947A (zh) 新型发光二极管外延片及其制备方法
RU83655U1 (ru) Светодиодная гетероструктура с множественными ingan/gan квантовыми ямами
CN105990477A (zh) 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法
KR20090030652A (ko) 질화물계 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant