CN110655834A - Pet基膜底涂剂、改性pet膜和cmos芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用 - Google Patents

Pet基膜底涂剂、改性pet膜和cmos芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电子元件制备技术领域，公开了一种PET基膜底涂剂，其组分包括溶剂以及粘接组分，粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48‑0.72份、硅烷偶联剂0.8‑1.2份以及聚乙烯醇8‑12份。还公开了上述底涂剂的制备方法，即将上述各种组分混合均匀。还公开了改性PET膜，在PET基膜的一面涂布上述底涂剂。该改性PET膜与UV减粘胶层的粘接性好。还公开了CMOS芯片切割工艺用胶带，包括：依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由上述的底涂剂涂布得到。还公开了以及上述胶带的制备方法。上述胶带应用在CMOS芯片切割工艺中时厚度变化量小，UV照射前具有优异的粘接性能。

Description

PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其 制备方法与应用
技术领域
本发明涉及电子元件制备技术领域，具体而言，涉及PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用。
背景技术
图像传感器是相机的一个重要组成部分，主要完成将相机外界光信号转变为电信号的任务，然后经过一系列电信号的处理，进而转换成可以在显示器上或其他显示设备上显示的图像。应用最为广泛的图像传感器是电荷耦合器件(CCD，Charge Coupled Device)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal OxideSemiconductor)图像传感器。
CMOS图像传感器芯片采用了CMOS工艺，可将图像采集单元和信号处理单元集成在一块芯片上不仅降低了功耗，而且具有重量较轻，占用空间减少以及总体价格更低的优点，在成像应用中，如今智能手机摄像头大多采用CMOS图像传感器，在水下探测、空间对地遥感等成像领域，CMOS图像传感器也有可能取代CCD图像传感器，进而逐渐成为多数成像领域图像传感器的主要选择。
CMOS工艺封装工段要把成品从做好的晶圆片上切割成独立芯片，需要使用胶带作为承载用，因材料分为不同材质的多层，切割工艺分两步走，先进行芯片的半切割，再完成最终切割。其中半切割工艺对TTV(total thickness variation)有较高的要求，且切割时胶带要保持一定粘性防止晶圆抖动造成损伤，切割后要求承载胶带容易撕除，传统非UV减粘胶带撕除容易造成切割处断裂，常用的PO基材UV减粘胶带，因基材TTV偏差较大，容易造成损伤电路，导致良率下降。
鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明提供的PET基膜底涂剂及其制备方法以及改性PET膜及其制备方法，旨在改善PET基膜与UV减粘胶层的粘接力度小的问题。
本发明提供CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法，旨在改善CMOS芯片切割工艺中胶带厚度变化过大的问题。
本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带应用于CMOS芯片切割工艺中时，能得到品质更好的CMOS芯片。
本发明是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供了一种PET基膜底涂剂，其组分包括溶剂以及粘接组分，粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48-0.72份、硅烷偶联剂0.8-1.2份以及聚乙烯醇8-12份。
在本发明可选的实施方式中，溶剂的用量与聚乙烯醇的质量之比为100:8-12；
在本发明可选的实施方式中，溶剂为小分子醇，每个小分子醇分子中所含羟基数为1-4个；
在本发明可选的实施方式中，小分子醇包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇以及丙三醇中至少一种。
在本发明可选的实施方式中，PET基膜底涂剂的组分还包括水，水的质量与溶剂的质量之比为10-20:100。
第二方面，本发明实施例提供了一种PET基膜底涂剂的制备方法，包括将上述任一种PET基膜底涂剂的各种组分混合均匀。
在本发明可选的实施方式中，天然橡胶以天然橡胶乳液的形式与其余组分混合；
在本发明可选的实施方式中，按重量份数计粘接组分中，天然橡胶乳液的用量为0.8-1.2份。
第三方面，本发明实施例提供了一种改性PET膜，包括PET基膜以及在PET基膜的一面涂布上述任一种PET基膜底涂剂或上述任一种PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂形成的底涂剂层。
第四方面，本发明实施例提供了一种改性PET膜的制备方法，包括在PET基膜的一面涂布上述任一种PET基膜底涂剂或上述任一种PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂以形成底涂剂层。
第五方面，本发明实施例提供了一种CMOS芯片切割工艺用胶带，包括依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由上述任一种PET基膜底涂剂或上述任一种PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂涂布形成。
在本发明可选的实施方式中，UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布形成，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份；
在本发明可选的实施方式中，基胶包括质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮；
在本发明可选的实施方式中，UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份；进一步优选地，稀释剂为乙酸乙酯；
在本发明可选的实施方式中，多官能团光敏树脂包括乙二醇类二丙烯酸酯、丙二醇类二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、环氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、异氰酸酯单体及预聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、纯丙烯酸树脂低聚物中的至少一种；更优选地，多官能团光敏树脂为三官能光敏树脂：CN929，沙多玛；
在本发明可选的实施方式中，光引发剂包括苯偶姻、苯偶酰衍生物、ɑ-羟基酮衍生物、ɑ-氨基酮衍生物、酰基膦氧化物、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎓盐以及芳茂铁盐中至少一种；优选地，光引发剂为：IC-184，BASF；
在本发明可选的实施方式中，固化剂包括有机过氧化物、多异氰酸酯和金属螯合物中至少一种；
在本发明可选的实施方式中，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂13-17份、光引发剂2-3份以及固化剂1-1.2份。
第六方面，本发明实施例提供了一种CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，包括：在PET基膜上依次设置底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由上述任一种PET基膜底涂剂或上述任一种PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂涂布形成；
在本发明可选的实施方式中，在PET基膜上依次设置底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜后得到胶带初品，将胶带初品干燥后常温熟成制得胶带成品；
在本发明可选的实施方式中，干燥温度为100-120℃，干燥时间为2-3分钟；
在本发明可选的实施方式中，常温熟成时间为6-8天；
在本发明可选的实施方式中，底涂剂在PET基膜上的涂布量为0.5-1g/m2；UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布量为20-24g/m2；
在本发明可选的实施方式中，PET基膜的厚度为80-120μm；
在本发明可选的实施方式中，离型膜为单面涂硅PET离型膜；更优选地，离型膜厚度为30-50μm；
在本发明可选的实施方式中，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份；更优选地，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂13-17份、光引发剂2-3份以及固化剂1-1.2份；更优选地，UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份；进一步优选地，稀释剂为乙酸乙酯；
在本发明可选的实施方式中，基胶的制备方法包括：将质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮混合均匀得到初级基胶混合液，将初级基胶混合液中的一部分置于容器中升温至75-95℃，保温20-40min后，将初级基胶混合液中的剩余部分滴加至容器中，滴加时间为2.5-3.5h，滴加完后保温3-5h；更优选地，滴加过程为边搅拌边滴加；更优选地，升温的那份初级基胶混合液占总的初级基胶混合液质量的50％-70％。
第七方面，本发明实施例提供如前述实施方式的CMOS芯片切割工艺用胶带或如前述实施方式的CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法制得的CMOS芯片切割工艺用胶带在CMOS芯片切割工艺中的应用。
本发明具有以下有益效果：
本发明通过上述设计得到的PET基膜底涂剂，由于是以合理配比的天然橡胶、硅烷偶联剂、聚乙烯醇以及溶剂组成，这几种组分相互配合协同作用，将该底涂剂涂布至PET基膜的一面能提高PET基膜与UV减粘胶层之间的粘接强度，使以PET材料为基膜的CMOS芯片切割工艺用胶带在满足厚度变化量较小的前提下，UV照射前具有优异的粘接性能，UV照射后具有优异的剥离性能。
本发明通过上述设计得到的PET基膜底涂剂的制备方法，能制得本发明提供的PET基膜底涂剂。
本发明通过上述设计得到的改性PET膜，由于其在PET基膜的一面涂布有本发明提供的PET基膜底涂剂，该改性PET膜用于制造CMOS芯片切割工艺用胶带时，与UV减粘胶层的粘接性好。
本发明通过上述设计得到的改性PET膜的制备方法，可制得本发明提供的改性PET膜。
本发明通过上述设计得到的CMOS芯片切割工艺用胶带，由于该胶带的基膜为PET基膜，且在PET基膜与UV减粘胶层之间涂布有本发明提供的底涂剂，ET基膜与UV减粘胶层之间的粘接性能好，因此该胶带具有应用在CMOS芯片切割工艺中时厚度变化量小，UV照射前具有优异的粘接性能，UV照射后具有优异的剥离性能。
本发明通过上述设计得到的CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，能制得本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带。
本发明通过上述设计得到的CMOS芯片切割工艺用胶带应用于CMOS芯片切割工艺中时，能制得品质好的CMOS图像传感器芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为百格附着力为5B时对应的示意图；
图2为百格附着力为4B时对应的示意图；
图3为百格附着力为3B时对应的示意图；
图4为百格附着力为2B时对应的示意图；
图5为百格附着力为1B时对应的示意图；
图6为百格附着力为0B时对应的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例提供的PET基膜底涂剂、改性PET膜和CMOS芯片切割工艺用胶带及其制备方法与应用进行具体说明。
本发明实施例提供的一种PET基膜底涂剂，其组分包括溶剂以及粘接组分，粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48-0.72份、硅烷偶联剂0.8-1.2份以及聚乙烯醇8-12份。
为了使得CMOS芯片切割工艺用胶带满足CMOS芯片切割工艺对TTV(totalthickness variation，总厚度变化)的要求，发明人发现选用PET膜替换现有的PO基材可以有效改善胶带的TTV，但是PET基材对UV减粘胶水附着力较差。
硅烷偶联剂通过和基材表面与胶层产生强次价键增加附着力起到主力提高附着力的作用(4B)；天然橡胶包覆偶联剂主要补充粘性并缓冲UV收缩效果，聚乙烯醇辅助提高附着力(2B)，上述三种成分相互配合协同作用，使得底涂剂涂覆在PET基膜上后可加强UV减粘胶层与PET基膜之间的粘接强度。
优选地，溶剂的用量与聚乙烯醇的质量之比为100:8-12。此用量范围的溶剂可保证粘接组分完全溶解相互分散均匀。溶剂为小分子醇，每个小分子醇分子中所含羟基数为1-4个。之所以选择小分子醇主要是从底涂剂的流平性上考虑，选用的溶剂分子量较大可能会导致底涂剂的流平性变差。在本发明中小分子醇主要指分子量小于500的醇。更优选地，小分子醇包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇以及丙三醇中至少一种。在本发明各实施例中，选用甲醇作用溶剂。
优选地，其组分还包括水。水加入组分中以调节底涂剂的流平性，使底涂剂的流平性更好。优选地，水的质量与溶剂的质量之比为10-20:100。
本发明实施例提供的一种PET基膜底涂剂的制备方法，包括将本发明实施例提供的PET基膜底涂剂的各种组分混合均匀。
优选地，所述天然橡胶以天然橡胶乳液的形式与其余组分混合；天然橡胶直接与其他组分混合难以混合均匀。因此通常在生产过程中直接购买成品天然橡胶乳液用以生产底涂剂，呈乳液状的天然橡胶易于与其他组分混合均匀。优选地，按重量份数计，天然橡胶乳液的用量为0.8-1.2份。在本发明提供的各个实施例中所使用的天然橡胶乳液的质量浓度为60％。
本发明实施例提供的一种改性PET膜，包括PET基膜以及在所述PET基膜的一面涂布本发明实施例提供的基膜底涂剂或本发明实施例提供的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂形成的底涂剂层。
本发明实施例提供的一种改性PET膜的制备方法，包括在PET基膜的一面涂布本发明实施例提供的PET基膜底涂剂或本发明实施例提供的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂以形成底涂剂层。
本发明实施例提供的改性PET膜，其在PET基膜的一面涂布有本发明提供的PET基膜底涂剂，该改性PET膜用于制造CMOS芯片切割工艺用胶带时，与UV减粘胶层的粘接性好。
本发明实施例提供的一种CMOS芯片切割工艺用胶带，包括依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由本发明实施例提供的PET基膜底涂剂的制备方法制得的底涂剂涂布形成。
CMOS芯片切割工艺用胶带由于以PET材质的膜作为基膜，相较于PO基膜可有效改善胶带的TTV，使TTV值满足小于或等于5的要求。又由于在PET基膜和UV减粘胶层之间设置有底涂剂层，能提高UV减粘胶层与PET基膜之间的粘接性能，使SUS剥离强度照射前能达到大于14N/25mm的要求。
优选地，UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布形成，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份。上述组分形成的UV减粘胶水涂布后可形成UV光致可剥离胶层。
具体地，基胶包括质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮。
优选地，UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份；进一步优选地，稀释剂为乙酸乙酯。稀释剂的作用是调节UV减粘胶水的流平性。
优选地，多官能团光敏树脂包括乙二醇类二丙烯酸酯、丙二醇类二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、环氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、异氰酸酯单体及预聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、纯丙烯酸树脂低聚物中的至少一种；在本发明提供的各优选实施例中，多官能团光敏树脂为三官能光敏树脂：CN929，沙多玛。
优选地，光引发剂包括苯偶姻、苯偶酰衍生物、ɑ-羟基酮衍生物、ɑ-氨基酮衍生物、酰基膦氧化物、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎓盐以及芳茂铁盐中至少一种。在本发明提供各优选实施例中，所选用的光引发剂为：IC-184，BASF。
优选地，固化剂包括有机过氧化物、多异氰酸酯和金属螯合物中至少一种。在本发明提供的各优选实施例中，固化剂选用异氰酸酯类固化剂(L-45)。
优选地，UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂13-17份、光引发剂2-3份以及固化剂1-1.2份。
本发明实施例提供的一种CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，包括：在PET基膜上依次设置底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，底涂剂层由本发明实施例提供的PET基膜底涂剂的制备方法制得的底涂剂涂布形成。
具体为：
首先，将UV减粘胶水预先制备好备用，当然也可以直接购买成品UV减粘胶水。UV减粘胶水的制备方法包括：将上述内容中提到CMOS芯片切割工艺用胶带的组分中相同量的基胶、多官能团光敏树脂、光引发剂、固化剂以及稀释剂混合均匀。
基胶制备方法为：将质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮混合均匀得到初级基胶混合液，将初级基胶混合液分成两份，将其中一份于容器中升温至75-95℃，保温20-40min后，将另一份滴加至容器中，滴加时间为2.5-3.5h，滴加完后保温3-5h；更优选地，滴加过程为边搅拌边滴加；更优选地，升温的那份初级基胶混合液占总的初级基胶混合液质量的50-70％。
其次，在自动涂膜机上用RSD10#线棒将底涂剂均匀的涂在PET基膜上，PET基膜选用厚度为80-120μm的PET基膜均可。在本发明提供的各个实施例中，PET基膜为100μm厚的PET基膜(仪化东丽，PY2)。为保证粘接效果，底涂剂的涂布量为0.5-1g/m2。
然后，在涂布有底涂剂的PET基膜上涂布UV减粘胶水，为保证CMOS芯片切割工艺用胶带的使用品质，涂布量为20-24g/m2以形成UV减粘胶层。涂布完成后向UV减粘胶层上设置离型膜得到胶带初品。优选地，离型膜为单面涂硅PET离型膜，更优选地，离型膜厚度为30-50μm。在本发明提供的各个实施例中选用的离型膜的厂商及型号为：日本东丽，XP3BR。
将胶带初品置于烘箱中，在100-120℃下干燥2-3分钟，然后在常温下熟成6-8天得到胶带成品。
本发明实施例提供的CMOS芯片切割工艺用胶带可在CMOS芯片切割工艺中应用，应用在CMOS芯片切割工艺中时，SUS剥离强度照射前能达到大于14N/25mm的要求，而TTV值又能满足小于或等于3的要求。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本发明实施例提供了一种PET基膜底涂剂，其组分按重量份计包括：天然橡胶乳液1份、硅烷偶联剂1份、聚乙烯醇10份、水15份以及甲醇100份。
本实施例提供了一种CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，包括：
制备基胶：将质量比为：40:10:100:1.5:20:100:30的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮混合均匀得到初级基胶混合液，将初级基胶混合液分成质量比为6:4的两份，将占初级基胶混合液质量60％的其中一份置于反应釜中边搅拌边升温至78℃，保温30min后，将另一份滴加至反应釜中，滴加过程持续搅拌，滴加时间为3h，滴加完后保温4h。
制备UV减粘胶水：按重量份计将100份基胶、15份三官能光敏树脂(CN 929，沙多玛)、2光引发剂(IC-184，BASF)、1.1份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和18份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
在自动涂膜机上用RSD10#线棒将本实施例提供的底涂剂均匀地涂在100μm厚的PET(仪化东丽，PY2)基材膜上，底涂剂的涂布量为0.8g/㎡，得到底涂剂层。
在底涂剂层上涂布UV减粘胶水以形成UV减粘胶层。UV减粘胶水的涂布量为22g/㎡得到UV减粘胶层。
然后在UV减粘胶层上设置厚度为36μm的离型膜(日本东丽，XP3BR)，得到胶带初品。
将胶带初品置于烘箱中，在110℃下干燥2分钟，然后在常温下熟成7天得到胶带成品。
实施例2
本实施例提供了一种PET基膜底涂剂，以及CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法。
本实施例与实施例1基本相同，不同之处仅在于：
底涂剂的组分按重量份数计包括：天然橡胶乳液0.8份、硅烷偶联剂1.2份、聚乙烯醇8份、水20份以及甲醇100份。
基胶中丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮的质量比为：37:12:90:1.7:18:100:35。基胶制备过程中将初级基胶混合液分成质量比为7:4的两份，质量占比为70％的作为升温份初级基胶混合液，另一份作为滴加份初级基胶混合液。将升温份初级基胶混合液置于反应釜中升高温度为75℃，保温30min后开始向反应釜中滴加滴加份初级基胶混合液，滴加时间为2.5h，滴加完后保温5h。
UV减粘胶水：按重量份计为将100份基胶、13份三官能光敏树脂(CN929，沙多玛)、3光引发剂(IC-184，BASF)、1.2份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和14份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
底涂剂的涂布量为1g/㎡。UV减粘胶水的涂布量为20g/㎡。
将胶带初品置于烘箱中，在100℃下干燥3分钟，然后在常温下熟成6天得到胶带成品。
实施例3
本实施例提供了一种PET基膜底涂剂，以及CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法。
本实施例与实施例1基本相同，不同之处仅在于：
底涂剂的组分按重量份数计包括：天然橡胶乳液1.2份、硅烷偶联剂0.8份、聚乙烯醇12份、水10份以及甲醇100份。
基胶中丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮的质量比为：43:8:110:1.3:22:100:25。基胶制备过程中将初级基胶混合液分成质量比为6:4的两份，质量占比为60％的作为升温份初级基胶混合液，另一份作为滴加份初级基胶混合液。将升温份初级基胶混合液置于反应釜中升高温度为80℃，保温20min后开始向反应釜中滴加滴加份初级基胶混合液，滴加时间为3.5h，滴加完后保温3h。
UV减粘胶水：按重量份计为将100份基胶、13份三官能光敏树脂(CN929，沙多玛)、3光引发剂(IC-184，BASF)、1份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和21份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
底涂剂的涂布量为0.5g/㎡。UV减粘胶水的涂布量为24g/㎡。
将胶带初品置于烘箱中，在120℃下干燥2分钟，然后在常温下熟成8天得到胶带成品。
实施例4
本实施例提供了一种PET基膜底涂剂，以及CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法。
本实施例与实施例1基本相同，不同之处仅在于：
底涂剂的组分按重量份数计包括：天然橡胶乳液1.2份、硅烷偶联剂0.8份、聚乙烯醇12份、水10份以及甲醇100份。
基胶中丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮的质量比为：43:8:110:1.3:22:100:25。基胶制备过程中将初级基胶混合液分成质量比为5:5的两份，将其中一份作为升温份初级基胶混合液，另一份作为滴加份初级基胶混合液。将升温份初级基胶混合液置于反应釜中升高温度为95℃，保温20min后开始向反应釜中滴加滴加份初级基胶混合液，滴加时间为3.5h，滴加完后保温3h。
UV减粘胶水：按重量份计为将100份基胶、13份三官能光敏树脂(CN929，沙多玛)、3光引发剂(IC-184，BASF)、1份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和21份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
底涂剂的涂布量为0.5g/㎡。UV减粘胶水的涂布量为24g/㎡。
将胶带初品置于烘箱中，在120℃下干燥2分钟，然后在常温下熟成8天得到胶带成品。
实施例5
本实施例提供了一种PET基膜底涂剂，以及CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法。
本实施例与实施例1基本相同，不同之处仅在于：
UV减粘胶水：按重量份计为将100份基胶、5份三官能光敏树脂(CN929，沙多玛)、0.5光引发剂(IC-184，BASF)、0.1份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和16份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
实施例6
本实施例提供了一种PET基膜底涂剂，以及CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法。
本实施例与实施例1基本相同，不同之处仅在于：
UV减粘胶水：按重量份计为将100份基胶、25份三官能光敏树脂(CN929，沙多玛)、5份光引发剂(IC-184，BASF)、4份异氰酸酯类固化剂(L-45，)和18份乙酸乙酯稀释剂混合均匀。
对比例1
本对比例与实施例1基本相同，不同之处仅在于底涂剂中未加入天然橡胶乳液。
对比例2
本对比例与实施例1基本相同，不同之处仅在于底涂剂中未加入硅烷偶联剂。
对比例3
本对比例与对比例1基本相同，不同之处仅在于将硅烷偶连接替换为异佛尔酮二异氰酸酯。
对比例4
本对比例与对比例1基本相同，不同之处仅在于未涂布底涂剂。
对比例5
本对比例所选用的UV减粘胶水与实施例1相同，胶带的制备方法为：
将UV减粘胶水涂布在离型膜(日本东丽，XP3BR)上，涂布量与实施例1相同，然后转印在150μmPO基材膜面常温熟成7天。
实验例
测实施例1和对比例1-5制得的胶带UV照射前后的SUS剥离强度、厚度变化量以及百格附着力。
胶带UV照射前后的SUS剥离强度的测试方法为：国标GB/T 2792-2014厚度变化量的测试方法为：取300mm×300mm的胶带样品不少于3块，撕除离型膜，使用千分尺分别沿横纵向每隔约30mm测试胶带厚度，记录厚度数据，以此判断厚度变化量。
胶层百格附着力测试方法：
取25mm×200mm样条，撕除离型膜；2.以百格刀对胶层横纵向各划一刀；3.将百格刀割划过的胶带以压辊贴在光滑的镜面钢板上，放置30min；4.用LED光源曝光400mJ/c㎡；5.以拉力试验机用300mm/min的速度将胶带剥离；6.根据胶带在光滑钢板上的残留进行判断。胶层百格附着力判断标准如表1所示。
将各组测试结果记录至表2。
表1百格附着力判断标准
Figure BDA0002232739560000151
Figure BDA0002232739560000161
表1中提到的图1-图5中，横线和竖线代表划痕，黑色阴影部分代表剥落区域。
表2各组胶带性能测试结果
Figure BDA0002232739560000162
表2中的工艺要求并非是现有的行业工艺要求，而是发明人对现有技术方案进行改进后要求达到的工艺要求。
从表2能够看出，实施例1提供的胶带，在UV照射前SUS剥离强度大于14N/25mm，满足CMOS芯片切割工艺要求。且实施例1提供的胶带UV照射后玻璃强度小于0.2N/25mm，UV照射后便于玻璃，满足剥离要求。厚度变化量在为5μm范围内，满足CMOS芯片切割工艺要求，百格附着力为4B可见UV减粘胶层与PET基膜之间的粘接性能好。本发明提供的胶带的各项指标均满足工艺要求。对比例1由于底涂剂中未加入天然橡胶乳液，制得的胶带UV照射前的剥离强度无法满足要求。对比例2由于底涂剂中未加入硅烷偶联剂，制得的胶带的百格附着力较差，不满足工艺要求。对比例3将起到粘接作用的硅烷偶连接替换为异佛尔酮二异氰酸酯使得制得的胶带UV照射前的剥离强度无法满足要求。对比例4未涂布底涂剂制得的胶带UV照射后胶层整面脱落无法使用。对比例5则为现有的PO基膜胶带，这种胶带不仅UV照射前SUS剥离强度低，UV照射后剥离强度高，最主要的是厚度变化量太大。
综上所述，本发明提供的PET基膜底涂剂，由于是以合理配比的天然橡胶、硅烷偶联剂、聚乙烯醇以及溶剂组成，这几种组分相互配合协同作用，将该底涂剂涂布至PET基膜与UV减粘胶层之间可加强UV减粘胶层与PET基膜之间的粘接强度，使以PET材料为基膜的CMOS芯片切割工艺用胶带在满足厚度变化量较小的前提下，UV照射前具有优异的粘接性能，UV照射后具有优异的剥离性能。
本发明提供的PET基膜底涂剂的制备方法，能制得本发明提供的PET基膜底涂剂。
本发明提供的改性PET膜，由于其在PET基膜的一面涂布有本发明提供的PET基膜底涂剂，该改性PET膜用于制造CMOS芯片切割工艺用胶带时，与UV减粘胶层的粘接性好。
本发明提供的改性PET膜的制备方法，可制得本发明提供的改性PET膜。
本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带，由于该胶带的基膜为PET基膜，且在PET基膜与UV减粘胶层之间涂布有本发明提供的底涂剂，因该胶带具有应用在CMOS芯片切割工艺中时厚度变化量小，UV照射前具有优异的粘接性能，UV照射后具有优异的剥离性能。
本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，能制得本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带。
本发明提供的CMOS芯片切割工艺用胶带应用于CMOS芯片切割工艺中时，能制得品质好的CMOS图像传感器芯片。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种PET基膜底涂剂，其特征在于，其组分包括溶剂以及粘接组分，所述粘接组分按重量份数计包括：天然橡胶0.48-0.72份、硅烷偶联剂0.8-1.2份以及聚乙烯醇8-12份。
2.根据权利要求1所述的PET基膜底涂剂，其特征在于，所述溶剂的用量与所述聚乙烯醇的质量之比为100:8-12；
优选地，所述溶剂为小分子醇，每个所述小分子醇分子中所含羟基数为1-4个；
优选地，所述小分子醇包括甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇以及丙三醇中至少一种；
优选地，所述PET基膜底涂剂的组分还包括水，所述水的质量与所述溶剂的质量之比为10-20:100。
3.一种PET基膜底涂剂的制备方法，其特征在于，包括将如权利要求1或2所述的PET基膜底涂剂的各种组分混合均匀。
4.根据权利要求3所述的PET基膜底涂剂的制备方法，其特征在于，所述天然橡胶以天然橡胶乳液的形式与其余组分混合；
优选地，按重量份数计所述粘接组分中，所述天然橡胶乳液的用量为0.8-1.2份。
5.一种改性PET膜，其特征在于，包括PET基膜以及在所述PET基膜的一面涂布如权利要求1或2所述的PET基膜底涂剂或如权利要求3或4所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂形成的底涂剂层。
6.一种改性PET膜的制备方法，其特征在于，包括在PET基膜的一面涂布如权利要求1或2所述的PET基膜底涂剂或如权利要求3或4所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂以形成底涂剂层。
7.一种CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，包括依次设置的PET基膜、底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，所述底涂剂层由如权利要求1或2所述的PET基膜底涂剂或如权利要求3或4所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂涂布形成。
8.根据权利要求7所述的CMOS芯片切割工艺用胶带，其特征在于，所述UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布形成，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份；
优选地，所述基胶包括质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮；
更优选地，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份；进一步优选地，所述稀释剂为乙酸乙酯；
优选地，所述多官能团光敏树脂包括乙二醇类二丙烯酸酯、丙二醇类二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二缩三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、环氧丙烯酸低聚物、聚氨脂丙烯酸酯低聚物、异氰酸酯单体及预聚物、聚脂丙烯酸酯低聚物、聚醚丙烯酸酯低聚物、纯丙烯酸树脂低聚物中的至少一种；更优选地，所述多官能团光敏树脂为三官能光敏树脂：CN929，沙多玛；
优选地，所述光引发剂包括苯偶姻、苯偶酰衍生物、ɑ-羟基酮衍生物、ɑ-氨基酮衍生物、酰基膦氧化物、二苯甲酮及其衍生物、三芳基硫鎓盐以及芳茂铁盐中至少一种；优选地，所述光引发剂为：IC-184，BASF；
优选地，所述固化剂包括有机过氧化物、多异氰酸酯和金属螯合物中至少一种；
优选地，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂13-17份、光引发剂2-3份以及固化剂1-1.2份。
9.一种CMOS芯片切割工艺用胶带的制备方法，其特征在于，包括：在PET基膜上依次设置底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜，所述底涂剂层由如权利要求1或2所述的PET基膜底涂剂或如权利要求3或4所述的PET基膜底涂剂的制备方法制得的PET基膜底涂剂涂布形成；
优选地，所述在PET基膜上依次设置底涂剂层、UV减粘胶层以及离型膜后得到胶带初品，将所述胶带初品干燥后常温熟成制得胶带成品；
优选地，干燥温度为100-120℃，干燥时间为2-3分钟；
优选地，常温熟成时间为6-8天；
优选地，底涂剂在PET基膜上的涂布量为0.5-1g/m2；所述UV减粘胶层由UV减粘胶水涂布量为20-24g/m2；
优选地，所述PET基膜的厚度为80-120μm；
优选地，所述离型膜为单面涂硅PET离型膜；更优选地，所述离型膜厚度为30-50μm；
优选地，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂5-25份、光引发剂0.5-5份以及固化剂0.1-4份；更优选地，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分包括：基胶100份、多官能团光敏树脂13-17份、光引发剂2-3份以及固化剂1-1.2份；更优选地，所述UV减粘胶水按重量份数计，其组分还包括稀释剂14-21份；进一步优选地，所述稀释剂为乙酸乙酯；
更优选地，所述基胶的制备方法包括：将质量比为：37-43:8-12:90-110:1.3-1.7:18-22:100:25-35的丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯酸甲酯、BPO引发剂、甲苯、乙酸乙酯以及丙酮混合均匀得到初级基胶混合液，将所述初级基胶混合液中的一部分置于容器中升温至75-95℃，保温20-40min后，将所述初级基胶混合液中的剩余部分滴加至所述容器中，滴加时间为2.5-3.5h，滴加完后保温3-5h；更优选地，滴加过程为边搅拌边滴加；更优选地，升温的那份所述初级基胶混合液占总的所述初级基胶混合液质量的50％-70％。
10.如权利要求7或8所述的CMOS芯片切割工艺用胶带在一种CMOS芯片切割工艺中的应用。
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