CN110635028A - 一种自供电阻变存储器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种自供电阻变存储器及其制备方法，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。本发明采用同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者串联，利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器的开启和关闭，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层的材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体电子领域，尤其涉及一种自供电阻变存储器及其制备方法。
背景技术
阻变存储器是半导体电子领域中非常重要的电子器件，在信息产业和电子工业等领域有着广阔的应用前景。作为一种利用电阻转变效应制作的存储器，阻变存储器主要是利用阻变层中薄膜材料电阻的可逆改变来存储信息，具有结构简单、可重复擦写、操作电压低、非易失性等优点。它被认为是非易失型存储器的最佳候选者，具有广泛的市场前景。阻变存储器的结构类似于平行板电容器“金属-介质层-金属”的三明治结构，其基本结构为底电极/阻变层/顶电极的十字交叉阵列结构，即上下电极为垂直相交，存储介质夹在当中。通过在上下电极上施加电压，在器件存储介质中形成导电细丝而实现存储器阻值的变化，进而实现信息的存储。
由于阻变存储器的非易失性，当电流关掉后，阻变存储器所存储的数据也不会消失。因此，阻变存储器的功耗主要产生于诱导阻变层发生电阻转变的操作电压，而降低阻变存储器的操作电压成为低功耗阻变存储器研制的技术关键所在。目前，国际上很多研究团队致力于开发不同的阻变层材料、优化电极与阻变层界面的接触等手段来制备低功耗的存储器件。对于低功耗阻变存储器的开发而言，自供电技术还尚未见报道。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明旨在提供一种自供电阻变存储器及其制备方法，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能发生电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。
本发明的技术方案如下：
一种自供电阻变存储器，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。
所述自供电阻变存储器，其中，所述阻变存储器件自下而上依次包括第一衬底、第一底电极、阻变层以及第一顶电极。
所述自供电阻变存储器，其中，所述压电器件自下而上依次包括第二衬底、第二底电极、压电层和第二顶电极。
所述自供电阻变存储器，其中，所述阻变层和所述压电层均包含苯丙氨酸二肽层。
一种自供电阻变存储器的制备方法，其中，包括以下步骤：
分别制备阻变存储器件以及压电器件，并将所述阻变存储器件和压电器件串联，以得到所述自供电阻变存储器。
所述的自供电阻变存储器的制备方法，其中，所述阻变存储器件的制备过程具体包括：
在第一衬底上通过旋涂第一溶液制得阻变层，其中，所述第一衬底上带有第一底电极；
在所述阻变层上制备第一顶电极，以得到阻变存储器件。
所述自供电阻变存储器的制备方法，其中，所述在第一衬底上通过旋涂第一溶液制得阻变层具体包括以下步骤：
通过旋涂的方式将第一溶液滴加至所述第一衬底上；
旋涂完成后在第一预设温度下对所述第一衬底进行退火以得到所述阻变层。
所述自供电阻变存储器的制备方法，其中，所述压电器件的制备过程包括以下步骤：
在第二衬底上制备第二底电极；
通过外延生长法在所述第二底电极上制备压电层，其中所述压电层由第二溶液和第三溶液构建；
在所述压电层上制备第二顶电极，获得所述压电器件。
所述自供电阻变存储器的制备方法，其中，所述外延生长法包括以下步骤：
将所述第二溶液滴加到第二底电极上形成种膜；
在第二预设温度下将带有所述种膜的第二衬底材料放置于培养皿中，所述培养皿中制备有第三溶液作为培养液；
培养预设时间段后，取出所述第二衬底材料并干燥以得到所述压电层。
所述自供电阻变存储器的制备方法，其中，所述第一溶液为第一预设浓度的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液；
所述第二溶液为第二预设浓度的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液；
所述第三溶液为苯丙氨酸二肽水溶液。
本发明具有的有益效果为：本发明通过将压电器件阻变存储器件串联，利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器件的开启和关闭，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。
附图说明
图1为本发明提供的自供电阻变存储器示意图；
图2本发明提供的阻变层和压电层中苯丙氨酸二肽的结构图；
图3本发明提供的阻变存储器件的制备过程的流程图；
图4为本发明提供的压电器件压电层的制备过程的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种自供电的阻变存储器及其制备方法，为阻变存储器提供自供电技术，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
本实施例提供了一种自供电的阻变存储器，所述自供电阻变存储器包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。具体地，如图1所示，将所述阻变存储器件11和所述压电器件12通过导线13连接起来，所述压电器件可以产生1～2v的电压，输出电流在毫安级别，可以驱动所述阻变存储器的开启和关闭，使得所述阻变存储器件的阻值发生高阻态和低阻肽的转变，从而实现数据的存储。
所述阻变存储器件(RRAMs)为底电极/阻变层/顶电极的十字交叉阵列结构，即底电极和顶电极间隔布置且垂直相交，阻变层位于底电极和顶电极之间。此外，在本实施例中，所述阻变存储器件还包括第一衬底10，所述第一底电极20蚀刻于所述第一衬底10上，所述阻变层30与所述第一衬底蚀刻有第一底电极20第一侧相连接，所述顶电极40位于所述阻变层30远离所述第一衬底10的一侧，以使得所述第一底电极20和第一顶电极40间隔设置，并且所述阻变层30位于所述第一底电极20和第一顶电极40之间，这样可以通过在第一底电极20和第一顶电极40上施加电压，在阻变层30中形成导电细丝而实现阻变层阻值的变化，进而实现信息的存储。当然，在实际应用中，作为一种利用电阻转变效应制作的阻变存储器件，阻变存储器件主要是利用阻变层中薄膜材料电阻的可逆改变来存储信息。
进一步，由于阻变存储器件的电阻转变行为是借助外加电场来驱动的，使得阻变存储器件在使用是需要连接外部电源，限制了阻变存储器件的使用。由此，本实施例在所述阻变存储器增设压电器件，利用压电效应将机械能转变为电能，并驱动阻变存储器的电阻转变，实现无需外加电源连接条件下的自供电阻变存储器的构建。本实施例将所述压电器件与阻变存储器串联，利用压电效应产生的电能驱动阻变存储器的介质层电阻转变，实现无需外加电源连接条件下的阻变存储器也可以实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。此外，所述压电器件可以根据被施加压力的不同产生不同强度电场，并通过所述电场驱动阻变存储器的开启和关闭。
进一步，在本实施例的一个实现方式中，所述压电器件包括第二衬底100、第二底电极200、压电层300和第二顶电极400，所述所述第二底电极100位于所述第二衬底200上，所述压电层300与第二底电极200远离所述第二衬底的一侧相连接，所述顶电极400位于所述压电层300远离所述第二底电极200的一侧。所述压电层300包括压电材料，所述压电材料以预设尺寸和形貌分布于所述第二底电极200与所述第二顶电极400之间。所述压电材料可以选择具有压电性能的材料，如氧化锌、锆钛酸铅和钛酸钡等无机材料或者短肽等有机小分子材料。
进一步，在本实施例的一个实现方式中，所述阻变层和所述压电层均采用苯丙氨酸二肽层，其结构具体如图2所示。苯丙氨酸二肽具有两亲性质，在水或六氟异丙醇溶液等极性溶液中可以发生自组装形成不同形貌和尺寸的组装体。其中，苯丙氨酸二肽微米结构具有很好的热稳定性和化学稳定性，苯丙氨酸二肽纳米管电子传输效率很高，同时苯丙氨酸二肽还具有较高的共轭体系，容易自组装形成具有不同光电性质的组装体，从而同时具有阻变效应和压电效应。
基于上述自供电阻变存储器，本实施例还提供一种自供电阻变存储器的制备方法，具体包括以下步骤：
分别制备阻变存储器件以及压电器件，并将所述阻变存储器件和压电器件串联，以得到所述自供电阻变存储器。
进一步，如图3所示，所述阻变存储器件的制备过程具体为：
S10、将阻变存储器制备于第一衬底上，所述第一衬底上带有第一底电极。所述第一衬底由PEN(聚对苯二甲酸乙二酯)组成，厚度为1-50微米；所述第一底电极设置于第一衬底上，以条状图案化的形式分布于第一衬底的表面。可选地，所述第一底电极的材料可以为ITO(氧化铟锡)、FTO(氧化锡)、铝、金、银和铜等。最优地，本实施例中在40微米厚度的PEN第一衬底上制备条状图案化的ITO第一底电极。
S20、通过旋涂法将第一溶液滴加至所述第一衬底上。具体地，所述第一溶液为第一预设浓度的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇(HFIP)溶液，HFIP是一种极性较强的溶剂，苯丙氨酸二肽可溶于HFIP自组装形成球状或纤维状短肽组装体。在本实施例的一个可实现方式中，将苯丙氨酸二肽粉末溶于HFIP中以得到第一溶液，所述第一溶液苯丙氨酸二肽的浓度为1-20毫克/毫升。取所述第一溶液0.05-0.2毫升，滴加到带有第一底电极的第一衬底上，所述第一底电极放置于旋转工件上,所述旋转工件转速控制在1000-5000转/分钟，旋涂时间为0.5-2分钟，得到苯丙氨酸二肽薄膜。其中，所述第一溶液的浓度和所述转速可以根据预设的阻变层的厚度进行预先设置。一般地，阻变层苯丙氨酸二肽薄膜厚度控制子在30-50纳米左右，能保证器件正常工作，同时降低操作电压。最优地，本实施例中选取体积为0.1毫升的10毫克/毫升的苯丙氨酸二肽在3000转/分钟下旋涂1分钟得到苯丙氨酸二肽薄膜。
S30、旋涂完成后在第一预设温度下对所述第一衬底进行退火得到所述阻变层。具体地，将旋涂过第一溶液的第一衬底在80-100摄氏度的温度下退火2-10小时，得到所述阻变层。最优地，本实施例将旋涂过第一溶液的第一衬底在100摄氏度下退火2小时，在充分去除溶剂的同时，不破坏苯丙氨酸二肽的结构从而得到阻变层。
S40、在阻变层上制备第一顶电极，得到阻变存储器件。具体地，利用金属掩膜版定义所述第一顶电极的尺寸和形状，并通过热蒸发镀膜法在所述阻变层上制备适当厚度的第一顶电极材料作为第一顶电极。所述第一顶电极的材料可以为ITO(氧化铟锡)、FTO(氧化锡)、铝、金、银和铜。所述第一顶电极厚度为20-50纳米，热蒸发蒸镀速度依据所述第一顶电极的材料而定。例如，当所述第一顶电极为铝电极时，所述蒸镀速度控制在2-3埃米/秒，当所述第一顶电极为金电极或银电极时，所述蒸镀速度控制在0.1埃米/秒。最优地，本实施例中选择30纳米厚的银电极作为所述第一顶电极，可保证压电器件正常工作，若所述第一顶电极的厚度小于30纳米则所述压电器件阻变层太薄导致其稳定性受影响，若所述第一顶电极的厚度大于30纳米则所述压电器件成本增高。
进一步，所述压电器件的制备过程包括以下步骤：
S100、在第二衬底上制备第二底电极。具体地，以PET(聚萘二甲酸乙二醇酯)基底作为第二衬底，厚度为1-50纳米，在所述第二衬底上以热蒸发法蒸镀第二底电极。所述第二底电极的材料可以为ITO(氧化铟锡)、FTO(氧化锡)、铝、金、银和铜。所述第二底电极厚度为20-50纳米，热蒸发蒸镀速度依据所述第二底电极的材料而定。例如，当所述第二底电极为铝电极时，所述蒸镀速度控制在2-3埃米/秒，当所述第二底电极的材料为金电极或银电极时，所述蒸镀速度控制在0.1埃米/秒。最优地，本实施例中在制备过程中使用40纳米的PET衬底作为第二衬底，30纳米的金电极作为所述第二底电极，金电极蒸镀速度控制在0.1埃米/秒。所述PET衬底即柔性衬底，能够承受较高的弯曲，在压力下不易产生裂纹或断裂。
S200、通过外延生长法在所述第二底电极上制备压电层，其中所述压电层由第二溶液和第三溶液构建。具体地，所述压电层选取具有压电效应的苯丙氨酸二肽，通过外延生长法可以在第二底电极上组装苯丙氨酸二肽垂直阵列，所述苯丙氨酸二肽垂直阵列具有良好的光导性质，在压力作用下可以发生极化进而产生电场，从而产生输出电压。
进一步，如图4所示，所述外延生长法包括以下步骤：
S201、将所述第二溶液滴加到第二底电极上形成种膜。具体地，所述第二溶液为第二预设浓度的苯丙氨酸二肽的HFIP溶液，将苯丙氨酸二肽粉末溶于HFIP中以得到所述第二溶液，所述第二溶液苯丙氨酸二肽的浓度为30-60毫克/毫升。将所述第二溶液滴加在第二底电极表面，滴加体积控制在0.1-0.2毫升，室温下放置30分钟，之后在100％湿度的空气放置1分钟得到苯丙氨酸二肽种膜。最优地，本实施例中选取50毫克/毫升第二溶液滴加0.15毫升到第二底电极上得到苯丙氨酸二肽种膜，所述种膜中可以形成苯丙氨酸二肽自组装体，可以用于培养得到所述苯丙氨酸二肽垂直阵列。
S202、在第二预设温度下将带有所述种膜的第二底电极放置于培养皿中，所述培养皿中以第三溶液作为培养液。具体地，将苯丙氨酸二肽粉末溶于水中以得到浓度为2-20毫克/毫升的所述第三溶液作为培养液，将培养液放入培养皿中加热至50-60摄氏度，将所述带有种膜的第二底电极底面朝下放入所述培养皿中。所述种膜中的苯丙氨酸二肽自组装体在苯丙氨酸二肽的水溶液中继续生长，可以培养得到所述苯丙氨酸二肽垂直阵列。最优地，本实施例中，选取2毫克/毫升的第三溶液作为培养液，若所述第三溶液浓度过低，则无法在所述第二底电极上得到由所述苯丙氨酸二肽垂直阵列构成的压电层；若所述第三溶液浓度过高则会造成不必要苯丙的苯丙氨酸二肽的浪费。
S203、培养预设时间段后，取出所述第二衬底并干燥以得到所述压电层。具体地，所述将带有所述种膜的第二底电极在培养皿中培养6-12小时后，取出所述带有所述种膜的第二底电极，用压缩空气吹除剩余的水溶液，形成所述压电层。所述压电层由种膜中的苯丙氨酸二肽自组装体在第二衬底上生长得到的苯丙氨酸二肽垂直阵列构成，所述苯丙氨酸二肽垂直阵列可以在受到外部压力时发生极化进而产生电场，从而产生输出电压。最优地，本实施例中，选取2毫克/毫升的第三溶液作为培养液，培养时间控制在6小时，可以得到形状完好并且排列间距适宜的苯丙氨酸二肽垂直阵列。
S300、在所述压电层上制备第二顶电极，以得到所述压电器件。具体地，再所述压电层上通过热蒸发镀膜法制备适当厚度的第一顶电极材料作为第一顶电极即得到压电器件。所述第二底电极的材料可以为ITO(氧化铟锡)、FTO(氧化锡)、铝、金、银和铜。在本实施例的一个可实现方式中，所述第二底电极厚度为20-50纳米，热蒸发蒸镀速度依据所述第二底电极的材料而定。例如，当所述第二底电极为铝电极时，所述蒸镀速度控制在2-3埃米/秒，当所述第二底电极的材料为金电极或银电极时，所述蒸镀速度控制在0.1埃米/秒。最优地，本实施例中以0.1埃米/秒的蒸镀速度蒸镀30纳米厚的金电极作为第二顶电极，能够在能保证电极质量的同时，防止金属渗入到压电层中。
进一步，得到所述阻变存储器件和压电器件后，将所述阻变存储器件的正极与压电器件的正极相连，将所述阻变存储器的负极与压电器件的负极相连，以得到所述自供电阻变存储器。优选地，选用铜导线将所述阻变存储器件和所述压电器件的正极和正极相连，负极和负极相连。当在所述压电器件上施加压力时，可选地，所述压力可以由弹簧等弹性装置提供。本实施例中，为了便于测量所述压力的大小，采用MARK-10测力计对压电器件施加压力，当所述测力计压力范围在0.1mN-25N时，所述阻变存储器件可以正常工作。在所述压力范围内，压力越大，所述压电器件压力效应越明显，产生的电压越大，越容易实现阻变存储器的开启关闭操作。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
1)制备阻变存储器件。在40微米厚的PEN衬底上制备第一底电极，所述PEN衬底为第一衬底，所述第一衬底上带有条状图案化的ITO作为第一底电极；取10毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.1毫升，滴加到带有第一底电极的第一衬底上，在3000转/分钟下旋涂1分钟，之后100摄氏度下将旋涂过苯丙氨酸二肽的第一衬底退火2小时，得到阻变层；通过掩模版，将条状的30纳米厚的银电极以0.1埃米/秒的速率热蒸发在阻变层上作为第一顶电极，以得到阻变存储器件。
2)制备压电器件。以PET(聚萘二甲酸乙二醇酯)基底40作为第二衬底，在第二衬底上，以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀30纳米厚的金作为第二底电极；取50毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.15毫升滴加在第二底电极表面上，室温下放置半个小时，之后在100％湿度的空气放置一分钟得到种膜；制备2毫克/毫升的苯丙氨酸二肽水溶液10毫升，加入到20×20平方厘米的培养皿中，加热至50摄氏度，将带有种膜的第二衬底底面朝下放入该培养液中。经过六个小时的生长，取出基底，用压缩空气吹除剩余的水溶液，得到压电层。以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀30纳米厚的金作为顶电极，即得到压电器件。
通过铜导线将所述阻变存储器件的正极与所述压电器件的正极相连，将所述阻变存储器的负极与所述压电器件的负极相连，以得到自供电阻变存储器。
实施例2
1)制备阻变存储器件。在1微米厚的PEN衬底上制备第一底电极，所述PEN衬底为第一衬底，所述第一衬底上带有条状图案化的ITO作为第一底电极；取1毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.2毫升，滴加到带有第一底电极的第一衬底上，在1000转/分钟下旋涂2分钟，之后80摄氏度下将旋涂过苯丙氨酸二肽的第一衬底退火10小时，得到阻变层；通过掩模版，将条状的20纳米厚的银电极以0.1埃米/秒的速率热蒸发在阻变层上作为第一顶电极，以得到阻变存储器件。
2)制备压电器件。以1微米厚的PET(聚萘二甲酸乙二醇酯)基底作为第二衬底，在第二衬底上，以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀20纳米厚的金作为第二底电极；取30毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.2毫升滴加在第二底电极表面上，室温下放置半个小时，之后在100％湿度的空气放置一分钟得到种膜；制备10毫克/毫升的苯丙氨酸二肽水溶液10毫升，加入到20×20平方厘米的培养皿中，加热至55摄氏度，将带有种膜的第二衬底底面朝下放入该培养液中。经过12个小时的生长，取出基底，用压缩空气吹除剩余的水溶液，得到压电层。以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀20纳米厚的金作为第二顶电极，即得到压电器件。
通过铜导线将所述阻变存储器件的正极与所述压电器件的正极相连，将所述阻变存储器的负极与所述压电器件的负极相连，以得到自供电阻变存储器。
实施例3
1)制备阻变存储器件。在50微米厚的PEN衬底上制备第一底电极，所述PEN衬底为第一衬底，所述第一衬底上带有条状图案化的ITO作为第一底电极；取20毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.05毫升，滴加到带有第一底电极的第一衬底上，在5000转/分钟下旋涂0.5分钟，之后90摄氏度下将旋涂过苯丙氨酸二肽的第一衬底退火6小时，得到阻变层；通过掩模版，将条状的30纳米厚的银电极以0.1埃米/秒的速率热蒸发在阻变层上作为第一顶电极，以得到阻变存储器件。
2)制备压电器件。以50微米厚的PET(聚萘二甲酸乙二醇酯)基底作为第二衬底，在第二衬底上，以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀50纳米厚的金作为第二底电极；取60毫克/毫升的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液0.1毫升滴加在第二底电极表面上，室温下放置半个小时，之后在100％湿度的空气放置一分钟得到种膜；制备20毫克/毫升的苯丙氨酸二肽水溶液10毫升，加入到20×20平方厘米的培养皿中，加热至60摄氏度，将带有种膜的第二衬底底面朝下放入该培养液中。经过8个小时的生长，取出基底，用压缩空气吹除剩余的水溶液，得到压电层。以0.1埃米/秒的速率热蒸发的方法蒸镀50纳米厚的金作为第二顶电极，即得到压电器件。
通过铜导线将所述阻变存储器件的正极与所述压电器件的正极相连，将所述阻变存储器的负极与所述压电器件的负极相连，以得到自供电阻变存储器。
阻变存储器被认为是非易失型存储器的最佳候选者，在信息产业和电子工业等领域有着广阔的应用前景。本发明采取同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者串联，实现了利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器的开启和关闭，使得阻变存储器件在没有外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种自供电阻变存储器，其特征在于，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。
2.根据权利要求1所述自供电阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器件自下而上依次包括第一衬底、第一底电极、阻变层以及第一顶电极。
3.根据权利要求1所述自供电阻变存储器，其特征在于，所述压电器件自下而上依次包括第二衬底、第二底电极、压电层和第二顶电极。
4.根据权利要求3所述自供电阻变存储器，其特征在于，所述阻变层和所述压电层均包含苯丙氨酸二肽。
5.一种自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
分别制备阻变存储器件以及压电器件，并将所述阻变存储器件和压电器件串联，以得到所述自供电阻变存储器。
6.根据要求5所述的自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述阻变存储器件的制备过程具体包括：
在第一衬底上通过旋涂第一溶液制得阻变层，其中，所述第一衬底上带有第一底电极；
在所述阻变层上制备第一顶电极，以得到阻变存储器件。
7.根据权利要求6所述自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述在第一衬底上通过旋涂第一溶液制得阻变层具体包括以下步骤：
通过旋涂的方式将第一溶液滴加至所述第一衬底上；
旋涂完成后在第一预设温度下对所述第一衬底进行退火以得到所述阻变层。
8.根据权利要求5所述自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述压电器件的制备过程包括以下步骤：
在第二衬底上制备第二底电极；
通过外延生长法在所述第二底电极上制备压电层，其中，所述压电层由第二溶液和第三溶液构建；
在所述压电层上制备第二顶电极，获得所述压电器件。
9.根据权利要求8所述自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述外延生长法包括以下步骤：
将所述第二溶液滴加到第二底电极上形成种膜；
在第二预设温度下将带有所述种膜的第二衬底放置于培养皿中，所述培养皿中以第三溶液作为培养液；
培养预设时间段后，取出所述第二衬底材料并干燥以得到所述压电层。
10.根据权利要求8所述自供电阻变存储器的制备方法，其特征在于，
所述第一溶液为第一预设浓度的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液；
所述第二溶液为第二预设浓度的苯丙氨酸二肽的六氟异丙醇溶液；
所述第三溶液为苯丙氨酸二肽水溶液。
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