CN110631774A - 光电元件氦质谱检漏方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种光电元件氦质谱检漏方法，包括以下步骤：S01、将盛载有待检光电元件的第一料盘放入第一真空容器内；S02、向第一真空容器内注入氦气，并进行密封保压；S03、从第一真空容器内取出第一料盘；S04、将待检光电元件整体转移至第二料盘上；S05、将第二料盘放入第二真空容器内；S06、对第二真空容器抽真空，并利用氦质谱检漏仪对第二真空容器内的气体进行检测分析。本发明采用了第二料盘，通过第二料盘将第一料盘上的待检光电元件一次性地全部转移，并且盛载待检光电元件放入第二真空容器进行氦质谱检漏，从而有效地解决了氦质谱检漏时光电元件需要零散地放入检漏罐的技术问题，确保了氦质谱检漏仪检漏的准确性，提高了光电元件的检漏效率。

Description

光电元件氦质谱检漏方法
技术领域
本发明属于光电元件检漏方法技术领域，更具体地说，是涉及一种光电元件氦质谱检漏方法。
背景技术
用于光通信行业的晶体管式光电元件一般需要经过检漏工序，即检查封装后的光电元件的气密性是否符合要求。目前，光电元件检漏一般是采用氦质谱检漏仪完成。光电元件检漏时，由于盛载光电元件的第一料盘的表面会吸附氦气，如果第一料盘也一起放入漏检罐内，会导致氦质谱检漏仪发生误检，因此一般需要把产品零散地放入检漏罐内，然后启动氦质谱检漏仪进行检漏，然而在光电元件自动化生产线上各个工序都需要装盘，光电元件检漏后必须转回第一料盘中，这样每次检漏都需要重复装盘，严重影响了生产效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光电元件氦质谱检漏方法，包括但不限于解决氦质谱检漏时光电元件需要零散地放入检漏罐的技术问题。
为了实现上述目的，本发明提供了一种光电元件氦质谱检漏方法，包括以下步骤：
S01、将盛载有待检光电元件的第一料盘放入第一真空容器内；
S02、向所述第一真空容器内注入氦气，并进行密封保压；
S03、从所述第一真空容器内取出所述第一料盘；
S04、将所述待检光电元件整体转移至第二料盘上；
S05、将所述第二料盘放入第二真空容器内；
S06、对所述第二真空容器抽真空，并利用氦质谱检漏仪对所述第二真空容器内的气体进行检测分析。
进一步地，所述步骤S04包括：
S041、将所述第二料盘倒扣在所述第一料盘的顶面上；
S042、压紧所述第一料盘和所述第二料盘，将两者位置互换；
S043、将所述第一料盘移除。
可选地，所述第二料盘采用表面光滑的不锈钢材料制成。
进一步地，第二料盘的表面粗糙度为小于或等于1.6微米。
进一步地，所述第二料盘包括：
盘体，所述盘体的表面上设有第二容置部，所述第二容置部与所述第一料盘的第一容置部相对应；
挡板，所述盘体的至少两角部上设有挡板，至少两所述挡板于所述盘体的顶侧围合形成用于容置所述第一料盘的容置区域。
进一步地，所述步骤S02包括：
S021、根据所述待检光电元件的耐压要求设定所述第一真空容器内的含氦压力值；
022、向所述第一真空容器内注入氦气，直至所述第一真空容器内的压力值达到所述含氦压力值；
023、对所述第一真空容器进行密封保压。
进一步地，利用0.5兆帕～0.6兆帕的压力向所述第一真空容器内注入氦气，停止注入氦气后，对所述第一真空容器密封保压2小时。
进一步地，在步骤S06中抽真空后，所述第二真空容器内的气压为10帕以下，对所述第二真空容器密封保压45秒～60秒。
进一步地，所述光电元件氦质谱检漏方法还包括：
S08、完成检漏后，将所述第二料盘从所述第二真空容器内取出；
S09、将完成检漏的光电元件转移至所述第一料盘上。
进一步地，所述步骤S09包括：
S091、将所述第一料盘倒扣在所述第二料盘的顶面上；
S092、压紧所述第一料盘和所述第二料盘，将两者位置互换；
S093、将所述第二料盘移除。
本发明提供的光电元件氦质谱检漏方法的有益效果在于：采用了第二料盘，通过第二料盘将第一料盘上的待检光电元件一次性地全部转移，并且盛载待检光电元件放入第二真空容器进行氦质谱检漏，从而有效地解决了氦质谱检漏时光电元件需要零散地放入检漏罐的技术问题，确保了氦质谱检漏仪检漏的准确性，提高了光电元件的检漏效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的光电元件氦质谱检漏方法的工作流程图；
图2为本发明实施例提供的待检光电元件换盘时的工作状态示意图；
图3为本发明实施例提供的第二料盘的立体示意图；
图4为本发明实施例提供的第二真空容器和氦质谱检漏仪的结构示意图。
其中，图中各附图标记：
10—光电元件、20—第一料盘、30—第二料盘、40—第二真空容器、50—氦质谱检漏仪、31—盘体、32—挡板、200—第一容置部、310—第二容置部、400—抽真空接头。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需说明的是：当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。术语“第一”、“第二”等仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。术语“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
现对本发明提供的光电元件氦质谱检漏方法进行说明。
请参阅图1至图4，该光电元件氦质谱检漏方法包括以下步骤：
S01、将盛载有待检光电元件10的第一料盘20放入第一真空容器(未图示)内；
S02、向第一真空容器内注入氦气，并且进行密封保压；
S03、从第一真空容器内取出第一料盘20；
S04、将待检光电元件10整体转移至第二料盘30上；
S05、将第二料盘30放入第二真空容器40内；
S06、对第二真空容器40抽真空，并且利用氦质谱检漏仪50对第二真空容器40内的气体进行检测分析。
在本发明中，待检光电元件10为晶体管式封装TO-CAN(镭射二极体模组)，第一料盘20为通用料盘，用于盛载多个光电元件10在封装流水线上的各个工位之间流转，这样首先通过第一料盘20盛载光电元件10放入第一真空容器内，有利于光电元件10的流转和批量检漏，提高了光电元件10的检漏效率；接着封盖第一真空容器，使光电元件10处于密闭环境中，接着以一定的压力向第一真空容器内注入氦气，并且保持该压力足够长的时间，确保氦气能够渗入密封性能不达标的光电元件10内；接着将第一料盘20从第一真空容器内取出；接着采用特制的第二料盘30将第一料盘20上的待检光电元件10一次性地全部转移过来，由于第二料盘30的表面光滑不容易沾染氦气，因此有利于确保氦质谱检漏仪50检漏的准确性；接着通过第二料盘30盛载待检的光电元件10放入第二真空容器40内；接着封盖第二真空容器40，使待检光电元件10处于密闭环境中，接着利用抽真空设备连接抽真空接头400对第二真空容器40进行抽真空，当第二真空容器40内气压达到一定气压值时，通过抽真空接头400连接第二真空容器40的氦质谱检漏仪50开始进行检漏。
本发明提供的光电元件氦质谱检漏方法，采用了第二料盘30，通过第二料盘30将第一料盘20上的待检光电元件10一次性地全部转移，并且盛载待检光电元件10放入第二真空容器40进行氦质谱检漏，从而有效地解决了氦质谱检漏时光电元件需要零散地放入检漏罐的技术问题，确保了氦质谱检漏仪50检漏的准确性，提高了光电元件10的检漏效率。
进一步地，请参阅图2，在本发明中，步骤S04具体分为以下小步骤：
S041、将第二料盘30倒扣在第一料盘20的顶面上；优选先将第一料盘20水平放置，然后将第二料盘30的顶面朝下，沿竖直方向套设在第一料盘20上，直至第二料盘30的顶面与第一料盘20的顶面接触。
S042、压紧第一料盘20和第二料盘30，将两者位置互换；即确保在第二料盘30的顶面与第一料盘20的顶面接触的情况下，将原来位于底侧的第一料盘20调整为处于第二料盘30的顶侧，使得待检的光电元件10在自重的作用下，一次性地全部落在第二料盘30上，有利于提高光电元件10的转移效率。
S043、将第一料盘20移除，等待检漏后使用。
可选地，在本发明中，第二料盘30采用表面光滑的不锈钢材料制成。具体地，第二料盘30的表面粗糙度为小于或者等于1.6微米。从而有效地减小了第二料盘30对氦气的吸附。
可选地，请参阅图2和图3，在本发明中，第二料盘30包括盘体31和挡板32，其中，在盘体31的表面上设置有第二容置部310，第二容置部310与第一料盘20的第一容置部200相对应，在盘体31的至少两个角部上设置有挡板32，至少两个挡板32在盘体31的顶侧围合形成用于容置第一料盘20的容置区域。具体地，第一容置部200和第二容置部310分别为通槽或者凹坑等，两者的排布方式一致，第一容置部200的形状与光电元件10的管座的外轮廓形状相适配，第二容置部310的形状与光电元件10的管帽的外轮廓形状相适配，并且第一容置部200分布在第一料盘20的顶面上，第二容置部310分布在盘体31的顶面上，这样当第一料盘20的顶面与第二料盘30的顶面接触，并且第一料盘20与第二料盘30的位置翻转时，待检光电元件10即可在自重的作用下，一次性地从第一料盘20全部落在第二料盘30上，从而提高了光电元件10的转移效率。
进一步地，在本发明中，步骤S02包括：
S021、根据待检光电元件10的耐压要求设定第一真空容器内的含氦压力值；此处设定的含氦压力值为0.5兆帕～0.6兆帕。
022、向第一真空容器内注入氦气，直至第一真空容器内的压力值达到含氦压力值；
023、对第一真空容器进行密封保压，即当停止向第一真空容器内注入氦气后，将第一真空容器内的压力保持在0.5兆帕～0.6兆帕，并且维持2小时，确保氦气有足够的时间渗入密封性能不达标的光电元件10内，为氦质谱检漏仪50检漏做好准备。
进一步地，请参阅图4，在本发明中，在步骤S06中抽真空后，第二真空容器40内的气压为10帕以下，并且对第二真空容器40密封保压45秒～60秒，即在这45秒～60秒内，第二真空容器40内的气压需要维持在10帕以下，同时氦质谱检漏仪50对光电元件10完成检漏。这样抽真空与检漏同时进行，提高了光电元件10的检漏效率。
进一步地，在本发明中，光电元件氦质谱检漏方法还包括：
S08、完成检漏后，将第二料盘30从第二真空容器40内取出；
S09、将完成检漏的光电元件10转移到第一料盘20上，有利于后续工序进行。具体地，步骤S09包括以下小步骤：
S091、将第一料盘20倒扣在第二料盘30的顶面上；优选先将第二料盘30水平放置，然后将第一料盘20的顶面朝下，沿竖直方向伸入挡板32围合形成的容置区域内，直至第一料盘20的顶面与第二料盘30的顶面接触。
S092、压紧第一料盘20和第二料盘30，将两者位置互换；即确保在第一料盘20的顶面与第二料盘30的顶面接触的情况下，将原来位于底侧的第二料盘30调整为处于第一料盘20的顶侧，使得待检的光电元件10在自重的作用下，一次性地全部落回第一料盘20上，有利于提高光电元件10的转移效率。
S093、将第二料盘30移除，为进行下一次检漏做好准备，有利于重复利用。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01、将盛载有待检光电元件的第一料盘放入第一真空容器内；
S02、向所述第一真空容器内注入氦气，并进行密封保压；
S03、从所述第一真空容器内取出所述第一料盘；
S04、将所述待检光电元件整体转移至第二料盘上；
S05、将所述第二料盘放入第二真空容器内；
S06、对所述第二真空容器抽真空，并利用氦质谱检漏仪对所述第二真空容器内的气体进行检测分析。
2.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述步骤S04包括：
S041、将所述第二料盘倒扣在所述第一料盘的顶面上；
S042、压紧所述第一料盘和所述第二料盘，将两者位置互换；
S043、将所述第一料盘移除。
3.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述第二料盘采用表面光滑的不锈钢材料制成。
4.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述第二料盘的表面粗糙度为小于或等于1.6微米。
5.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述第二料盘包括：
盘体，所述盘体的表面上设有第二容置部，所述第二容置部与所述第一料盘的第一容置部相对应；
挡板，所述盘体的至少两角部上设有挡板，至少两所述挡板于所述盘体的顶侧围合形成用于容置所述第一料盘的容置区域。
6.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述步骤S02包括：
S021、根据所述待检光电元件的耐压要求设定所述第一真空容器内的含氦压力值；
022、向所述第一真空容器内注入氦气，直至所述第一真空容器内的压力值达到所述含氦压力值；
023、对所述第一真空容器进行密封保压。
7.如权利要求6所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，利用0.5兆帕～0.6兆帕的压力向所述第一真空容器内注入氦气，停止注入氦气后，对所述第一真空容器密封保压2小时。
8.如权利要求1所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，在步骤S06中抽真空后，所述第二真空容器内的气压为10帕以下，对所述第二真空容器密封保压45秒～60秒。
9.如权利要求1至8任一项所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，还包括：
S08、完成检漏后，将所述第二料盘从所述第二真空容器内取出；
S09、将完成检漏的光电元件转移至所述第一料盘上。
10.如权利要求9所述的光电元件氦质谱检漏方法，其特征在于，所述步骤S09包括：
S091、将所述第一料盘倒扣在所述第二料盘的顶面上；
S092、压紧所述第一料盘和所述第二料盘，将两者位置互换；
S093、将所述第二料盘移除。
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