CN110620031A - 一种晶圆表面颗粒清洗装置 - Google Patents

一种晶圆表面颗粒清洗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110620031A
CN110620031A CN201810638271.8A CN201810638271A CN110620031A CN 110620031 A CN110620031 A CN 110620031A CN 201810638271 A CN201810638271 A CN 201810638271A CN 110620031 A CN110620031 A CN 110620031A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
liquid
fluid
wafer
cleaning device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810638271.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110620031B (zh
Inventor
苗涛
彭博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenyang Core Source Microelectronic Equipment Co Ltd
Original Assignee
Shenyang Core Source Microelectronic Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenyang Core Source Microelectronic Equipment Co Ltd filed Critical Shenyang Core Source Microelectronic Equipment Co Ltd
Priority to CN201810638271.8A priority Critical patent/CN110620031B/zh
Priority to TW108121247A priority patent/TWI718564B/zh
Publication of CN110620031A publication Critical patent/CN110620031A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110620031B publication Critical patent/CN110620031B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明属于晶圆清洗技术领域，特别涉及一种晶圆表面颗粒清洗装置。包括二流体喷嘴及与二流体喷嘴连接的二流体喷嘴控制系统和二流体喷嘴移动系统，其特征在于，二流体喷嘴上设有液体通道和环绕于液体通道的外侧、用于惰性气体通过的环腔，分别由液体通道和环腔喷出的液体和惰性气体在二流体喷嘴的外部混合，液体被雾化后对晶圆的表面进行清洗；二流体喷嘴控制系统用于控制二流体喷嘴喷射液体和气体的喷射性能；二流体喷嘴移动系统用于控制二流体喷嘴的移动。本发明采用二流体喷嘴，通过气体压力与液体流量的合理控制，从而达到既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆的目的。

Description

一种晶圆表面颗粒清洗装置
技术领域
本发明属于晶圆清洗技术领域，特别涉及一种晶圆表面颗粒清洗装置。
技术背景
芯片制造领域，从90纳米以下起，芯片制造的良率就开始有所下降，主要原因之一就在于硅片上的颗粒物污染难以清洗。随着线越做越细，到了45纳米以下，基本上整个工艺中，每两步就要做一次清洗，如果想得到较高良率几乎每步工序都离不开清洗。随着半导体工艺由2D走向3D，硅片清洗提出了新挑战，图形结构晶圆清洗相较于平坦表面的清洗，技术和要求都要复杂得多。随着线宽减小，深宽比的增加，清洗工艺难度也迅速增大，硅片清洗的重要程度日益凸显。为了提高晶圆制程的良率，急需一种既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆表面的清洗装置。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种晶圆表面颗粒清洗装置，以解决图形结构晶圆表面，线宽减小，深宽比的增加，清洗工艺难度增大的问题。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种晶圆表面颗粒清洗装置，包括二流体喷嘴及与所述二流体喷嘴连接的二流体喷嘴控制系统和二流体喷嘴移动系统，所述二流体喷嘴上设有液体通道和环绕于所述液体通道的外侧、用于惰性气体通过的环腔，分别由所述液体通道和所述环腔喷出的液体和惰性气体在所述二流体喷嘴的外部混合，液体被雾化后对晶圆的表面进行清洗；所述二流体喷嘴控制系统用于控制二流体喷嘴喷射液体和气体的喷射性能；所述二流体喷嘴移动系统用于控制所述二流体喷嘴的移动。
所述二流体喷嘴包括喷嘴内芯及套设于所述喷嘴内芯外侧的喷嘴外壳，所述喷嘴外壳与所述喷嘴内芯之间形成所述环腔，所述喷嘴内芯上沿轴向设有所述进液通道，所述进液通道的末端为喷液口，所述喷嘴外壳上设有与所述环腔连通的惰性气体进口，所述环腔的末端设有环绕于所述喷液口外侧的环形喷气口。
所述环腔通过对称设置的两个隔板分隔为两个半环腔，所述惰性气体进口为两个、且分别与两个所述半环腔相连通。
两个所述隔板与所述喷嘴内芯为一体式结构。
所述喷嘴内芯的下端设有与所述喷嘴外壳密封配合的密封头，所述密封头的外圆周上分布有多个布风槽，各所述布风槽的两端分别与所述环腔和所述环形喷气口连通。
所述密封头为直径大于所述喷嘴内芯直径的圆柱体，所述圆柱体的下端为锥形结构，各所述布风槽均沿轴向设置。
所述喷嘴内芯与所述喷嘴外壳螺纹连接，且通过密封圈密封。
所述二流体喷嘴采用聚四氟乙烯材质，所述二流体喷嘴的端部为锥形结构。
所述二流体喷嘴以0-80倾斜角度设置于晶圆的上方，所述二流体喷嘴距离所述晶圆表面的高度为0-10mm。
所述液体通道内的液体流量小于800ml/min；所述环腔内通入的惰性气体的压力为0-0.8Mpa，流量小于200L/min。
本发明的优点及有益效果是：本发明采用二流体喷嘴，通过气体压力与液体流量的合理控制，从而达到既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆的目的。
本发明遵循能量交换原理，将水打散等水滴，并且可以控制其大小和速度，即可以控制水滴能量，从而找到晶圆上被清洗物进行能量交换进行清洗。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明中二流体喷嘴的结构示意图；
图3为本发明中二流体喷嘴的透视图；
图4为图3的仰视图；
图5为本发明中喷嘴内芯的结构示意图；
图6为图5的A-A剖视图；
图7为图5的B-B剖视图；
图8a为本发明在化学液流量为100ml/min状态下晶圆表面损伤趋势和颗粒去除率随惰性气体(N2)压力变化的曲线图(其中：a表示晶圆表面损伤趋势；b表示颗粒去除率)；
图8b为本发明在惰性气体(N2)的压力为0.5Mp状态下晶圆表面损伤趋势和颗粒去除率随化学液流量变化的曲线图(其中：a表示晶圆表面损伤趋势；b表示颗粒去除率)；
图8c为本发明在不同化学液流量下晶圆表面损伤趋势随惰性气体(N2)的压力变化的曲线图(其中：a表示化学液流量为100ml/min；b表示化学液流量为200ml/min)。
图中：1为二流体喷嘴控制系统，2为化学液管路，3为惰性气体管路，4为二流体喷嘴，41为喷嘴内芯，42为密封圈，43为喷嘴外壳，44为进液口，45为液体通道，46为惰性气体进口，47为环腔，48为喷液口，49为环形喷气口，410为隔板，411为驱动凸起，412为外螺纹，413为密封头，414为布风槽，5为晶圆，6为二流体喷嘴移动系统，7为气体和液体流向控制系统，8为晶圆高速旋转驱动装置。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
如图1-2所示，一种晶圆表面颗粒清洗装置，包括二流体喷嘴4及与二流体喷嘴4连接的二流体喷嘴控制系统1和二流体喷嘴移动系统6，二流体喷嘴4上设有液体通道45和环绕于液体通道45的外侧、用于惰性气体通过的环腔47，分别由液体通道45和环腔47喷出的液体和惰性气体在二流体喷嘴4的外部混合，液体被雾化后对晶圆5的表面进行清洗；二流体喷嘴控制系统1用于控制二流体喷嘴4喷射液体和气体的喷射性能；二流体喷嘴移动系统6用于控制二流体喷嘴4的移动。
如图2-4所示，二流体喷嘴4包括喷嘴内芯41及套设于喷嘴内芯41外侧的喷嘴外壳43，喷嘴外壳43与喷嘴内芯41之间形成环腔47，喷嘴内芯41上沿轴向设有进液通道45，进液通道45的末端为喷液口48，喷嘴外壳43上设有与环腔47连通的惰性气体进口46，环腔47的末端设有环绕于喷液口48外侧的环形喷气口49。
进一步地，喷嘴内芯41与喷嘴外壳43螺纹连接，且通过密封圈42密封。进液通道45贯穿整个喷嘴内芯41的圆柱孔，没有突然变径的地方，避免气泡的产生。
如图3所示，环腔47通过对称设置的两个隔板410分隔为两个半环腔，惰性气体进口46为两个、且分别与两个半环腔相连通，双侧进气保证气流均匀，不产生扰流。通过隔板410使气体分散均匀，避免进入环腔47后腔体单侧流量过大，将气流喷出过程中作用均匀。
如图5所示，两个隔板410与喷嘴内芯41为一体式结构，对称设置于喷嘴内芯41的两侧。喷嘴内芯41的下端设有与喷嘴外壳43密封配合的密封头413，密封头413的外圆周上分布有多个布风槽414，各布风槽414的两端分别与环腔47和环形喷气口49连通。
喷嘴内芯41的上端设有圆形的驱动凸起411，通过旋转驱动凸起411，确保喷嘴内芯41可以顺利进入喷嘴外壳43内。喷嘴内芯41的上端设有为喷嘴固定用限位装置，使喷嘴安装时迅速定位，快速安装；限位装置位于驱动凸起411的外侧。
进一步地，如图6-7所示，密封头413为直径大于喷嘴内芯41直径的圆柱体，圆柱体的下端为锥形结构，各布风槽414均沿轴向设置，布风槽414将气流按照规定的路径导出。
二流体喷嘴4采用聚四氟乙烯(PTFE)材质，利用该材料的耐腐蚀、疏水性及自润滑特征可以使该喷嘴应用于各类场合。二流体喷嘴4的端部为锥形结构，锥形结构的设计为了防止水反溅到喷嘴上而不容易滑落。
二流体喷嘴4以0-80倾斜角度设置于晶圆5的上方，二流体喷嘴4距离晶圆5表面的高度为0-10mm。
工作时，液体通道45内的液体流量小于800ml/min；环腔47内通入的惰性气体的压力为0-0.8Mpa，流量小于200L/min，保证气体与液体混合后的动能，压力流量可以进行检测及调节控制。
本发明遵循能量交换原理，将水打散成水滴并且可以控制其大小和速度，即可以控制水滴能量，从而找到晶圆上被清洗物进行能量交换进行清洗，气液充分混合成为高动能液体进行清洗。
本发明的工作原理是：
将晶圆5通过高速旋转驱动装置8定位，同时进行低速旋转，将二流体喷嘴4(Nanoscale Nozzle)通过二流体喷嘴移动系统6移动到距离晶圆5内侧5至10mm的位置，将二流体喷嘴的化学液打开，化学液打开0至2s后将气体(无污染惰性气体均可，根据需要)注入，同时通过二流体喷嘴移动系统6将二流体喷嘴4穿越过整个晶圆5进行清洗，进行多次循环清洗。在清洗过程中，晶圆高速旋转驱动装置8要提速到晶圆5清洗过程中的中间转速，清洗结束后晶圆旋转驱动装置8进行速度提升，高速旋转将二流体喷嘴4击打下来的颗粒及晶圆表面的液体甩掉甩干。
本发明的一实施例中，晶圆高速旋转驱动装置8采用电机驱动，二流体喷嘴移动系统6采用二维移动平台，二流体喷嘴控制系统1通过电磁阀控制供液管路中的液体流量和供气管路中气体流量。
图8a为本发明在化学液流量为100ml/min状态下晶圆表面损伤趋势和颗粒去除率随惰性气体(N2)压力变化的曲线图，其中：a表示晶圆表面损伤趋势；b表示颗粒去除率。
通过实验总结出，当化学液流量保持一定时，惰性气体压力增大到一定程度后，对于晶圆表面损伤数量会增多，并且去除颗粒的效果提升非常小，优选地，惰性气体的压力为0-0.8Mpa。
图8b为本发明在惰性气体(N2)的压力为0.5Mp状态下晶圆表面损伤趋势和颗粒去除率随化学液流量变化的曲线图，其中：a表示晶圆表面损伤趋势；b表示颗粒去除率。
通过实验总结出，当惰性气体压力一定时，提高化学液的流量对清洗效果无明显帮助，对晶圆表面会造成更多的缺陷。优选地，化学液流量小于130ml/min。
图8c为本发明在不同化学液流量下晶圆表面损伤趋势随惰性气体(N2)的压力变化的曲线图，其中：a表示化学液流量为100ml/min；b表示化学液流量为200ml/min)。
通过实验总结出，当压力与流量同时升高到一定程度后，晶圆表面损伤大量增加。
本发明提供的一种晶圆表面颗粒清洗装置，通过二流体喷嘴移动系统6将二流体喷嘴4移动到基板边缘固定距离，通过二流体喷嘴4的单层或多层气液分离通道，将高密度、高速液体撞击到基板上，使其与基板颗粒动能交换，达到去除颗粒的清洗目的。二流体喷嘴4的喷出区域与喷嘴高度角度有关，为近似圆形区域；
本发明采用二流体喷嘴，通过气体压力与液体流量的合理控制，从而达到既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆的目的。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进、扩展等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种晶圆表面颗粒清洗装置，包括二流体喷嘴(4)及与所述二流体喷嘴(4)连接的二流体喷嘴控制系统(1)和二流体喷嘴移动系统(6)，其特征在于，所述二流体喷嘴(4)上设有液体通道(45)和环绕于所述液体通道(45)的外侧、用于惰性气体通过的环腔(47)，分别由所述液体通道(45)和所述环腔(47)喷出的液体和惰性气体在所述二流体喷嘴(4)的外部混合，液体被雾化后对晶圆(5)的表面进行清洗；所述二流体喷嘴控制系统(1)用于控制二流体喷嘴(4)喷射液体和气体的喷射性能；所述二流体喷嘴移动系统(6)用于控制所述二流体喷嘴(4)的移动。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述二流体喷嘴(4)包括喷嘴内芯(41)及套设于所述喷嘴内芯(41)外侧的喷嘴外壳(43)，所述喷嘴外壳(43)与所述喷嘴内芯(41)之间形成所述环腔(47)，所述喷嘴内芯(41)上沿轴向设有所述进液通道(45)，所述进液通道(45)的末端为喷液口(48)，所述喷嘴外壳(43)上设有与所述环腔(47)连通的惰性气体进口(46)，所述环腔(47)的末端设有环绕于所述喷液口(48)外侧的环形喷气口(49)。
3.根据权利要求2所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述环腔(47)通过对称设置的两个隔板(410)分隔为两个半环腔，所述惰性气体进口(46)为两个、且分别与两个所述半环腔相连通。
4.根据权利要求3所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，两个所述隔板(410)与所述喷嘴内芯(41)为一体式结构。
5.根据权利要求3所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述喷嘴内芯(41)的下端设有与所述喷嘴外壳(43)密封配合的密封头(413)，所述密封头(413)的外圆周上分布有多个布风槽(414)，各所述布风槽(414)的两端分别与所述环腔(47)和所述环形喷气口(49)连通。
6.根据权利要求5所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述密封头(413)为直径大于所述喷嘴内芯(41)直径的圆柱体，所述圆柱体的下端为锥形结构，各所述布风槽(414)均沿轴向设置。
7.根据权利要求2所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述喷嘴内芯(41)与所述喷嘴外壳(43)螺纹连接，且通过密封圈(42)密封。
8.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述二流体喷嘴(4)采用聚四氟乙烯材质，所述二流体喷嘴(4)的端部为锥形结构。
9.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述二流体喷嘴(4)以0-80倾斜角度设置于晶圆(5)的上方，所述二流体喷嘴(4)距离所述晶圆(5)表面的高度为0-10mm。
10.根据权利要求1所述的晶圆表面颗粒清洗装置，其特征在于，所述液体通道(45)内的液体流量小于800ml/min；所述环腔(47)内通入的惰性气体的压力为0-0.8Mpa，流量小于200L/min。
CN201810638271.8A 2018-06-20 2018-06-20 一种晶圆表面颗粒清洗装置 Active CN110620031B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810638271.8A CN110620031B (zh) 2018-06-20 2018-06-20 一种晶圆表面颗粒清洗装置
TW108121247A TWI718564B (zh) 2018-06-20 2019-06-19 一種晶圓表面顆粒清洗裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810638271.8A CN110620031B (zh) 2018-06-20 2018-06-20 一种晶圆表面颗粒清洗装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110620031A true CN110620031A (zh) 2019-12-27
CN110620031B CN110620031B (zh) 2022-02-11

Family

ID=68920624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810638271.8A Active CN110620031B (zh) 2018-06-20 2018-06-20 一种晶圆表面颗粒清洗装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110620031B (zh)
TW (1) TWI718564B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786492A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆清洗用的喷射设备和晶圆清洗方法
CN117427801A (zh) * 2023-12-22 2024-01-23 沈阳芯达科技有限公司 一种二流体喷嘴
CN117457546A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴
CN117542765A (zh) * 2024-01-03 2024-02-09 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆刻蚀用全自动喷嘴

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114308822B (zh) * 2021-12-28 2024-02-13 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种二流体喷嘴及清洗装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
CN101009208A (zh) * 2006-01-26 2007-08-01 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2008053679A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Semes Co Ltd 基板洗浄装置
US20140311531A1 (en) * 2012-11-30 2014-10-23 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd Gas-liquid two-phase atomizing cleaning device and cleaning method
CN105413905A (zh) * 2015-12-10 2016-03-23 北京七星华创电子股份有限公司 一种二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法
CN105513999A (zh) * 2015-12-10 2016-04-20 北京七星华创电子股份有限公司 一种具有气体保护的二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法
CN105702606A (zh) * 2016-03-03 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种气液喷雾刻蚀设备及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006187707A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Hitachi Chem Co Ltd 洗浄用２流体ノズル、洗浄方法及び洗浄装置
JP2007242892A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Asahi Sunac Corp ノズル装置、及び該ノズル装置を備えた洗浄装置
US8387635B2 (en) * 2006-07-07 2013-03-05 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
TW201630097A (zh) * 2015-02-10 2016-08-16 聯華電子股份有限公司 改良之半導體基板清洗方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
CN101009208A (zh) * 2006-01-26 2007-08-01 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2008053679A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Semes Co Ltd 基板洗浄装置
US20140311531A1 (en) * 2012-11-30 2014-10-23 Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd Gas-liquid two-phase atomizing cleaning device and cleaning method
CN105413905A (zh) * 2015-12-10 2016-03-23 北京七星华创电子股份有限公司 一种二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法
CN105513999A (zh) * 2015-12-10 2016-04-20 北京七星华创电子股份有限公司 一种具有气体保护的二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法
CN105702606A (zh) * 2016-03-03 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 一种气液喷雾刻蚀设备及方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786492A (zh) * 2020-12-30 2021-05-11 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆清洗用的喷射设备和晶圆清洗方法
CN117427801A (zh) * 2023-12-22 2024-01-23 沈阳芯达科技有限公司 一种二流体喷嘴
CN117457546A (zh) * 2023-12-22 2024-01-26 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴
CN117427801B (zh) * 2023-12-22 2024-03-01 沈阳芯达科技有限公司 一种二流体喷嘴
CN117457546B (zh) * 2023-12-22 2024-03-15 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴
CN117542765A (zh) * 2024-01-03 2024-02-09 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆刻蚀用全自动喷嘴
CN117542765B (zh) * 2024-01-03 2024-03-12 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种半导体晶圆刻蚀用全自动喷嘴

Also Published As

Publication number Publication date
TW202000325A (zh) 2020-01-01
CN110620031B (zh) 2022-02-11
TWI718564B (zh) 2021-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110620031B (zh) 一种晶圆表面颗粒清洗装置
KR100663133B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
CN104841660B (zh) 气液两相雾化清洗装置及清洗方法
JP6389089B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4464850B2 (ja) 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置
TW201720538A (zh) 二相流霧化噴射清洗裝置
TWI770115B (zh) 加工汙水之去除
KR101060664B1 (ko) 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치
KR20110005699A (ko) 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법
CN112768397B (zh) 一种用于半导体湿法工艺的前道混液系统
KR101091088B1 (ko) 2 유체 노즐
CN112792036B (zh) 一种半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统及方法
CN110622290B (zh) 亚纳米级基板清洁机构
CN112750688B (zh) 一种晶圆清洗方法
KR102067885B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4222876B2 (ja) 基板処理装置
CN112735987B (zh) 一种可将供酸效率化的单晶圆清洗设备
CN112735989B (zh) 一种适用于供酸系统的高洁净湿法设备
CN112735986B (zh) 一种晶圆复合清洗方法
CN204746945U (zh) 一种气液两相雾化清洗装置
CN112845297A (zh) 一种晶圆复合清洗设备
JP2009158703A (ja) 二流体ノズル、基板洗浄装置および基板洗浄方法
TWI704017B (zh) 一種晶圓表面顆粒清洗雙旋噴嘴
CN220514100U (zh) 一种制粒机中带清洗喷淋的搅拌结构
JP7189911B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法およびノズル

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant