CN110611049B

CN110611049B - 一种oled封装结构及其制备方法

Info

Publication number: CN110611049B
Application number: CN201910918694.XA
Authority: CN
Inventors: 朱平
Original assignee: Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority date: 2019-09-26
Filing date: 2019-09-26
Publication date: 2022-07-29
Anticipated expiration: 2039-09-26
Also published as: CN110611049A

Abstract

本发明公开了一种OLED封装结构及其制备方法，该封装结构包括基板、设于基板上的阳极层，所述封装结构还包括由下到上依次设于阳极层上的OLED层、ALD膜层、第一氮硅化合物层、PMMA层、第二氮硅化合物层、绝缘滤光组件层和玻璃盖板，所述封装结构内形成有贯穿ALD膜层、第一氮硅化合物层及PMMA层的环形孔腔，所述环形孔腔内设有反射膜层。本发明能控制光线不往相邻子像素扩散而导致混光、发光不均、亮度低等现象。

Description

一种OLED封装结构及其制备方法

技术领域

本发明属于OLED显示领域，具体涉及一种OLED封装结构及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于电子产品领域、商业领域、交通领域、工业控制领域、医用领域当中，随着近些年国际各大企业都在不断加强对OLED技术的研究，OLED技术会进一步得到完善，OLED显示器将迎来爆发式的增长。由于OLED对水、氧、污染物极为敏感，故采用封装是非常有必要的。如今对于OLED器件的封装方法基本都采用TFE封装方式，即在OLED层之上进行ALD制备，再进行SiNx制备，再在其之上喷墨打印(IJP)聚合物(PMMA)，之后再进行SiNx的制备。

由于OLED为自发光的器件，光从各个角度发出，导致光线会从本像素向其他相邻像素扩散的现象从而导致混光、发光不均、亮度低等影响显示效果的现象发生。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题。为此，本发明提供一种OLED封装结构及其制备方法，目的是防止混光、提高亮度。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

一种OLED封装结构，包括基板、设于基板上的阳极层，所述封装结构还包括由下到上依次设于阳极层上的OLED层、ALD膜层、第一氮硅化合物层、PMMA层、第二氮硅化合物层、绝缘滤光组件层和玻璃盖板，所述封装结构内形成有贯穿ALD膜层、第一氮硅化合物层及PMMA层的环形孔腔，所述环形孔腔内设有反射膜层。

所述反射膜层是采用磁控溅射形成Ag膜层。

所述阳极层包括阳极金属层和填充于相邻阳极金属之间的硅氧化合物。

所述OLED层与ALD膜层之间设有保护层。

所述保护层包括设于OLED层上的CPL层和设于CPL层上的LiF层。

所述环形孔腔从上到下依次刻蚀PMMA层、第一氮硅化合物层及ALD膜层而形成。

所述绝缘滤光组件层包括设于第二氮硅化合物层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第一OC层及CF层。

所述绝缘滤光组件层还包括设于CF层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第二OC层。

所述OLED封装结构的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、在基板上制备阳极金属层；

步骤二、在阳极金属之间填充硅氧化合物；

步骤三、在阳极金属层及填充硅氧化合物形成的结构层上蒸镀OLED层；

步骤四、在OLED层上依次蒸镀CPL层与LiF层；

步骤五、在LiF层上制备ALD膜层；

步骤六、在ALD膜层上制备第一氮硅化合物层；

步骤七、在第一氮硅化合物层上喷墨打印PMMA层；

步骤八、在PMMA层上涂胶，之后经曝光、显影、从PMMA层依次向下刻蚀至LiF层为止而形成环形孔腔；

步骤九、在环形孔腔上方采用磁控溅射的方式溅射形成填满环形孔腔的Ag膜层，再将表面Ag膜层刻蚀掉，形成Ag膜层环形孔腔；

步骤十、在PMMA层上制备第二氮硅化合物层；

步骤十一、在第二氮硅化合物层上制备第一OC层；

步骤十二、在第一OC层上制备CF层；

步骤十三、在CF层上制备第二OC层；

步骤十四、在第二OC层上贴合玻璃盖板。

所述阳极层包括多个相间隔设置的阳极金属，相邻阳极金属之间的间距小于10000A且大于5000A。

所述步骤九中将表面Ag膜层刻蚀掉的方法是经涂胶、曝光、显影后，将表面Ag膜层全部刻蚀掉，仅留下环形孔腔内Ag膜层，Ag膜层环形孔腔的厚度为5000A。

本发明的有益效果：本发明采用Ag膜层将像素阳极环状包围起来，由于Ag的反射率很高，当光线经OLED层向相邻子像素扩散时，由于Ag的存在会将光线反射回去，从而控制光线不往相邻子像素扩散而导致混光、发光不均、亮度低等现象。本发明整体封装结构科学、合理，相对于现有的OLED微显示器件具有更好的显示效果。

附图说明

本说明书包括以下附图，所示内容分别是：

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明的俯视图。

图中标记为：

1、基板，2、阳极金属，3、硅氧化合物，4、OLED层，5、CPL层，6、LiF层，7、ALD膜层，8、第一氮硅化合物层，9、PMMA层，10、Ag膜层环形孔腔，11、第二氮硅化合物层，12、第一OC层，13、CF层，14、第二OC层，15、玻璃盖板。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对发明的限制。在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。

如图1至图2所示，一种OLED封装结构，包括基板1、设于基板1上的阳极层，该封装结构还包括由下到上依次设于阳极层上的OLED层4、ALD膜层7、第一氮硅化合物(SiNx)层8、PMMA层9、第二氮硅化合物(SiNx)层10、绝缘滤光组件层和玻璃盖板15，该封装结构内形成有贯穿ALD膜层7、第一氮硅化合物层8及PMMA层9的环形孔腔，环形孔腔内设有反射膜层。通过此种设置反射膜层的环形孔腔结构设置，将像素阳极环状包围起来，在反射膜的反射作用下，可将扩散的光线反射，从而控制光线不往相邻子像素扩散。优选的，反射膜层是采用磁控溅射形成的Ag膜层。Ag膜的反射率很高，提高亮度。

其中，阳极层包括阳极金属层2和填充于相邻阳极金属2之间的硅氧化合物3。硅氧化合物SiOx，阳极层采用蒸镀或者溅射的方式形成，阳极层包括金属反射层、包裹着金属反射层的保护层，以及阳极采用的阳极金属，金属反射层采用Al、Ag等反射率较强的金属，保护层采用Ti、Cr等活性不强的金属，阳极金属采用ITO。硅氧化合物的目的是为了填充阳极金属之间的间隙，以防OLED共通层填充到间隙中，会将相邻阳极导通，另外若无硅氧化合物层则蒸镀OLED层时会产生尖端放电现象产生ESD。

进一步的，OLED层4与ALD膜层7之间设有保护层。优选的，保护层包括设于OLED层4上的CPL层5和设于CPL层5上的LiF层6。环形孔腔从上到下依次贯穿PMMA层9、第一氮硅化合物层8、及ALD膜层7，到LiF层6上表面为止。

绝缘滤光组件层包括设于第二氮硅化合物层11与玻璃盖板15之间且由下到上依次设置的第一OC(Over Coat，绝缘覆盖)层12及CF(彩色滤光)层13。进一步的，绝缘滤光组件层还包括设于CF层13与玻璃盖板15之间且由下到上依次设置的第二OC层14。第二OC层对CF层起到很好的保护作用，避免封装过程中对CF层产生干扰，进而影响OLED显示效果。

上述OLED封装结构的制备方法，包括如下步骤：

步骤一、在基板上制备阳极金属层；阳极层包括多个相间隔设置的阳极层2，相邻阳极层之间的间距小于10000A且大于5000A。阳极金属层采用蒸镀或者溅射的方式形成，阳极层包括金属反射层、包裹着金属反射层的保护层，以及阳极采用的阳极金属，金属反射层采用Al、Ag等反射率较强的金属，保护层采用Ti、Cr等活性不强的金属，阳极金属采用ITO。第一层保护层厚度200A，金属反射层厚度800A～1000A，第二层保护层需要高透过率，所以厚度为15A～20A，ITO厚度为500A。

步骤二、在阳极金属2之间填充硅氧化合物3；具体采用化学气相沉积方式填充硅氧化合物。

步骤三、在阳极金属层及填充硅氧化合物形成的结构层上蒸镀OLED层4；蒸镀OLED层时，蒸镀的环境真空度为5×10-5Pa，OLED层的厚度为1500A～3000A。

步骤四、在OLED层4上依次蒸镀CPL层5与LiF层6；优选的，蒸镀的CPL层5的厚度600nm～700nm，LiF层6的厚度为60nm。

步骤五、在LiF层6上制备ALD膜层7；

步骤六、在ALD膜层7上制备第一氮硅化合物层8；第一氮硅化合物层的厚度≤10000A。

步骤七、在第一氮硅化合物层8上喷墨打印PMMA层9；优选的，PMMA层9厚度≤10000A。

步骤八、在PMMA层9上涂胶，之后经曝光、显影、从PMMA层9依次向下刻蚀至LiF层6为止而形成环形孔腔；具体而言，在PMMA层9上进行涂胶，再用曝光机对基板上的结构进行曝光，曝光时只曝光围绕着像素阳极的一圈的孔腔，孔腔的厚度为5000A(即为孔腔内壁至外壁的距离)，将曝光后的基板结构进行显影，刻蚀，刻蚀过程中要刻蚀完整、均匀，将孔腔刻到LiF层为止。可通过三次刻蚀依次将PMMA层9、第一SiNx层8、ALD层7刻蚀掉，形成环形孔腔。

步骤九、在环形孔腔上方采用磁控溅射的方式溅射形成填满环形孔腔的Ag膜层，再将表面Ag膜层刻蚀掉，形成Ag膜层环形孔腔10；具体而言，在上述步骤八刻蚀形成环形孔腔后，采用磁控溅射的方式制备Ag膜层，Ag膜层整面覆盖基板上的结构，Ag膜层的厚度为300A-500A。之后在制备过Ag膜层的基板结构上进行涂胶、曝光、显影、刻蚀，将表面300A-500A的Ag膜层全部刻蚀完，仅留下孔腔内Ag膜层，Ag膜层环形孔腔10的厚度为5000A。

步骤十、在PMMA层上制备第二氮硅化合物层；第二氮硅化合物层的厚度≤10000A。

步骤十一、在第二氮硅化合物层上制备第一OC层；优选的，第一OC层的厚度0.2μm。

步骤十二、在第一OC层上制备CF层；具体而言，在第二硅氮化合物层上涂布RGB光祖，形成CF层。CF层覆盖显示器的有效显示区域。优选的，CF层的厚度为0.6μm～1μm。

步骤十三、在CF层上制备第二OC层；优选的，第二OC层的厚度0.2μm。

步骤十四、在第二OC层上贴合玻璃盖板。

步骤十五、切割获得产物。

本发明采用Ag膜层将像素阳极环状包围起来，由于Ag的反射率很高，当光线经OLED层向相邻子像素扩散时，由于Ag的存在会将光线反射回去，从而控制光线不往相邻子像素扩散而导致混光、发光不均、亮度低等现象。

以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种OLED封装结构的制备方法，包括基板、设于基板上的阳极层，其特征在于，所述封装结构还包括由下到上依次设于阳极层上的OLED层、ALD膜层、第一氮硅化合物层、PMMA层、第二氮硅化合物层、绝缘滤光组件层和玻璃盖板，所述封装结构内形成有贯穿ALD膜层、第一氮硅化合物层及PMMA层的环形孔腔，所述环形孔腔内设有反射膜层；

所述反射膜层是采用磁控溅射形成Ag膜层；

所述阳极层包括阳极金属层和填充于相邻阳极金属之间的硅氧化合物；

所述OLED层与ALD膜层之间设有保护层；

所述保护层包括设于OLED层上的CPL层和设于CPL层上的LiF层；

包括如下步骤：

步骤一、在基板上制备阳极金属层；

步骤二、在阳极金属之间填充硅氧化合物；

步骤四、在OLED层上依次蒸镀CPL层与LiF层；

步骤五、在LiF层上制备ALD膜层；

步骤六、在ALD膜层上制备第一氮硅化合物层；

步骤七、在第一氮硅化合物层上喷墨打印PMMA层；

步骤十、在PMMA层上制备第二氮硅化合物层；

步骤十一、在第二氮硅化合物层上制备第一绝缘覆盖层；

步骤十二、在第一绝缘覆盖层上制备彩色滤光层；

步骤十三、在彩色滤光层上制备第二绝缘覆盖层；

步骤十四、在第二绝缘覆盖层上贴合玻璃盖板。

2.根据权利要求1所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘滤光组件层包括设于第二氮硅化合物层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第一绝缘覆盖层及彩色滤光层。

3.根据权利要求2所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘滤光组件层还包括设于彩色滤光层与玻璃盖板之间且由下到上依次设置的第二绝缘覆盖层。

4.根据权利要求3所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述阳极层包括多个相间隔设置的阳极金属，相邻阳极金属之间的间距小于10000A且大于5000A。

5.根据权利要求4所述OLED封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤九中将表面Ag膜层刻蚀掉的方法是经涂胶、曝光、显影后，将表面Ag膜层全部刻蚀掉，仅留下环形孔腔内Ag膜层，Ag膜层环形孔腔的厚度为5000A。