CN110600841B - 介质滤波器的电容耦合结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及位于介质滤波器本体上的第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有至少一个负耦合孔，所述负耦合孔的开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口方向相同；所述负耦合孔为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体外侧，另一端位于滤波器本体内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔、第二调试孔和下部盲孔的内壁均设有导电层。本发明可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种介质滤波器的电容耦合结构，属于通信技术领域。
背景技术
随着无线通信技术的日益发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积要求越来越小，其中射频前端滤波器模块在基站中的体积占比比较大，因此，对滤波器的体积需求也是越来越小。但是，在减小金属同轴腔滤波器的体积时发现：滤波器的体积越小，表面电流越大，损耗越大，功率承受能力越低，即功率容量越小。也就是说，随着金属同轴腔滤波器体积的减小，其性能指标变差。目前，有一种小型化滤波器，即实心介质滤波器，得到广泛应用，但在实心介质滤波器中实现电容耦合（或称负耦合）的结构较为复杂，工艺实现难度大，而且容易导致通带较近频率产生寄生通带，因此，如何提供一种结构简单、工艺难度低的介质滤波器成为本领域技术人员的研究方向。
发明内容
本发明的目的是提供一种介质滤波器的电容耦合结构，该介质滤波器的电容耦合结构可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及位于介质滤波器本体上的第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有至少一个负耦合孔，所述负耦合孔的开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口方向相同；所述负耦合孔为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体外侧，另一端位于滤波器本体内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔、第二调试孔和下部盲孔的内壁均设有导电层。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述负耦合孔的上部通孔的深度小于第一调试孔和第二调试孔的深度。
2. 上述方案中，所述负耦合孔的总深度分别大于第一调试孔和第二调试孔的深度。
3. 上述方案中，所述负耦合孔设有2个。
4. 上述方案中，所述负耦合孔的总深度为第一调试孔深度的1.1~1.3倍。
5. 上述方案中，所述第一调试孔和第二调试孔为盲孔。
6. 上述方案中，所述介质滤波器本体的材质为非金属材料。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明介质滤波器的电容耦合结构，其实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，通过通孔直径及下盲孔直径大小以及两者深度比例的调整，可用于实现较小的负耦合，一般可达50MHz以下，此时下盲孔与介质底部还能留有较厚的厚度，便于实际生产加工，这对于窄带滤波器尤为重要。
2、本发明介质滤波器的电容耦合结构，其负耦合孔采用阶梯孔，即通孔与盲孔的组合结构，盲孔一端为封闭端，且负耦合孔的深度为第一调试孔深度的1.1~1.3倍，该结构可避免负耦合孔过深产生的压制成型困难的问题。
3、本发明介质滤波器的电容耦合结构，其负耦合孔内只有盲孔部分设置导电层，在通孔及通孔与盲孔的过渡台阶上均不设置导电层，该结构通过调整负耦合孔上导电层面积及导电层位置来控制负耦合强弱，通孔深度越深，负耦合越强；盲孔越深负耦合越弱。
附图说明
附图1为本发明介质滤波器的电容耦合结构结构示意图。
以上附图中：1、介质滤波器本体；2、第一调试孔；3、第二调试孔；4、负耦合孔。
具体实施方式
在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
实施例1：一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体1以及位于介质滤波器本体1上的第一调试孔2和第二调试孔3，所述第一调试孔2和第二调试孔3之间设有至少一个负耦合孔4，所述负耦合孔4的开口方向与第一调试孔2和第二调试孔3的开口方向相同；所述负耦合孔4为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体1外侧，另一端位于滤波器本体1内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔2、第二调试孔3和下部盲孔的内壁均设有导电层。
所述负耦合孔4的上部通孔的深度小于第一调试孔2和第二调试孔3的深度。
所述负耦合孔4的总深度分别大于第一调试孔2和第二调试孔3的深度。
所述负耦合孔4的总深度为第一调试孔2深度的1.1倍。
上述第一调试孔2和第二调试孔3为盲孔。
上述介质滤波器本体1的材质为非金属材料。
实施例2：一种介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体1以及位于介质滤波器本体1上的第一调试孔2和第二调试孔3，所述第一调试孔2和第二调试孔3之间设有至少一个负耦合孔4，所述负耦合孔4的开口方向与第一调试孔2和第二调试孔3的开口方向相同；所述负耦合孔4为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体1外侧，另一端位于滤波器本体1内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔2、第二调试孔3和下部盲孔的内壁均设有导电层。
所述负耦合孔4的上部通孔的深度小于第一调试孔2和第二调试孔3的深度。
所述负耦合孔4设有2个。
所述负耦合孔4的总深度为第一调试孔2深度的1.3倍。
上述介质滤波器本体1的材质为非金属材料。
采用上述介质滤波器的电容耦合结构时，其实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，通过通孔直径及下盲孔直径大小以及两者深度比例的调整，可用于实现较小的负耦合，一般可达50MHz以下，此时下盲孔与介质底部还能留有较厚的厚度，便于实际生产加工，这对于窄带滤波器尤为重要。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：包括介质滤波器本体（1）以及位于介质滤波器本体（1）上的第一调试孔（2）和第二调试孔（3），所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）之间设有至少一个负耦合孔（4），所述负耦合孔（4）的开口方向与第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的开口方向相同；所述负耦合孔（4）为阶梯孔，包括上部通孔和下部盲孔，此阶梯孔的上部通孔一端延伸至滤波器本体（1）外侧，另一端位于滤波器本体（1）内部，与下部盲孔连接，所述下部盲孔远离上部通孔的一端为封闭端，所述第一调试孔（2）、第二调试孔（3）和下部盲孔的内壁均设有导电层。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的上部通孔的深度小于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度分别大于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）设有2个。
5.根据权利要求2所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述负耦合孔（4）的总深度为第一调试孔（2）深度的1.1~1.3倍。
6.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）为盲孔。
7.根据权利要求1所述的介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于：所述介质滤波器本体（1）的材质为非金属材料。
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