CN110690542A - 包含电容耦合结构的介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种包含电容耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体、第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔为设置于介质滤波器本体上的两盲孔，所述第一调试孔和第二调试孔与介质滤波器本体上的介质形成两个介质谐振器，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有一负耦合孔，所述负耦合孔是由同心的一通孔和一盲孔组成的台阶孔，所述通孔一端贯穿介质滤波器本体，该通孔的此端开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口位于介质滤波器本体同一表面，所述通孔的另一端与盲孔连接，所述盲孔远离通孔的一端为封闭端。本发明在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种包含电容耦合结构的介质滤波器，属于通信技术领域。
背景技术
随着无线通信技术的日益发展，无线通信基站分布越来越密集，对基站的体积要求越来越小，其中射频前端滤波器模块在基站中的体积占比比较大，因此，对滤波器的体积需求也是越来越小。但是，在减小金属同轴腔滤波器的体积时发现：滤波器的体积越小，表面电流越大，损耗越大，功率承受能力越低，即功率容量越小。也就是说，随着金属同轴腔滤波器体积的减小，其性能指标变差。目前，有一种小型化滤波器，即实心介质滤波器，得到广泛应用，但在实心介质滤波器中实现电容耦合（或称负耦合）的结构较为复杂，工艺实现难度大，而且容易导致通带较近频率产生寄生通带，因此，如何提供一种结构简单、工艺难度低的介质滤波器成为本领域技术人员的研究方向。
发明内容
本发明的目的是提供一种包含电容耦合结构的介质滤波器，该包含电容耦合结构的介质滤波器可以在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种包含电容耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体、第一调试孔和第二调试孔，所述第一调试孔和第二调试孔为设置于介质滤波器本体上的两盲孔，所述第一调试孔和第二调试孔与介质滤波器本体上的介质形成两个介质谐振器，所述第一调试孔和第二调试孔之间设有一负耦合孔，所述负耦合孔是由同心的一通孔和一盲孔组成组成的台阶孔，所述通孔一端贯穿介质滤波器本体，该通孔的此端开口方向与第一调试孔和第二调试孔的开口位于介质滤波器本体同一表面，所述通孔的另一端与盲孔连接，所述盲孔远离通孔的一端为封闭端，所述通孔、盲孔的内壁以及通孔与盲孔的连接台阶上均设有导电层。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述介质滤波器本体的材质为非金属材料。
2. 上述方案中，所述第一调试孔和第二调试孔形状为圆形或椭圆形。
3. 上述方案中，所述通孔与盲孔的总深度大于第一调试孔和第二调试孔的深度。
4. 上述方案中，所述导电层的材质为铜或银。
5. 上述方案中，所述通孔与盲孔的总深度为第一调试孔深度的1.1~1.5倍。
6. 上述方案中，所述导电层采用喷涂、浸蘸、印刷或电镀的方式附着于所述介质滤波器本体表面。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明包含电容耦合结构的介质滤波器，其实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
2、本发明包含电容耦合结构的介质滤波器，其负耦合孔采用通孔与盲孔的组合，且盲孔的一端为封闭端，该结构设置的优势为避免负耦合孔过深产生的压制成型困难问题。
3、本发明包含电容耦合结构的介质滤波器，其全部设置导电层优势为：利于介质滤波器生产过程中的金属化工艺，且由于上下两种导电孔壁的存在，使得该耦合孔的调试方式更为灵活，可以打磨上通孔侧壁，也可以打磨下盲孔侧壁及底部，耦合可以调强也可以调弱，提高调试通过率。
4、本发明包含电容耦合结构的介质滤波器，其通孔与盲孔的总深度为第一调试孔深度的1.1~1.5倍，通孔直径约为盲孔直径的1.1~2倍，通孔直径越大，其形成的负耦合强度越强，反之则越弱；而盲孔直径越大，其形成的负耦合强度越弱，反之则越强。通过两个直径比例的合理调整，可以灵活的形成较大强度范围内的负耦合，适用于窄带和宽带介质滤波器。该结构的设置可用来控制负耦合强弱。
附图说明
附图1为本发明包含电容耦合结构的介质滤波器结构示意图。
以上附图中：1、介质滤波器本体；2、第一调试孔；3、第二调试孔；4、负耦合孔；401、通孔；402、盲孔。
具体实施方式
在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
实施例1：一种包含电容耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体1、第一调试孔2和第二调试孔3，所述第一调试孔2和第二调试孔3为设置于介质滤波器本体1上的两盲孔，所述第一调试孔2和第二调试孔3与介质滤波器本体1上的介质形成两个介质谐振器，所述第一调试孔2和第二调试孔3之间设有一负耦合孔4，所述负耦合孔4是由同心的一通孔401和一盲孔402组成组成的台阶孔，所述通孔401一端贯穿介质滤波器本体1，该通孔401的此端开口方向与第一调试孔2和第二调试孔3的开口位于介质滤波器本体1同一表面，所述通孔401的另一端与盲孔402连接，所述盲孔402远离通孔401的一端为封闭端，所述通孔401、盲孔402的内壁以及通孔401与盲孔402的连接台阶上均设有导电层。
上述介质滤波器本体1的材质为非金属材料。
上述第一调试孔2和第二调试孔3形状为椭圆形。
上述通孔401与盲孔402的总深度大于第一调试孔2和第二调试孔3的深度。
上述导电层的材质为银。
上述通孔401与盲孔402的总深度为第一调试孔2深度的1.1倍。
上述导电层采用喷涂的方式附着于所述介质滤波器本体1表面。
实施例2：一种包含电容耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体1、第一调试孔2和第二调试孔3，所述第一调试孔2和第二调试孔3为设置于介质滤波器本体1上的两盲孔，所述第一调试孔2和第二调试孔3与介质滤波器本体1上的介质形成两个介质谐振器，所述第一调试孔2和第二调试孔3之间设有一负耦合孔4，所述负耦合孔4是由同心的一通孔401和一盲孔402组成组成的台阶孔，所述通孔401一端贯穿介质滤波器本体1，该通孔401的此端开口方向与第一调试孔2和第二调试孔3的开口位于介质滤波器本体1同一表面，所述通孔401的另一端与盲孔402连接，所述盲孔402远离通孔401的一端为封闭端，所述通孔401、盲孔402的内壁以及通孔401与盲孔402的连接台阶上均设有导电层。
上述第一调试孔2和第二调试孔3形状为圆形。
上述通孔401与盲孔402的总深度大于第一调试孔2和第二调试孔3的深度。
上述导电层的材质为铜。
上述通孔401与盲孔402的总深度为第一调试孔2深度的1.5倍。
上述导电层采用电镀的方式附着于所述介质滤波器本体1表面。
采用上述包含电容耦合结构的介质滤波器时，其在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制；其负耦合孔采用通孔与盲孔的组合，且盲孔的一端为封闭端，该结构设置的优势为避免负耦合孔过深产生的压制成型困难问题。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：包括介质滤波器本体（1）、第一调试孔（2）和第二调试孔（3），所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）为设置于介质滤波器本体（1）上的两盲孔，所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）与介质滤波器本体（1）上的介质形成两个介质谐振器，所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）之间设有一负耦合孔（4），所述负耦合孔（4）是由同心的一通孔（401）和一盲孔（402）组成的台阶孔，所述通孔（401）一端贯穿介质滤波器本体（1），该通孔（401）的此端开口方向与第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的开口位于介质滤波器本体（1）同一表面，所述通孔（401）的另一端与盲孔（402）连接，所述盲孔（402）远离通孔（401）的一端为封闭端，所述通孔（401）、盲孔（402）的内壁以及通孔（401）与盲孔（402）的连接台阶上均设有导电层。
2.根据权利要求1所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述介质滤波器本体（1）的材质为非金属材料。
3.根据权利要求1所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述第一调试孔（2）和第二调试孔（3）形状为圆形或椭圆形。
4.根据权利要求1所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述通孔（401）与盲孔（402）的总深度大于第一调试孔（2）和第二调试孔（3）的深度。
5.根据权利要求1所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述导电层的材质为铜或银。
6.根据权利要求5所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述通孔（401）与盲孔（402）的总深度为第一调试孔（2）深度的1.1~1.5倍。
7.根据权利要求1所述的包含电容耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述导电层采用喷涂、浸蘸、印刷或电镀的方式附着于所述介质滤波器本体（1）表面。
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|---|---|---|---|---|
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| CN111883886A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-11-03 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 一种介质滤波器 |
| CN113328222A (zh) * | 2020-02-28 | 2021-08-31 | 广东奥迪威传感科技股份有限公司 | 通信装置、介质滤波器及其容性耦合结构、设计方法 |
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| CN111641013A (zh) * | 2020-06-12 | 2020-09-08 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种螺旋式的高性能介质波导滤波器及通信设备 |
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