CN109309272A - 一种用于介质滤波器的电容耦合结构 - Google Patents
一种用于介质滤波器的电容耦合结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及设于介质滤波器本体表面的两个第一盲孔，每个第一盲孔与其周围填充的介质形成介质谐振器，且每个第一盲孔用于调试所在介质谐振器的谐振频率，两个介质谐振器之间设有两个第二盲孔，两个第二盲孔分别设于介质滤波器本体的上表面和下表面，且两个第二盲孔的轴线相重合，每个第二盲孔所处的位置与两个介质谐振器相连，两个第二盲孔和填充在该两个盲孔之间的介质构成电容耦合结构，介质滤波器本体表面、第一盲孔表面和第二盲孔表面均涂覆有导电层。本发明一种用于介质滤波器的电容耦合结构，在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于介质滤波器的电容耦合结构。
背景技术
现代通信系统对滤波器体积要求越来越高，介质滤波器在性能和体积方面的优势越来越明显。目前，在实心介质滤波器中实现电容耦合（或称负耦合）的结构较为复杂，工艺实现难度大，而且容易导致通带较近频率产生寄生通带。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于介质滤波器的电容耦合结构，其结构合理，在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，从而提高对寄生通带的抑制。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种用于介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体以及设于介质滤波器本体表面的两个第一盲孔，每个所述第一盲孔与其周围填充的介质形成介质谐振器，且每个所述第一盲孔用于调试所在介质谐振器的谐振频率，两个所述介质谐振器之间设有两个第二盲孔，该两个第二盲孔分别设于介质滤波器本体的上表面和下表面，且该两个第二盲孔的轴线相重合，每个所述第二盲孔所处的位置与所述两个介质谐振器相连，两个所述第二盲孔和填充在该两个盲孔之间的介质构成电容耦合结构，所述介质滤波器本体表面、第一盲孔表面和第二盲孔表面均涂覆有导电层。
优选的，所述导电层为金属银。
优选的，所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。
优选的，所述第一盲孔的形状为圆形、椭圆形或矩形。
优选的，所述第二盲孔的形状为圆形、椭圆形或矩形。
本发明的工作原理为：两个第二盲孔构成双孔耦合结构，原理上第二盲孔与其周围填充的介质形成一个类似于谐振器的结构，当其本征谐振频率f1低于与其连接的两个介质谐振器的谐振频率f0时，在该谐振频率f0，其输入阻抗虚部为负值，所以呈现容性，实现了电容耦合（负耦合）。同时在双孔耦合结构的高频寄生谐振频率，其输入阻抗为0，相连两个介质谐振器完全导通，形成寄生通带f2，寄生通带的频率f2对应于双孔耦合结构的高频寄生谐振频率。
由于双孔耦合结构的高频寄生谐振频率f2反比于孔深度，达到同样的本征谐振频率f1，双孔耦合每个孔深都比单孔耦合孔深更浅，因此双孔耦合较单孔耦合具有较高的高频寄生频率f2。
当双孔耦合结构的本征谐振频率f1离与其连接的两个介质谐振器的谐振频率f0越远时，其输入阻抗虚部越大，因此该结构产生的耦合值用导纳衡量越小（导纳反比于阻抗），因此调节f1对耦合值也有影响，耦合值同时取决于双孔耦合结构与两个介质谐振器之间的距离，从电磁理论上看，距离越小耦合越大，因此同时适当的减小其与两个介质谐振器的距离和降低f1耦合值可以维持耦合值不变，这样就在实现合适耦合值的同时实现了f1的控制。可以通过同时改变两个第二盲孔或只改变其中一个第二盲孔的形状参数改变其与两个介质谐振器之间的相对距离大小。
本发明的有益效果为：在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，从而提高对寄生通带的抑制。
附图说明
图1是本发明的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
如图1所示，一种用于介质滤波器的电容耦合结构，包括介质滤波器本体1以及设于介质滤波器本体1表面的两个第一盲孔2，每个所述第一盲孔2与其周围填充的介质形成介质谐振器3，且每个所述第一盲孔2用于调试所在介质谐振器3的谐振频率，两个所述介质谐振器3之间设有两个第二盲孔4，该两个第二盲孔4分别设于介质滤波器本体1的上表面和下表面，且该两个第二盲孔4的轴线相重合，每个所述第二盲孔4所处的位置与所述两个介质谐振器3相连，两个所述第二盲孔4和填充在该两个盲孔4之间的介质构成电容耦合结构，所述介质滤波器本体1表面、第一盲孔2表面和第二盲孔4表面均涂覆有导电层。
上述导电层为金属银。
上述介质谐振器3为陶瓷介质谐振器。
上述第一盲孔2的形状为圆形、椭圆形或矩形。
上述第二盲孔4的形状为圆形、椭圆形或矩形。
本发明的工作原理为：两个第二盲孔4构成双孔耦合结构，原理上第二盲孔4与其周围填充的介质形成一个类似于谐振器的结构，当其本征谐振频率f1低于与其连接的两个介质谐振器3的谐振频率f0时，在该谐振频率f0，其输入阻抗虚部为负值，所以呈现容性，实现了电容耦合（负耦合）。同时在双孔耦合结构的高频寄生谐振频率，其输入阻抗为0，相连两个介质谐振器3完全导通，形成寄生通带f2，寄生通带的频率f2对应于双孔耦合结构的高频寄生谐振频率。
由于双孔耦合结构的高频寄生谐振频率f2反比于孔深度，达到同样的本征谐振频率f1，双孔耦合每个孔深都比单孔耦合孔深更浅，因此双孔耦合较单孔耦合具有较高的高频寄生频率f2。
当双孔耦合结构的本征谐振频率f1离与其连接的两个介质谐振器3的谐振频率f0越远时，其输入阻抗虚部越大，因此该结构产生的耦合值用导纳衡量越小（导纳反比于阻抗），因此调节f1对耦合值也有影响，耦合值同时取决于双孔耦合结构与两个介质谐振器3之间的距离，从电磁理论上看，距离越小耦合越大，因此同时适当的减小其与两个介质谐振器3的距离和降低f1耦合值可以维持耦合值不变，这样就在实现合适耦合值的同时实现了f1的控制。可以通过同时改变两个第二盲孔4或只改变其中一个第二盲孔4的形状参数改变其与两个介质谐振器3之间的相对距离大小。
本发明的有益效果为：在实现电容耦合的同时，实现了对于远端寄生通带频率的控制，从而提高对寄生通带的抑制。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种用于介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于，包括介质滤波器本体以及设于介质滤波器本体表面的两个第一盲孔，每个所述第一盲孔与其周围填充的介质形成介质谐振器，且每个所述第一盲孔用于调试所在介质谐振器的谐振频率，两个所述介质谐振器之间设有两个第二盲孔，该两个第二盲孔分别设于介质滤波器本体的上表面和下表面，且该两个第二盲孔的轴线相重合，每个所述第二盲孔所处的位置与所述两个介质谐振器相连，两个所述第二盲孔和填充在该两个盲孔之间的介质构成电容耦合结构，所述介质滤波器本体表面、第一盲孔表面和第二盲孔表面均涂覆有导电层。
2.根据权利要求1所述的用于介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述导电层为金属银。
3.根据权利要求2所述的用于介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。
4.根据权利要求3所述的用于介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述第一盲孔的形状为圆形、椭圆形或矩形。
5.根据权利要求4所述的用于介质滤波器的电容耦合结构，其特征在于，所述第二盲孔的形状为圆形、椭圆形或矩形。
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