CN110581700B

CN110581700B - 一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器

Info

Publication number: CN110581700B
Application number: CN201910813096.6A
Authority: CN
Inventors: 徐志伟; 弓悦; 刘嘉冰; 王圣杰; 邱良; 宋春毅
Original assignee: Zhejiang University ZJU
Current assignee: Yantai Xin Yang Ju Array Microelectronics Co ltd
Priority date: 2019-08-30
Filing date: 2019-08-30
Publication date: 2021-01-29
Anticipated expiration: 2039-08-30
Also published as: CN110581700A

Abstract

本发明公开了一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器，属于单片无线射频接收机领域。该超宽带二阶多相滤波器包括：第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2、第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24。该多相滤波器采用电感级联两阶RC无源多相滤波结构，输出端采用电感级联后级电路模块。电感在高频补偿多相滤波器的输出增益，减小高频通带损耗，低频时基本无增益衰减，能够实现在超宽带内输出电压高增益及高平坦度。

Description

一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器

技术领域

本发明属于单片无线射频接收机领域，具体涉及一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器。

背景技术

单片无线射频接收机中广泛使用RC多相滤波器，配合正交混频器实现镜像信号抑制。RC多相滤波器可实现差分到正交变化，实现中频信号选择和镜像信号抑制。由于RC多相滤波器为无源滤波器，通带信号存在衰减问题。在单片无线射频信号接收机中，需要对多相滤波器进行增益优化，在超宽带内实现高增益及高频坦度。

现有技术暂未有在超宽带内对无源多相滤波器的通带增益进行优化。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器，能够实现在超宽带内输出电压高增益及高平坦度。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器，所述超宽带二阶多相滤波器包括：第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2、第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24。所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端、INN端接入差分信号，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端与第一电感L11的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端与第二电感L12的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端与第三电感L13的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端与第四电感L14的一端连接；所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIP端与第一电感L11的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQP端与第二电感L12的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIN端与第三电感L13的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQN端与第四电感L14的另一端连接。所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIP端与第五电感L21的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQP端与第六电感L22的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIN端与第七电感L23的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQN端与第八电感L24的一端连接；所述第五电感L21的另一端与输出端OUTIP连接，所述第六电感L22的另一端与输出端OUTQP连接，所述第七电感L23的另一端与输出端OUTIN连接，所述第八电感L24的另一端与输出端OUTQN连接。所述第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24完全相同。

进一步地，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1包括第一三位可调电阻阵列模块R11、第二三位可调电阻阵列模块R12、第三三位可调电阻阵列模块R13、第四三位可调电阻阵列模块R14、第一电容C11、第二电容C12、第三电容C13、第四电容C14。所述第一三位可调电阻阵列模块R11的一端、第一电容C11的一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的一端、第四电容C14的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端；所述第二三位可调电阻阵列模块R12的一端、第二电容C12的一端、第三三位可调电阻阵列模块R13的一端、第三电容C13的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INN端；所述第一三位可调电阻阵列模块R11的另一端、第四电容C14的另一端与所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端连接，所述第一电容C11的另一端、第二三位可调电阻阵列模块R12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端，所述第三三位可调电阻阵列模块R13的另一端、第二电容C12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端，所述第三电容C13的另一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端。

进一步地，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2包括第五三位可调电阻阵列模块R21、第六三位可调电阻阵列模块R22、第七三位可调电阻阵列模块R23、第八三位可调电阻阵列模块R24、第五电容C21、第六电容C22、第七电容C23、第八电容C24、第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4。所述第五三位可调电阻阵列模块R21的一端、第五电容C21的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIP端，所述第六三位可调电阻阵列模块R22的一端、第六电容C22的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQP端，所述第七三位可调电阻阵列模块R23的一端、第七电容C23的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIN端，所述第八三位可调电阻阵列模块R24的一端、第八电容C24的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQN端；所述第五三位可调电阻阵列模块R21的另一端、第八电容C24的另一端、第一可调电容阵列模块C1的一端连接与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIP端连接，所述第五电容C21的另一端、第六三位可调电阻阵列模块R22的另一端、第二可调电容阵列模块C2的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQP端连接，所述第六电容C22的另一端、第七三位可调电阻阵列模块R23的另一端、第三可调电容阵列模块C3的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIN端连接，所述第七电容C23的另一端、第八三位可调电阻阵列模块R24的另一端、第四可调电容阵列模块C4的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQN端连接。所述第一可调电容阵列模块C1的另一端、第二可调电容阵列模块C2的另一端、第三可调电容阵列模块C3的另一端、第四可调电容阵列模块C4的另一端均接地；所述第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4完全相同。

进一步地，所述第一可调电容阵列模块C1包括：第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4和第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4；所述第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4的电容值呈双倍递增；所述第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的长度相同，宽度呈双倍递增。所述第九电容Ck1的一端、第十电容Ck2的一端、第十一电容Ck3的一端、第十二电容Ck4的一端与所述第一可调电容阵列C1的一端连接，所述第一NMOS管M1的源极S端、第二NMOS管M2的源极S端、第三NMOS管M3的源极S端、第四NMOS管M4的源极S端与所述所述第一可调电容阵列C1的另一端连接；所述第九电容Ck1的另一端与第一NMOS管M1的漏极D端连接，所述第十电容Ck2的另一端与第二NMOS管M2的漏极D端连接，所述第十一电容Ck3的另一端与第三NMOS管M3的漏极D端连接，所述第十二电容Ck4的另一端与第四NMOS管M4的漏极D端连接；所述第一NMOS管M1的栅极G端、第二NMOS管M2的栅极G端、第三NMOS管M3的栅极G端、第四NMOS管M4的栅极G端连接控制字信号。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：该超宽带二阶多相滤波器通过采用电感补偿高频增益，能够减小高频通带损耗，而低频时基本无增益衰减，以实现在超宽带内输出电压具有较高增益及平坦度。

附图说明

图1是采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器电路结构示意图；

图2是第一级RC多相滤波器PPF1电路示意图；

图3是第二级RC多相滤波器PPF2电路示意图；

图4是第一可调电容阵列C1电路结构示意图；

图5是多相滤波器输出电压波形图。

具体实施方式

为了使本发明的目的和效果将变得更加明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，为采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器电路结构示意图，所述超宽带二阶多相滤波器包括：第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2、第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24。所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端、INN端接入差分信号，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端与第一电感L11的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端与第二电感L12的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端与第三电感L13的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端与第四电感L14的一端连接；所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIP端与第一电感L11的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQP端与第二电感L12的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIN端与第三电感L13的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQN端与第四电感L14的另一端连接。所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIP端与第五电感L21的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQP端与第六电感L22的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIN端与第七电感L23的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQN端与第八电感L24的一端连接；所述第五电感L21的另一端与输出端OUTIP连接，所述第六电感L22的另一端与输出端OUTQP连接，所述第七电感L23的另一端与输出端OUTIN连接，所述第八电感L24的另一端与输出端OUTQN连接。所述第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24完全相同。

其中，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2通过可调电阻阵列实现超宽频带，频带的左右边界分别由第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2的谐振频率决定，通过可调电阻阵列控制字调节，可实现不同频带选择，从而实现输出信号的超宽带。基于外部输入的差分信号，选择合适的频带，经由两级RC多相滤波器后形成依次相移90度的4路信号输出，通过对输出端对地的可调电容阵列的调节，可以实现输出四路信号的相位误差校正。电感在高频补偿多相滤波器的输出增益，减小高频通带损耗，低频时基本无增益衰减，实现在超宽带内输出电压高增益及高平坦度。

如图2所示，为第一级RC多相滤波器PPF1电路示意图。所述第一级RC无源多相滤波器PPF1包括第一三位可调电阻阵列模块R11、第二三位可调电阻阵列模块R12、第三三位可调电阻阵列模块R13、第四三位可调电阻阵列模块R14、第一电容C11、第二电容C12、第三电容C13、第四电容C14。所述第一三位可调电阻阵列模块R11的一端、第一电容C11的一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的一端、第四电容C14的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端；所述第二三位可调电阻阵列模块R12的一端、第二电容C12的一端、第三三位可调电阻阵列模块R13的一端、第三电容C13的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INN端；所述第一三位可调电阻阵列模块R11的另一端、第四电容C14的另一端与所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端连接，所述第一电容C11的另一端、第二三位可调电阻阵列模块R12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端，所述第三三位可调电阻阵列模块R13的另一端、第二电容C12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端，所述第三电容C13的另一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端。通过对可调电阻阵列的调节，可以实现不同谐振频率的选择。

如图3所示，为第二级RC多相滤波器PPF2电路示意图。所述第二级RC无源多相滤波器PPF2包括第五三位可调电阻阵列模块R21、第六三位可调电阻阵列模块R22、第七三位可调电阻阵列模块R23、第八三位可调电阻阵列模块R24、第五电容C21、第六电容C22、第七电容C23、第八电容C24、第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4。所述第五三位可调电阻阵列模块R21的一端、第五电容C21的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIP端，所述第六三位可调电阻阵列模块R22的一端、第六电容C22的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQP端，所述第七三位可调电阻阵列模块R23的一端、第七电容C23的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIN端，所述第八三位可调电阻阵列模块R24的一端、第八电容C24的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQN端；所述第五三位可调电阻阵列模块R21的另一端、第八电容C24的另一端、第一可调电容阵列模块C1的一端连接与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIP端连接，所述第五电容C21的另一端、第六三位可调电阻阵列模块R22的另一端、第二可调电容阵列模块C2的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQP端连接，所述第六电容C22的另一端、第七三位可调电阻阵列模块R23的另一端、第三可调电容阵列模块C3的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIN端连接，所述第七电容C23的另一端、第八三位可调电阻阵列模块R24的另一端、第四可调电容阵列模块C4的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQN端连接。所述第一可调电容阵列模块C1的另一端、第二可调电容阵列模块C2的另一端、第三可调电容阵列模块C3的另一端、第四可调电容阵列模块C4的另一端均接地；所述第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4完全相同。通过对可调电阻阵列的调节，可以实现不同谐振频率的选择。

下面以第一可调电容阵列C1电路结构为例，如图4所示，所述第一可调电容阵列模块C1包括：第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4和第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4；所述第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4的电容值呈双倍递增；所述第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的长度相同，宽度呈双倍递增。所述第九电容Ck1的一端、第十电容Ck2的一端、第十一电容Ck3的一端、第十二电容Ck4的一端与所述第一可调电容阵列C1的一端连接，所述第一NMOS管M1的源极S端、第二NMOS管M2的源极S端、第三NMOS管M3的源极S端、第四NMOS管M4的源极S端与所述所述第一可调电容阵列C1的另一端连接；所述第九电容Ck1的另一端与第一NMOS管M1的漏极D端连接，所述第十电容Ck2的另一端与第二NMOS管M2的漏极D端连接，所述第十一电容Ck3的另一端与第三NMOS管M3的漏极D端连接，所述第十二电容Ck4的另一端与第四NMOS管M4的漏极D端连接；所述第一NMOS管M1的栅极G端、第二NMOS管M2的栅极G端、第三NMOS管M3的栅极G端、第四NMOS管M4的栅极G端连接控制字信号。NMOS管用于开关作用；通过调节上述电容阵列，对4路输出相位误差进行校正，实现较为精确的90度相移。

如图5所示，为采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器的4路输出电压波形图。该超宽带二阶多相滤波器四路输出，即OUTIP、OUTQP、OUTIN、OUTQN的输出电压波形，OUTIP与OUTIN的输出电压相位相差180度，OUTQP、OUTQN的输出电压相位相差180度，OUTIP、OUTQP的输出电压相位相差90度。4路正交信号后级连接放大器模块，对输出电压幅值进行提升，进而作为混频器的输入信号。

本领域普通技术人员可以理解，以上所述仅为发明的优选实例而已，并不用于限制发明，尽管参照前述实例对发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实例记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在发明的精神和原则之内，所做的修改、等同替换等均应包含在发明的保护范围之内。

Claims

1.一种采用电感补偿高频增益的超宽带二阶多相滤波器，其特征在于，所述超宽带二阶多相滤波器包括：第一级RC无源多相滤波器PPF1、第二级RC无源滤波器PPF2、第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24；所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端、INN端接入差分信号，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端与第一电感L11的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端与第二电感L12的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端与第三电感L13的一端连接，所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端与第四电感L14的一端连接；所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIP端与第一电感L11的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQP端与第二电感L12的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IIN端与第三电感L13的另一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的IQN端与第四电感L14的另一端连接；所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIP端与第五电感L21的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQP端与第六电感L22的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OIN端与第七电感L23的一端连接，所述第二级RC无源多相滤波器PPF2的OQN端与第八电感L24的一端连接；所述第五电感L21的另一端与输出端OUTIP连接，所述第六电感L22的另一端与输出端OUTQP连接，所述第七电感L23的另一端与输出端OUTIN连接，所述第八电感L24的另一端与输出端OUTQN连接；所述第一电感L11、第二电感L12、第三电感L13、第四电感L14、第五电感L21、第六电感L22、第七电感L23和第八电感L24完全相同；

所述第一级RC无源多相滤波器PPF1包括第一三位可调电阻阵列模块R11、第二三位可调电阻阵列模块R12、第三三位可调电阻阵列模块R13、第四三位可调电阻阵列模块R14、第一电容C11、第二电容C12、第三电容C13、第四电容C14；所述第一三位可调电阻阵列模块R11的一端、第一电容C11的一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的一端、第四电容C14的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INP端；所述第二三位可调电阻阵列模块R12的一端、第二电容C12的一端、第三三位可调电阻阵列模块R13的一端、第三电容C13的一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的INN端；所述第一三位可调电阻阵列模块R11的另一端、第四电容C14的另一端与所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIP端连接，所述第一电容C11的另一端、第二三位可调电阻阵列模块R12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQP端，所述第三三位可调电阻阵列模块R13的另一端、第二电容C12的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OIN端，所述第三电容C13的另一端、第四三位可调电阻阵列模块R14的另一端连接所述第一级RC无源多相滤波器PPF1的OQN端；

所述第二级RC无源多相滤波器PPF2包括第五三位可调电阻阵列模块R21、第六三位可调电阻阵列模块R22、第七三位可调电阻阵列模块R23、第八三位可调电阻阵列模块R24、第五电容C21、第六电容C22、第七电容C23、第八电容C24、第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4；所述第五三位可调电阻阵列模块R21的一端、第五电容C21的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIP端，所述第六三位可调电阻阵列模块R22的一端、第六电容C22的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQP端，所述第七三位可调电阻阵列模块R23的一端、第七电容C23的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IIN端，所述第八三位可调电阻阵列模块R24的一端、第八电容C24的一端连接所述第二级RC无源滤波器PPF2的IQN端；所述第五三位可调电阻阵列模块R21的另一端、第八电容C24的另一端、第一可调电容阵列模块C1的一端连接与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIP端连接，所述第五电容C21的另一端、第六三位可调电阻阵列模块R22的另一端、第二可调电容阵列模块C2的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQP端连接，所述第六电容C22的另一端、第七三位可调电阻阵列模块R23的另一端、第三可调电容阵列模块C3的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OIN端连接，所述第七电容C23的另一端、第八三位可调电阻阵列模块R24的另一端、第四可调电容阵列模块C4的一端与所述第二级RC无源滤波器PPF2的OQN端连接；所述第一可调电容阵列模块C1的另一端、第二可调电容阵列模块C2的另一端、第三可调电容阵列模块C3的另一端、第四可调电容阵列模块C4的另一端均接地；所述第一可调电容阵列模块C1、第二可调电容阵列模块C2、第三可调电容阵列模块C3、第四可调电容阵列模块C4完全相同。

2.根据权利要求1所述超宽带二阶多相滤波器，其特征在于，所述第一可调电容阵列模块C1包括：第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4和第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4；所述第九电容Ck1、第十电容Ck2、第十一电容Ck3、第十二电容Ck4的电容值呈双倍递增；所述第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的长度相同，宽度呈双倍递增；所述第九电容Ck1的一端、第十电容Ck2的一端、第十一电容Ck3的一端、第十二电容Ck4的一端与所述第一可调电容阵列C1的一端连接，所述第一NMOS管M1的源极S端、第二NMOS管M2的源极S端、第三NMOS管M3的源极S端、第四NMOS管M4的源极S端与所述第一可调电容阵列C1的另一端连接；所述第九电容Ck1的另一端与第一NMOS管M1的漏极D端连接，所述第十电容Ck2的另一端与第二NMOS管M2的漏极D端连接，所述第十一电容Ck3的另一端与第三NMOS管M3的漏极D端连接，所述第十二电容Ck4的另一端与第四NMOS管M4的漏极D端连接；所述第一NMOS管M1的栅极G端、第二NMOS管M2的栅极G端、第三NMOS管M3的栅极G端、第四NMOS管M4的栅极G端连接控制字信号。