CN110544746A - 发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的双层发光层，所述双层发光层包括邻近所述阳极设置的第一发光层和邻近所述阴极设置的第二发光层，其中，所述第一发光层为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层为量子点发光层。

Description

发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

胶体量子点因其荧光效率高、单色性好、发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。

白光量子点发光二极管器件报导的比较少，白光量子点发光二极管器件的主要结构一般有两种。第一种采用三基色量子点发光，即选用红、绿、蓝量子点作为三基色混合发光为白色；第二种采用蓝色荧光粉作为基底，结合黄色量子点发光，与蓝色荧光粉激发共同作用产生白光。而目前白光量子点发光二极管器件使用的电子传输层材料的电子注入能力普遍强于空穴传输层材料的空穴注入能力，导致过量的电子注入引起器件功能层如空穴传输层的自发光(寄生发光)，从而影响量子点发光器件的发光纯度和复合效率。另外，如果过量注入的电子在量子点发光层中输运受阻，会使得电荷在量子点发光层累积，严重影响量子点的发光特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的发光二极管使用的电子传输层材料的电子注入能力普遍强于空穴传输层材料的空穴注入能力，影响发光器件的发光纯度和复合效率，以及影响量子点发光性能的问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的双层发光层，所述双层发光层包括邻近所述阳极设置的第一发光层和邻近所述阴极设置的第二发光层，其中，所述第一发光层为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层为量子点发光层。

本发明另一方面提供一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；在所述第一发光层上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；

在所述第二发光层上制备阴极；或

所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；在所述第二发光层上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；

在所述第一发光层上制备阳极。

本发明提供的发光二极管，设置有双层发光层，具体的，在邻近所述阳极的一端设置第一发光层，邻近所述阴极的一端设置第二发光层。其中，所述第一发光层为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层为量子点发光层。特别的，本发明在邻近所述阳极的一端引入的双异质结纳米棒材料层可以促进载流子尤其是空穴的注入，将载流子限制在发光层之中，从而可以降低发光二极管器件的开启电压，有效避免来自发光二极管器件其他功能层的寄生发光，提高发光二极管的发光效率和器件发光纯度。

本发明提供的发光二极管的制备方法，只需在常规的发光二极管的基础上，在邻近阳极的一端增加制备一层双异质结纳米棒材料层即可，方法简单易控，可实现高发光效率和高发光纯度的发光二极管的制备。

附图说明

图1是本发明实施例提供的发光二极管的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的双异质结纳米棒的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

结合图1、图2，本发明实施例一方面提供一种发光二极管，包括相对设置的阳极1和阴极6，以及设置在所述阳极1和所述阴极6之间的双层发光层4，所述双层发光层4包括邻近所述阳极1设置的第一发光层41和邻近所述阴极6设置的第二发光层42，其中，所述第一发光层41为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层42为量子点发光层。

本发明实施例提供的发光二极管，设置有双层发光层4，具体的，在邻近所述阳极1的一端设置第一发光层41，邻近所述阴极6的一端设置第二发光层42。其中，所述第一发光层41为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层42为量子点发光层。特别的，本发明实施例在邻近所述阳极1的一端引入的双异质结纳米棒材料层可以促进载流子尤其是空穴的注入，将载流子限制在发光层之中，从而可以降低发光二极管器件的开启电压，有效避免来自发光二极管器件其他功能层的寄生发光，提高发光二极管的发光效率和器件发光纯度。

作为一种优选实施方式，所述发光二极管还包括设置在所述量子点发光层和所述阴极6之间的电子功能层。

作为另一种优选实施方式，所述发光二极管还包括设置在所述双异质结纳米棒材料层和所述阳极1之间的空穴功能层。

作为再一种优选实施方式，所述发光二极管还包括空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层。

应当理解，上述三种优选实施方式所示情形，可以在所述发光二极管中单独存在，即所述发光二极管中含有空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层、或电子功能层、或空穴功能层。上述三种优选实施方式中，也可以任意两种优选实施方式组合在所述述发光二极管中存在，如所述发光二极管中同时含有电子功能层、空穴功能层，或所述发光二极管中同时空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层以及空穴功能层，或所述发光二极管中同时空穴阻挡层、空阻挡层中的至少一层以及电子功能层。当然，上述三种优选实施方式可以同时在所述述发光二极管中存在，即所述发光二极管中同时含有电子功能层、空穴功能层、以及空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层。

作为较优实施方式，所述发光二极管包括设置在所述量子点发光层和所述阴极6之间的电子功能层，以及设置在所述双异质结纳米棒材料层和所述阳极1之间的空穴功能层。

在上述实施方式的基础上，所述发光二极管还可以包括用于隔绝水氧的封装层，以及用于承载底电极的基板。所述阳极1或所述阴极6可以直接设置在基板上，形成阳极1基板或阴极6基板。

作为一种具体优选实施方式，如图1所示，所述发光二极管，包括相对设置的阳极1和阴极6，设置在所述阳极1和所述阴极6之间的双层发光层4，设置在所述阳极1和所述双层发光层4之间的空穴功能层，设置在所述阴极6和所述双层发光层4之间的电子功能层，所述双层发光层4包括邻近所述阳极1设置的第一发光层41和邻近所述阴极6设置的第二发光层42。

具体的，所述电子功能层为电子传输层5、电子注入层(图中未标注)中的至少一种，所述空穴功能层为空穴传输层3、空穴注入层2中的至少一种。上述功能层中，注入层(电子注入层、空穴注入层2)邻近电极(阴极6或阳极1)设置，传输层(电子传输层5、空穴传输层3)邻近发光层设置。

本发明实施例通过在邻近所述阳极1的一端引入的双异质结纳米棒材料层来解决现有发光量子点发光二极管由于电子传输层材料的电子注入能力普遍强于空穴传输层材料的空穴注入能力，发生寄生发光，影响发光器件的发光纯度和复合效率，以及影响量子点发光性能的问题。作为一种实施方式，所述双异质结纳米棒材料层中含有双异质结纳米棒，即可以理解为所述双异质结纳米棒材料层中还可以含有非纳米棒结构的双异质结纳米材料，且所述非纳米棒结构的双异质结纳米材料同样可以促进载流子尤其是空穴的注入，将载流子限制在发光层之中。作为另一种实施方式，所述双异质结纳米棒材料层由双异质结纳米棒组成。优选的，所述发光二极管中的所述双异质结纳米棒材料层由双异质结纳米棒组成。

优选的，如图2所示，所述双异质结纳米棒包括纳米棒体以及连接所述纳米棒体两端的纳米棒端，且所述纳米棒端为核壳结构，所述核壳结构包括纳米棒端核和包覆在所述纳米棒端核表面的纳米棒端壳层。

进一步优选的，所述双异质结纳米棒中，纳米棒体材料(所述纳米棒体的材料)的带隙比纳米棒核材料(所述纳米棒核的材料)的带隙至少高0.5eV，纳米棒端壳层材料(所述纳米棒端壳层的材料)的带隙比纳米棒核材料的带隙至少高0.5eV，所述纳米棒体材料和所述纳米棒端壳层材料相同或不同。满足上述材料带隙要求的双异质结纳米棒，可以保证所述第一发光层41对激子的束缚，便于载流子尤其是空穴的注入。

具体优选的，所述纳米棒体材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的至少一种，且纳米棒体材料的带隙比纳米棒核材料)的带隙至少高0.5eV。所述纳米棒体材料包括但不限于CdS、ZnSe。

具体优选的，所述纳米棒端壳层材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的至少一种，且纳米棒端壳层材料的带隙比纳米棒核材料的带隙至少高0.5eV。所述纳米棒端壳层材料包括但不限于CdS、ZnSe。

具体优选的，所述纳米棒核材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的的至少一种。所述纳米棒核材料包括但不限于CdSe、CdS、Cd_xZn_1-xSe_yS_1-y，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且x、y不同时为0，x、y不同时为1。

本发明实施例中，除了所述双异质结纳米棒材料层，还含有常规的发光层，即量子点发光层。双异质结纳米棒材料层和所述量子点发光层形成双层发光层4。具体优选的，所述双异质结纳米棒材料层的发光光谱波峰在520nm～630nm范围内，所述量子点发光层的发光光谱波峰在420nm～520nm范围内，由此获得的发光二极管不仅兼具高发光效率和高发光纯度，且发光效率和发光纯度效果明显。本发明实施例可以通过调整双异质结纳米棒的纳米棒体的粒径和长度，来达到调节发光波长的效果，使得所述双异质结纳米棒材料层的发光光谱波峰在520nm～630nm范围内。

优选的，所述量子点发光层中的量子点可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的的至少一种。其中，所述II-VI族化合物包括II-VI族半导体纳米晶、以及其他二元、三元、四元的II-VI化合物；所述III-V族化合物包括III-V族半导体纳米晶、以及其他二元、三元、四元的III-V化合物。具体优选的，所述量子点包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP、InAs、Cd_xZn_1-xSe_yS_1-y，其中0≤x≤1，0≤y≤1，且x、y不同时为0，x、y不同时为1。

本发明实施例中，优选的，所述双异质结纳米棒材料层的厚度为20nm～30nm。该厚度范围低于所述双异质结纳米棒的平均长度，因此，可以使得所述双异质结纳米棒取向平行于器件层结构，如平行于基板、平行于阴极层、阳极层等功能层，从而保证出高效率。所述第二发光层42即量子点发光层的厚度应当与第一发光层41厚度相匹配，以保证发光纯度。具体的，在所述双异质结纳米棒材料层的厚度基础上，所述量子点发光层的厚度可以依照所述双异质结纳米棒材料层的厚度灵活调整，但其厚度过厚会造成器件的电阻过大，降低器件性能。优选的，所述量子点发光层的厚度为25nm～45nm。

在上述实施情形的基础上，优选的，所述阳极1阳选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或多种。

所述空穴注入层2选自聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂过渡金属氧化物、非掺杂金属硫化物、掺杂金属硫化物中的一种或多种。

所述空穴传输层3的材料选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物。所述空穴传输层3的材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的NiO、WO₃、MoO₃、CuO或它们的混合物。

所述电子传输层5的材料优选为n型ZnO、TiO₂、SnO、Ta₂O₃、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq₃三(8-羟基喹啉)铝、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种，更优选为n型ZnO、n型TiO₂。

所述阴极6的材料优选为Al或Ag。

作为一种优选实施方式，所述双异质结纳米棒材料层发射的光和所述量子点发光层发射的光复合形成白光。

本发明实施例所述发光二极管可以通过下述方法制备获得。

相应的，本发明实施例另一方面提供一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；在所述第一发光层上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；

在所述第二发光层上制备阴极；或

所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；在所述第二发光层上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；

在所述第一发光层上制备阳极。

本发明实施例提供的发光二极管的制备方法，只需在常规的发光二极管的基础上，在邻近阳极的一端增加制备一层双异质结纳米棒材料层即可，方法简单易控，可实现高发光效率和高发光纯度的发光二极管的制备。

所述发光二极管，各功能层结构、材料、厚度及其他优选情形如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。

本发明实施例中，各层沉积方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。

优选的，本发明实施例所述第一发光层、所述第二发光层通过溶液加工法制备。具体的，将双异质结纳米棒材料溶解在溶剂中，形成均匀分散的混合溶液后，沉积在所述阳极或所述第二发光层表面，制备第一发光层。同样的，将量子点材料溶解在溶剂中，形成均匀分散的混合溶液后，沉积在所述阴极或所述第一发光层表面，制备第二发光层。其中，所述溶剂优选为正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的至少一种。

特别的，本发明实施例所述双异质结纳米棒材料中含有双异质结纳米棒，所述双异质结纳米棒包括纳米棒体，以及连接所述纳米棒体两端的纳米棒端，且所述纳米棒端为核壳结构，所述核壳结构包括纳米棒端核和包覆在所述纳米棒端核表面的纳米棒端壳层。以A表示纳米棒体材料，B表示纳米棒端核材料，C表示纳米棒端壳层材料，作为一种优选实施方式，所述双异质结纳米棒的制备方法，包括以下步骤：

(1)制备A/B纳米棒前体，所述A/B纳米棒前体是指纳米棒体材料为A，纳米棒端核材料为B，且纳米棒端核连接在纳米棒体两端的纳米棒结构。

优选的，将A/B纳米棒前体分散在有机溶剂如溶解于氯苯中。

(2)制备纳米棒端壳层材料的阳离子前驱体。

其中，以纳米棒端壳层材料为ZnSe为例，所述纳米棒端壳层材料的阳离子前驱体的制备方法为：将十八烯、油酸和乙酸锌在(100℃～150℃)的温度范围经过(20min～60min)的脱气处理，放入氮气气氛下后，将温度提升至(200℃～300℃)并保持(1h～3h)，得到锌油酸。

(3)将A/B纳米棒前体注入所述纳米棒端壳层材料的阳离子前驱体中，惰性气氛下，加热去除分散A/B纳米棒前体的有机溶剂，然后加入所述纳米棒端壳层材料的阴离子前驱体，加热反应，在A/B纳米棒前体的B上生长纳米棒端壳层材料，分离提纯后得到A/B@C结构的双异质结纳米棒。其中，B@C是指纳米棒端壳层材料包覆在纳米棒端核材料表面，形成的纳米棒端结构。

优选的，以ZnSe为纳米棒端壳层材料为例，ZnSe的生长方法为：将A/B纳米棒溶液注入生成的锌油酸中，在真空环境下加热至70℃除去氯苯，之后缓慢通入Se前驱体溶液(Se溶于TOP之中)，并且在(200℃～300℃)温度下反应。反应结束后用甲醇和丁醇分离提纯，得到CdS/CdSe@ZnSe双异质结纳米棒。

下面结合具体实施例进行说明。

实施例1

一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，所述阳极设置在玻璃衬底上，设置在所述阳极和所述阴极之间的双层发光层，设置在所述阳极和所述双层发光层之间的空穴功能层，设置在所述阴极和所述双层发光层之间的电子功能层，其中，所述双层发光层包括邻近所述阳极设置的第一发光层和邻近所述阴极设置的第二发光层，所述空穴功能层包括依次设置在阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述电子功能层为电子传输层。上述发光二极管中，阳极材料为ITO，空穴注入层材料为PEDOT:PSS，空穴传输层材料为TFB，第一发光层材料为CdS@CdSe@ZnSe异质结纳米棒材料层，量子点发光层材料为CdSe，电子传输层材料为ZnO，阴极材料为Al。其中，CdS@CdSe@ZnSe异质结纳米棒材料层中的CdS@CdSe@ZnSe异质结纳米棒中，纳米棒体材料为CdS，纳米棒端核层材料为CdSe，纳米棒端壳层材料为ZnSe，记作CdS/CdSe@ZnSe。

所述发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

在ITO衬底上沉积PEDOT:PSS薄膜，作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS薄膜上沉积TFB层，作为空穴传输层；

将CdS@CdSe@ZnSe异质结纳米棒材料溶解在氯苯中形成混合溶液，然后将该混合溶液旋涂在TFB层上，得到第一发光层；之后旋涂CdSe量子点发光层，得到双层发光层；所述混合溶液的浓度优选为30mg/ml，混合溶液的旋涂速度为2000-3000rpm，CdSe量子点的旋涂速度为2000-4000rpm；

在量子点发光层上沉积ZnO薄膜，作为电子传输层；

在ZnO薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点复合发光的发光二极管。

对比例1

一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，所述阳极设置在玻璃衬底上，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子功能层，其中，所述空穴功能层包括依次设置在阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述电子功能层为电子传输层。上述发光二极管中，阳极材料为ITO，空穴注入层材料为PEDOT:PSS，空穴传输层材料为TFB，量子点发光层材料为CdSe，电子传输层材料为ZnO，阴极材料为Al。

所述发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

在ITO衬底上沉积PEDOT:PSS薄膜，作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS薄膜上沉积TFB层，作为空穴传输层；

在空穴传输层上旋涂速率旋涂CdSe量子点发光层；

在量子点发光层上沉积ZnO薄膜，作为电子传输层；

在ZnO薄膜上蒸镀一层Al，得到量子点发光二极管。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的双层发光层，所述双层发光层包括邻近所述阳极设置的第一发光层和邻近所述阴极设置的第二发光层，其中，所述第一发光层为双异质结纳米棒材料层，所述第二发光层为量子点发光层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒材料层中含有双异质结纳米棒，或

所述双异质结纳米棒材料层由双异质结纳米棒组成。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒包括纳米棒体以及连接所述纳米棒体两端的纳米棒端，且所述纳米棒端为核壳结构，所述核壳结构包括纳米棒端核和包覆在所述纳米棒端核表面的纳米棒端壳层。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒中，纳米棒体材料的带隙比纳米棒核材料的带隙至少高0.5eV，纳米棒端壳层材料的带隙比纳米棒核材料的带隙至少高0.5eV，所述纳米棒体材料和所述纳米棒端壳层材料相同或不同。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米棒体材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的至少一种；和/或

所述纳米棒端壳层材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的至少一种；和/或

所述纳米棒核材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的的至少一种。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的的至少一种。

7.如权利要求1-6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒材料层的发光光谱波峰在520nm～630nm范围内，所述量子点发光层的发光光谱波峰在420nm～520nm范围内。

8.如权利要求1-6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒材料层的厚度为20nm～30nm。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为25nm～45nm。

10.如权利要求1-6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子功能层；和/或

所述发光二极管还包括设置在所述双异质结纳米棒材料层和所述阳极之间的空穴功能层。

11.如权利要求1-6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述双异质结纳米棒材料层发射的光和所述量子点发光层发射的光复合形成白光。

12.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；在所述第一发光层上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；

在所述第二发光层上制备阴极；或

所述制备方法包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极上沉积量子点发光材料，制备第二发光层；在所述第二发光层上沉积双异质结纳米棒材料，制备第一发光层；

在所述第一发光层上制备阳极。