CN110534000A - 用于设置电气故障点的矩阵式控制电路 - Google Patents

用于设置电气故障点的矩阵式控制电路 Download PDF

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Abstract

一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，属于电气线路故障诊断实训教学器具技术领域。包括继电器矩阵主控制电路以及分别与继电器矩阵主控制电路连接的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路，所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Qm、行场效应开关管V0～Vn、继电器线圈J00～Jmn以及继电器常闭触点K00～Kmn，所述的继电器线圈J00～Jmn排列成继电器线圈矩阵，所述的列场效应开关管Q0～Qm排列在继电器线圈矩阵的列方向，所述的行场效应开关管V0～Vn排列在继电器线圈矩阵的行方向，在两者的各个行列交叉处分别设置继电器线圈J00～Jmn。优点：对相同功能的电气线路故障诊断实训教学器具，能显著减少元器件数量，减小装置体积，降低制作成本。

Description

用于设置电气故障点的矩阵式控制电路
技术领域
本发明属于电气线路故障诊断实训教学器具技术领域，具体涉及一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路。
背景技术
在现有的电气线路故障诊断实训教学器具中，通常采用在拟设置故障点处串接一个电气触点的方式。该电气触点的通断或者由手动开关操作，或者由微处理器通过驱动电路控制继电器来操作。前者属于传统方式，为提高教学效率，目前后者正取代前者，如中国发明专利申请号201310511124.1提供的“电路故障设置设备”，以及中国实用新型专利申请号201720103954.4提供的“一种基于单片机的数控机床电气故障设置及排除实训装置”。然而，该类技术方案存在的不足是：微处理器接口的利用率很低，其接口点位采取一对一驱动对应继电器线圈带电或断电来控制触点通断，以达到故障设置的目的。在设置故障点数量少的情况下，这种方式是适用的。对于复杂电气线路，需要设置故障点数量很多，如果仍采取接口点位一对一驱动方式，就会造成微处理器接口点位数量和对应继电器线圈驱动电路数量很庞大，使得实训教学器具的体积和成本较大。
鉴于上述已有技术，本申请人作了积极而有效的探索，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，能以较少元器件设置较多故障点，能简化电路，降低制作成本。
本发明的目的是这样来达到的，一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，包括继电器矩阵主控制电路以及分别与继电器矩阵主控制电路连接的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路，所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Qm、行场效应开关管V0～Vn、继电器线圈J00～Jmn以及继电器常闭触点K00～Kmn，其中，m、n为大于或等于0的整数，所述的继电器线圈J00～Jmn排列成继电器线圈矩阵，所述的列场效应开关管Q0～Qm排列在继电器线圈矩阵的列方向，所述的行场效应开关管V0～Vn排列在继电器线圈矩阵的行方向，在两者的各个行列交叉处分别设置继电器线圈J00～Jmn，所述的继电器线圈J00的一端连接列场效应开关管Q0，继电器线圈J00的另一端连接行场效应开关管V0，该继电器线圈J00的通断由列场效应开关管Q0和行场效应开关管V0控制，以此类推，继电器线圈Jmn的一端连接列场效应开关管Qm，继电器线圈Jmn的另一端连接行场效应开关管Vn，该继电器线圈Jmn的通断由列场效应开关管Qm和行场效应开关管Vn控制，所述的继电器常闭触点K00～Kmn用于设置故障点，串联在实训教学器具的电气线路当中，所述的微处理器接口列点位控制电路连接列场效应开关管Q0～Qm，用于控制列场效应开关管Q0～Qm的通断，所述的微处理器接口行点位控制电路连接行场效应开关管V0～Vn，用于控制行场效应开关管V0～Vn的通断。
在本发明的一个具体的实施例中，所述的继电器矩阵主控制电路还包括列场效应开关管保护用二极管S0～Sm、行场效应开关管保护用二极管G0～Gn以及继电器保护用二极管D00～Dmn，所述的列场效应开关管保护用二极管S0～Sm与列场效应开关管Q0～Qm一一对应，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的负极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的漏极端，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的正极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的源极端，所述的行场效应开关管保护用二极管G0～Gn与行场效应开关管V0～Vn一一对应，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的负极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的漏极端，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的正极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的源极端，所述的继电器保护用二极管D00～Dmn与继电器线圈J00～Jmn一一对应，继电器保护用二极管D00～Dmn的负极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的一端，并分别连接所在列的列场效应开关管Q0～Qm的源极端，继电器保护用二极管D00～Dmn的正极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的另一端，并分别连接所在行的行场效应开关管V0～Vn的漏极端。
在本发明的另一个具体的实施例中，所述的微处理器接口列点位控制电路的点位数量有m+1个，所述的列场效应开关管Q0～Qm分别连接一微处理器接口列点位控制电路的对应点位，所述的微处理器接口行点位控制电路的点位数量有n+1个，所述的行场效应开关管V0～Vn分别连接一微处理器接口行点位控制电路的对应点位。
在本发明的又一个具体的实施例中，所述的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路的结构相同。
在本发明的再一个具体的实施例中，所述的微处理器接口列点位控制电路包括六反相器芯片IC、光耦TL、电阻R1、电阻R2以及电阻R3，其中，所述的六反相器芯片IC采用74HC04、所述的光耦TL采用EL817，电阻R1的一端和六反相器芯片IC的14脚共同连接直流电源V+，电阻R1的另一端连接光耦TL的1脚，光耦TL的2脚连接六反相器芯片IC的2脚，六反相器芯片IC的1脚构成电路的输入端H，即对应各微处理器接口列点位，光耦TL的4脚连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接直流电源VDD，光耦TL的3脚与电阻R3的一端连接，并构成电路的输出端T，用于连接所述的继电器矩阵主控制电路中的列场效应开关管Q0～Qm中的任意一个，电阻R3的另一端连接地。
本发明将列场效应开关管和行场效应开关管以行列形式组合，并在各行列交叉处设置继电器线圈，能够以行数与列数相加之和数量的微处理器接口点位，控制行数与列数相乘之积数量的继电器线圈，对相同功能的电气线路故障诊断实训教学器具，能显著减少元器件数量，减小装置体积，降低制作成本。
附图说明
图1为本发明所述的继电器矩阵主控制电路的原理图。
图2为本发明所述的微处理器接口列点位控制电路的电连接原理图。
图3为本发明所述的继电器矩阵主控制电路的一实施例电连接原理图。
图4为本发明所述的微处理器接口列点位控制电路的一实施例电连接原理图。
图5为本发明所述的微处理器接口行点位控制电路的一实施例电连接原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式详细描述，但对实施例的描述不是对技术方案的限制，任何依据本发明构思作形式而非实质的变化都应当视为本发明的保护范围。
请参阅图1，一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，包括继电器矩阵主控制电路以及分别与继电器矩阵主控制电路连接的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路。所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Qm、行场效应开关管V0～Vn、继电器线圈J00～Jmn以及继电器常闭触点K00～Kmn，其中，m、n为大于或等于0的整数。所述的继电器线圈J00～Jmn呈矩阵状排列，所述的列场效应开关管Q0～Qm排列在继电器线圈矩阵的列方向，所述的行场效应开关管V0～Vn排列在继电器线圈矩阵的行方向，在两者的各个行列交叉处分别设置继电器线圈J00～Jmn。所述的继电器线圈J00的一端连接列场效应开关管Q0，继电器线圈J00的另一端连接行场效应开关管V0，该继电器线圈J00的通断由列场效应开关管Q0和行场效应开关管V0控制，以此类推，继电器线圈Jmn的一端连接列场效应开关管Qm，继电器线圈Jmn的另一端连接行场效应开关管Vn，该继电器线圈Jmn的通断由列场效应开关管Qm和行场效应开关管Vn控制。所述的继电器常闭触点K00～Kmn用于设置故障点，串联在实训教学器具的电气线路当中。所述的微处理器接口列点位控制电路连接列场效应开关管Q0～Qm，用于控制列场效应开关管Q0～Qm的通断，所述的微处理器接口行点位控制电路连接行场效应开关管V0～Vn，用于控制行场效应开关管V0～Vn的通断。
进一步地，所述的继电器矩阵主控制电路还包括列场效应开关管保护用二极管S0～Sm、行场效应开关管保护用二极管G0～Gn以及继电器保护用二极管D00～Dmn。所述的列场效应开关管保护用二极管S0～Sm与列场效应开关管Q0～Qm一一对应，分别并联在列场效应开关管Q0～Qm的漏极和源极之间，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的负极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的漏极端，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的正极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的源极端。所述的行场效应开关管保护用二极管G0～Gn与行场效应开关管V0～Vn一一对应，分别并联在行场效应开关管V0～Vn的漏极和源极之间，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的负极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的漏极端，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的正极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的源极端。所述的继电器保护用二极管D00～Dmn与继电器线圈J00～Jmn一一对应并联连接，继电器保护用二极管D00～Dmn的负极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的一端，并分别连接所在列的列场效应开关管Q0～Qm的源极端，继电器保护用二极管D00～Dmn的正极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的另一端，并分别连接所在行的行场效应开关管V0～Vn的漏极端。
所述的微处理器接口列点位控制电路的点位数量有m+1个，所述的列场效应开关管Q0～Qm分别连接一微处理器接口列点位控制电路的对应点位，所述的微处理器接口行点位控制电路的点位数量有n+1个，所述的行场效应开关管V0～Vn分别连接一微处理器接口行点位控制电路的对应点位。此处，所述的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路采用相同的电路结构。
请参阅图2，所述的微处理器接口列点位控制电路包括六反相器芯片IC、光耦TL、电阻R1、电阻R2以及电阻R3，其中，所述的六反相器芯片IC采用74HC04、所述的光耦TL采用EL817。电阻R1的一端和六反相器芯片IC的14脚共同连接直流电源V+，电阻R1的另一端连接光耦TL的1脚，光耦TL的2脚连接六反相器芯片IC的2脚，六反相器芯片IC的1脚构成电路的输入端H，即对应各微处理器接口列点位，光耦TL的4脚连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接直流电源VDD，光耦TL的3脚与电阻R3的一端连接，并构成电路的输出端T，用于连接所述的继电器矩阵主控制电路中的列场效应开关管Q0～Qm中的任意一个，电阻R3的另一端连接地。列场效应开关管Q0～Qm分别对应一上述的微处理器接口列点位控制电路。
以下，通过具体的实施例对本发明作进一步的说明。
请参阅图3，在本实施例中，m和n均取值为5，即所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Q5、列场效应开关管保护用二极管S0～S5、行场效应开关管V0～V5、行场效应开关管保护用二极管G0～G5、继电器线圈J00～J55、继电器常闭触点K00～K55以及继电器保护用二极管D00～D55，其中，继电器线圈J00～J55和继电器常闭触点K00～K55采用HG4088型直流继电器，列场效应开关管Q0～Q5和行场效应开关管V0～V5均采用BSS138型场效应管，列场效应开关管保护用二极管S0～S5、行场效应开关管保护用二极管G0～G5以及继电器保护用二极管D00～D55均采用1N5819型二极管。继电器线圈J00的一端、继电器保护用二极管D00的负极端、继电器线圈J01的一端、继电器保护用二极管D01的负极端、继电器线圈J02的一端、继电器保护用二极管D02的负极端、继电器线圈J03的一端、继电器保护用二极管D03的负极端、继电器线圈J04的一端、继电器保护用二极管D04的负极端、继电器线圈J05的一端以及继电器保护用二极管D05的负极端共同连接列场效应开关管Q0的源极，继电器线圈J10的一端、继电器保护用二极管D10的负极端、继电器线圈J11的一端、继电器保护用二极管D11的负极端、继电器线圈J12的一端、继电器保护用二极管D12的负极端、继电器线圈J13的一端、继电器保护用二极管D13的负极端、继电器线圈J14的一端、继电器保护用二极管D14的负极端、继电器线圈J15的一端以及继电器保护用二极管D15的负极端共同连接列场效应开关管Q1的源极，以此类推，继电器线圈J50的一端、继电器保护用二极管D50的负极端、继电器线圈J51的一端、继电器保护用二极管D51的负极端、继电器线圈J52的一端、继电器保护用二极管D52的负极端、继电器线圈J53的一端、继电器保护用二极管D53的负极端、继电器线圈J54的一端、继电器保护用二极管D54的负极端、继电器线圈J55的一端以及继电器保护用二极管D55的负极端共同连接列场效应开关管Q5的源极。继电器线圈J00的另一端、继电器保护用二极管D00的正极端、继电器线圈J10的另一端、继电器保护用二极管D10的正极端、继电器线圈J20的另一端、继电器保护用二极管D20的正极端、继电器线圈J30的另一端、继电器保护用二极管D30的正极端、继电器线圈J40的另一端、继电器保护用二极管D40的正极端、继电器线圈J50的另一端以及继电器保护用二极管D50的正极端共同连接行场效应开关管V0的漏极。以此类推，继电器线圈J05的另一端、继电器保护用二极管D05的正极、继电器线圈J15的另一端、继电器保护用二极管D15的正极端、继电器线圈J25的另一端、继电器保护用二极管D25的正极端、继电器线圈J35的另一端、继电器保护用二极管D35的正极端、继电器线圈J45的另一端、继电器保护用二极管D45的正极端、继电器线圈J55的另一端以及继电器保护用二极管D55的正极端共同连接行场效应开关管V5的漏极。列场效应开关管Q0～Q5的栅极，即图上的T0～T5分别连接一微处理器接口列点位控制电路。行场效应开关管V0～V5的栅极，即图上的P0～P5分别连接一微处理器接口行点位控制电路。
所述的列场效应开关管保护用二极管S0～S5与列场效应开关管Q0～Q5一一对应，分别并联在列场效应开关管Q0～Q5的漏极和源极之间，列场效应开关管保护用二极管S0～S5的负极端分别连接列场效应开关管Q0～Q5的漏极端，列场效应开关管保护用二极管S0～S5的正极端分别连接列场效应开关管Q0～Q5的源极端；所述的行场效应开关管保护用二极管G0～G5与行场效应开关管V0～V5一一对应，分别并联在行场效应开关管V0～V5的漏极和源极之间，行场效应开关管保护用二极管G0～G5的负极端分别连接行场效应开关管V0～V5的漏极端，行场效应开关管保护用二极管G0～G5的正极端分别连接行场效应开关管V0～V5的源极端。
以继电器常闭触点K00为例，当列场效应开关管Q0的栅极电压大于零时，列场效应开关管Q0导通；当列场效应开关管Q0的栅极电压等于零时，列场效应开关管Q0截止。其它列场效应开关管Q0～Q5以及行场效应开关管V0～V5的工作原理与此相同。当列场效应开关管Q0的栅极电压和行场效应开关管V0的栅极电压均大于零时，列场效应开关管Q0导通，行场效应开关管V0导通，继电器线圈J00得电，对应的常闭触点K00断开；当列场效应开关管Q0的栅极电压和行场效应开关管V0的栅极电压至少有一个等于零时，列场效应开关管Q0和行场效应开关管V0中的至少一个截止，此时继电器线圈J00失电，对应的常闭触点K00闭合。列场效应开关管Q0的通断由微处理器接口列点位控制电路控制，行场效应开关管V0的通断由微处理器接口行点位控制电路控制。
请参阅图4，由于六反相器芯片IC1采用了74HC04，其内部封装了六个反相器，因此，本实施例中的列场效应开关管Q0～Q5所需要的六个微处理器接口列点位控制电路可以共用一个六反相器芯片IC1。图上，光耦TL00、电阻R001、电阻R002以及电阻R003对应列场效应开关管Q0连接的微处理器接口行点位控制电路，其中的光耦TL00的2脚连接六反相器芯片IC1的2脚，光耦TL00的3脚连接列场效应开关管Q0的栅极T0；光耦TL01、电阻R011、电阻R012以及电阻R013对应列场效应开关管Q1连接的微处理器接口列点位控制电路，其中的光耦TL01的2脚连接六反相器芯片IC1的4脚，光耦TL01的3脚连接列场效应开关管Q1的栅极T1；光耦TL02、电阻R021、电阻R022以及电阻R023对应列场效应开关管Q2连接的微处理器接口列点位控制电路，其中的光耦TL02的2脚连接六反相器芯片IC1的6脚，光耦TL02的3脚连接列场效应开关管Q2的栅极T2；光耦TL03、电阻R031、电阻R032以及电阻R033对应列场效应开关管Q3连接的微处理器接口列点位控制电路，其中的光耦TL03的2脚连接六反相器芯片IC1的8脚，光耦TL03的3脚连接列场效应开关管Q3的栅极T3；光耦TL04、电阻R041、电阻R042以及电阻R043对应列场效应开关管Q4连接的微处理器接口列点位控制电路，其中的光耦TL04的2脚连接六反相器芯片IC1的10脚，光耦TL04的3脚连接列场效应开关管Q4的栅极T4；光耦TL05、电阻R051、电阻R052以及电阻R053对应列场效应开关管Q5连接的微处理器接口列点位控制电路，其中的光耦TL05的2脚连接六反相器芯片IC1的12脚，光耦TL05的3脚连接列场效应开关管Q5的栅极T5。六反相器芯片IC1的1、3、5、9、11、13脚构成电路的输入端，即分别对应微处理器接口列点位H0～H5。继续以继电器常闭触点K00为例进行说明，在列场效应开关管Q0对应的微处理器接口列点位控制电路中，当微处理器接口列点位H0为低电平时，六反相器芯片IC1的2脚向光耦TL00的2脚输入高电平，光耦TL00的发光二极管和光敏三极管均截止，光耦TL00的3脚和4脚截止，使电路输出端T0向列场效应开关管Q0输出零电压；当微处理器接口列点位H0为高电平时，六反相器芯片IC1的2脚输出低电平，光耦TL00的2脚输入低电平，光耦TL00内的发光二极管和光敏三极管均导通，光耦TL00的3脚和4脚导通，使电路输出端T0输出正电压。
请参阅图5，由于所述的微处理器接口行点位控制电路的结构与微处理器接口列点位控制电路相同，以下对微处理器接口行点位控制电路作简化说明。同样地，行场效应开关管V0～V5的所需要的六个微处理器接口行点位控制电路共用一个六反相器芯片IC2，图上，光耦TL10、电阻R101、电阻R102以及电阻R103对应行场效应开关管V0连接的微处理器接口行点位控制电路；光耦TL11、电阻R111、电阻R112以及电阻R113对应行场效应开关管V1连接的微处理器接口行点位控制电路；光耦TL12、电阻R121、电阻R122以及电阻R123对应行场效应开关管V2连接的微处理器接口行点位控制电路；光耦TL13、电阻R131、电阻R132以及电阻R133对应行场效应开关管V3连接的微处理器接口行点位控制电路；光耦TL14、电阻R141、电阻R142以及电阻R143对应行场效应开关管V4连接的微处理器接口行点位控制电路；光耦TL15、电阻R151、电阻R152以及电阻R153对应行场效应开关管V5连接的微处理器接口行点位控制电路。
如上所述，本发明将列场效应开关管Q0～Qm和行场效应开关管V0～Vn以行列形式组合，在各行列交叉处设置继电器线圈J00～Jmn，通过使用m+1个列场效应开关管Q0～Qm以及n+1个行场效应开关管V0～Vn，即可控制(m+1)×(n+1)个继电器线圈J00～Jmn。如果采取传统的一对一的驱动方式，对(m+1)×(n+1)个继电器线圈J00～Jmn实施控制，则需要(m+1)×(n+1)个微处理器接口点位和(m+1)×(n+1)个场效应开关管，而本发明能够以行数与列数相加之和数量的微处理器接口点位，控制行数与列数相乘之积数量的继电器线圈，因此对相同功能的电气线路故障诊断实训教学器具，本发明能显著减少元器件数量，减小装置体积，降低制作成本。

Claims (5)

1.一种用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，包括继电器矩阵主控制电路以及分别与继电器矩阵主控制电路连接的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路，所述的继电器矩阵主控制电路包括列场效应开关管Q0～Qm、行场效应开关管V0～Vn、继电器线圈J00～Jmn以及继电器常闭触点K00～Kmn，其中，m、n为大于或等于0的整数，所述的继电器线圈J00～Jmn排列成继电器线圈矩阵，所述的列场效应开关管Q0～Qm排列在继电器线圈矩阵的列方向，所述的行场效应开关管V0～Vn排列在继电器线圈矩阵的行方向，在两者的各个行列交叉处分别设置继电器线圈J00～Jmn，所述的继电器线圈J00的一端连接列场效应开关管Q0，继电器线圈J00的另一端连接行场效应开关管V0，该继电器线圈J00的通断由列场效应开关管Q0和行场效应开关管V0控制，以此类推，继电器线圈Jmn的一端连接列场效应开关管Qm，继电器线圈Jmn的另一端连接行场效应开关管Vn，该继电器线圈Jmn的通断由列场效应开关管Qm和行场效应开关管Vn控制，所述的继电器常闭触点K00～Kmn用于设置故障点，串联在实训教学器具的电气线路当中，所述的微处理器接口列点位控制电路连接列场效应开关管Q0～Qm，用于控制列场效应开关管Q0～Qm的通断，所述的微处理器接口行点位控制电路连接行场效应开关管V0～Vn，用于控制行场效应开关管V0～Vn的通断。
2.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的继电器矩阵主控制电路还包括列场效应开关管保护用二极管S0～Sm、行场效应开关管保护用二极管G0～Gn以及继电器保护用二极管D00～Dmn，所述的列场效应开关管保护用二极管S0～Sm与列场效应开关管Q0～Qm一一对应，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的负极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的漏极端，列场效应开关管保护用二极管S0～Sm的正极端分别连接列场效应开关管Q0～Qm的源极端，所述的行场效应开关管保护用二极管G0～Gn与行场效应开关管V0～Vn一一对应，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的负极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的漏极端，行场效应开关管保护用二极管G0～Gn的正极端分别连接行场效应开关管V0～Vn的源极端，所述的继电器保护用二极管D00～Dmn与继电器线圈J00～Jmn一一对应，继电器保护用二极管D00～Dmn的负极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的一端，并分别连接所在列的列场效应开关管Q0～Qm的源极端，继电器保护用二极管D00～Dmn的正极端分别连接继电器线圈J00～Jmn的另一端，并分别连接所在行的行场效应开关管V0～Vn的漏极端。
3.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路的点位数量有m+1个，所述的列场效应开关管Q0～Qm分别连接一微处理器接口列点位控制电路的对应点位，所述的微处理器接口行点位控制电路的点位数量有n+1个，所述的行场效应开关管V0～Vn分别连接一微处理器接口行点位控制电路的对应点位。
4.根据权利要求3所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路和微处理器接口行点位控制电路的结构相同。
5.根据权利要求1所述的用于设置电气故障点的矩阵式控制电路，其特征在于所述的微处理器接口列点位控制电路包括六反相器芯片IC、光耦TL、电阻R1、电阻R2以及电阻R3，其中，所述的六反相器芯片IC采用74HC04、所述的光耦TL采用EL817，电阻R1的一端和六反相器芯片IC的14脚共同连接直流电源V+，电阻R1的另一端连接光耦TL的1脚，光耦TL的2脚连接六反相器芯片IC的2脚，六反相器芯片IC的1脚构成电路的输入端H，即对应各微处理器接口列点位，光耦TL的4脚连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接直流电源VDD，光耦TL的3脚与电阻R3的一端连接，并构成电路的输出端T，用于连接所述的继电器矩阵主控制电路中的列场效应开关管Q0～Qm中的任意一个，电阻R3的另一端连接地。
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