CN110524731A - 管芯分割系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明题为“管芯分割系统和方法”。本发明公开了从半导体基板分割多个管芯的方法的实施方式，其可以包括：在管芯锯道的表面下方形成损伤层，其中所述管芯锯道连接形成在半导体基板上的多个半导体管芯。所述方法可以包括：将所述半导体基板安装到支撑带；使用声能源将所述半导体基板暴露于声能；以及使用所述声能在所述损伤层处分割所述多个管芯。

Description

管芯分割系统和方法
背景技术
1.技术领域
本文档的各方面通常涉及用于从半导体基板分割管芯的系统和方法。
2.背景技术
半导体器件通常形成在半导体基板的表面上和表面内。因为半导体基板通常比器件大得多，因此器件被彼此分割成各种半导体管芯。锯切半导体基板是用于将半导体管芯彼此分离的方法。
发明内容
从半导体基板分割多个管芯的方法的实施方式可以包括：在管芯锯道的表面下方形成损伤层，其中管芯锯道连接形成在半导体基板上的多个半导体管芯。该方法可以包括：将半导体基板安装到支撑带；使用声能源将半导体基板暴露于声能；以及使用声能在损伤层处分割多个管芯。
分割多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：
声能源可以发射20kHz至3GHz的声能。
形成损伤层还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的焦点处用激光束辐照管芯锯道，以形成损伤层。
形成损伤层还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的第一深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道；以及在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的第二深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道。
半导体基板可以是碳化硅。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时拉伸支撑带。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加连续或半连续的偏置力。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加移动的局部偏置力。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时施加横跨半导体基板的表面分布的多个点偏置力。
从半导体基板分割多个管芯的方法的实施方式可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的焦点处用激光束辐照管芯锯道，以在管芯锯道的表面下方形成损伤层，其中管芯锯道连接形成在半导体基板上的多个半导体管芯。该方法还可以包括：将半导体基板安装到支撑带；使用声能源将半导体基板暴露于声能；以及使用声能在损伤层处分割多个管芯。
从半导体基板分割多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：
声能源可以发射20kHz至3GHz的声能。
用激光束辐照管芯锯道还可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的第一深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道；以及在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在半导体基板内的第二深度的焦点处用激光束辐照管芯锯道。
半导体基板可以是碳化硅。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时拉伸支撑带。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加连续或半连续的偏置力。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加移动的局部偏置力。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时施加横跨半导体基板的表面分布的多个点偏置力。
从碳化硅基板分割多个管芯的方法的实施方式可以包括：在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处，在碳化硅基板内的焦点处用激光束辐照管芯锯道，以在管芯锯道的表面下方形成损伤层，其中管芯锯道连接形成在碳化硅半导体基板上的多个半导体管芯。该方法可以包括：将碳化硅基板安装到支撑带；以及使用来自声能源的声能在损伤层处分割多个管芯。
从碳化硅基板分割多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时拉伸支撑带。
在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加连续或半连续的偏置力。
对于本领域的普通技术人员而言，通过说明书和附图并且通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。
附图说明
将在下文中结合附图来描述实施方式，在附图中类似标号表示类似元件，并且：
图1是在激光辐照期间半导体基板的剖视图，示出了多个锯道；
图2是在激光辐照期间通过支撑带安装到框架的半导体基板的剖视图，示出了多个锯道；
图3是安装到浸入浴中的支撑带的半导体基板的剖视图，该浴经受来自声能源的声能；
图4是安装到支撑带的半导体基板的剖视图，其中覆盖基板的上表面的液体经受来自保持半导体基板的支撑件的声能；
图5是在支撑带拉伸期间激光辐照后半导体基板的剖视图；
图6是在使用连接到提升机构的多个点在横跨半导体表面的底部表面的点处施加多个点偏置力期间在激光辐照之后的半导体基板的剖视图；
图7是在使用提升机构和成型卡盘横跨半导体表面的底部表面施加连续偏置力期间在激光辐照之后的半导体基板的剖视图；
图8是在使用辊横跨半导体基板的表面施加移动的局部偏置力期间在激光辐照之后的半导体基板的剖视图。
具体实施方式
本公开、其各方面以及实施方式并不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法要素。本领域已知的符合预期管芯分割系统和方法的许多附加部件、组装工序和/或方法要素将显而易见地与本公开的特定实施方式一起使用。因此，例如，尽管本发明公开了特定实施方式，但是此类实施方式和实施部件可包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类管芯分割系统和方法以及实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、量度、浓度、材料、数量、方法要素、步骤等。
存在各种各样的半导体基板类型，并且该半导体基板类型在制造各种半导体器件过程中使用。可使用本文档中公开的原理处理的半导体基板的非限制性示例包括单晶硅、二氧化硅、玻璃、绝缘体上硅、砷化镓、蓝宝石、红宝石、碳化硅、前述中的任一个的多晶形式或无定形形式，以及可用于构造半导体器件的任何其他基板类型。本文公开的特定实施方式可以使用任何多晶型的碳化硅半导体基板(碳化硅基板)。在本文档中，术语“晶圆”也与“基板”一起使用，因为晶圆是常见类型的基板，但不是用于指代所有半导体基板类型的专门术语。在各种实施方式中，作为非限制性示例，本文档中公开的各种半导体基板类型可以是圆形、圆化、方形、矩形或任何其他封闭形状。
参考图1，示出了具有多个锯道(管芯锯道)4的半导体基板2。如图所示，锯道4是在管芯区域6、8之间的半导体基板的区域，并且延伸跨过半导体基板2的厚度。由于这是剖视图，在该视图中可以看到多个管芯区域6、8，并且该锯道延伸跨过在半导体基板2的整个表面上间隔开的多个管芯。在该实施方式中，激光束10正在锯道4的表面18下方的焦点14处辐照锯道4的材料。因为激光束10在焦点14处引起局部加热，因此在焦点处的材料的结构被破坏。图1所示半导体基板2是单晶碳化硅基板。
在焦点处实现的损伤的程度由许多因素决定，作为非限制性示例，包括激光的功率、材料的曝光持续时间、基板的材料的吸附、基板材料相对于激光方向的晶体学取向、基板的原子结构、以及调节光能的吸收和/或引起的损伤或热向基板中的传递的任何其他因素。用于辐照锯道4的激光的波长是特定半导体基板的材料至少部分地光学透射的波长，无论是半透明的还是透明的。在基板是碳化硅基板的情况下，波长可以是1064nm。在各种实施方式中，激光光源可以是Nd:YAG脉冲激光或YVO4脉冲激光。在使用Nd:YAG激光的一个实施方式中，可以使用10微米的光斑尺寸和3.2W的平均功率以及80kHz的重复频率、4ns的脉冲宽度、聚焦透镜的0.45的数值孔径(NA)。在另一个实施方式中，可以以400kHz的重复频率、16W的平均功率、4ns的脉冲宽度、10微米的光斑直径和0.45的NA使用Nd:YAG激光。在各种实施方式中，激光的功率可以从约2W至约4.5W变化。然而，在其他实施方式中，激光功率可以小于2W或大于4.5W。
如图所示，激光的焦点14形成快速加热位置，并且可能造成焦点14处的材料完全或部分熔融。由于加热/冷却的结果，在SiC基板的六边形单晶结构上的快速加热点和所得应力造成基板材料沿着基板的c平面开裂。取决于用于制造晶锭的单个SiC晶体的类型，c平面可以与第二表面成约1度至约6度的偏离角取向。在各种实施方式中，这个角度在制造晶锭时确定。在特定实施方案中，偏离角可以为约4度。
在操作期间，激光以脉冲操作操作，以在通过基板的表面时产生许多重叠的脉冲光点。因此，在晶圆内形成连续/半连续改性材料层/带。在其他实施方式中，激光可以连续波模式而不是脉冲模式操作以产生改性材料带。如图所示，由焦点14引起的应力导致锯道4的材料在沿着c平面的一个或两个方向上沿着c平面开裂。在图1中，这些裂纹16被示出为从以偏离角成角度的焦点14区域(其中改性层/带位于其中)扩散。在各种实施方式中，裂纹16可以位于焦点14下方、焦点14上方，或从焦点14直接地扩散，这取决于激光的特性和将激光施加到材料的方法。在各种实施方式中，裂纹16进入基板的长度是所施加的激光的功率的函数。作为非限制性示例，焦点的深度被设定为在基板中500μm；在激光功率为3.2W的情况下，从改性层/带的裂纹传播为约250μm；在激光功率为2W时，裂纹长度为约100μm；在激光功率设定为4.5W的情况下，裂纹长度为约350μm。
如图1所示，激光束10正处于从先前进行的三遍开始沿着锯道在第四深度处向基板中进行第四遍的过程中。在各种实施方式中，可以在任何期望的深度处在任何锯道中进行一遍、两遍或更多遍，并且在锯道中不同的间隔开的位置处的两遍或更多遍也可以在两个或更多个深度处向锯道的材料中(在锯道的表面之下)进行。不同遍可以使用相同的激光参数和进给速度/速率，或者可以使用不同的激光参数和不同的进给速度/速率来进行。由激光辐照导致的受损材料和裂纹在锯道4的表面18下方形成损伤层。损伤层破坏半导体基板材料的结构(在SiC的情况下，基板的六方晶体结构)，从而削弱材料的强度。如图1所示，激光辐照的过程已经发生在基板2中的其他锯道区域4上。在图1所示的实施方式中，激光辐照已经通过处理基板2本身发生。在各种实施方式中，激光辐照可以从器件侧或与基板的器件侧(后侧)相对的基板的一侧进行，这取决于期望的加工参数以及晶圆的后侧或器件侧上是否具有防止激光进入锯道区域的任何材料(后侧金属等)。在图1中，没有明确示出器件侧，以指示激光辐照可以从基板的任一侧进行。在从基板的后侧进行激光辐照的实施方式中，激光装置上的前(器件)侧对准相机的用途可以用来对准晶圆，以确保激光辐照发生在期望的区域中。
参考图2，示出了安装在耦接到框架24的支撑带22上的半导体基板20。如图所示，在锯道区域30的表面之下的焦点28处，在进入锯道区域的第四深度处，也使用激光束26辐照该基板20。其他锯道区域已经使用单遍多点工艺与图1所示那些类似地被辐照。图2示出了在各种实施方式中，如何可以在基板安装在晶圆支撑带上之后进行激光辐照过程。在这样的实施方式中，辐照通常可以在基板的前(器件)侧面向激光器的情况下进行，以减少尝试使用前侧相机的困难，该前侧相机可以通过支撑带看到对准特征，尽管在一些实施方式中，可以利用基板的后侧的辐照。
各种各样的支撑带类型可以用在各种方法实施方式中，作为非限制性示例，包括锯带、管芯附着膜(DAF)带、紫外线带、拉伸带以及能够在分割过程期间和之后支撑多个管芯的任何其他柔性材料。可以采用各种安装设备在如图2所示的激光辐照之前或者如图1所示的基板激光辐照之后安装基板。
参考图3，安装到支撑带32和框架34的半导体基板30被示出为浸入浴36中。浴36被示出为填充有与声能源40接触的液体38。多种液体可以用于与系统的各种部件静态或流动接触，作为非限制性示例，诸如含水液体、有机液体、水、溶剂和在浴36内的条件下作为液体存在的任何其他液体。基板30可以由多种机构中的任何一种支撑在浴36中，作为非限制性示例，包括卡盘、真空卡盘、销、夹具或设计成将框架在浴中保持就位的任何其他装置。参考图4，耦接到支撑带44和框架46的另一基板42被示出为与卡盘48耦接，其中基板42被液体50覆盖，液体50在与带44相对的基板的上表面(无论是后侧还是器件侧)上形成池。在图4所示的实施方式中，声能源52与卡盘48的主轴/支撑件54耦接，并由此将声能传递到基板42。然而，在一些实施方式中，声能源可以直接耦接到卡盘48或者嵌入卡盘中。虽然在图4所示的实施方式中，液体50在基板上方被搅拌，但是在其他实施方式中，液体50可以不被搅拌，并且基板和卡盘可以浸入类似于图3的浴中。
如图3和图4所示，来自声能源40、52的声能作用于形成在基板的锯道区域中的损伤层，导致裂纹通过损伤层传播。在各种实施方式中，如图3和图4所示，声能足以导致基板中的多个管芯通过裂纹在所有激光损伤锯道区域中穿过基板厚度的传播而彼此完全分割。此时，多个管芯然后完全通过支撑带32、48和对应的框架34、44被支撑。然后，框架34、44可以从浴36或卡盘48中移除，然后多个管芯可以被拾取/移除，以用于随后的封装操作。
在各种实施方式中，声能源的形式可以包括延伸到晶圆中的探针，并且该探针与探针延伸到其中的容器振动隔离，使得由探针产生的声能基本上传输到水介质中，而不进入容器本身的材料中(像声能源40一样)。在各种实施方式中，多个声能源可以耦接到液体介质。在各种实施方式中，声能源可以采用多种换能器设计，作为非限制性示例，包括磁致伸缩换能器和压电换能器。在使用磁致伸缩换能器的情况下，换能器利用线圈在表现出磁致伸缩特性的材料中形成以期望频率诱发机械振动的交变磁场，作为非限制性示例，所述材料诸如为镍、钴、铽、镝、铁、硅、铋、铝、氧、它们的任何合金以及它们的任何组合。机械振动然后被传递到声能源的接触液体的部分(或主轴或系统的其他部件)。在使用压电换能器的情况下，压电材料经受电荷的施加，并且所产生的振动被传递到声能源的接触液体的部分。作为非限制性示例，可以在各种实施方式中使用的压电材料的示例包括石英、蔗糖、黄玉、电气石、钛酸铅、钛酸钡、锆钛酸铅以及表现出压电特性的任何其他晶体或材料。
对于耦接到卡盘的声能源，声能源可以紧固到卡盘的下表面，嵌入卡盘中，或者固定地附接到卡盘与接触基板的一侧相对的一侧。嵌入卡盘中的声能源可以在卡盘相对于卡盘耦所接到的容器/设备旋转的情况下使用。另外，在各种实施方式中，多个声能源可以耦接到同一个卡盘，以确保能量在卡盘表面上均匀地传输。
对于与主轴耦接的声能源(如在图4的声能源52中)，在各种实施方式中，声能可以使用围绕主轴耦接的套筒和轴承来传输，或者声能源可以将能量传输到整个主轴组件(包括马达)。在其他实施方式中，声能源可以耦接在与耦接到卡盘48的端部相对的主轴的端部上，使得能量可以沿着主轴的轴向上传输。在一些实施方式中，多个声能源可以连接到主轴。
在本文所示的各种系统实施方式中，声能源可以采取各种形式，这取决于它们耦接到系统的哪个部件(基板卡盘、主轴或水介质)。声能源可以采用各种频率，该频率可以在约20kHz至约3GHz的范围内。当由声能源40使用的声波频率高于360kHz时，该能量源也可以被称为兆频超声波能量源(如本文所用，为了便于讨论，超声波被用来指超声波频率和兆频超声波频率两者)。在特定实施方式中，声能源可以以80W的功率产生频率为40kHz的超声波振动。在各种实施方式中，声能源可以施加约30kHz至约50kHz或者约35kHz至约45kHz的频率。然而，在各种实施方式中，可以使用高于50kHz的频率，包括兆频超声波频率。在各种实施方式中，也可以采用各种功率水平。
在各种系统实施方式(浴或液体坑实施方式)中，声能的作用可以通过施加到由支撑带支撑的基板一侧的偏置力来辅助。现在将讨论用于施加偏置力的系统的几个非限制性示例。然而，尽管这些系统是单独讨论的，但是系统/技术的任何组合都可以用于各种方法和系统实施方式中。
参考图5，示出了使用本文公开的任何方法在激光辐照之后和暴露于声能期间半导体基板56的实施方式。基板上的竖直线60代表锯道区域的位置。如图所示，在该实施方式中的支撑带58是拉伸带(或能够被拉伸的带)，并且当前正被拉伸远离基板56的中心，如由面向外的箭头所示。向外拉伸的效果是相应地对基板的锯道中的损伤层施加应力。当与暴露于声能结合使用时，拉伸导致裂纹在锯道区域中横跨基板的厚度形成和/或传播，从而分割多个管芯。当拉伸带不可逆地拉伸，但在施加拉伸力后保持至少部分拉伸时，使用拉伸来帮助分割多个管芯还可以将多个管芯的边缘彼此分离，以帮助在后续加工期间从带上拾取/移除管芯。在使用可拉伸带的实施方式中，在拉伸操作完成之前，可以采用也可以不采用框架。在这些实施方式中，锯道的激光辐照过程可以在基板安装到带之前进行。
在图6中，示出了用于在基板62的表面上的多个点位置处施加偏置力的系统。如图所示，基板62已经安装到带(带可以是本文中公开的任何带类型)。当基板62使用本文中公开的任何方法经受声能时，基板62的侧面然后在点位置从与提升机构66耦接的两个或更多个提升销64向上提升。两个或更多个提升销64在基板62的表面上施加点偏置力，这导致带的一些拉伸(在各种实施方式中是可逆的或不可逆的)，并且还相对于其他锯道在基板中的特定锯道上施加点应力。点应力的使用可能有助于在锯道的损伤区域内裂纹的初始形成/传播，并导致某些锯道先于其他锯道被分割，导致点应力随后被传递到未分割的锯道，导致它们被顺序分割。在各种实施方式中，带拉伸可以在施加点偏置力的同时或之后进行。在各种实施方式中，两个或更多个提升销64可以是相同的长度。在其他实施方式中，两个或更多个提升销64可以在长度上不同-一些可以是相同的长度；交替的销可以在长度上不同；所有销都可以在长度上不同；中心销可以是最长的，并且每个销可以根据其距基板中心的径向距离而变短；或者前述的任意组合，或者对于在基板上产生期望的力梯度所需的任何其他长度布置。在各种实施方式中，可以在使用点偏置力的情况下采用框架；在其他实施方式中，在点偏置力和管芯分割和/或带拉伸完成之后，可以省略或应用框架。
参考图7，示出了用于横跨半导体基板68的表面施加连续或半连续偏置力的系统的实施方式。如图所示，在半导体基板68安装到支撑带(其可以是本文中公开的任何带类型)之后，然后使用提升机构使具有弯曲(起伏状)表面72的卡盘70向上与基板68的面对支撑带的表面接触，同时使用本文公开的任何方法使基板经受声能。如图所示，弯曲表面72在基板68的表面上施加连续的偏置力，导致基板中的每个锯道中的损伤层经受偏置力，该偏置力随弯曲表面72的形状而变化，从而导致裂纹在基板68的厚度上形成/传播，并分割多个管芯。基于各种因素中的任何一个，作为非限制性示例，包括管芯尺寸、锯道尺寸、损伤层特性、基板的机械强度参数、基板的厚度以及能够影响分割过程的任何其他因素，可以在各种实施方式中利用各种曲面设计来产生期望的压力梯度、竖直位移和/或锯道周围的力矩。在一些实施方式中，带的拉伸可以在施加偏置力期间进行。在其他实施方式中，可以通过使用其中具有不连续部的弯曲表面72将半连续偏置力施加到晶圆的表面，作为非限制性示例，所述不连续部诸如凹槽、环形凹槽、凸起突出部、孔、径向线、凸起特征的随机图案以及弯曲表面72的任何其他图案。在分割多个管芯之后，卡盘70随后可以下降，并且多个管芯被拾取或以其他方式从带上移除，用于随后的封装操作。
参考图8，示出了用于横跨半导体基板74的表面施加移动局部偏置力的系统。如图所示，半导体基板74已经安装到带76和框架78上，并且由带76和框架78支撑。当使用本文公开的任何方法暴露于声能时，辊80然后接触面对带的基板74的表面，然后在旋转的同时横跨表面移动，向表面施加移动的局部偏置力。如图所示，局部偏置力导致裂纹在最靠近辊的锯道中形成/传播，从而导致多个管芯分离。在辊是延伸到图8的纸平面中和延伸出该平面的长杆的形式的情况下，在各种实施方式中，它可以导致在基本平行于辊的最长长度的方向上顺序分割锯道。由于在基本垂直的方向上的锯道可能不会被分割，辊80然后可以旋转约90度，然后再次横跨半导体基板的表面滚动以分割剩余的锯道。然而，在其他实施方式中，辊可以采取基本上球形的形式，并且可以以各种图案中的任何一种施加到基板的表面上，作为非限制性示例，包括在横跨表面的不同位置径向地、螺旋地、重复地、在垂直相交线上以及各种可能的施加图案中的任何一种。在各种实施方式中，作为非限制性示例，辊的半径可以是管芯尺寸、锯道尺寸、基板尺寸、基板厚度或任何其他参数的函数，这些参数可用于确保管芯的分割，而不会在偏置力施加过程中由于管芯边缘碰撞而导致管芯损坏。可以使用本文中公开的原理构造多种辊设计中的任一种。如先前用其它偏置力施加系统和方法所讨论的，在使用局部偏置力的偏置力施加过程中，也可以采用带拉伸。
在各种方法实施方式中，声能源可以发射20kHz至3GHz的声能。
在各种方法实施方式中，在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时拉伸支撑带。
在各种方法实施方式中，在损伤层处分割多个管芯还可以包括在施加声能的同时横跨半导体基板的表面施加移动的局部偏置力。
在各种方法实施方式中，在损伤层处分割多个管芯还包括在施加声能的同时施加横跨半导体基板的表面分布的多个点偏置力。
在以上描述中提到管芯分割方法和系统的特定实施方式以及实施部件、子部件、方法和子方法的地方，应当显而易见的是，可在不脱离其实质的情况下作出多种修改，并且这些实施方式、实施部件、子部件、方法和子方法可以应用于其他管芯分割方法和系统。

Claims (10)

1.一种从半导体基板分割多个管芯的方法，所述方法包括：
在管芯锯道的表面下方形成损伤层，所述管芯锯道连接多个半导体管芯，所述多个半导体管芯形成在所述半导体基板上；
将所述半导体基板安装到支撑带；
使用声能源将所述半导体基板暴露于声能；以及
使用所述声能在所述损伤层处分割所述多个管芯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述损伤层还包括：在所述管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道，以形成所述损伤层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述损伤层还包括：
在所述管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的第一深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道；以及
在所述管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的第二深度的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述损伤层处分割所述多个管芯还包括在施加所述声能的同时横跨所述半导体基板的表面施加连续和半连续的偏置力之一。
5.一种从半导体基板分割多个管芯的方法，所述方法包括：
在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道，以在管芯锯道的表面下方形成损伤层，所述管芯锯道连接多个半导体管芯，所述多个半导体管芯形成在所述半导体基板上；
将所述半导体基板安装到支撑带；
使用声能源将所述半导体基板暴露于声能；以及
使用所述声能在所述损伤层处分割所述多个管芯。
6.根据权利要求5所述的方法，其中用所述激光束辐照所述管芯锯道还包括：在所述管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的第一深度的焦点处用所述激光束辐照所述管芯锯道；以及
在所述管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述半导体基板内的第二深度的焦点处用所述激光束辐照所述管芯锯道。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述损伤层处分割所述多个管芯还包括在施加所述声能的同时横跨所述半导体基板的表面施加连续和半连续的偏置力之一。
8.一种从碳化硅基板分割多个管芯的方法，所述方法包括：
在管芯锯道的表面下方的一个或多个间隔开的位置处在所述碳化硅基板内的焦点处用激光束辐照所述管芯锯道，以在管芯锯道的表面下方形成损伤层，所述管芯锯道连接多个半导体管芯，所述多个半导体管芯形成在所述碳化硅半导体基板上；
将所述碳化硅基板安装到支撑带；以及
使用来自声能源的声能在所述损伤层处分割所述多个管芯。
9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述损伤层处分割所述多个管芯还包括在施加所述声能的同时拉伸所述支撑带。
10.根据权利要求8所述的方法，其中在所述损伤层处分割所述多个管芯还包括在施加所述声能的同时横跨所述半导体基板的表面施加连续和半连续的偏置力之一。
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