CN110515798A - 基于sd卡带有性能寿命评估的存储系统及其存储方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,该系统核心控制模块接收外部设备发送的数据并驱动SD卡实现数据的读写;存储数据时,核心控制模块根据引导区的功能索引区首地址跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址,根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,将末地址加1作为本次数据写入的首地址并将数据写入数据存储区,同时写入数据时跳过损坏或者性能未达标扇区的地址;SD卡每完全写入数据一次SD卡已完全写入次数加1。本发明可对SD卡物理扇区性能进行评估,对损坏的、性能较低的扇区进行屏蔽以提升存储速度,同时可根据完全写入次数获得SD卡状态,保证数据安全可靠的存储。
Description
技术领域:
本发明属于数据存储技术领域,具体涉及一种以SD卡为存储介质的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统及其存储方法。
背景技术:
SD存储卡(安全数码卡)是一种基于半导体快闪存储器的新一代记忆设备,具备体积小、容量大、数据传输速度快的特性,被广泛地应用于便携式装置。
快闪存储器,简称闪存,是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式。根据闪存中电子单元密度可分为:SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)和QLC(四层存储单元),从SLC到QLC,成本降低、容量增大但是速度变慢、寿命降低。现阶段市面上主流的大容量SD卡,采用TLC存储单元的擦写次数约为500次,而QLC则仅为100次左右,并且随着擦写次数的增多,存储速度以及可靠性都会下降。
地空电磁探测作为一种地球物理勘探方法,采用地面发射,空中利用无人机进行接收的方式,由于无人机载重能力较小,因此选用SD卡作为存储介质。现阶段利用微控器移植FatFs(通用的文件系统模块)进行SD卡的存储操作,FatFs采用链式存储机制,通过寻址的方式进行数据的读写,虽然方便文件的插入与删除,但是容易频繁对某一物理扇区进行读写操作导致扇区损坏以及无法评估物理扇区性能和SD卡寿命。由于在飞行探测中,数据连续写入,无需删除,因此能够通过FPGA实现数据的连续存储。
重要的是,目前地空电磁探测嵌入式接收系统,缓冲区较小,没有SD卡寿命评估功能,一旦SD卡存储时遇到损坏扇区数目过多或者SD卡写入次数达到最大限制,用户无法及时获得SD卡目前的状态,不能及时更换SD卡,则会导致在飞行探测中数据丢失。因此,亟需一种能够对SD卡扇区性能以及寿命评估的文件存取系统。
发明内容:
本发明要解决的技术问题是提供一种可进行高可靠存储操作的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统及其存储方法。
为了解决上述技术问题,本发明的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统包括核心控制模块,扇区屏蔽缓存模块,SD卡;所述的核心控制模块包含接口驱动模块和SD卡驱动模块,接口驱动模块用于接收外部设备发送的数据;SD卡驱动模块以发送命令方式驱动SD卡实现数据的读写;SD卡的内部区域包括引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区和数据存储区;引导区包含SD卡已完全写入次数和功能索引区首地址;功能索引区包含扇区屏蔽区首地址、数据写入索引区首地址、数据存储区首地址、设定的当前实验数据存储的首末地址;数据写入索引区包含最新一次写入操作的起始与结束地址;扇区屏蔽区内存储的损坏或者性能未达标扇区的地址缓存在扇区屏蔽缓存模块;存储数据时,核心控制模块接收数据,根据引导区的功能索引区首地址跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址,根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,将末地址加1作为本次数据写入的首地址并将数据写入数据存储区,同时写入数据时跳过损坏或者性能未达标扇区的地址;SD卡每完全写入数据一次SD卡已完全写入次数加1。
所述扇区屏蔽区内存储的损坏或者性能未达标扇区的地址按地址大小依次排列。
进一步,本发明还包括2个数据缓存模块,核心控制模块接收的数据先以“乒乓”的方式缓存在数据缓存模块中,每当一个数据缓存模块的数据存满时即将数据取出存储至SD卡。所述的核心控制模块向SD卡写入一组数据的长度为数据缓存模块大小的整数倍。
进一步,本发明还可以包括USB驱动模块和上位机,核心控制模块通过USB驱动模块与上位机进行数据传输,将存储的数据以USB通信协议方式传输至上位机。
针对新SD卡,上位机还可以向核心控制模块发送设定阈值,核心控制模块控制SD卡在数据存储区内按序写入数据进行扇区性能测试,记录损坏或者性能未达标扇区的地址并将其按照地址大小存入至扇区屏蔽区;上位机根据如下公式计算性能评估因数,当性能评估因数超过设定的阈值百分比时报警;
。
所述的引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区均采用双备份。
上述基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统的存储方法如下:
步骤一、核心控制模块发送单块写入命令CMD24,通过读取SD卡发送至核心控制模块的响应判断扇区是否损坏,如果响应不正确或者无响应则认为该扇区损坏无法存储数据;同时核心控制模块通过内部计数器测量“忙”状态的时间,根据设定阈值判断“忙”状态的时间是否超出限制,如果超出,则认为该扇区性能未达标并将其地址存储至扇区屏蔽区;
步骤二、读取引导区内容,判断SD卡完全写入次数是否达到寿命,如果达到则报警,如果未达到则根据引导区内容跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址;
步骤三、将扇区屏蔽区存储的损坏或者性能未达标扇区的地址缓存至扇区屏蔽缓存模块;
步骤四、根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,将上次写入的末地址加1作为本次数据写入的首地址将数据写入数据存储区,同时写入数据时跳过损坏或者性能未达标扇区的地址。
本发明通过多个参数对SD卡扇区性能以及寿命进行衡量,可对SD卡物理扇区性能进行评估;对损坏的、性能较低的扇区进行屏蔽以提升存储速度;同时统计完全写入次数,可获得SD卡状态,保证数据能够安全可靠的存储;本发明以发送命令方式直接以地址方式进行数据的写入与读取,去除寻址时间,并实现物理扇区均匀写入,存储速度快并且安全可靠。
附图说明:
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是本发明的整体结构框图。
图2是SD卡功能区示意图。
图3是CMD24命令说明图。
图4是SD卡性能评估方法流程图。
图5是SD卡带有寿命的数据存储方法流程图。
图6是数据写入或读取方法流程图。
具体实施方式:
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图对本发明作进一步地详细说明。
SD卡作为一种存储介质,广泛应用于移动便携设备。SD卡的存储区包含很多物理扇区,本发明主要从Nandflash(闪存)写入次数有限入手,通过数据写入索引方式,以发送命令驱动SD卡进行读写操作,实现物理扇区的均匀写入并去除寻址时间,提升存储速度,以及通过得到不可用扇区的数量对SD卡性能进行评估。
Nandflash根据中电子单元密度可分为:SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)和QLC(四层存储单元),不同的存储方式寿命也不相同,其中SLC表示在1个存储单元中存放1bit数据,读写速度最快,寿命也最长,而QLC则是在1个存储单元存放4bits数据,成为未来闪存介质存储器的发展趋势,虽然容量增大了,但是存储速度以及寿命都大大降低,仅为100次左右的擦写寿命。
目前对SD卡的操作绝大多数都采用FatFs文件系统,虽然能够进行任意地址文件的写入与删除,但是无法统计SD卡写入次数,估计寿命,并且对于地空电磁探测而言,往往是每次探测结束后即将数据拷贝至上位机,删除SD卡内部数据,这样会导致文件系统更多地将数据写入地址靠前的扇区,使得SD卡寿命急剧降低,如果不删除数据,持续写入又会使得地址数目增加,寻址时间增长,一旦缓存区容量不足则会导致数据丢失,使得实验失败。此外FatFs文件系统无法评估物理扇区的存储性能,如果某一扇区虽然没有损坏但是性能较低存储速度较慢,在缓存空间有限的条件下,则会导致缓存空间溢出数据丢失。
如图1所示,本发明的基于SD卡带有性能寿命评估的嵌入式文件存取系统包括核心控制模块,2个数据缓存模块,扇区屏蔽缓存模块,SD卡;核心控制模块采用FPGA。FPGA包含接口驱动模块和SD卡驱动模块,接口驱动模块用于接收外部设备采集卡采集的数据;SD卡驱动模块以发送命令方式驱动SD卡,实现数据的读写;2个数据缓存模块数据,以“乒乓”的方式接收数据,每当一个数据缓存模块的数据缓存满时即将数据取出存储至SD卡;扇区屏蔽缓存模块,用于存储SD卡内需屏蔽的扇区地址,按地址大小依次排列,在FPGA控制SD卡存储时可有效避开需屏蔽的扇区地址,进而提升存储速度。
如图2所示,所述SD卡的内部区域包括引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区和数据存储区;其中引导区主要包含机器编号、SD卡信息、数据格式说明、SD卡已完全写入次数、功能索引区首地址;SD卡每完全写入数据一次SD卡已完全写入次数加1。功能索引区包含扇区屏蔽区首地址、数据写入索引区首地址、数据存储区首地址、设定的当前实验数据存储的首末地址;扇区屏蔽区存储损坏或者性能未达标扇区的地址;数据写入索引区包含最新一次写入操作的起始与结束地址;数据存储在数据存储区。注意的是,除数据存储区外,其他四个区皆采用双备份形式,并且增加一定的冗余空间避免因寿命或意外情况导致的扇区损坏使得数据丢失。并且引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区整体大小不超过200MB(以64GB存储卡为例)。
如图3所示,为SD卡单块写入说明图,每次写入时,FPGA发送单块写入命令CMD24,通过读取SD卡发送至FPGA的响应判断该扇区是否损坏,如果响应不正确或者无响应则认为该扇区损坏无法存储数据。由于FPGA向SD卡写入数据时,时钟频率固定,每写入512字节,SD卡通过CRC验证数据的准确性,然后SD卡通过DAT0数据线向FPGA发送工作“忙”状态,此时无法继续写入数据,因此通过FPGA内部计数器测量“忙”状态的时间,并根据设定阈值判断是否超出限制,如果超出,即便该扇区可以写入数据,也需要对其进行屏蔽,避免由于存储速度过慢,数据缓存区溢出导致数据丢失。
在一张新的SD卡使用前,可以通过USB驱动模块与上位机进行数据传输,先进行扇区性能测试,如图4所示。上位机根据实际需求向系统发送设定阈值用于扇区性能测试,FPGA控制SD卡在数据存储区内按序写入数据进行扇区性能测试,记录损坏或者性能未达标扇区的地址,按照地址大小存入至扇区屏蔽区。同时上位机根据如下公式计算性能评估因数,当性能评估因数超过设定的阈值百分比时报警。
当SD卡已完全写入次数超过擦写寿命时,FPGA输出控制信号点亮LED灯报警。
本发明具体存储流程如图5所示:
1.系统上电后,首先读取引导区内容,判断SD卡完全写入次数是否达到寿命,如果达到则点亮LED灯报警示意需更换SD卡,如果未达到则根据引导区内容跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址。
2.将扇区屏蔽区存储的损坏或者性能未达标扇区的地址缓存至扇区屏蔽缓存模块,以便在数据写入时跳过该地址,降低存储延迟,提高稳定性。
3.根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,则本次数据写入的首地址为上次写入的末尾地址加1,写入一组数据的长度为数据缓存模块大小的整数倍,以便地址管理,每写完一组数据即将该次写入的首末地址在数据写入索引区更新,如果数据写入索引区的某一扇区写入次数达到寿命阈值,则将该扇区地址存入扇区屏蔽区,在数据写入索引区当前地址的下一个地址更新本次数据写入的首末地址,然后在功能索引区刷新当前数据写入索引区的地址。
4.每次实验都在功能索引区更新当前实验数据的首末地址。
5.每次在SD卡最后一个扇区写入数据后,即将引导区的SD卡已完全写入次数加1,由于数据按地址顺序依次写入,能够保证全部扇区写入次数均衡,最大化利用SD卡空间,便于统计SD卡已写入的次数,计算出生于写入次数。
系统通过开关方式控制数据的写入与读取如图6所示,如果为读取数据,则根据功能索引区内部当前实验数据的首末地址读取SD卡数据并通过USB串口模块发送至上位机进行数据处理。根据用户需求定义评价扇区性能标准、设定SD卡寿命阈值、选择数据写入或读取模式以及通过LED灯表明当前工作模式、是否需要更换SD卡。值得注意的是,采用FPGA模拟各种通信协议,并不局限于串口通信协议、SPI、USB等等。
Claims (8)
1.一种基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于包括核心控制模块,扇区屏蔽缓存模块,SD卡;所述的核心控制模块包含接口驱动模块和SD卡驱动模块,接口驱动模块用于接收外部设备发送的数据;SD卡驱动模块以发送命令方式驱动SD卡实现数据的读写;SD卡的内部区域包括引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区和数据存储区;引导区包含SD卡已完全写入次数和功能索引区首地址;功能索引区包含扇区屏蔽区首地址、数据写入索引区首地址、数据存储区首地址、设定的当前实验数据存储的首末地址;数据写入索引区包含最新一次写入操作的起始与结束地址;扇区屏蔽区内存储的损坏或者性能未达标扇区的地址缓存在扇区屏蔽缓存模块;存储数据时,核心控制模块接收数据,根据引导区的功能索引区首地址跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址,根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,将末地址加1作为本次数据写入的首地址并将数据写入数据存储区,同时写入数据时跳过损坏或者性能未达标扇区的地址;SD卡每完全写入数据一次SD卡已完全写入次数加1。
2.根据权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于所述扇区屏蔽区内存储的损坏或者性能未达标扇区的地址按地址大小依次排列。
3.根据权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于还包括2个数据缓存模块,核心控制模块接收的数据先以“乒乓”的方式缓存在数据缓存模块中,每当一个数据缓存模块的数据存满时即将数据取出存储至SD卡。
4.根据权利要求3所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于所述的核心控制模块向SD卡写入一组数据的长度为数据缓存模块大小的整数倍。
5.根据权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于还包括USB驱动模块和上位机,核心控制模块通过USB驱动模块与上位机进行数据传输,将存储的数据以USB通信协议方式传输至上位机。
6.根据权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于针对新SD卡,上位机向核心控制模块发送设定阈值,核心控制模块控制SD卡在数据存储区内按序写入数据进行扇区性能测试,记录损坏或者性能未达标扇区的地址并将其按照地址大小存入至扇区屏蔽区;上位机根据如下公式计算性能评估因数,当性能评估因数超过设定的阈值百分比时报警;
7.根据权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统,其特征在于所述的引导区、功能索引区、扇区屏蔽区、数据写入索引区均采用双备份。
8.一种如权利要求1所述的基于SD卡带有性能寿命评估的存储系统的存储方法,其特征在于包括下述步骤:
步骤一、核心控制模块发送单块写入命令CMD24,通过读取SD卡发送至核心控制模块的响应判断扇区是否损坏,如果响应不正确或者无响应则认为该扇区损坏无法存储数据;同时核心控制模块通过内部计数器测量“忙”状态的时间,根据设定阈值判断“忙”状态的时间是否超出限制,如果超出,则认为该扇区性能未达标并将其地址存储至扇区屏蔽区;
步骤二、读取引导区内容,判断SD卡完全写入次数是否达到寿命,如果达到则报警,如果未达到则根据引导区内容跳转至功能索引区获得扇区屏蔽区、数据写入索引区以及数据存储区的首地址;
步骤三、将扇区屏蔽区存储的损坏或者性能未达标扇区的地址缓存至扇区屏蔽缓存模块;
步骤四、根据数据写入索引区内容获得上次数据写入首末地址,将上次写入的末地址加1作为本次数据写入的首地址将数据写入数据存储区,同时写入数据时跳过损坏或者性能未达标扇区的地址。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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