CN110512196A - 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法 - Google Patents

二氧化钒薄膜微细图形的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110512196A
CN110512196A CN201910904961.8A CN201910904961A CN110512196A CN 110512196 A CN110512196 A CN 110512196A CN 201910904961 A CN201910904961 A CN 201910904961A CN 110512196 A CN110512196 A CN 110512196A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vanadium dioxide
vanadium
micropicture
preparation
gel mould
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910904961.8A
Other languages
English (en)
Inventor
武传宝
蒲林峰
王允威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panzhihua University
Original Assignee
Panzhihua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panzhihua University filed Critical Panzhihua University
Priority to CN201910904961.8A priority Critical patent/CN110512196A/zh
Publication of CN110512196A publication Critical patent/CN110512196A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/06—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1254—Sol or sol-gel processing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本发明属于微电子和薄膜材料技术领域，具体涉及二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。本发明提供了一种工艺简单、成本低廉的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。该方法是：a、溶胶制备：将乙酰丙酮氧钒加入至无水甲醇中，配制得二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌，静置，得感光二氧化钒前驱溶胶；b、将感光二氧化钒前驱溶胶涂覆于基片上获得含钒凝胶膜；c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜进行烘制，覆盖掩膜板后在紫外灯下曝光，浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液溶洗，得含钒凝胶膜微细图形；d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理即得二氧化钒薄膜微细图形。本发明方法工艺简单、成本低廉，具有潜在的应用前景。

Description

二氧化钒薄膜微细图形的制备方法
技术领域
本发明属于微电子和薄膜材料技术领域，具体涉及二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。
背景技术
二氧化钒被誉为是未来电子业的革命性材料，它的一个关键特性就是它在室温下是绝缘体，在温度高于68℃后其原子结构会从室温晶体结构转变为金属结构(导体)。这种被称为金属-绝缘体转变(MIT)的独特特性，使得它成为取代硅材料用于新一代低功耗电子设备的理想选择。
目前，二氧化钒材料的光电器件应用主要以薄膜状态为主，已被成功地应用于电致变色器件、光学开关、微电池、节能涂层和智能窗以及微测辐射热装置等多种领域。
薄膜微细图形化是制备各种微型或集成功能器件的关键技术之一。目前薄膜的微细图形加工方法主要有高能量束刻蚀法、湿法刻蚀以及纳米压印法等。然而，这些方法往往涉及真空或离子束等昂贵设备，工艺也较繁杂，成本高。尤其是这些方法的微细加工步骤是在薄膜制备结束后进行，对薄膜的结构、形貌等造成较大影响，进而影响器件性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺简单、成本低廉、能够实现二氧化钒薄膜微细图形轮廓清晰、结构完整的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。
本发明解决上述技术问题采用的技术方案是提供了二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。该方法包括如下步骤：
a、溶胶制备：将乙酰丙酮氧钒加入至无水甲醇中，配制得二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌，静置，得感光二氧化钒前驱溶胶；
b、将感光二氧化钒前驱溶胶置于基片上获得含钒凝胶膜；
c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜进行烘制，覆盖掩膜板后在紫外灯下曝光，浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液溶洗，得含钒凝胶膜微细图形；
d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理即得二氧化钒薄膜微细图形。
其中，上述二氧化钒薄膜微细图形的制备方法中，步骤a中，所述二氧化钒前驱溶胶的浓度为0.1～0.5mol/L。
进一步地，步骤a中，所述搅拌的时间为4～8h。所述静置的时间为36～72h。
优选地，所述搅拌的时间为6h。所述静置的时间为48h。
其中，上述二氧化钒薄膜微细图形的制备方法中，步骤b中，所述将感光二氧化钒前驱溶胶置于基片上是通过浸渍提拉法或旋涂法在硅基片或玻璃基片上获得含钒凝胶膜。
进一步地，所述浸渍提拉法的提拉速度为1～3mm/s；所述旋涂法的旋转速度为2000～4000rpm，时间为10～30s。
其中，上述二氧化钒薄膜微细图形的制备方法中，步骤c中，所述烘制的条件是在80～120℃烘10～30min。
优选地，所述烘制的条件是在90℃烘20min。
进一步地，步骤c中，所述紫外灯的波长为240～400nm。所述曝光的时间为50～90min。
优选地，所述曝光的时间为60min。
进一步地，步骤c中，所述无水乙醇和正丁醇的混合溶液中，无水乙醇与正丁醇的体积比为2:1～5:1。所述溶洗的时间为5～15s。
优选地，所述溶洗的时间为15s。
其中，上述二氧化钒薄膜微细图形的制备方法中，步骤d中，所述热处理是将含钒凝胶膜微细图形在500～600℃，在氮气保护下保温30～90min。
优选地，所述热处理是将含钒凝胶膜微细图形在550℃，在氮气保护下保温60min。
进一步地，步骤d中，所述热处理过程中升温的速率为5～15℃/min。
优选地，所述热处理过程中升温的速率为10℃/min。
本发明还提供了由上述方法制备得到的二氧化钒薄膜微细图形。
本发明的有益效果是：
本发明以乙酰丙酮氧钒为原料制备得到具有优异紫外感光特性的二氧化钒前驱溶胶，该溶胶稳定，成膜性好，制备的薄膜表面平滑光亮。本发明采用紫外掩膜技术可对凝胶膜进行微细加工，得到的微细图形轮廓清晰、结构规整，线条宽度可达微米级，薄膜厚度为20～100nm。本发明方法在二氧化钒薄膜形成之前就实现了微细加工，避免了薄膜结构和性能的恶化。本发明方法制备得到纯相的二氧化钒材料，微细图形化后不影响薄膜物相和表面形貌，并且具体良好的相变特性，可有效起到电路开断的作用。本发明方法无需昂贵设备，无需光刻胶辅助，工艺简单、成本低廉，具有潜在的工程应用前景。
附图说明
图1是本发明实施例1制备得到的二氧化钒薄膜微细图形。
图2是含钒凝胶膜在不同时间紫外曝光下的光谱变化图。
图3是本发明方法制备得到二氧化钒薄膜的X射线衍射图。
图4是本方法制备的50μm线宽二氧化钒细线的R-T曲线图。
具体实施方式
具体的，本发明提供了二氧化钒薄膜微细图形的制备方法。该方法包括如下步骤：
a、溶胶制备：以乙酰丙酮氧钒为原料加入至无水甲醇中，制备得到浓度为0.1～0.5mol/L的二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌4～8h，静置36～72h，得感光二氧化钒前驱溶胶；
b、凝胶膜制备：将感光二氧化钒前驱溶胶通过浸渍提拉法或旋涂法在硅基片上获得含钒凝胶膜；浸渍提拉法的提拉速度为1～3mm/s；旋涂法的旋转速度为2000～4000rpm，时间为10～30s。
c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜在80～120℃烘10～30min，覆盖掩膜板后在波长为240～400nm紫外灯下曝光50～90min，浸入无水乙醇和正丁醇体积比为2:1～5:1的混合溶液中溶洗5～15s，得含钒凝胶膜微细图形；
d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理，热处理过程以5～15℃/min从室温升至500～600℃，并氮气保护下保温30～90min，即得二氧化钒薄膜微细图形。
本发明步骤a中，乙酰丙酮氧钒溶解后，在静置过程中羰基提供电子使氧离子与钒离子发生作用生成环状螯合物，呈现紫外感光特性。本发明通过溶胶-凝胶和化学修饰相结合的方法赋予二氧化钒前驱溶胶以紫外感光特性，利用该特性可对含钒凝胶膜直接光刻加工。该方法无需光刻胶辅助，无需昂贵设备，即可获得二氧化钒薄膜微细图形，大大节约了成本。
本发明步骤a所述二氧化钒前驱溶胶的浓度是指溶胶中钒的摩尔数与溶胶总体积的比值。
本发明步骤c中，含钒凝胶膜在紫外光照射下进一步发生反应，生成难溶于有机溶剂的-O-V-O-网状结构，经有机溶洗可获得微细图形。步骤c采用紫外掩膜技术对含钒凝胶膜进行微细加工，使得到的含钒凝胶膜微细图形轮廓清晰、结构完整，线条宽度可达微米级。
步骤c所述的掩膜板可以根据需要选择特定的形状。
本发明步骤d中，含钒凝胶膜微细图形进行热处理，使凝胶膜中的有机物分解，得到二氧化钒薄膜微细图形。
本发明还提供了由上述方法制备得到的二氧化钒薄膜微细图形。
下面将通过具体的实施例对本发明作进一步地详细阐述。
实施例1
将乙酰丙酮氧钒粉末添加到无水甲醇中，制得浓度为0.2mol/L的二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌6h，静置48h后得到感光二氧化钒前驱溶胶。以单晶硅基片作为基板，采用浸渍提拉法获得含钒凝胶膜，提拉速度为1mm/s。含钒凝胶膜在90℃烘20min，其上覆盖具有“太阳”图案的掩膜板后在紫外灯下曝光60min，再浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液中(无水乙醇与正丁醇的体积比3:1)溶洗10s，即得含钒凝胶膜的微细图形。将含钒凝胶膜微细图形在550℃、氮气保护下热处理60min，使凝胶膜中的有机物分解，得到晶态的二氧化钒薄膜微细图形。所得二氧化钒薄膜微细图形样品为单一的二氧化钒物相，微细图形轮廓清晰，结构规整，最小线条宽度约为10μm。薄膜厚度为50nm。二氧化钒的相变温度约为68℃，相变前后电阻变化幅度约为两个数量级。
实施例2
将乙酰丙酮氧钒粉末添加到无水甲醇中，制得浓度为0.1mol/L的二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌4h，静置60h后得到感光二氧化钒前驱溶胶。以载玻片作为基板，采用浸渍提拉法获得含钒凝胶膜，提拉速度为2mm/s。含钒凝胶膜在80℃烘30min，其上覆盖具有点阵图案的掩膜板后在紫外灯下曝光70min，再浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液中(无水乙醇与正丁醇的体积比3:1)溶洗15s，即得含钒凝胶膜的微细图形。将含钒凝胶膜微细图形在550℃、氮气保护下热处理90min，使凝胶膜中的有机物分解，得到晶态的二氧化钒薄膜微细图形。所得二氧化钒薄膜微细图形样品为单一的二氧化钒物相，微细图形轮廓清晰，结构规整，最小点阵直径约为20μm，薄膜厚度为40nm。二氧化钒的相变温度约为70℃，相变前后电阻变化幅度约为两个数量级。
实施例3
将乙酰丙酮氧钒粉末添加到无水甲醇中，制得浓度为0.3mol/L的二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌8h，静置36h后得到感光二氧化钒前驱溶胶。以单晶硅基片作为基板，采用浸渍提拉法获得含钒凝胶膜，提拉速度为3mm/s。含钒凝胶膜在120℃烘10min，其上覆盖具有光栅图案的掩膜板后在紫外灯下曝光90min，再浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液中(无水乙醇与正丁醇的体积比3:1)溶洗15s，即得含钒凝胶膜的微细图形。将含钒凝胶膜微细图形在600℃、氮气保护下热处理40min，使凝胶膜中的有机物分解，得到晶态的二氧化钒薄膜微细图形。所得二氧化钒薄膜微细图形样品为单一的二氧化钒物相，微细图形轮廓清晰，结构规整，最小线条宽度约为15μm，薄膜厚度为80nm。二氧化钒的相变温度约为69℃，相变前后电阻化幅度约为两个数量级。
由图2可知，本发明方法制备得到的含钒凝胶膜具体一定的感光性。由图3中二氧化钒薄膜的X射线衍射图可知采用本发明方法制备得到了纯相的二氧化钒材料。图4可知本发明二氧化钒薄膜微细图形具有良好的相变特性。由实施例1～3可知，采用本发明方法制备得到的微细图形轮廓清晰、结构规整，线条宽度可达微米级，该方法工艺简单、成本低廉，具有潜在的应用前景。

Claims (10)

1.二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
a、溶胶制备：将乙酰丙酮氧钒加入至无水甲醇中，配制得二氧化钒前驱溶胶，室温搅拌，静置，得感光二氧化钒前驱溶胶；
b、将感光二氧化钒前驱溶胶涂覆于基片上获得含钒凝胶膜；
c、凝胶膜微细加工：将含钒凝胶膜进行烘制，覆盖掩膜板后在紫外灯下曝光，浸入无水乙醇和正丁醇的混合溶液溶洗，得含钒凝胶膜微细图形；
d、将含钒凝胶膜微细图形进行热处理即得二氧化钒薄膜微细图形。
2.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述二氧化钒前驱溶胶的浓度为0.1～0.5mol/L。
3.根据权利要求1或2所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述搅拌的时间为4～8h；所述静置的时间为36～72h。
4.根据权利要求1～3任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述将感光二氧化钒前驱溶胶涂覆于基片上是通过浸渍提拉法或旋涂法在硅基片或玻璃基片上获得含钒凝胶膜；所述浸渍提拉法的提拉速度为1～3mm/s；所述旋涂法的旋转速度为2000～4000rpm，时间为10～30s。
5.根据权利要求1～4任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述烘制的条件是在80～120℃烘10～30min。
6.根据权利要求1～5任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述紫外灯的波长为240～400nm；所述曝光的时间为50～90min。
7.根据权利要求1～6任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述无水乙醇和正丁醇的混合溶液中，无水乙醇与正丁醇的体积比为2:1～5:1；所述溶洗的时间为5～15s。
8.根据权利要求1～7任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤d中，所述热处理是将含钒凝胶膜微细图形在500～600℃，
在氮气保护下保温30～90min。
9.根据权利要求1～8任一项所述的二氧化钒薄膜微细图形的制备方法，其特征在于：步骤d中，所述热处理过程中升温的速率为5～15℃/min。
10.权利要求1～9任一项所述的制备方法制备得到的二氧化钒薄膜微细图形。
CN201910904961.8A 2019-09-24 2019-09-24 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法 Pending CN110512196A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910904961.8A CN110512196A (zh) 2019-09-24 2019-09-24 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910904961.8A CN110512196A (zh) 2019-09-24 2019-09-24 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110512196A true CN110512196A (zh) 2019-11-29

Family

ID=68633567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910904961.8A Pending CN110512196A (zh) 2019-09-24 2019-09-24 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110512196A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1436606A (zh) * 2003-03-04 2003-08-20 中国科学院上海技术物理研究所 氧化钒薄膜材料的制备方法
CN1457504A (zh) * 2000-06-06 2003-11-19 Ekc技术公司 电子材料的制造方法
US20120040192A1 (en) * 2008-10-20 2012-02-16 The University Of Western Ontario Method for inhibiting the oxidation of vo(acac)2 in solution
CN106048570A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 西安理工大学 紫外感光铌酸锂溶胶及其薄膜微细图形的制备方法
CN108149228A (zh) * 2017-12-20 2018-06-12 西安理工大学 一种CoFe2O4感光溶胶的制备方法以及CoFe2O4微细图形薄膜的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1457504A (zh) * 2000-06-06 2003-11-19 Ekc技术公司 电子材料的制造方法
CN1436606A (zh) * 2003-03-04 2003-08-20 中国科学院上海技术物理研究所 氧化钒薄膜材料的制备方法
US20120040192A1 (en) * 2008-10-20 2012-02-16 The University Of Western Ontario Method for inhibiting the oxidation of vo(acac)2 in solution
CN106048570A (zh) * 2016-07-26 2016-10-26 西安理工大学 紫外感光铌酸锂溶胶及其薄膜微细图形的制备方法
CN108149228A (zh) * 2017-12-20 2018-06-12 西安理工大学 一种CoFe2O4感光溶胶的制备方法以及CoFe2O4微细图形薄膜的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wu et al. Flexible photodetector arrays based on patterned CH3NH3PbI3− xClx perovskite film for real‐time photosensing and imaging
Rim et al. Low-temperature metal-oxide thin-film transistors formed by directly photopatternable and combustible solution synthesis
CN105900014B (zh) 多金属氧酸盐和杂多金属氧酸盐组合物及其使用方法
JP4944989B2 (ja) Ｉｔｏ電子ビームレジストの合成方法及びこれを利用したｉｔｏパターンの形成方法
Kim et al. Patterning of Flexible Transparent Thin‐Film Transistors with Solution‐Processed ZnO Using the Binary Solvent Mixture
US20150072465A1 (en) Organic-inorganic hybrid junction device using redox reaction and organic photovoltaic cell of using the same
CN101223116A (zh) 用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质
TW200814330A (en) A thin film transistor, manufacturing method of a active layer thereof and liquid crystal display
CN102653392B (zh) 一种负性电子束抗蚀剂曝光工艺制备超导纳米器件的方法
CN204243084U (zh) 霍尔条微器件
CN104120416B (zh) 紫外感光镧锶锰氧溶胶及其微细图形化薄膜的制备方法
CN104900810A (zh) 一种均匀有机-无机钙钛矿薄膜太阳能电池的制备方法
CN106883828B (zh) 基于图形化碳纳米管阵列的复合型界面散热材料的制备方法
Niu et al. Enhancing the performance of perovskite solar cells via interface modification
Kong et al. Highly Reproducible Fabrication of Perovskite Films with an Ultrawide Antisolvent Dripping Window for Large‐Scale Flexible Solar Cells
Lu et al. Achieving a record open‐circuit voltage for organic/Si hybrid solar cells by improving junction quality
Wang et al. Uracil Induced Simultaneously Strengthening Grain Boundaries and Interfaces Enables High‐Performance Perovskite Solar Cells with Superior Operational Stability
CN204529302U (zh) 自支撑三维器件
US20080213702A1 (en) Method for patterning conductive polymer
CN107093607B (zh) 阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板
CN110512196A (zh) 二氧化钒薄膜微细图形的制备方法
CN108149228A (zh) 一种CoFe2O4感光溶胶的制备方法以及CoFe2O4微细图形薄膜的制备方法
CN108930065A (zh) 一种高迁移率硒氧化铋半导体薄膜的化学刻蚀方法
CN208548341U (zh) 石墨烯晶体管电路装置
CN109461817B (zh) 在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191129