CN110512191B - 确定mpcvd装置用托盘结构的工装和方法 - Google Patents
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- 238000000259 microwave plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 5
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 5
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
Abstract
本发明涉及一种MPCVD装置用托盘本体、确定MPCVD装置用托盘结构的工装和方法。MPCVD装置用托盘本体具有用于支撑放置沉积载体的支撑上侧;托盘本体具有支撑下侧,支撑下侧设有中心台安装结构,用于可拆安装中心导热台,中心导热台用于与冷却台导热支撑配合;支撑下侧设有导热环安装结构,用于可拆安装外侧导热环,外侧导热环用于与冷却台导热支撑配合,导热环安装结构沿托盘本体径向分布有至少两处。可根据实际需要选择安装相应的中心导热台,还可根据实际需要选择性适配外侧导热环,以使托盘与冷却台之间具有沿径向上的多种不同尺寸的接触面积,以组装成多个不同结构的托盘,以便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构。
Description
技术领域
本发明涉及MPCVD装置用托盘本体、确定MPCVD装置用托盘结构的工装和方法。
背景技术
MPCVD装置,即微波等离子体化学气相沉积装置适合于金刚石生产,通过等离子体在托盘上的籽晶表面沉积金刚石。为实现批量生产,托盘上会按照阵列放置籽晶,为了实现各个籽晶表面均匀沉积金刚石,要求整个生长过程中,各个籽晶的上表面温度尽量保持一致。
授权公告号为US8668962B2的美国发明专利文件中公开了一种微波等离子体反应器,该微波等离子体反应器包括冷却台、位于冷却台上方的托盘以及等离子腔室,冷却台具有冷却腔室,冷却腔室用于给冷却台上方的托盘降温,以便于托盘上金刚石膜的生长。但是由于等离子腔室内等离子体能量在冷却台上的分布中间强边缘弱,会导致托盘上方的温度场分布不均,最终使金刚石膜在生长过程中温度不均匀,导致其质量差异较大,所以在试验调试的过程中,需要确定托盘结构,保证托盘上方的径向温度分布较为均匀。但是,现有的托盘结构多为整体式,其与冷却台的接触面积是确定的,在试验时需要制作多个不同结构的托盘,从中选取一个径向温度分布最优的,整个调试过程比较麻烦,试验成本高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种MPCVD装置用托盘本体,用于组装形成不同结构的托盘以便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构;相应的,本发明的目的还在于提供一种用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,以解决现有技术中采用整体式托盘调试时存在的试验成本较高的技术问题;相应的,本发明的目的还在于提供一种选取MPCVD装置用托盘结构的方法。
为实现上述目的,本发明MPCVD装置用托盘本体的技术方案是:托盘本体具有用于支撑放置沉积载体的支撑上侧;托盘本体具有支撑下侧;所述支撑下侧于托盘本体中心设有中心台安装结构,用于可拆安装中心导热台,中心导热台用于与MPCVD装置的冷却台导热支撑配合;所述支撑下侧于中心台安装结构的外侧设有导热环安装结构,用于可拆安装外侧导热环,外侧导热环用于与所述冷却台导热支撑配合,所述导热环安装结构沿托盘本体径向分布有至少两处。
本发明的有益效果是:托盘本体的下侧设有中心台安装结构以及导热环安装结构,可使托盘本体适配具有不同导热效率的中心导热台,适配一个、两个或者还可以不适配外侧导热环,使托盘与冷却台之间具有沿径向上的多种不同尺寸的接触面积,以组装成多个不同结构的托盘,以便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构。
进一步地,各导热环安装结构沿托盘本体周向延伸或沿托盘本体周向分布。沿周向延伸或沿周向分布的导热环安装结构,导热环安装结构中装配外侧导热环后,可实现托盘本体在同一半径的周向上的导热效率相等,可使托盘上方的温度更加均匀。
进一步地,各导热环安装结构均为沿托盘本体周向延伸的环槽,用于与相应外侧导热环吻合插配以实现外侧导热环和环槽的可拆装配。环槽沿周向延伸,可增加托盘本体上方温度的均匀性,而且通过吻合插配实现环槽与外侧导热环可拆装配在一起的装配方式,方便操作,便于在本发明中实现。
进一步地,所述中心台安装结构为中心卡槽,用于与中心导热台吻合插配以实现中心导热台和中心卡槽的可拆装配。中心卡槽结构简单,便于在托盘本体上加工,也便于适配安装相应的中心导热台。
进一步地,所述托盘本体上沿其周向延伸或分布有支撑结构,该支撑结构用于支撑在MPCVD装置的冷却台上。设置支撑结构以增加托盘本体支撑在冷却台上的稳定性。
为实现上述目的,本发明用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装的技术方案是:工装包括托盘本体,托盘本体具有用于支撑放置沉积载体的支撑上侧;托盘本体还具有支撑下侧;支撑下侧的中心位置处设有中心台安装结构,支撑下侧于中心台安装结构的外侧设有导热环安装结构,所述导热环安装结构沿托盘本体径向分布有至少两处;工装还包括至少两个具有不同导热效率的中心导热台,供使用者择一选取以与所述中心台安装结构可拆装配,所述中心导热台用于支撑放置在MPCVD装置的冷却台上;工装还包括至少一个外侧导热环 ,供使用者选取以一一对应的与设定位置处的所述导热环安装结构可拆装配,所述外侧导热环用于与所述导热环安装结构可拆装配并支撑放置在MPCVD装置的冷却台上。
本发明的有益效果是:工装中托盘本体可根据实际需要选择安装一个合适的中心导热台,还可根据实际需要选择性适配外侧导热环,以改变托盘本体与冷却台在托盘本体径向上的接触面积,实现托盘上方在径向上的温度调节,而且这种调节过程方便简单,便于操作,成本较低。
进一步地,各导热环安装结构沿托盘本体周向延伸或沿托盘本体周向分布。沿周向延伸或沿周向分布的导热环安装结构,导热环安装结构中装配外侧导热环后,可实现托盘本体在同一半径的周向上的导热效率相等,可使托盘上方的温度更加均匀。
进一步地,各导热环安装结构均为沿托盘本体周向延伸的环槽,用于与相应外侧导热环吻合插配以实现外侧导热环和环槽的可拆装配。环槽沿周向延伸,可增加托盘本体上方温度的均匀性,而且通过吻合插配实现环槽与外侧导热环可拆装配在一起的装配方式,方便操作,便于在本发明中实现。
进一步地,所述中心台安装结构为中心卡槽,用于与中心导热台吻合插配以实现中心导热台和中心卡槽的可拆装配。中心卡槽结构简单,便于在托盘本体上加工,也便于适配安装相应的中心导热台。
进一步地,所述托盘本体上设有沿其周向延伸或分布的支撑结构,该支撑结构用于支撑在化学气相沉积装置的冷却台上。设置支撑结构以增加托盘本体支撑在冷却台上的稳定性。
为实现上述目的,本发明选取MPCVD装置用托盘结构的方法是:通过在托盘本体支撑下侧的中心位置处更换安装不同导热效率的中心导热台,并对应不同导热效率的中心导热台,选取不同数量的外侧导热环以安装托盘本体的不同位置的导热环安装结构处,进而得到多个不同的托盘结构,将不同的托盘结构放入MPCVD装置中进行试验,从中选取得到径向温度均匀性最优的托盘结构。
本发明的有益效果是:上述通过更换不同导热效率的中心导热台,以及配置不同数量和不同位置的外侧导热环,并组成径向温度均匀性不同的托盘结构的方法,操作简单,便于实现,而且方便选取出径向温度均匀性最优的托盘结构。
附图说明
图1为一种MPCVD装置的结构简图;
图2为图1中托盘与冷却台的装配结构示意图;
图3为图1中冷却台的结构示意图;
图4为本发明提供的MPCVD装置用托盘本体的一种实施例的结构示意图;
图5为图4中的托盘本体与中心导热台、外侧导热环以及冷却台的装配结构示意图;
图6为本发明提供的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装中确定出的其中一个托盘结构示意图;
图7至图9为本发明的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装中具有不同导热效率的中心导热台的结构示意图;
图中:1-托盘本体,201-中心导热台,202-中心导热台,203-中心导热台,3-冷却台,401-导热接触部,402-导热接触部,403-导热接触部,501-安装部,502-安装部,503-安装部,6-第一外侧导热环,7-第二外侧导热环,8-环形凸起,9-中心卡槽,10-环槽,11-托盘,15-圆孔,18-流体进入通道,20-冷却腔室,22-隔板,23-排出腔室,24-环形通道,25-微波发生器,26-模式转换器,27-滑动活塞,28-转换腔,29-反应室,30-环形器,31-水负载,32-同轴天线,33-三销钉调配器,34-石英窗口,35-观察窗口。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施方式作进一步说明。
在介绍本发明MPCVD装置用托盘本体、用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装以及选取MPCVD装置用托盘结构的方法的实施方式之前,先简单介绍本发明MPCVD装置的大体结构。
MPCVD装置即为等离子体化学气相沉积装置,其结构如图1所示,包括微波发生器25、环形器30、水负载31、三销钉调配器33,模式转换器26、滑动活塞27、围成转换腔28的外腔体以及通过石英窗口34隔离出的反应室29,外腔体与模式转换器26对接,模式转换器26通过三销钉调配器33、环形器30与微波发生器25连通,上述模式转换器26包括同轴天线32。其中,微波发生器25、模式转换器26、滑动活塞27、围成转换腔28的外腔体,以及通过石英窗口34隔离出的反应室29均为现有技术,在此不再赘述。
微波等离子体化学气相沉积装置工作过程中,由微波发生器25发射对应频率的微波,微波通过环形器30、三销钉调配器33后进入到模式转换器26内,沿着同轴天线32进入到转换腔28内,并经过石英窗口34进入到反应室29内,将反应室29内的气体等离子化,形成等离子体,等离子体沉积在反应室29中的沉积载体(未示出)上,得到相应的产品,如金刚石膜。在此过程中,三销钉调配器33用于调节微波传输系统的阻抗,从而降低微波的反射,使进入到反应室29的微波能量最大化;滑动活塞27用于调节微波反射和微波在反应室29内分布;环形器30将系统反射回来的微波做90°转向,反射回来的微波能量最终通过水负载31吸收。
具体的,如图1和图2所示,在反应室29中设有冷却台3以及支撑放置在冷却台上的托盘11,托盘11上方用于放置沉积载体,反应室29底部作为相应支撑部固定支撑冷却台3。
如图3所示,冷却台3具有中空腔室,中空腔室内设置有隔板22,以将中空腔室分隔成冷却腔室20以及排出腔室23,冷却腔室20供冷却流体进入,排出腔室23供冷却流体排出,隔板22上还设置有位于隔板22边缘的圆孔15,以将冷却腔室20与排出腔室23连通。冷却台3上还设置有与冷却腔室20连通的流体进入通道18,在流体进入通道18外还设置有与排出腔室23连通的环形通道24,冷却流体沿流体进入通道18进入到冷却腔室20,并沿隔板22上的圆孔15流入排出腔室23,最终沿环形通道24从冷却台3中排出,使冷却流体在冷却台3的中空腔室内均匀流动,提高冷却流体的冷却效率,并通过冷却台3的上壁实现为托盘11散热的目地。
通过上述MPCVD装置在试验调试的过程中,需要改变托盘结构,以使托盘上方温度径向分布较为均匀,以提高产品成型质量。
本发明中通过设计MPCVD装置用托盘本体的结构,用于组装形成不同结构的托盘以便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构;本发明中通过选取托盘结构的工装和确定托盘结构的方法,以便于托盘结构的组装和调试,且便于选取托盘上方径向温度均匀性最优的托盘结构,并且与现有技术中整体式托盘的调试结构相比,本发明中选取托盘结构的工装可降低托盘调试过程的成本。
下面介绍本发明中MPCVD装置用托盘本体的具体结构、用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装的实施方式以及选取MPCVD装置用托盘结构方法的具体实施方式。
本发明的MPCVD装置用托盘本体的具体实施例:
本实施例中,如图4所示,托盘本体1为圆盘结构,托盘本体1具有支撑上侧,且支撑上侧凹陷设置,以便于放置沉积载体,本实施例中的沉积载体为用于金刚石膜生长的的籽晶。托盘本体1还具有支撑下侧,在支撑下侧的边缘设置有沿其周向布置的支撑结构,本实施例中,该支撑结构具体为沿托盘本体1的周向延伸的环形凸起8,该环形凸起8用于与MPCVD装置中冷却台3的上表面配合接触,以增加托盘本体1放置在冷却台3上的稳定性,环形凸起8还起到隔离微波的作用,可避免微波在托盘本体1与冷却台之间的间隙处打火而影响整个MPCVD装置的正常运行。
如图4和图5所示,托盘本体1的支撑下侧还设置有用于放置中心导热台的中心台安装结构,本实施例中,该中心台安装结构为设置在托盘本体1中心位置的中心卡槽9,以与具有不同导热效率的中心导热台吻合插配,组装形成中心位置处导热效率不同的托盘结构,且便于对托盘结构中心位置处温度的调试并便于从中选取温度均匀性最优的托盘结构。
其他实施例中,中心台安装结构还可以是设置在托盘本体中心位置的螺纹孔,相应的,需要在中心导热台上设置穿装螺纹连接件的穿孔,螺纹连接件穿过该穿孔,并与托盘本体中心位置的螺纹孔连接,以实现托盘本体与中心导热台的可拆连接,并且还可实现托盘本体适配具有不同导热效率的中心导热台,以组装形成中心位置处导热效率不同的托盘结构,且便于对托盘结构中心位置处温度的调试并便于从中选取温度均匀性最优的托盘结构。
托盘本体1的支撑下侧上还设有用于放置外侧导热环的导热环安装结构,本实施例中,如图4所示,该导热环安装结构为与中心卡槽9同轴布置,且沿周向延伸的环槽10,环槽10设置有两个,以便于选择性的配置一个、两个或者不配置外侧导热环,以实现托盘本体1的中心外侧与冷却台3之间具有不同的导热接触面积,进而使托盘本体与外侧导热环适配,以组装形成中心外侧径向上导热效率不同的托盘结构,实现托盘上方温度的调试,便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构。如图5所示的托盘本体1配置有两个外侧导热环,并使托盘本体1、中心导热台以及两个外侧导热环构成整个托盘结构,使整个托盘结构在径向上具有不同的导热效率,从而实现托盘上方在径向上的温度均匀性。
其他实施例中,导热环安装结构还可以是设置在托盘本体的中心外侧,沿周向间隔布置的螺纹孔,相应的需要在外侧导热环上设置穿装螺纹连接件的穿孔,螺纹连接件穿过该穿孔,并与托盘本体中心外侧的螺纹孔连接,以实现托盘本体与外侧导热环可拆连接,并且可实现托盘本体适配不同数量和不同位置的外侧导热环,以组装形成中心外侧径向上导热效率不同的托盘结构,实现托盘上方温度的调试,便于从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构。
本实施例中,托盘本体上设有两个用于分别与外侧导热环装配的导热环安装结构。其他实施例中,托盘本体上还可以设置三个以上数量的导热环安装结构,进而可使托盘本体适配更多不同数量和不同尺寸的外侧导热环。
本实施例中,在托盘本体上沿其周向延伸设置有支撑结构,该支撑结构具体为环形凸起,以增加托盘本体在冷却台上的稳定性,其他实施例中,还可以不设置支撑结构,依靠与托盘本体适配的中心导热台以及外侧导热环,以增加托盘本体的稳定性;或者其他实施例中,支撑结构还可以为沿托盘本体的周向间隔分布的凸起,该凸起用于与冷却台的上表面配合接触,以增加托盘本体放置在冷却台上的稳定性。
本发明的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装的具体实施例:
工装包括支撑放置在冷却台上的托盘本体、多个中心导热台及两个外侧导热环。
其中,托盘本体的结构与上述MPCVD装置用托盘本体具体实施例中的托盘本体1的结构相同,也就是说,托盘本体同样具有设置在支撑下侧中间位置处的中心台安装结构,以及处于中心台安装结构外侧的两个导热环安装结构,此处不再赘述。
其他实施例中,托盘本体的结构与上述MPCVD装置用托盘本体具体实施例中其他实施例中的托盘本体的结构相同,此处也不再赘述。
本实施例中,工装还包括多个中心导热台,各中心导热台分别与托盘本体上的中心卡槽相适配。各中心导热台均包括用于与中心卡槽吻合插配的安装部,还包括用于与冷却台配合的导热接触部,导热接触部位于中心导热台的下部,其底面为圆形,用于与冷却台的上表面接触,以实现在冷却台与托盘本体中心位置之间传递热量。多个中心导热台的安装部结构相同,以便于与托盘本体的中心卡槽吻合插配。
各中心导热台分别具有不同尺寸的导热接触部,多个中心导热台大体分为三类,第一类中心导热台中导热接触部的径向尺寸小于安装部的径向尺寸,第二类中心导热台中导热接触部的径向尺寸等于安装部的径向尺寸,第三类中心导热台中导热接触部的径向尺寸大于安装部的径向尺寸。
如图7所示的中心导热台201为第一类中心导热台中的一个,该中心导热台201具有安装部501,还具有在径向上的尺寸小于安装部501的导热接触部401,如图8所示的中心导热台202为第二类中心导热台中的一个,该中心导热台202具有安装部502,还具有在径向上的尺寸等于安装部502的导热接触部402,如图9所示的中心导热台203为第三类中心导热台中的一个,该中心导热台203具有安装部503,还具有在径向上的尺寸大于安装部503的导热接触部403。
由于各中心导热台的安装部尺寸相同,各中心导热台的材质相同,而第三类中心导热台的导热接触部尺寸大于第二类中心导热台的导热接触部尺寸,第二类中心导热台的导热接触部尺寸大于第一类中心导热台的导热接触部尺寸,所以将三类中心导热台的导热效率按照从大到小排列为:第三类中心导热台>第二类中心导热台>第一类中心导热台。
各类多个中心导热台的导热接触部的尺寸均不相同,导热接触部的尺寸越大,其导热效率越大。通过选择性配置具有不同导热效率的中心导热台,以使托盘中心位置与冷却台之间具有不同的接触面积,以改变冷却台对托盘中心位置的冷却效率,从而实现托盘上方温度的调试,而且调试过程简单方便,相比于现有技术中多个整体式托盘替换的调节方式,本实施例中通过装配组装托盘结构以实现托盘上方温度调节的方法成本较低。
如图6所示,工装中的两个外侧导热环分别用于与托盘本体上的导热环安装结构吻合插配,两个外侧导热环的外径尺寸和内径尺寸均不相同,可实现两个外侧导热环位于冷却台与托盘本体之间且间隔布置。外径尺寸稍大的外侧导热环为第一外侧导热环6,外径尺寸稍小的外侧导热环为第二外侧导热环7,在试验调试的过程中,可根据实际需要,通过在托盘本体与冷却台之间放置第一外侧导热环6和第二外侧导热环7,或仅放置第一外侧导热环6,或者仅放置第二外侧导热环7,或者还可以不放置外侧导热环,可实现托盘中心外侧与冷却台之间具有不同的接触面积,实现托盘上方在径向上温度的调节,相比于现有技术中整体式托盘替换的调节方式,本实施例中通过装配组装托盘结构以实现托盘上方温度调节的方法成本较低。
本实施例中,用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装包括两个外侧导热环。其他实施例中,工装还可以仅设置一个外侧导热环,或者还可以设置三个以上具有不同外径尺寸的外侧导热环,以与托盘本体上设置的两个以上的导热环安装结构适配,通过配置不同数量和不同尺寸的外侧导热环,可使托盘中心外侧与冷却台之间具有不同的导热效率,便于托盘上方温度的调试。
本实施例中,用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装包括多个中心导热台,各中心导热台的材质相同,各中心导热台具有不同尺寸的导热接触部,以实现各中心导热台具有不同的导热效率。其他实施例中,工装还可以包括多个相同尺寸的中心导热台,且各中心导热台的材质均不同,以实现各中心导热台具有不同的导热效率。或者其他实施例中,工装还可以包括安装部和导热接触部尺寸均不同的中心导热台,以实现中心导热台具有多种不同的导热效率,通过螺钉将中心导热台可拆装配在相应的托盘本体上,以使托盘与冷却台之间具有不同的导热效率,实现对托盘上方温度调节的目的。
在选取托盘结构的过程中,选取一个中心导热台安装在托盘本体的中心台安装结构处,再将相应的外侧导热环安装在相应的导热环安装结构处。
以图7中所示的中心导热台为例,选取图7中的中心导热台201安装在托盘本体的中心台安装结构处,以使托盘本体与中心导热台组装成托盘结构,将托盘结构放置在MPCVD装置中进行试验,记录试验过程中托盘上方径向上的温度分布。
通过在托盘本体上配置外侧导热环6,以使外侧导热环6、中心导热台201以及托盘本体组装成整个托盘结构,将该托盘结构放置在MPCVD装置中进行试验,记录试验过程中托盘上方径向上的温度分布。
通过在托盘本体上增加配置外侧导热环7,以使两个外侧导热环、中心导热台201以及托盘本体组装成整个托盘结构,将该托盘结构放置在MPCVD装置中进行试验,记录试验过程中托盘上方径向上的温度分布。
通过替换具有不同导热效率的中心导热台,选取如图8中所示的中心导热台202替换中心导热台201,以使两个外侧导热环、中心导热台202以及托盘本体组装成整个托盘结构,将该托盘结构放置在MPCVD装置中进行试验,记录试验过程中托盘上方径向上的温度分布。
总的来说,就是通过不断的选配,尝试不同组合,以使工装组装成在径向上导热效率不同的托盘结构,并将多个托盘结构分别放置在MPCVD装置中进行试验,记录试验过程中托盘上方在径向上的温度分布,实现托盘上方径向上温度的调节,然后从中选取径向温度均匀性最优的托盘结构。这种通过工装不断选配组装成不同结构的托盘的调节过程简单方便,相比整个托盘整体替换的调节方式,本实施例中对托盘上方径向上温度调节的方式可将降低试验成本。
需要说明的是,本实施例中,在确定组成的托盘结构在径向上的温度分布的试验过程中,可通过图1中的观察窗口35观测对比籽晶上生长的带颜色的金刚石膜上颜色的变化,当颜色基本一致时,可以认为托盘上径向温度均匀性较好,如果不一致的话,托盘上径向温度均匀性就较差。当然,其他实施例中,如果遇到不显示颜色的产品,可以通过采用设置在反应室外的红外检测设备来检测托盘上径向温度分布情况,来判断使用的托盘结构的径向温度均匀性能。
本发明的选取MPCVD装置用托盘结构的方法具体实施例:
需要说明的是本发明的选取MPCVD装置用托盘结构的方法使用上述MPCVD装置用托盘本体以及用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装的结构来实现的。
通过本实施例中的工装选取托盘结构的过程中,选取一个中心导热台安装在托盘本体的中心台安装结构处,进行试验,记录托盘上方径向上的温度分布;再通过适配不同数量、不同尺寸的外侧导热环以安装在托盘本体的不同位置上,进而得到相应的托盘结构,进行试验,记录托盘上方径向上的温度分布;然后在通过更换具有不同导热效率的中心导热台,以得到不同结构的托盘,进行试验,记录托盘上方径向上的温度分布;或者通过改变外侧导热环的数量和位置以得到不同结构的托盘,进行试验,记录托盘上方径向上的温度分布。
总的来说,就是通过不断的选配,尝试不同组合,以得到不同结构的托盘,将不同结构的托盘分别放入MPCVD装置中进行试验,最终通过选取对比各结构托盘在试验过程中托盘上方径向上的温度分布,以从中选取得到径向温度均匀性最优的托盘结构。
需要说明的是,本实施例中,记录托盘上方径向上的温度分布的方式可通过拍摄照片的方式,其他实施例中,还可通过设置判定参数,划分均匀等级来记录托盘上方径向上的温度均匀性能。
还需要说明的是,本实施例中,在确定组成的托盘结构上方是否满足温度均匀要求的试验过程中,可通过图1中的观察窗口35观测对比籽晶上生长的带颜色的金刚石膜上颜色的变化,当颜色基本一致时,可以认为托盘上径向温度均匀性较好,如果不一致的话,托盘上径向温度均匀性就较差。当然在其他实施例中,如果遇到不显示颜色的产品,可以通过采用设置在反应室外的红外检测设备来检测托盘上径向温度分布情况,来判断使用的托盘结构的径向温度均匀性能。所选取的径向温度均匀性最优的托盘结构应当是试验过程中托盘上方籽晶上生长的金刚石膜的颜色一致性能最好,或者是通过红外检测设备检测到的金刚石膜的颜色一致性能最好的托盘结构。
上述通过不断的选配,尝试具有不同导热效率的中心导热台以及不同尺寸和数量的外侧导热环,以组成不同形式的托盘结构,来进行试验,以选取出托盘上方温度均匀性能最好的托盘结构的方法,操作简单方便,可较容易的挑选处径向上温度均匀性最优的托盘结构。
Claims (6)
1.一种用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,其特征在于:
工装包括托盘本体,托盘本体具有用于支撑放置沉积载体的支撑上侧;
托盘本体还具有支撑下侧;
支撑下侧的中心位置处设有中心台安装结构,支撑下侧于中心台安装结构的外侧设有导热环安装结构,所述导热环安装结构沿托盘本体径向分布有至少两处;
工装还包括至少两个具有不同导热效率的中心导热台,供使用者择一选取以与所述中心台安装结构可拆装配,所述中心导热台用于支撑放置在MPCVD装置的冷却台上;
工装还包括至少一个外侧导热环 ,供使用者选取以一一对应的与设定位置处的所述导热环安装结构可拆装配,所述外侧导热环用于与所述导热环安装结构可拆装配并支撑放置在MPCVD装置的冷却台上。
2.根据权利要求1所述的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,其特征在于:各导热环安装结构沿托盘本体周向延伸或沿托盘本体周向分布。
3.根据权利要求2所述的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,其特征在于:各导热环安装结构均为沿托盘本体周向延伸的环槽,用于与相应外侧导热环吻合插配以实现外侧导热环和环槽的可拆装配。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,其特征在于:所述中心台安装结构为中心卡槽,用于与中心导热台吻合插配以实现中心导热台和中心卡槽的可拆装配。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的用于确定MPCVD装置用托盘结构的工装,其特征在于:所述托盘本体上设有沿其周向延伸或分布的支撑结构,该支撑结构用于支撑在化学气相沉积装置的冷却台上。
6.一种选取MPCVD装置用托盘结构的方法,其特征在于:通过在托盘本体支撑下侧的中心位置处更换安装不同导热效率的中心导热台,并对应不同导热效率的中心导热台,选取不同数量的外侧导热环以安装托盘本体的不同位置的导热环安装结构处,进而得到多个不同的托盘结构,将不同的托盘结构放入MPCVD装置中进行试验,从中选取得到径向温度均匀性最优的托盘结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910631217.5A CN110512191B (zh) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 确定mpcvd装置用托盘结构的工装和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910631217.5A CN110512191B (zh) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 确定mpcvd装置用托盘结构的工装和方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110512191A CN110512191A (zh) | 2019-11-29 |
CN110512191B true CN110512191B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=68623404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910631217.5A Active CN110512191B (zh) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 确定mpcvd装置用托盘结构的工装和方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110512191B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-07-12 CN CN201910631217.5A patent/CN110512191B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110512191A (zh) | 2019-11-29 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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