CN110504970B - 电容数字转换电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电容数字转换电路，充放电模块，所述充放电模块的第一端与电源端电连接，所述充放电模块的第二端与接地端电连接；比较器，所述比较器的第一端与所述充放电模块的第三端电连接，所述比较器的第二端为1/2VREF端；计数模块，所述计数模块的第一端与所述比较器的第三端电连接；数据处理模块，所述数据处理模块与所述计数模块的第三端电连接。本发明所提供的电容数字转换电路，是一种将充电型和放电型两者为一体的电容数字转换电路，通过利用充电型和放电型的相互补偿，大大的提高了触摸电容检测的抗电源干扰能力。

Description

电容数字转换电路
技术领域
本发明涉及电容数字转换技术领域，特别涉及一种电容数字转换电路。
背景技术
传统的电容数字转换电路有多种，主要功能是检测外部电容大小，将外部电容的容值转换为数字信号，传输到单片机来进行下一步的处理，传统的电容数字转换电路采用的是单个的放电型电容数字转换电路或充电型电容数字转换电路，当电源上有较大的纹波的时候，计数值会出现明显的波动，当电源有正脉冲毛刺时，计数值减小，当电源有负脉冲毛刺时，计数值增加，传统的电容数字转换电路抗干扰能力一般。
发明内容
本发明提供了一种电容数字转换电路，其目的是为了解决传统的电容数字转换电路抗干扰能力弱的问题。
为了达到上述目的，本发明的实施例提供了一种电容数字转换电路，包括：
充放电模块，所述充放电模块的第一端与电源端电连接，所述充放电模块的第二端与接地端电连接；
比较器，所述比较器的第一端与所述充放电模块的第三端电连接，所述比较器的第二端为1/2VREF端；
计数模块，所述计数模块的第一端与所述比较器的第三端电连接；
数据处理模块，所述数据处理模块与所述计数模块的第三端电连接。
其中，所述充放电模块包括：
第一CMOS开关，所述第一CMOS开关的第一端与电源端电连接，所述第一CMOS开关的第二端与第二NMOS开关的漏极端电连接；
第二CMOS开关，所述第二CMOS开关的第一端与电源端电连接，所述第二CMOS开关的第二端与外部触摸电容的第一端电连接；
第三CMOS开关，所述第三CMOS开关的第一端与外部触摸电容的第一端电连接，所述第三CMOS开关的第二端与第二NMOS开关的漏极端电连接；
外部触摸电容，所述外部触摸电容的第二端与接地端电连接；
第一NMOS开关，所述第一NMOS开关的漏极端与所述外部触摸电容的第一端电连接，所述第一NMOS开关的源极端与接地端电连接；
第二NMOS开关，所述第二NMOS开关的源极端与接地端电连接；
调制电容，所述调制电容的第一端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接，所述调制电容的第二端与接地端电连接。
其中，所述第一CMOS开关，包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接。
其中，所述第二CMOS开关，包括：
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第二PMOS管的漏极端与所述外部触摸电容的第一端电连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的源极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接。
其中，所述第三CMOS开关，包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与所述外部触摸电容的第一端电连接，所述第三PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的源极端电连接，所述第三NMOS管的源极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接。
其中，所述计数模块设置有一内部时钟振荡器，所述内部时钟振荡器与所述计数模块的第二端电连接。
本发明的上述方案有如下的有益效果：
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，通过将放电模式和充电模式结合在一起，当电源有纹波时，这两种模式下计数值一个增加一个减小，将两者的计数值相加，可大大补偿由于电源纹波造成的干扰，提高触摸电容检测的抗电源干扰能力，使得电容数字转换电路的功能更加完善，使用范围更加广泛。
附图说明
图1为本发明的总设计图；
图2为本发明放电时的电路等效图；
图3为本发明充电时的电路等效图。
【附图标记说明】
1-第一CMOS开关；2-第二CMOS开关；3-第三CMOS开关；4-外部触摸电容；5-第一NMOS开关；6-第二NMOS开关；7-调制电容；8-比较器；9-计数模块；10-数据处理模块；11-内部时钟振荡器。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明针对现有的电容数字转换电路抗干扰能力弱的问题，提供了一种电容数字转换电路，包括：充放电模块，所述充放电模块的第一端与电源端电连接，所述充放电模块的第二端与接地端电连接；比较器8，所述比较器8的第一端与所述充放电模块的第三端电连接，所述比较器8的第二端为1/2VREF端；计数模块9，所述计数模块9的第一端与所述比较器8的第三端电连接；数据处理模块10，所述数据处理模块10与所述计数模块9的第三端电连接。
如图1所示，本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述第一CMOS开关1、所述第二CMOS开关2和所述第三CMOS开关3为CMOS开关，所述第一NMOS开关5和所述第二NMOS开关6为NMOS开关，因为所述外部触摸电容4的电压、VREF和所述调制电容7的电压都是中间电平，故在这两个电压之间的开关都需要用CMOS开关，而所述外部触摸电容4的电压与所述调制电容7的电压和地之间的开关所述第一NMOS开关5和所述第二NMOS开关6都是为了给所述外部触摸电容4或者所述调制电容7放电，故用NMOS开关即可。
如图2所示，所述外部触摸电容4与所述第一NMOS开关5、所述第三CMOS开关3可以等效为一个开关电阻R(CX)，其中，阻值：R(CX)＝1/fCX，f为所述第一NMOS开关5、所述第三CMOS开关3的频率，CX为所述外部触摸电容4的容值大小，即等效为所述调制电容7电容通过一个等效固定电阻进行放电，通过计算可以得到：
计数值：N＝-a*lnb，其中a＝CMOD/CX,b＝Vc/Vref，
穿透力：ΔN＝(N*ΔCX)/(CX+ΔCX)，
穿透力电容：ΔCX＝CX*1/(N/ΔN-1)。
如图3所示，所述外部触摸电容4与所述第二CMOS开关2、所述第三CMOS开关3可以等效为一个开关电阻R(CX)，其中，阻值：R(CX)＝1/fCX，f为所述第二CMOS开关2、所述第三CMOS开关3的频率，CX为所述外部触摸电容4电容的容值大小，即等效为所述调制电容7电容通过一个等效固定电阻进行充电，通过计算可以得到：
计数值：N＝-a*ln(1-b)，其中a＝CMOD/CX,b＝Vc/Vref，
穿透力：ΔN＝N*ΔCX/(CX+ΔCX)，
穿透力电容：ΔCX＝CX*1/(N/ΔN-1)。
当电源上有一个较大纹波时，可能会在VREF上产生一个抖动，假设使VREF变大，在放电模式下，如果在开关所述第一CMOS开关1断开的时候VREF变大，则会导致给所述调制电容7电容充电的电压比VREF没有变大的时候高，即所述调制电容7上的总电荷比稳定电源电压下的多，这将导致电荷分享的次数增加，即计数值变大，而在充电模式下，在所述第二CMOS开关2、所述第三CMOS开关3两相非交叠时钟对所述调制电容7进行充电的过程中，VREF变大，则会导致每次电荷分享的过程中所述外部触摸电容4给所述调制电容7分享的电荷增加，会使V所述调制电容7电压更快的上升至1/2VREF，即计数值将减小，当VREF变小，同理，放电模式下计数值减小，充电模式下计数值增加，通过放电模式和充电模式相互的补偿，可以大大减小由于电源纹波干扰造成的计数值的波动，提高电容数字转换电路转换的抗干扰能力。
其中，所述充放电模块包括：第一CMOS开关1，所述第一CMOS开关1的第一端与电源端电连接，所述第一CMOS开关1的第二端与第二NMOS开关6的漏极端电连接；第二CMOS开关2，所述第二CMOS开关2的第一端与电源端电连接，所述第二CMOS开关2的第二端与外部触摸电容4的第一端电连接；第三CMOS开关3，所述第三CMOS开关3的第一端与外部触摸电容4的第一端电连接，所述第三CMOS开关3的第二端与第二NMOS开关6的漏极端电连接；外部触摸电容4，所述外部触摸电容4的第二端与接地端电连接；第一NMOS开关5，所述第一NMOS开关5的漏极端与所述外部触摸电容4的第一端电连接，所述第一NMOS开关5的源极端与接地端电连接；第二NMOS开关6，所述第二NMOS开关6的源极端与接地端电连接；调制电容7，所述调制电容7的第一端与所述第二NMOS开关6的漏极端电连接，所述调制电容7的第二端与接地端电连接。
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述充放电模块包括：放电模式阶段，首先，所述第二NMOS开关6打开，将所述调制电容7上的电荷全部放掉，保证每一次进行转换的过程初始状态一致，接着关闭所述第二NMOS开关6，打开所述第一CMOS开关1，通过内部LDO产生的VREF对所述调制电容7电容充电，使所述调制电容7的电压上升至VREF，使所述调制电容7的电压等于VREF电压，所述比较器8的输出为高电平，然后再关闭所述第一CMOS开关1。通过所述第一NMOS开关5、所述第三CMOS开关3两相非交叠时钟不断的使所述外部触摸电容4与所述调制电容7两个电容进行电荷分享，一次一次的通过所述外部触摸电容4将所述调制电容7的电荷放掉，所述调制电容7电压慢慢下降，最后下降至1/2VREF，所述比较器8翻转输出低电平，停止电荷分享，16位的所述计数模块9计算保存电荷分享的次数，即放电模式计数值。所述第一NMOS开关5比所述第三CMOS开关3先打开，并且比所述第三CMOS开关3后关闭，所述第一NMOS开关5先打开时，可以先将所述外部触摸电容4上的电荷先放掉，使每次的转换初始状态一致。充电模式阶段，首先，所述第二NMOS开关6打开，将所述调制电容7上的电荷全部放掉，保证每一次进行转换的过程初始状态一致，接着关闭所述第二NMOS开关6，通过所述第二CMOS开关2、所述第三CMOS开关3两相非交叠时钟不断的使所述外部触摸电容4与所述调制电容7两个电容进行电荷分享，一次一次的通过所述外部触摸电容4对所述调制电容7充电，所述调制电容7电压从零慢慢上升，最后上升至1/2VREF，所述比较器8翻转输出高电平，停止电荷分享充电，16位的所述计数模块9计算保存电荷分享的次数，即充电模式计数值。所述第二CMOS开关2比所述第三CMOS开关3先打开，并且比所述第三CMOS开关3后关闭，当所述第二CMOS开关2先打开，可以先对所述外部触摸电容4电容充电，并且转换结束后所述外部触摸电容4的电压为VREF，使每次的转换初始状态一致。
其中，所述第一CMOS开关1，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关6的漏极端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接。
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述第一CMOS开关1将所述第一PMOS管与所述第一NMOS管的源极与漏极分别连接在一起，在大部分的输入电压下，所述第一PMOS管与所述第一NMOS管皆可同时导通，如果任一边的导通电阻上升，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少讯号失真。
其中，所述第二CMOS开关2，包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第二PMOS管的漏极端与所述外部触摸电容4的第一端电连接；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的源极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接。
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述第二CMOS开关2将所述第二PMOS管与所述第二NMOS管的源极与漏极分别连接在一起，在大部分的输入电压下，所述第二PMOS管与所述第二NMOS管皆可同时导通，当一边的导通电阻上升时，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少讯号失真。
其中，所述第三CMOS开关3，包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与所述外部触摸电容4的第一端电连接，所述第三PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关6的漏极端电连接；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的源极端电连接，所述第三NMOS管的源极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接。
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述第三CMOS开关3将所述第三PMOS管与所述第三NMOS管的源极与漏极分别连接在一起，在大部分的输入电压下，所述第三PMOS管与所述第三NMOS管皆可同时导通，当一边的导通电阻上升时，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少讯号失真。所述第二NMOS开关6，当NMOS用来做开关时，其基极接地，栅极为控制开关的端点，当栅极电压减去源极电压超过其导通的临界电压时，此开关的状态为导通，栅极电压继续升高，则NMOS能通过的电流就更大，NMOS做开关时操作在线性区，因为源极与漏极的电压在开关为导通时会趋向一致。
其中，所述计数模块9设置有一内部时钟振荡器11，所述内部时钟振荡器11与所述计数模块9的第二端电连接。
本发明的上述实施例所述的电容数字转换电路，所述内部时钟振荡器11可以产生一定频率的交变电流信号。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种电容数字转换电路，其特征在于，包括：
充放电模块，所述充放电模块的第一端与电源端电连接，所述充放电模块的第二端与接地端电连接；
比较器，所述比较器的第一端与所述充放电模块的第三端电连接，所述比较器的第二端为1/2VREF端；
计数模块，所述计数模块的第一端与所述比较器的第三端电连接；
数据处理模块，所述数据处理模块与所述计数模块的第三端电连接；
所述充放电模块包括：
第一CMOS开关，所述第一CMOS开关的第一端与电源端电连接，所述第一CMOS开关的第二端与第二NMOS开关的漏极端电连接；
第二CMOS开关，所述第二CMOS开关的第一端与电源端电连接，所述第二CMOS开关的第二端与外部触摸电容的第一端电连接；
第三CMOS开关，所述第三CMOS开关的第一端与外部触摸电容的第一端电连接，所述第三CMOS开关的第二端与第二NMOS开关的漏极端电连接；
外部触摸电容，所述外部触摸电容的第二端与接地端电连接；
第一NMOS开关，所述第一NMOS开关的漏极端与所述外部触摸电容的第一端电连接，所述第一NMOS开关的源极端与接地端电连接；
第二NMOS开关，所述第二NMOS开关的源极端与接地端电连接；
调制电容，所述调制电容的第一端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接，所述调制电容的第二端与接地端电连接；
所述充放电模块包括放电模式和充电模式，所述放电模式和所述充电模式相互补偿；
在放电模式阶段：
所述第二NMOS开关打开，所述调制电容的放电，关闭所述第二NMOS开关，打开所述第一CMOS开关，通过VREF对所述调制电容进行充电，使所述调制电容的电压等于VREF电压，所述比较器输出高电平，然后关闭所述第一CMOS开关；通过所述第一NMOS开关、所述第三CMOS开关两相非交叠时钟使所述外部触摸电容与所述调制电容进行电荷分享，通过所述外部触摸电容将所述调制电容的电荷放掉，所述调制电容的电压慢慢下降至1/2VREF，所述比较器翻转输出低电平，停止电荷分享；所述第一NMOS开关比所述第三CMOS开关先打开，并且比所述第三CMOS开关后关闭，所述第一NMOS开关先打开时，可以先将所述外部触摸电容上的电荷先放掉，使每次的转换初始状态一致；
在充电模式阶段：
所述第二NMOS开关打开，所述调制电容的放电，关闭所述第二NMOS开关，通过所述第二CMOS开关、所述第三CMOS开关两相非交叠时钟使所述外部触摸电容与所述调制电容进行电荷分享，通过所述外部触摸电容对所述调制电容充电，所述调制电容电压从零慢慢上升至1/2VREF，所述比较器翻转输出高电平，停止电荷分享充电；所述第二CMOS开关比所述第三CMOS开关先打开，并且比所述第三CMOS开关后关闭，当所述第二CMOS开关先打开，先对所述外部触摸电容电容充电，并且转换结束后所述外部触摸电容的电压为VREF，使每次的转换初始状态一致。
2.根据权利要求1所述的电容数字转换电路，其特征在于，
所述第一CMOS开关，包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接。
3.根据权利要求1所述的电容数字转换电路，其特征在于，所述第二CMOS开关，包括：
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第二PMOS管的漏极端与所述外部触摸电容的第一端电连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的源极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接。
4.根据权利要求2所述的电容数字转换电路，其特征在于，所述第三CMOS开关，包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与所述外部触摸电容的第一端电连接，所述第三PMOS管的漏极端与所述第二NMOS开关的漏极端电连接；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的源极端电连接，所述第三NMOS管的源极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接。
5.根据权利要求1所述的电容数字转换电路，其特征在于，所述计数模块设置有一内部时钟振荡器，所述内部时钟振荡器与所述计数模块的第二端电连接。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136262A (en) * 1991-12-13 1992-08-04 Sentech Corporation Oscillator circuit and method for measuring capacitance and small changes in capacitance
CN1766660A (zh) * 2004-09-08 2006-05-03 欧姆龙株式会社 电容计测装置和方法及程序
CN203084695U (zh) * 2012-12-31 2013-07-24 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN203117298U (zh) * 2013-01-30 2013-08-07 比亚迪股份有限公司 一种电容检测电路
CN103902114A (zh) * 2012-12-30 2014-07-02 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN103914190A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN204462255U (zh) * 2015-02-10 2015-07-08 深圳市鼎阳科技有限公司 电容容量测量装置
CN107980115A (zh) * 2017-11-08 2018-05-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 电容检测装置、触控装置和终端设备
CN108431749A (zh) * 2016-10-26 2018-08-21 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种电容变化量检测电路及触摸屏、触摸检测方法
CN109039321A (zh) * 2018-10-15 2018-12-18 湖南品腾电子科技有限公司 一种触摸按键装置及灵敏度自动调整方法
CN109444556A (zh) * 2018-11-06 2019-03-08 湖南品腾电子科技有限公司 一种新型sigma-delta电容触摸检测电路
CN208673292U (zh) * 2018-05-15 2019-03-29 比亚迪股份有限公司 自电容检测电路和电子装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4310695B2 (ja) * 2004-03-30 2009-08-12 アイシン精機株式会社 静電容量変化検出装置
CN1832349A (zh) * 2006-04-19 2006-09-13 北京希格玛晶华微电子有限公司 一种电容测量触摸感应、辨认方法及实现装置
TW201426478A (zh) * 2012-12-28 2014-07-01 Wintek Corp 電容式觸控裝置及其觸控感測方法
KR101504036B1 (ko) * 2013-10-29 2015-03-18 한신대학교 산학협력단 정전 용량 감지용 전하 전송 회로
US10317250B2 (en) * 2015-01-16 2019-06-11 Ion Geophysical Corporation Direct coupling of a capacitive sensor to a delta-sigma converter
CN106249970B (zh) * 2015-06-05 2020-11-27 恩智浦美国有限公司 具有噪声抑制的电容传感器

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136262A (en) * 1991-12-13 1992-08-04 Sentech Corporation Oscillator circuit and method for measuring capacitance and small changes in capacitance
CN1766660A (zh) * 2004-09-08 2006-05-03 欧姆龙株式会社 电容计测装置和方法及程序
CN103902114A (zh) * 2012-12-30 2014-07-02 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN203084695U (zh) * 2012-12-31 2013-07-24 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN103914190A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 比亚迪股份有限公司 电容检测电路
CN203117298U (zh) * 2013-01-30 2013-08-07 比亚迪股份有限公司 一种电容检测电路
CN204462255U (zh) * 2015-02-10 2015-07-08 深圳市鼎阳科技有限公司 电容容量测量装置
CN108431749A (zh) * 2016-10-26 2018-08-21 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种电容变化量检测电路及触摸屏、触摸检测方法
CN107980115A (zh) * 2017-11-08 2018-05-01 深圳市汇顶科技股份有限公司 电容检测装置、触控装置和终端设备
CN208673292U (zh) * 2018-05-15 2019-03-29 比亚迪股份有限公司 自电容检测电路和电子装置
CN109039321A (zh) * 2018-10-15 2018-12-18 湖南品腾电子科技有限公司 一种触摸按键装置及灵敏度自动调整方法
CN109444556A (zh) * 2018-11-06 2019-03-08 湖南品腾电子科技有限公司 一种新型sigma-delta电容触摸检测电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《Integrated up/down switched capacitor converter with full digital feedback control and output voltage regulation》;Vache Galstya;《2015 IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS)》;20151231;全文 *
《电容式触摸屏的多点解决方案》;周自立;《知网》;20160115;全文 *

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