CN110501626B - 电子装置测试数据库产生方法 - Google Patents

Abstract

一种电子装置测试数据库产生方法，包含：(a)获取目标电子装置的单元布局信息；(b)根据单元布局信息产生目标电子装置的可能缺陷位置信息，可能缺陷位置信息包含目标电子装置的至少一可能缺陷位置；(c)根据可能缺陷位置信息对目标电子装置进行测试来产生测试结果；以及(d)根据测试结果产生电子装置测试数据库。

Description

电子装置测试数据库产生方法

技术领域

本发明涉及电子装置测试数据库产生方法以及电子装置测试数据库产生装置。

背景技术

现有的IC(Integrated Circuit，集成电路)测试方法是将测试信号(例如测试向量(test pattern，测试图))传送到IC中的可能缺陷位置，然后根据可能缺陷位置所产生的输出信号来判断发生了何种缺陷。

然而，现今的IC测试方法中决定可能缺陷位置的方式太过简略。举例来说，若两个金属线之间的距离较远，这两个金属线之间可能会包含其他的IC元件，进而产生电容或电阻，因此这两个金属线之间即使不具有缺陷，也会被归类为可能缺陷位置。

因此，现有的IC测试方法会进行许多不必要的测试，进而延长了测试时间。

发明内容

因此，本发明一目的为提供一种电子装置测试数据库产生方法，根据此方法产生的数据库可避免不必要的测试。

本发明一实施例提供了一种电子装置测试数据库产生方法，包含：(a)获取一目标电子装置的单元布局信息；(b)根据该单元布局信息产生该目标电子装置的可能缺陷位置信息，该可能缺陷位置信息包含该目标电子装置的至少一可能缺陷位置；(c)根据该可能缺陷位置信息对该目标电子装置进行测试来产生测试结果；以及(d)根据该测试结果产生该电子装置测试数据库。

前述实施例可通过电子装置测试数据库产生装置中的计算装置和测试装置来执行。

根据前述实施例，可避免对不需要的位置进行测试，可降低电子装置测试时间。

附图说明

图1示出了根据本发明一实施例的电子装置测试数据库产生方法的流程图。

图2-图3示出了电子装置的单元内可能缺陷位置的不同例子的示意图。

图4示出了根据本发明另一实施例的电子装置测试数据库产生方法的流程图。

图5示出了电子装置的单元之间可能缺陷位置的例子的示意图。

图6示出了电子装置的单元外可能缺陷位置的例子的示意图。

图7示出了根据本发明实施例的电子装置测试数据库产生装置的方框图。

图8和图9示出了根据本发明的电子装置测试数据库产生方法和电子装置测试数据库产生装置使用在实际单元布局上的例子。

符号说明

200、300、500、600 电子装置

201、301、501、503、601 单元

303、603 边界

305、605 弯折处

700 电子装置测试数据库产生装置

701 计算装置

703 测试装置

705 存储装置

M_1-M_9 金属线

d_1-d_5 距离

101-109，401-409 步骤

具体实施方式

以下将以不同实施例来说明本发明的内容，然而请留意，以下实施例仅用以说明，并非用以限制本发明。举例来说，下述实施例中的元件大小、位置、形状、数量等均不受限于图中的例子。此外，实施例中所提及的方法可通过硬件(例如电路或装置)来执行，或是通过硬件加软件的方式来执行(例如在处理器中写入软件)。而且，以下所述的电子装置虽然以IC为例来说明，但亦可以运用到任何其他类型的电子装置。

图1示出了根据本发明一实施例的电子装置测试数据库产生方法的流程图，包含下列步骤：

步骤101：

获取目标电子装置的单元布局(cell layout)信息。一实施例中，此目标电子装置包含至少一个单元(cell)，但亦可不包含单元。于一实施例中，单元包含具有运算功能的电路，例如逻辑门等，而单元内或单元外包含用以传递信号的元件，例如金属线或是焊垫等。单元内和单元外亦可包含被动元件(无源元件)，例如电容或电阻。但单元内和单元外包含哪些元件可因为需求不同而任意设定。而在一实施例中，单元布局信息包含了单元内部的布局信息，以及各单元一预定范围内的布局信息。

步骤103：

判断出单元内可能缺陷位置。在一实施例中，单元布局信息包含目标电子装置各元件的元件位置信息或元件形状信息，步骤103会依据元件位置信息或元件形状信息判断可能缺陷位置。

此部分详细内容将于下面详述。

步骤105：

根据步骤103中所判断的可能缺陷位置产生可能缺陷位置信息。在一实施例中，可能缺陷位置信息为一可能缺陷位置列表，此列表上列出了目标电子装置中所有的可能缺陷位置。

步骤107：

根据可能缺陷位置信息对目标电子装置进行测试。举例来说，将测试信号传送到可能缺陷位置列表上所列出的可能缺陷位置，并根据这些可能缺陷位置的输出信号产生测试结果。请留意，此处所指的进行测试，可以是真的将测试信号传送到目标电子装置，但也可以是利用模拟软件(例如SPICE)对目标电子装置的电路设计进行模拟来进行测试。其他可达到测试效果的测试方法或模拟方法亦应包含在本发明的范围之内。

步骤109：

根据测试结果产生电子装置测试数据库。于一实施例中，此电子装置测试数据库包含了可能缺陷位置信息，以及测试信号、输出信号和缺陷种类的关系。举例来说，对于可能缺陷位置P，若测试信号为A，而输出信号为A1时，则代表有X缺陷。对于可能缺陷位置Q，若测试信号为B，而输出信号为B1时，则代表有Y缺陷。在一实施例中，步骤107可发现可能缺陷位置有缺陷，但为何种缺陷则可参考其他信息来确定，举例来说，利用其他的装置或模拟软件确认是否有短路、漏电等缺陷。

以下将举例说明步骤103的详细内容。在一实施例中，若根据元件位置信息得知一第一金属元件和一第二金属元件之间的距离小于一距离临界值，则步骤103会将第一金属元件和第二金属元件之间判定为可能缺陷位置。以图2为例，电子装置200包含了单元201，而单元201内包含了金属线M_1和M_2，金属线M_1和M_2的距离d_1小于一距离临界值，则步骤103会将金属线M_1和M_2之间判定为可能缺陷位置。此方法可避免现有技术中距离很远的两个元件亦被判断为可能缺陷位置的问题。

在一实施例中，若金属线M_1和M_2之间的其他元件(例如其他金属线，或是电容、电阻)的数量小于一数量临界值(此例中为1)，则步骤103会将金属线M_1和M_2之间判定为可能缺陷位置。此步骤的好处在于，当金属线M_1和M_2之间有太多其他元件时，这些其他元件可能会造成许多其他的效应(例如电容效应等)。此状态下若将测试信号输入此处，这些元件可能会让输出信号产生变化。但这些变化是在合理范围之内，却可能因此被误判为有缺陷。因此，此步骤可将有太多元件的位置排除，不列入可能缺陷位置，可省去不必要的测试步骤。

在一实施例中，若一金属元件与单元的边界的距离小于一距离临界值，则步骤103会将金属元件和边界之间判定为可能缺陷位置。以图3为例，电子装置300中包含一单元301，而单元301包含边界303且包含一金属线M_3。金属线M_3与边界303的距离d_2小于一距离临界值，因此步骤103会将金属线M_3和边界303之间判定为可能缺陷位置。

在一实施例中，若金属线M_3和边界303之间的其他元件(例如其他金属线，或是电容、电阻)的数量小于一数量临界值(此例中为1)，则步骤103会将金属线M_3和边界303之间判定为可能缺陷位置。

在一实施例中，单元布局信息包含目标电子装置各元件的元件形状信息，步骤103会依据元件形状信息产生可能缺陷位置信息。举例来说，图3中的金属线M_4包含一弯折处305，步骤103会将此弯折处305判定为可能缺陷位置。

图4示出了根据本发明另一实施例的电子装置测试数据库产生方法的流程图，包含下列步骤：

步骤401：

获取目标电子装置的单元布局(cell layout)信息。此目标电子装置包含至少一个单元(cell)。

步骤403：

判断出单元之间可能缺陷位置。在一实施例中，单元布局信息包含目标电子装置各元件的元件位置信息，步骤403会依据元件位置信息判断可能缺陷位置。

此部分详细内容将于下面详述。

步骤405：

根据步骤403中所判断的可能缺陷位置产生可能缺陷位置信息。在一实施例中，可能缺陷位置信息为一可能缺陷位置列表，此列表上列出了目标电子装置中所有的可能缺陷位置。

步骤407：

根据可能缺陷位置信息进行测试。举例来说，将测试信号传送到可能缺陷位置列表上所列出的可能缺陷位置，并根据这些可能缺陷位置的输出信号产生测试结果。

步骤409：

根据测试结果产生电子装置测试数据库。

以下将举例说明步骤403的细节。在一实施例中，若元件位置信息显示一第一金属元件和一第二金属元件之间的距离小于一距离临界值，则步骤403会将第一金属元件和第二金属元件之间判定为可能缺陷位置。以图5为例，电子装置500包含了单元501、503，而单元501、503分别包含了金属线M_5和M_6，金属线M_5和M_6的距离d_3小于一距离临界值，则步骤403会将金属线M_5和M_6之间判定为可能缺陷位置。

在一实施例中，若金属线M_5和M_6之间的其他元件(例如其他金属线，或是电容、电阻)的数量小于一数量临界值(此例中为1)，则步骤403会将金属线M_5和M_6之间判定为可能缺陷位置。

在一实施例中，除了找出单元内或单元之间的可能缺陷位置外，亦可根据单元布局信息找出单元外的可能缺陷位置。举例来说，可根据单元布局信息内的元件位置信息和元件形状信息找出单元外的可能缺陷位置。亦即，前述的实施例可运用在单元外的实施例中。

以图6为例，电子装置600包含了单元601，且包含了在单元601外的金属线M_7和M_8，若金属线M_7和M_8的距离d_4小于一距离临界值，则会将金属线M_7和M_8间判定为可能缺陷位置。在一实施例中，若金属线M_7和M_8之间的其他元件(例如其他金属线，或是电容、电阻)的数量小于一数量临界值(此例中为1)，则会将金属线M_7和M_8间判定为可能缺陷位置。在一实施例中，金属线M_8与边界603的距离d_5小于一距离临界值，因此会将金属线M_8和边界603之间判定为可能缺陷位置。在一实施例中，若金属线M_8和边界603之间的其他元件(例如其他金属线，或是电容、电阻)的数量小于一数量临界值(此例中为1)，则会将金属线M_8和边界603之间判定为可能缺陷位置。此外，图6中的金属线M_9包含一弯折处605，因此会将此弯折处605判定为可能缺陷位置。

图7示出了根据本发明实施例的电子装置测试数据库产生装置的方框图。还请留意，图7中所示的元件可由硬件(例如电路或装置)来实现或是硬件加软件(例如在处理器中写入程序)来实现。此外，图7中所示的元件可进行整合或是再分成更多的元件，举例来说，计算装置701和测试装置703可整合为单一装置亦可再分成更多的装置。

请参阅图7，电子装置测试数据库产生装置700包含了一计算装置701以及一测试装置703。计算装置701接收单元布局信息CL，并据以计算出可能缺陷位置信息PDL给测试装置703。测试装置703对目标电子装置(未示出)进行实际测试或是模拟测试后，产生测试结果TS给计算装置701。计算装置701根据测试结果TS产生电子装置测试数据库ITB。于一实施例中，电子装置测试数据库产生装置700还包含一存储装置705，电子装置测试数据库ITB可被存储在此存储装置705中。然而，存储装置705亦可位于电子装置测试数据库产生装置700外。存储装置705可为各种非暂态的存储装置，例如硬盘、光盘、存储存储器等。电子装置测试数据库ITB可被另一电子装置测试装置运用来测试电子装置，举例来说，此电子装置测试装置可根据电子装置测试数据库ITB中记录的可能缺陷位置信息来对可能缺陷位置进行测试，并根据电子装置测试数据库ITB和可能缺陷位置的输出信号判断有哪种缺陷。

图8和图9示出了根据本发明的电子装置测试数据库产生方法和电子装置测试数据库产生装置使用在实际单元布局上的例子。图8示出了单一单元的例子，而图9示出了双单元的例子。还请留意以下内容中，图8和图9仅有部分元件被作为例子来说明。

如图8所示，单元800内包含有垫片Pa(仅其中一垫片予以标示)，以及金属线Ma-Mf以及Mx-My。金属线Ma-Mf位于同一层，而金属线Mx-My和金属线Ma-Mf位于不同层。以金属线Ma为例，依照前述实施例，金属线Ma和金属线Mb-Md之间均会被判定为可能缺陷位置，然而金属线Ma和金属线Me之间因为存在着金属线Mf，因此不会被判定为可能缺陷位置。

在图9的例子中，单元901内包含有垫片Pa(仅其中一垫片予以标示)，以及金属线Mg-Mk，而单元903内包含有垫片Pa(仅其中一垫片予以标示)，以及金属线Mn-Mm。以金属线Mn为例，根据前述实施例，其跟金属线Mj之间会被判定为可能缺陷位置但其跟金属线Mh之间因为有金属线Mi，因此不会被判定为可能缺陷位置。此外，金属线Mk和金属线Mm因为距离够近，因此会被判定为可能缺陷位置。而金属线Mm的上半段和下半段因为距离太远，不会被判定为可能缺陷位置。

根据前述实施例，可避免对不需要的位置进行测试，可降低电子装置测试时间。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (5)

1.一种电子装置测试数据库产生方法，包含：

步骤(a)获取一目标电子装置的单元布局信息；

步骤(b)根据该单元布局信息产生该目标电子装置的单元的多个元件之间和/或单元的元件与该单元的边界之间的可能缺陷位置信息，该可能缺陷位置信息包含该目标电子装置的单元的多个元件之间和/或单元的元件与该单元的边界之间的至少一可能缺陷位置；

步骤(c)根据该可能缺陷位置信息对该目标电子装置进行测试来产生测试结果；以及

步骤(d)根据该测试结果产生电子装置测试数据库，其中该单元布局信息包含该目标电子装置各元件的元件位置信息，该步骤(b)依据该元件位置信息产生该可能缺陷位置信息，

其中该目标电子装置包含至少一金属元件，其中若一第一金属元件和一第二金属元件之间的距离小于一距离临界值，则该步骤(b)会将该第一金属元件和该第二金属元件之间判定为该可能缺陷位置，

或其中该目标电子装置包含至少一金属元件，其中若一第一金属元件和一第二金属元件之间的其他元件的数量小于一数量临界值，则该步骤(b)会将该第一金属元件和该第二金属元件之间判定为该可能缺陷位置，

或其中该目标电子装置包含至少一金属元件以及至少一单元，其中若一金属元件与一单元的边界的距离小于一距离临界值，则该步骤(b)会将该金属元件和该边界间判定为该可能缺陷位置，

或其中该目标电子装置包含至少一金属元件以及至少一单元，其中若一金属元件与该单元的边界之间的其他元件的数量小于一数量临界值，则该步骤(b)会将该金属元件和该边界之间判定为该可能缺陷位置。

2.如权利要求1所述的电子装置测试数据库产生方法，其中该单元布局信息包含该目标电子装置各元件的元件形状信息，该步骤(b)还包括依据该元件形状信息产生该可能缺陷位置信息。

3.如权利要求2所述的电子装置测试数据库产生方法，其中该目标电子装置包含至少一金属元件，其中若该金属元件具有弯折处，则该步骤(b)还包括将该弯折处判定为一可能缺陷位置。

4.如权利要求1所述的电子装置测试数据库产生方法，其中该目标电子装置包含至少一单元，而该可能缺陷位置信息包含单元内可能缺陷位置信息。

5.如权利要求1所述的电子装置测试数据库产生方法，其中该目标电子装置包含多个单元，而该可能缺陷位置信息包含单元之间可能缺陷位置信息。

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