CN110501105A - 一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 - Google Patents
一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110501105A CN110501105A CN201910877410.7A CN201910877410A CN110501105A CN 110501105 A CN110501105 A CN 110501105A CN 201910877410 A CN201910877410 A CN 201910877410A CN 110501105 A CN110501105 A CN 110501105A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- stress
- peak position
- tbc
- ysz
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0047—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes measuring forces due to residual stresses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
- G01N21/643—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes" non-biological material
Abstract
本发明公开了一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,包括步骤:1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。本发明用于直接反馈热障涂层界面损伤。
Description
技术领域
本发明属于无损测量技术领域,具体涉及一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法。
背景技术
热障涂层(Thermal Barrier Coating,TBC)是决定未来先进燃气轮机和航空发动机技术水平的核心技术。由于TBC体系由多层几何形状、微观结构、材质与性能均不相同的组元构成,其在复杂服役环境下常常发生毫无征兆的开裂、剥落,从而导致涂层失效。其失效影响因素涉及高温氧化、热冲击疲劳、高温蠕变、高温烧结、相变、高温腐蚀、高温粒子冲蚀与冲击等多种情况,但这些因素对TBC的影响往往最终都引起TBC界面附近应力的累积,并诱发界面失效。
目前,在TBC内部应力测量中应用最成功的方法是红宝石(Cr3+掺杂的Al2O3)荧光光谱法,其基本原理是:在掺杂荧光激活剂离子的基质材料中,荧光激活剂离子在激光激发下会产生能级跃迁产生发射光谱,而当基质材料处于应力载荷下时,其晶格参数随应力发生变化,导致荧光光谱的峰位会随着应力而改变。一般来说,荧光激活剂离子的荧光发射光谱峰位与其所受应力成正比。这种定量的对应关系就是Al2O3荧光法测量应力的基础。在Cr3 +掺杂的Al2O3材料中,由于Cr3+与Al3+半径相近,因此容易形成两者的固溶体。当Al2O3受到应力载荷时,Cr3+的荧光发射谱线中峰位会随应力产生频移。1993年,著名的TBC专家、哈佛大学教授Clarke将这种方法首次成功用于TBC中TGO应力的测量。
然而,这种通过测量界面TGO中Cr3+信号反馈热障涂层界面残余应力状态的方法存在2个方面的严重缺陷:
1、无法测量TBC界面易开裂陶瓷层区域的残余应力。TBC的界面裂纹通常位于TGO上方的陶瓷层内,这些区域是TBC内部易开裂区,如果能直接测量这些区域的应力,将会更直接的反馈界面裂纹的状态。
2、无法测量TBC服役初期的界面残余应力。这主要是由于服役初期TGO极薄,通常小于3μm,此时TGO的荧光信号很弱,难以被有效检测。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,用于直接反馈热障涂层界面损伤。
本发明采用如下技术方案来实现的:
一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,包括以下步骤:
1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;
2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;
3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;
4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。
本发明进一步的改进在于,步骤1)中,纯YSZ:Eu3+块体试样采用大气等离子喷涂法制备得到。
本发明进一步的改进在于,步骤2)中,Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系:
式中:v1——平面等双轴应力条件下TBC中Eu3+的跃迁峰峰位;v0——TBC未受载荷时Eu3+的跃迁峰峰位,其值为16508.49cm-1;∏——单轴应力状态下的频移系数。
本发明进一步的改进在于,步骤3)中,应力传感层的厚度为10-50微米。
本发明具有如下有益的技术效果:
针对热障涂层界面附近易开裂陶瓷层残余应力直接测量的难题,基于在涂层中人工掺杂稀土元素反馈内部应力的理念,通过在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区主动预制YSZ:Eu3+应力传感层来无损地反馈界面残余应力的情况,热障涂层界面易开裂陶瓷层残余应力的直接测量成为可能,对更加准确地预测涂层界面损伤程度具有重要价值。
附图说明
图1:利用微型压缩试验机与荧光光谱仪测量YSZ:Eu3+中Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系示意图。
图2:Eu3+离子荧光峰位与所受应力的关系(虚线为单轴应力状态,实线为等双轴应力状态)。
图3:界面附近预置YSZ:Eu3+应力传感层的TBC试样示意图。
图4:利用荧光光谱仪测量TBC界面附近易开裂陶瓷层残余应力的原理图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明做出进一步的说明。
本发明提供的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,包括以下步骤:
首先,采用大气等离子喷涂法(APS)制备纯YSZ:Eu3+块体试样,并对其进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;然后,根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,由于热障涂层中残余应力可以简化为面内等双轴状态,因此荧光峰位与平面等双轴应力的关系即为实际应力与荧光峰位的关系式;然后,在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;紧接着,采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。
本发明提供的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,具体实施步骤如下:
第1步:将8YSZ粉末(Sulzer Metco Inc.,New York,USA)与1mol%的Eu2O3粉末混合,形成YSZ:Eu3+粉末;紧接着,在1650℃高温下煅烧12小时,将煅烧后的产物研磨成粉。
第2步:采用大气等离子喷涂法,将YSZ:Eu3+粉末喷涂到石墨基底上,厚度为1.5mm,待降温后块体YSZ:Eu3+将自行脱落。对其进行打磨抛光,形成3*5*1mm的纯YSZ:Eu3+块体。
第3步:采用微型压缩试验机(Deben Microtest 2000)对纯YSZ:Eu3+块体进行压缩加载(图1),在加载的同时采用荧光光谱仪测定不同载荷(50MPa、100MPa、150MPa、200MPa、250MPa、300MPa、350MPa)下的Eu3+离子荧光光谱,记录Eu3+离子在606nm附近荧光峰位的数据,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系(图2-虚线)。
第4步:根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式(等双轴应力=2×单轴应力),获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系(图2-实线)。该关系式可写为:
式中:v1——平面等双轴应力条件下TBC中Eu3+的跃迁峰峰位;v0——TBC未受载荷时Eu3+的跃迁峰峰位,其值为16508.49cm-1;∏——单轴应力状态下的频移系数。
第5步:采用高压喷砂机(STR-1212,STELLE,China)对镍基高温合金基底(In718)表面进行喷砂处理,表面粗糙度经粗糙度测试仪(SJ-310,Mitutoyo,Japan)测定后控制在4.5~5.5μm,然后采用超音速火焰喷涂法在高温合金基底上喷涂一层150μm左右的金属粘接层,紧接着采用大气等离子喷涂法在金属粘接层上制备一层20μm左右的YSZ:Eu3+应力传感层,随后继续在其上制备一层280μm左右的YSZ涂层,即得到界面附近预置YSZ:Eu3+应力传感层的TBC试样(图3)。
第6步:利用荧光光谱仪(Horiba 800)发射532nm激光,穿透TBC至界面预置的YSZ:Eu3+应力传感层,激发其Eu3+离子荧光信号(图4),记录Eu3+离子荧光光谱和606nm附近峰位值。
第7步:利用在第4步中已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将第6步中记录的YSZ:Eu3+应力传感层荧光峰位转换为应力值,即得到TBC界面附近易开裂陶瓷层的残余应力。
图1是采用微型压缩试验机对纯YSZ:Eu3+块体进行压缩加载,同时采用荧光光谱仪测量其Eu3+离子荧光峰位,获得峰位与单轴应力的关系。
图2中虚线是Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系,实线是Eu3+离子荧光峰位与等双轴应力的关系。
图3是界面附近预置YSZ:Eu3+应力传感层的TBC试样示意图。
图4是利用荧光光谱仪测量TBC界面附近易开裂陶瓷层残余应力的原理图。
Claims (4)
1.一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;
2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;
3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;
4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。
2.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤1)中,纯YSZ:Eu3+块体试样采用大气等离子喷涂法制备得到。
3.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤2)中,Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系:
式中:v1——平面等双轴应力条件下TBC中Eu3+的跃迁峰峰位;v0——TBC未受载荷时Eu3 +的跃迁峰峰位,其值为16508.49cm-1;∏——单轴应力状态下的频移系数。
4.根据权利要求1所述的一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,步骤3)中,应力传感层的厚度为10-50微米。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910877410.7A CN110501105A (zh) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910877410.7A CN110501105A (zh) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110501105A true CN110501105A (zh) | 2019-11-26 |
Family
ID=68592058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910877410.7A Pending CN110501105A (zh) | 2019-09-17 | 2019-09-17 | 一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110501105A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113932962A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-14 | 兰州理工大学 | 一种多陶瓷热障涂层的残余应力检测方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0863396A3 (en) * | 1997-03-03 | 1999-02-10 | Howmet Research Corporation | Thermal barrier coating stress measurement |
CN102928335A (zh) * | 2012-10-08 | 2013-02-13 | 西安交通大学 | 一种测试热障涂层强度的双轴拉伸试件 |
CN103091170A (zh) * | 2013-01-18 | 2013-05-08 | 西安交通大学 | 一种热障涂层双轴强度测试方法 |
CN106066319A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-11-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法 |
CN106119765A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-16 | 上海交通大学 | 一种温度敏感型Y2SiO5:Eu智能热障涂层的制备方法及其应用 |
CN107037065A (zh) * | 2015-12-09 | 2017-08-11 | 通用电气公司 | 涂层检查方法 |
CN107447180A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-12-08 | 清华大学 | 免渗透荧光无损检测涂层结构及其制备方法 |
CN109764992A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-17 | 西安交通大学 | 一种用于3d打印氧化锆陶瓷结构的残余应力无损检测方法 |
CN110184559A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-08-30 | 天津大学 | 含有YAG:Ce的热障涂层及其制备方法和应用 |
CN110231324A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-09-13 | 天津大学 | 界面缺陷检测系统及方法 |
CN110231325A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-09-13 | 天津大学 | 热障涂层结构的界面应力检测系统及方法 |
-
2019
- 2019-09-17 CN CN201910877410.7A patent/CN110501105A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0863396A3 (en) * | 1997-03-03 | 1999-02-10 | Howmet Research Corporation | Thermal barrier coating stress measurement |
CN102928335A (zh) * | 2012-10-08 | 2013-02-13 | 西安交通大学 | 一种测试热障涂层强度的双轴拉伸试件 |
CN103091170A (zh) * | 2013-01-18 | 2013-05-08 | 西安交通大学 | 一种热障涂层双轴强度测试方法 |
CN107037065A (zh) * | 2015-12-09 | 2017-08-11 | 通用电气公司 | 涂层检查方法 |
CN106119765A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-16 | 上海交通大学 | 一种温度敏感型Y2SiO5:Eu智能热障涂层的制备方法及其应用 |
CN106066319A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-11-02 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 热障涂层中热生长氧化物层残余应力的无损检测方法 |
CN107447180A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-12-08 | 清华大学 | 免渗透荧光无损检测涂层结构及其制备方法 |
CN109764992A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-17 | 西安交通大学 | 一种用于3d打印氧化锆陶瓷结构的残余应力无损检测方法 |
CN110184559A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-08-30 | 天津大学 | 含有YAG:Ce的热障涂层及其制备方法和应用 |
CN110231324A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-09-13 | 天津大学 | 界面缺陷检测系统及方法 |
CN110231325A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-09-13 | 天津大学 | 热障涂层结构的界面应力检测系统及方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113932962A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-14 | 兰州理工大学 | 一种多陶瓷热障涂层的残余应力检测方法 |
CN113932962B (zh) * | 2021-10-18 | 2024-01-26 | 兰州理工大学 | 一种多陶瓷热障涂层的残余应力检测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Siebert et al. | Changes in porosity and Young’s Modulus due to sintering of plasma sprayed thermal barrier coatings | |
JP4166977B2 (ja) | 耐高温腐食合金材、遮熱コーティング材、タービン部材、及びガスタービン | |
Cheng et al. | Sintering‐induced delamination of thermal barrier coatings by gradient thermal cyclic test | |
US6943357B2 (en) | Thermal barrier coatings, components, method and apparatus for determining past-service conditions and remaining life thereof | |
Gell et al. | Mechanism of spallation in platinum aluminide/electron beam physical vapor-deposited thermal barrier coatings | |
Jadhav et al. | Thick ceramic thermal barrier coatings with high durability deposited using solution-precursor plasma spray | |
Haynes et al. | Thermal cycling behavior of plasma-sprayed thermal barrier coatings with various MCrAlX bond coats | |
US10384978B2 (en) | Thermal barrier coating repair compositions and methods of use thereof | |
JP2002069607A (ja) | 遮熱コーティング材およびその製造方法、遮熱コーティング材を適用したガスタービン部材、並びにガスタービン | |
US7354663B2 (en) | Thermal barrier coating, manufacturing method thereof, turbine part and gas turbine | |
CN110184559B (zh) | 含有YAG:Ce的热障涂层及其制备方法和应用 | |
CN101578395A (zh) | 层体系 | |
Kitazawa et al. | Damage evolution of TBC system under in-phase thermo-mechanical tests | |
CN110501105A (zh) | 一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法 | |
CN113932962B (zh) | 一种多陶瓷热障涂层的残余应力检测方法 | |
Guipont et al. | Buckling and interface strength analyses of thermal barrier coatings combining Laser Shock Adhesion Test to thermal cycling | |
JP2019507828A (ja) | 基材上に高温保護層を接合するための付着促進層、並びにそれの製造方法 | |
CN107790730A (zh) | 一种在Nb‑Si基合金上制备高温抗氧化涂层的方法 | |
CN110632047A (zh) | 一种重型燃气轮机热障涂层界面氧化物荧光信号增强方法 | |
Moskal et al. | Metallographic preparation of the conventional and new TBC layers | |
Eskner et al. | Measurement of the elastic modulus of a plasma-sprayed thermal barrier coating using spherical indentation | |
Wang et al. | Investigation into the evolution of interface fracture toughness of thermal barrier coatings with thermal exposure treatment by wedge indentation | |
Lindblom | Refurbishing superalloy components for gas turbines | |
JP2005105417A (ja) | Tbc用溶射原料およびその製造方法、ガスタービン部材並びにガスタービン | |
CN116858816A (zh) | 一种利用荧光特性检测热障涂层腐蚀度的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20191126 |