CN110465755A - 一种改善mark点隐裂的方法 - Google Patents

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顾成阳
李影
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
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Abstract

本发明公开了一种改善mark点隐裂的方法，包括以下步骤：调整激光器参数，激光器的Power Factor 设置为50、PRF 设置为0；将激光器参数由外部控制设置为内部控制，避免了激光器参数与图形内部参数双重叠加，导致激光能量加重，打在硅片上时易造成隐裂。以激光扫描制备四个mark点，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零；mark点横向打一次，竖线分成两段与横向不重叠，分别打一次，有效避免了反复打而重叠处出现隐裂的缺陷，降低隐裂比率的同时也不影响印刷抓点。

Description

一种改善mark点隐裂的方法
技术领域
本发明属于太阳能光伏电池制造技术领域，具体涉及一种改善mark点隐裂的方法。
背景技术
太阳能电池效率的提高是推动光伏产业发展的关键，选择性发射极结构电池是一种非常有效提高效率并且正在被大规模应用到产业化中去的高效电池。激光掺杂磷硅玻璃是目前行业使用最多，也是成本最低，最简单的一种制作选择性发射极的方法。而该技术最大的难点在于如何准确的将栅线印刷在重掺杂区。目前解决对准的方法如图1所示，是在激光时在硅片表面固定位置留下四个标记，印刷前使用相机捕捉标记，根据标记点的位置进行套印。标记点的清晰度直接影响相机的抓取，目前行业类基本采用重复打线的方法来保证mark点的清晰度，但是该方法存在隐裂风险。
发明内容
本发明提供了一种改善mark点隐裂的方法，解决了因重复打线保证mark点的清晰度而存在隐裂风险的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0；
步骤二、以激光器扫描制备四个mark点，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零；
步骤三、四个mark点均位于硅片表面，将四个mark点作为印刷对位点；
步骤四、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。
进一步地，所述mark点的画法包括以下步骤：
a、横向画一条直线，设该横线中点的坐标为(0，0)，横线长度为0.5mm；
b、在横线上方画一条竖线，该竖线的中坐标为(0，0.14)，长度为0.22mm；
c、在横线下方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，-0.14)，长度为0.22mm；
d、组合上述一条横线与两条竖线，形成mark点，并复制三个mark点。
进一步地，所述硅片的中心点设为坐标原点(0，0)，所述四个mark点的坐标分别为(-62.4，66.43)，(62.4，66.43)，(62.4，-66.43)，(-62.4，-66.43)。
进一步地，所述激光器进行激光扫描时，频率为130kHz，Power Factor为130kHz，进给速度为200mm/s，功率100％。
进一步地，所述mark点中，两条竖线的远离横线的端点之间的垂直距离与横线的长度相等。
进一步地，所述两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离范围为0.03～0.04mm。
进一步地，所述四个mark点分别位于所述硅片的四角上。
进一步地，所述mark点中，横线长度为0.5。
本发明所达到的有益效果：
(1)调整激光器参数，将激光器参数由外部控制设置为内部控制，因激光器软件使用内部控制模式，当激光器使用外部控制参数时，激光器参数与图形内部参数双重叠加，导致激光能量加重，打在硅片上时易造成隐裂。
(2)mark点由一条横线和两条竖线组成，与原有的十字形mark点相比，将竖线分成两段，并保证横线和竖线不重叠；mark点横向打一次，竖线分成两段与横向不重叠，分别打一次，有效避免了反复打而重叠处出现隐裂的缺陷，降低隐裂比率的同时也不影响印刷抓点。
附图说明
图1为传统mark点的示意图；
图2为本发明mark点的示意图。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种改善mark点隐裂的方法，包括以下步骤：
步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0。
步骤二、以激光器扫描制备四个mark点；如图2所示，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零。
步骤三、四个mark点均位于硅片表面，将四个mark点作为印刷对位点。
步骤四、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。
实施例一、
步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0。
步骤二、设置激光器进行激光扫描时的参数，设置激光器的频率为130kHz、PowerFactor为130kHz、进给速度为200mm/s、功率100％。
步骤三、用软件画mark点，先画一条横线，设该横线中点的坐标为(0，0)，横线长度为0.5mm。
步骤四、在步骤三的横线上方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，0.14)，长度为0.22mm。
步骤五、在步骤三的横线下方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，-0.14)，长度为0.22mm。
步骤六、组合上述一条横线与两条竖线，形成mark点，并复制三个mark点。
步骤七、激光器调用mark点图形，在硅片上扫描激打makr点，将硅片的中心点设为坐标原点(0，0)，四个mark点的坐标分别为(-62.4，66.43)，(62.4，66.43)，(62.4，-66.43)，(-62.4，-66.43)，将四个mark点作为印刷对位点。
步骤八、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。
实施例二、
步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0。
步骤二、设置激光器进行激光扫描时的参数，设置激光器的频率为130kHz、PowerFactor为130kHz、进给速度为200mm/s、功率100％。
步骤三、用软件画mark点，先画一条横线，设该横线中点的坐标为(0，0)，横线长度为0.5mm。
步骤四、在步骤三的横线上方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，0.145)，长度为0.21mm。
步骤五、在步骤三的横线下方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，-0.145)，长度为0.21mm。
步骤六、组合上述一条横线与两条竖线，形成mark点，并复制三个mark点。
步骤七、激光器调用mark点图形，在硅片上扫描激打makr点，将硅片的中心点设为坐标原点(0，0)，四个mark点的坐标分别为(-62.4，66.43)，(62.4，66.43)，(62.4，-66.43)，(-62.4，-66.43)，将四个mark点作为印刷对位点。
步骤八、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。
表1：
类型 投入数 工损 原损 工损率 原损率 总碎片率
改善前 71097 437 165 0.61％ 0.23％ 0.85％
改善后 54565 156 55 0.29％ 0.10％ 0.39％
差异 -16532 -281 -110 -0.33％ -0.13％ -0.46％
采用本发明的方法，电池端显微镜下观察mark点无隐裂，由表1可见，组件端因mark点位置隐裂产生的碎片率下降0.46％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、调整激光器参数，激光器的Power Factor设置为50、PRF设置为0；
步骤二、以激光器扫描制备四个mark点，mark点由一条横线和两条竖线组成，两条竖线分别位于横线的两侧，竖线垂直于横线且位于横线的中心线上，两条竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离相等且大于零；
步骤三、四个mark点均位于硅片表面，将四个mark点作为印刷对位点；
步骤四、用激光扫描制备栅线，用于正电极印刷机台套印。
2.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述mark点的画法包括以下步骤：
a、横向画一条直线，设该横线中点的坐标为(0，0)，横线长度为0.5mm；
b、在横线上方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，0.14)，长度为0.22mm；
c、在横线下方画一条竖线，该竖线的中点坐标为(0，-0.14)，长度为0.22mm；
d、组合上述一条横线与两条竖线，形成mark点，并复制三个mark点。
3.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述硅片的中心点设为坐标原点(0，0)，所述四个mark点的坐标分别为(-62.4，66.43)，(62.4，66.43)，(62.4，-66.43)，(-62.4，-66.43)。
4.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述激光器进行激光扫描时，频率为130kHz，Power Factor为130kHz，进给速度为200mm/s，功率100％。
5.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述mark点中，两条竖线的远离横线的端点之间的垂直距离与横线的长度相等。
6.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述竖线的靠近横线的端点到横线的垂直距离范围为0.03～0.04mm。
7.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述四个mark点分别位于所述硅片的四角上。
8.根据权利要求1所述的一种改善mark点隐裂的方法，其特征在于，所述mark点中，横线长度为0.5mm。
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