CN110462771A - 电极箔、卷绕式电容器、电极箔的制造方法以及卷绕式电容器的制造方法 - Google Patents

电极箔、卷绕式电容器、电极箔的制造方法以及卷绕式电容器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电极箔、卷绕有所述电极箔的卷绕式电容器、电极箔的制造方法及卷绕式电容器的制造方法,所述电极箔一面促进电介质薄膜的表面积增大,一面在卷绕时不易产生裂纹。电极箔1包含带状的箔,包括扩面部3、芯部2及多个分割部4。扩面部3形成于箔的表面,芯部2是箔之中除了扩面部3以外的剩余部分。分割部4在扩面部3在带的宽度方向上延伸,对扩面部3进行分割。多个分割部4在电极箔1的卷绕时分担弯曲应力,从而阻止应力集中。

Description

电极箔、卷绕式电容器、电极箔的制造方法以及卷绕式电容器 的制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于卷绕式电容器中的电极箔。
背景技术
电解电容器包括:非固体电解电容器,为了使阳极的电介质薄膜(dielectricfilm)与相向电极密接,利用电解质填埋空隙而成,电解质为液体;固体电解电容器,电解质为固体;混合式电解电容器,包含液体及固体作为电解质;双极性电解电容器,在电极两者上形成有电介质薄膜。所述电解电容器是使电容器元件含浸于电解质中而成,电容器元件使阳极箔与阴极箔相向,并使隔板(separator)介于阳极箔与阴极箔之间而构成,所述阳极箔在铝等阀金属箔上形成有电介质薄膜,所述阴极箔包含同种或其它金属的箔。
电解电容器的静电电容与电介质薄膜的表面积成比例。通常,在电解电容器的电极箔实施蚀刻等扩面化处理,在实施有所述扩面化处理的扩面部实施化学转化处理,而具有大表面积的电介质薄膜。近年来,为了进一步增大电解电容器的静电电容,使扩面化自电极箔的表面进一步推进至深部。
换言之,在电解电容器中,显示出电极箔的芯部更进一步变薄的倾向。具有电介质薄膜的扩面部的柔软性及延伸性低于芯部。因此,已实现电介质薄膜的表面积增大的电极箔由于富有柔软性及延伸性的剩余芯部的减薄,而使得柔软性及延伸性下降。
此处,作为使用此种电极箔的电解电容器,为了同时实现小型化及大电容化,存在采用卷绕式电容器的形态的情况。卷绕式电容器的电容器元件是使阳极箔与阴极箔夹着隔板而重合,并卷绕成筒型而成。近年来的电介质薄膜的表面积增大措施在所述卷绕式电容器的卷绕性上产生了大问题。
即,通过在经扩面化处理的扩面部上进行化学转化处理而形成电介质薄膜,而使得电极箔的柔软性及延伸性下降。如此一来,在电极箔上无法呈弓形顺滑弯曲,而导致产生多个微细的裂纹。通过所述微细裂纹的产生,而在裂纹的内表面露出未氧化的金属部分。
此处,关于卷绕式电容器,在电解电容器的情况下,将电容器元件含浸于电解液之后实施老化(aging)处理,在固体电解电容器的情况下,在形成电解质之前实施老化处理。若在未氧化的金属部分露出的状态下进行老化处理,则老化所需要的时间发生长期化。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本专利特开2007-149759号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
本发明为了解决如上所述的现有技术的问题点,提供一种电极箔、卷绕有所述电极箔的卷绕式电容器、电极箔的制造方法及卷绕式电容器的制造方法,所述电极箔一面促进电介质薄膜的表面积增大,一面在卷绕时不易产生裂纹。
[解决问题的技术手段]
为了达成所述目的,本发明的电极箔的特征在于包含带状的箔,且包括:扩面部,形成于所述箔的表面,包含多个沟道状的凹坑(pit);芯部,是所述箔之中除了所述扩面部以外的剩余部分;多个分割部,在所述扩面部不连续地延伸,对所述扩面部进行分割;以及电介质薄膜,形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面。
也可设为,所述分割部至少连接或跨越多个所述沟道状的凹坑而形成。
也可设为,所述分割部在将所述箔设为平坦的状态下槽宽为包含0在内的50μm以下。
也可设为,所述多个沟道状的凹坑中的一部分凹坑贯通所述芯部。
卷绕地包括所述电极箔的卷绕式电容器也为本发明的一方案。
也可设为,所述卷绕式电容器包括将所述电极箔卷绕而成的电容器元件,所述电容器元件在卷绕中心具有卷芯部,所述电极箔被卷绕于所述卷芯部,所述分割部至少形成于包含朝向所述卷芯部的卷绕起始在内的规定半径内的卷绕中心侧。
另外,为了达成所述目的,本发明的电极箔的制造方法的特征在于包括:在带状的箔的表面形成包含多个沟道状的凹坑的扩面部的步骤;使对所述扩面部进行分割的多个分割部在所述箔上不连续地延伸的步骤;对所述箔进行化学转化处理,将电介质薄膜形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面的步骤。
也可设为,在形成所述分割部之后,对所述箔进行所述化学转化处理。
也可设为,在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行所述化学转化处理。
也可设为,进而包括如下步骤:在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行所述化学转化处理;以及在形成所述分割部之后,对所述箔进行再化学转化处理。
另外,为了达成所述目的,本发明的卷绕式电容器的制造方法的特征在于包括:元件形成步骤,通过对所述电极箔进行卷绕而形成电容器元件;电解质形成步骤,在所述电容器元件形成电解质;以及老化步骤,使所述电容器元件老化,且在通过所述电解质形成步骤而形成所述电解质之后进行所述老化步骤,或者在所述老化步骤之后通过所述电解质形成步骤而在经老化的所述电容器元件中形成所述电解质。
[发明的效果]
根据本发明,由于分割部使卷绕时的弯曲应力分散,因而在卷绕时不易产生如使未氧化的金属部分露出那样的裂纹,老化处理所需要的电量减少,并缩短老化处理所需要的时间。
附图说明
图1表示本实施形态的电极箔的结构,(a)是沿长度方向的断面图,(b)是俯视图。
图2是表示本实施形态的卷绕式电容器所包括的电容器元件的立体图。
图3是搬送装置的概略构成图。
图4是包括本实施形态的分割部的电极箔的沿长度方向的剖面图。
图5是实施例1的包括本实施形态的分割部的电极箔的沿长度方向的剖面照片。
图6是表示实施例1的包括本实施形态的分割部的电极箔的表面的照片,照片长边方向是电极箔的宽度方向,照片短边方向是电极箔的长度方向。
图7是表示比较例1的电极箔的表面的照片,照片长边方向是电极箔的宽度方向,照片短边方向是电极箔的长度方向。
图8是表示实施例1及比较例1的埃里克森试验(Erichsen test)的结果的曲线图。
图9是表示实施例1、实施例2及比较例1的卷绕式电容器的老化处理的电量的累计值的曲线图。
具体实施方式
以下,对本发明的电极箔及卷绕式电容器的实施形态进行详细说明。再者,本发明并不限定于以下说明的实施形态。
(电极箔)
图1所示的电极箔1用于卷绕式电容器的阳极箔、形成有电介质薄膜5的阴极箔或两者。作为卷绕式电容器的代表例,是电解电容器,作为电解电容器,可列举:电解质为液体并在阳极箔形成有电介质薄膜的非固体电解电容器、电解质为固体并在阳极箔形成有电介质薄膜的固体电解电容器、包含液体及固体作为电解质的混合式电解电容器、在阳极箔与阴极箔两者形成有电介质薄膜的双极性电解电容器。
电极箔1将铝、钽、钛、铌及氧化铌等阀金属作为材料。就纯度而言,关于阳极箔,理想的是99.9%左右以上,关于阴极箔,理想的是99%左右以上,但也可包含硅、铁、铜、镁、锌等杂质。如图1所示,所述电极箔1为长条状,剩下厚度方向中心的芯部2而在两面形成扩面部3,在扩面部3中的一者或两者形成多个分割部4,在扩面部3与分割部4的表面形成电介质薄膜5而成。
扩面部3具有多孔结构。多孔结构是通过沟道状的凹坑(pit)而形成。典型而言,所述扩面部3是通过在盐酸等存在卤素离子(halide ion)的酸性水溶液中施加直流的直流蚀刻而形成。
在所述电极箔1包含高压用电极箔。另外,阀金属的除了扩面部3以外的剩余部分相当于芯部2。换言之,例如未蚀刻层相当于芯部2。但是,芯部2无需理解为全部沟道状的凹坑未到达的层,只要为大多数沟道状的凹坑未到达的层即可。换言之,一部分沟道状的凹坑亦可贯通芯部2。扩面部3及芯部2的厚度并无特别限定,但优选为扩面部3的厚度是两面合起来为40μm~200μm,芯部2的厚度处于8μm~60μm的范围。
分割部4在自电极箔1的表面朝向芯部2的深度方向上,对扩面部3进行分割。分割部4只要不达到对芯部2进行完全分割的程度即可,可为不抵达至芯部2的深度、最深部正好抵达至芯部2的深度、及最深部陷入至芯部2的深度的任一者。另外,所有分割部4的深度无需统一。
详细而言,分割部4是对电极箔1进行局部横切且不连续地延伸。所述分割部4将构成扩面部3的多个沟道状的凹坑连接,或者跨越多个沟道状凹坑。各分割部4的位置、长度及延伸方向各不相同,可为电极箔1的带长度方向,也可为宽度方向,也可使这些混合存在而呈随机取向状延伸。另外,直线状或曲线状的分割部4可混合存在,分割部4在中途分支或者也可为单线。一条分割部4所具有的两端部的间隔距离平均为40μm以上且150μm以下,短则10μm左右、长则600μm左右混合存在。通过具有所述范围的长度的分割部4,而电极箔1的柔软性及延伸性提升。
此种分割部4是通过使扩面部3裂开,使扩面部3分割开,沿电极箔1的厚度方向切入扩面部3,将扩面部3切缺,或者沿电极箔1的厚度方向挖掘扩面部3而形成。因此,分割部4的实际状态的示例是裂缝、裂口、切口、缺口或凹陷。但是,只要对扩面部3进行分割,则分割部4的方案并无特别限制。
分割部4的槽宽在使电极箔1不弯曲而平坦地形成时,为包含0在内的50μm以下。所谓分割部4的槽宽,是指在电极箔1的表层附近测量的沿电极箔1的长度方向的长度。当通过开裂、破裂或断开而形成有分割部4时,分割部4的槽宽实质上为0。所谓实质上为0,是指在使电极箔1不弯曲而平坦地形成时,分割部4的界面至少部分地相接的状态。只要分割部4的槽宽为50μm以下,则可不破坏电极箔1的柔软性及延伸性,从而抑制伴随着电介质薄膜5的表面积的减少而产生的卷绕式电容器的静电电容的大幅下降。
此处,作为分割部4的形成方法,例如,可考虑利用将电极箔1向圆杆按压等物理方法。在利用圆杆的形成方法中,电极箔1的芯部2在长度方向上延伸,其结果为芯部2的厚度变薄。但是,通过将分割部4的槽宽设为50μm以下,会使得芯部2的厚度不易变薄,从而使电极箔1的柔软性及延伸性提升。在此方面上,优选为也将分割部4的槽宽设为50μm以下。
分割部4也可沿电极箔1的长度方向以均匀的平均间距或单位范围内的数量而形成。另外,也可采取卷绕有电极箔1时的形成有所述分割部4的部位上的曲率,而变更平均间距或单位范围内的数量。其原因在于,曲率越小,即经卷绕时越靠外周侧,弯曲应力越小,从而抑制卷绕时的裂纹。
例如,也可设为,仅在电极箔1朝向卷轴的卷绕起始部分预先形成分割部4。电极箔1的卷绕起始部分的曲率大,容易产生裂纹。另外,也可设为,使分割部4与所处的部位上的卷绕半径成比例,采用大的平均间距,或者与所述半径成反比,而使单位范围内的数量减少。分割部4的数量越减少,则对卷绕式电容器的静电电容的影响越降低。
所述分割部4理想的是分别形成于两面的扩面部3,但自卷绕时的电极箔1的延伸的观点考虑,至少形成于卷绕电极箔1时成为箔外侧而受到张力的扩面部3即可。
电介质薄膜5使用氧化薄膜,所述氧化薄膜对扩面部3进行化学转化处理而形成,典型而言,在己二酸或硼酸等的水溶液等不存在卤素离子的溶液中施加电压而形成。
此处,电介质薄膜5优选为也预先形成于分割部4的槽内表面。其原因在于已获得如下见解:若在分割部4的槽内表面也预先形成电介质薄膜5,则用以修复电介质薄膜5的老化处理所需要的电量(C)可较少。
以下为推测,若预先形成分割部4,则由于各分割部4对弯曲应力进行分担,因而不易产生弯曲应力的集中,从而可抑制卷绕时的微细裂纹产生。若卷绕时的裂纹产生得到抑制,则未氧化的金属部分(铝)不易自裂纹的内表面露出。即,只要在形成分割部4之后进行化学转化处理,则会在分割部4的内表面上亦形成电介质薄膜5,换言之,未氧化的金属部分亦不会自分割部4的内表面露出,从而老化处理所需要的电量减少。
另外,若在化学转化处理前预先形成分割部4,则实现电极箔1的顺利的制造步骤。因此,优选为在形成扩面部3之后,在化学转化处理前预先形成分割部4。此情况下,通过在分割部4形成前预先形成薄的氧化物,而使分割部4的形成变得容易。
再者,即使在化学转化处理后形成分割部4,也可获得通过分割部4而产生的卷绕时的应力分散效果。另外,也可通过在分割部4形成前进行化学转化处理,在分割部4形成后进行再化学转化处理,而在分割部4的表面上形成电介质薄膜5。
(卷绕式电容器)
图2是表示利用所述电极箔1的卷绕式电容器的电容器元件6的示意图,是铝电解电容器的例示。在电容器元件6中,作为阳极箔的电极箔1与阴极箔7介隔纸或合成纤维等隔板8而重合。隔板8预先以其一端较电极箔1及阴极箔7的一端凸出的方式重合。而且,先开始卷绕所凸出的隔板8来制作卷芯部9,继而将所述卷芯部9作为卷轴,对电极箔1、阴极箔7及隔板8的层进行不断卷绕。
关于作为阳极箔的电极箔1、阴极箔7及隔板8的重合的处理、以及所述电极箔1、阴极箔7及隔板8的卷绕的处理,典型而言,是通过设置有多个辊的搬送装置而进行。如图3所示,例如,所述搬送装置包括:四条个别搬送路径Tr1、Tr2及Tr3、以及将四条搬送路径集合而成的一条集合搬送路径Tr4。
个别搬送路径Tr1、搬送路径Tr2及搬送路径Tr3、以及集合搬送路径Tr4是利用多个辊R而形成。四条个别搬送路径Tr1、Tr2及Tr3分别使作为阳极箔的电极箔1、阴极箔7及隔板8移行。在集合搬送路径Tr4的最前面的辊R搭着在个别搬送路径Tr1、搬送路径Tr2及搬送路径Tr3上移行的电极箔1、阴极箔7及隔板8的全部,使电极箔1、阴极箔7及隔板8在集合搬送路径Tr4的最前面重合。
自搬送装置的小型化的观点而言,个别搬送路径Tr1、Tr2及Tr3、以及集合搬送路径Tr4存在多处弯曲点C。在弯曲点C的辊R上,使电极箔1、阴极箔7及隔板8以沿着弯曲点C的辊R改变移行方向的方式弯曲。进而,搬送装置在集合搬送路径Tr4的终端包括卷绕辊Rw。卷绕辊Rw通过轴旋转而将经重合的电极箔1、阴极箔7及隔板8卷入,并对它们进行卷绕。
如上所述而制成的电容器元件6在制作电解电容器时,通过含浸于电解液中,收纳于有底筒状的外部壳体内,引出阳极端子及阴极端子并利用封口体进行密封,并且进行老化处理,而采用卷绕式电容器的方案。另外,如上所述而制成的电容器元件6在制作固体电解电容器时,通过在经老化处理后,形成电解质,收纳于有底筒状的外部壳体内,引出阳极端子及阴极端子并利用封口体进行密封,而采用卷绕式电容器的方案。
图4是表示卷绕于电容器元件6的电极箔1的状态的示意图。在本实施形态的电极箔1中,多个分割部4分担而承受着弯曲应力,弯曲应力分散至各分割部4。因此,不易在扩面部3产生新的微细裂纹,且可抑制导致芯部2破坏那样的应力施加至电极箔1,芯部2的破坏得以避免,从而可将电极箔1不弯折地顺滑弯曲而加以卷绕。即,在卷绕时,可抑制如使未氧化的金属部分露出那样的裂纹的产生。
另外,在通过搬送装置进行辊搬送时,弯曲点C的辊R也将电极箔1弯曲,但所述电极箔1的多个分割部4分担而承受着弯曲应力,从而抑制电极箔1的弯折。
(实施例1)
以如下方式制作表示所述实施形态的电极箔1。首先,作为基材,使用厚度为130μm、宽度为10mm、长度为55mm、纯度为98重量%以上的铝箔。然后,在所述铝箔的两面上形成包含沟道状的凹坑的扩面部3作为中高压用。具体而言,使用形成凹坑的第一步骤与扩大凹坑的第二步骤,第一步骤是在包含氯离子的水溶液中通过直流电流以电化学方式对铝箔进行蚀刻处理。第一步骤的蚀刻处理是以电流密度400mA/cm2进行约1分钟。第二步骤中,为了将经过了第一步骤的形成于铝箔上的凹坑扩大,而在包含硝酸离子的水溶液中通过直流电流以电化学方式进行蚀刻处理。以第二步骤的蚀刻处理的电流密度300mA/cm2进行约2分钟。
蚀刻处理之后,在两面经蚀刻处理的铝箔上形成分割部4。分割部4是与铝箔的带长度方向正交地产生。具体而言,作为物理处理方法,是朝向φ4mm的圆杆,将余面角(lapangle)设为180度,按压铝箔而形成分割部4,所述余面角表示所述圆杆与铝箔相接触的区域的大小。通过所述物理处理方法,连接或跨越多个沟道状的凹坑,从而形成对扩面部3进行分割的多个分割部4。
进而,形成分割部4之后,进行化学转化处理,而在扩面部3与分割部4的表面形成电介质薄膜5。具体而言,在液温85℃、4重量%的硼酸的化学转化溶液中施加650V的电压。
图5是实施例1的电极箔1的沿长度方向的剖面照片。另外,图6(a)是表示实施例1的电极箔1的表面的200倍的扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)观察的照片,照片长边方向是电极箔的宽度方向,照片短边方向是电极箔的长度方向。图6(b)为了强调而进行对图6(a)的照片中所出现的分割部加以描摹的数字处理。如图5以及图6(a)及图6(b)所示,在实施例1的电极箔1中,在观察面积为10mm×10mm的范围内观察到24个分割部4。若自200倍的SEM观察的照片中任意选择10个分割部4,则所选择的分割部4所具有的两端部间的平均间隔距离为120μm左右。关于两端部间的间隔距离,分割部4短则为40μm左右,长则为250μm左右。再者,关于所述实施例1的电极箔1,具有电介质薄膜5的扩面部3在芯部2的两面分别以厚度55μm而存在,为厚度10μm的芯部2。
(比较例1)
利用与实施例1相同的基材,进行与实施例1相同的蚀刻处理及化学转化处理。但是,省略了分割部4的形成处理,未形成分割部4。图7是表示比较例1的电极箔1的表面的200倍的SEM观察的照片,照片长边方向是电极箔的宽度方向,照片短边方向是电极箔的长度方向。
如图7所示,与实施例1相同,比较例1的电极箔在芯部2的两面分别包括扩面部3,各扩面部3包括电介质薄膜5,包括电介质薄膜5的扩面部3的厚度分别为厚度55μm,芯部2的厚度为10μm。然而,即便进行200倍的SEM观察,也未在电极箔的表面观察到将相邻的沟道状的凹坑链接的线。即,未形成分割部4。
再者,为了更容易观察分割部4的状态,也可进行电极箔1的表面处理。例如,可列举P-Cr处理。具体而言,在铬酸酐(21g/L)、磷酸(53g/L)的水溶液中以85℃的液温对电极箔1进行1小时左右浸渍处理,由此将电极箔1表面的微细氧化物去除,从而容易进行分割部4的观察。可是,比较例1中,即便对电极箔使用P-Cr处理,也未在电极箔的表面观察到将相邻的沟道状的凹坑链接的线。
(埃里克森试验)
对所述实施例1的电极箔1及比较例1的电极箔进行了埃里克森试验。在埃里克森试验中,利用具有内径33mm的模具(dies)与坯料夹,以10kN夹着实施例1的电极箔1及比较例1的电极箔,利用具有钢楔状的冲孔机加以压入。钢楔状的冲孔机是宽度为30mm、前端部在俯视时为φ4mm的球面。以与电极箔1的带长度方向正交的方式,压入冲孔机的钢楔部位。冲孔机的压入速度设为0.5mm/min。
将所述埃里克森试验的结果示于图8。图8是将横轴设为冲孔机冲程、将纵轴设为冲孔机荷载的曲线图。冲孔机冲程是将冲孔机压入的距离,冲孔机荷载是为了达成各冲孔机冲程而需要的荷载。如图8所示,比较例1的电极箔在冲孔机冲程达到1.1mm之前断裂,相对于此,实施例1的电极箔在断裂前冲孔机冲程超过1.1mm。即,实施例1的电极箔1通过设置分割部4而延伸性提升。
另外,如图8所示,比较例1的电极箔例如为了使冲孔机冲程成为0.7mm而需要1.8N的荷载,而实施例1的电极箔1以1.6N的荷载使冲孔机冲程达成了0.7mm。即,实施例1的电极箔1通过设置分割部4而柔软性提升了约11%。即,延伸性及柔软性提升了的实施例1与比较例1相比,确认到在卷绕时不易产生裂纹,且不易使未氧化的金属部分露出。
(老化评价)
使用实施例1的电极箔1与比较例1的电极箔作为阳极箔而进行卷绕,制作电容器元件6。实施例1的电极箔1与比较例1的电极箔均变更为宽度为50mm、长度为3300mm的尺寸。另外,准备利用与实施例1相同的基材,进行了与实施例1相同的蚀刻处理、分割部4的形成处理及化学转化处理的实施例2的电极箔1。但是,制作电容器元件6之前的实施例2的电极箔1按照蚀刻处理、化学转化处理、分割部4的形成处理的顺序进行了处理,因而,在分割部4的表面未形成电介质薄膜5。阴极箔7是使用铝箔。在阴极箔7形成有扩面部3,未形成电介质薄膜5。隔板8使用纤维素纤维(cellulose fiber)。
使电解液含浸于使用实施例1的电极箔1的电容器元件6、使用实施例2的电极箔1的电容器元件6、及使用比较例1的电极箔的电容器元件,并收纳于有底筒状的外部壳体内,引出阳极端子及阴极端子而利用封口体进行密封。电解液是使用将硼酸甘露醇酯添加于1-7-辛烷二羧酸的乙二醇溶液中而成者。由此,制作使用实施例1的电极箔1的卷绕式电容器、使用实施例2的电极箔1的卷绕式电容器、及使用比较例1的电极箔的卷绕式电容器。
对经制作的两个卷绕式电容器进行老化处理,测定老化处理所需要的电量。所述老化处理也兼作对实施例2的电极箔1进行的化学转化处理,在实施例2的电极箔1通过所述老化处理而形成电介质薄膜5。在老化处理中,在100℃的温度条件下施加额定电压而进行老化处理。在所述老化处理期间,对于阳极端子与阴极端子之间流动的经时的电流变化进行测定。再者,在老化处理开始的时间点流入至三个卷绕式电容器的电流值为相同值。图9是表示自老化处理开始的时间点起电量的累计值的曲线图。
如图9所示,在使用实施例1的电极箔1的卷绕式电容器中,在36分钟附近电流值变平稳。相对于此,在使用比较例1的电极箔的卷绕式电容器中,在48分钟附近电流值变平稳。另外,在使用实施例2的电极箔1的卷绕式电容器中,在131分钟附近电流值变平稳。即,使用实施例1的电极箔1的卷绕式电容器通过在电极箔1上形成有分割部4,而与使用比较例1的电极箔的卷绕式电容器相比,显示出飞跃性地缩短了老化处理所需要的时间,且削减了电量。另外,使用实施例1的电极箔1的卷绕式电容器通过在组装于卷绕式电容器之前在扩面部3与分割部4的表面上形成有电介质薄膜5,而与使用实施例2的电极箔的卷绕式电容器相比,显示出飞跃性地缩短了老化处理所需要的时间,且削减了电量。
[符号的说明]
1:电极箔
2:芯部
3:扩面部
4:分割部
5:电介质薄膜
6:电容器元件
7:阴极箔
8:隔板
9:卷芯部

Claims (11)

1.一种电极箔,其特征在于包含带状的箔,且
所述电极箔包括:
扩面部,形成于所述箔的表面,包含多个沟道状的凹坑;
芯部,是所述箔之中除了所述扩面部以外的剩余部分;
多个分割部,在所述扩面部不连续地延伸,对所述扩面部进行分割;以及
电介质薄膜,形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面。
2.根据权利要求1所述的电极箔,其特征在于:
所述分割部至少连接或跨越多个所述沟道状的凹坑而形成。
3.根据权利要求1或2所述的电极箔,其特征在于:
所述分割部在将所述箔设为平坦的状态下槽宽为包含0在内的50μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电极箔,其特征在于:
所述多个沟道状的凹坑中的一部分凹坑贯通所述芯部。
5.一种卷绕式电容器,其特征在于:
卷绕地包括根据权利要求1至4中任一项所述的电极箔。
6.根据权利要求5所述的卷绕式电容器,其特征在于:
包括将所述电极箔卷绕而成的电容器元件,且
所述电容器元件在卷绕中心具有卷芯部,
所述电极箔被卷绕于所述卷芯部,
所述分割部至少形成于包含朝向所述卷芯部的卷绕起始在内的规定半径内的卷绕中心侧。
7.一种电极箔的制造方法,其特征在于包括:
将包含多个沟道状的凹坑的扩面部形成于带状箔的表面的步骤;
使对所述扩面部进行分割的多个分割部在所述箔上不连续地延伸的步骤;以及
对所述箔进行化学转化处理,将电介质薄膜形成于所述扩面部的表面、或者所述扩面部与所述分割部的表面的步骤。
8.根据权利要求7所述的电极箔的制造方法,其特征在于:
在形成所述分割部之后,对所述箔进行所述化学转化处理。
9.根据权利要求7所述的电极箔的制造方法,其特征在于:
在形成所述扩面部之后,形成所述分割部之前,对所述箔进行所述化学转化处理。
10.根据权利要求9所述的电极箔的制造方法,其特征在于进而包括如下步骤:
在形成所述分割部之后,对所述箔进行再化学转化处理。
11.一种卷绕式电容器的制造方法,其特征在于包括:
元件形成步骤,通过对利用根据权利要求7至10中任一项所述的制造方法所得的所述电极箔进行卷绕而形成电容器元件;
电解质形成步骤,在所述电容器元件中形成电解质;以及
老化步骤,使所述电容器元件老化,且
在通过所述电解质形成步骤而形成所述电解质之后进行所述老化步骤,或者在所述老化步骤之后通过所述电解质形成步骤而在经老化的所述电容器元件形成所述电解质。
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