CN110417359A - 放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种放大器，包括信号输入端、至少一信号输出端、第一及第二叠接放大器电路、电容器以及负载电路。信号输入端接收输入信号。第一叠接放大器电路包括第一及第二输入端、第一及第二输出端。第一输入端耦接至信号输入端以接收输入信号。第二叠接放大器电路包括第三及第四输入端、第三输出端。第三输入端耦接第一输出端，第三输出端耦接第二输入端。电容器的两端分别耦接第四输入端以及第一输出端。负载电路的一端耦接第三输出端，负载电路的另一端耦接第二输出端。负载电路的两端的至少其中之一还耦接至少一信号输出端。

Description

放大器
技术领域
本发明是有关于一种放大器，且特别是有关于一种主要用于无线通信且具备低噪声功能的放大器。
背景技术
放大器的应用技术领域十分广泛。于通信系统中，接收器可藉由放大器(如，低噪声放大器(low-noise amplifier；LNA))将接收自天线的信号放大，以便后级的电子设备处理。一般而言，来自天线的信号都非常微弱，因此放大器通常均设置于非常靠近天线的位置，以减小信号通过传输线的损耗。由于放大器位于整个接收器紧邻天线的最先一级，故放大器的特性(如，信号增益、噪声处理、电能消耗(power consumption))将直接影响着整个接收器所接收的信号的质量。为了确保天线所接收的信号的质量，一个好的放大器需要在放大信号的同时产生尽可能低的噪声以及避免信号失真。
以往的放大器通常采用差动(differential)放大器来实现，并利用差动放大器来提升输出信号的增益，但此种放大器的电能消耗较大。另外，由于差动放大器中的晶体管是成对地相互设置，且每个晶体管本身会些微地产生噪声，使得放大器中的每个晶体管所产生的噪声因属于相反相位而相互叠加。换句话说，现有技术中的放大器的电路结构不但难以让噪声相互消除，甚至是增大了输出信号受到噪声的干扰程度。此外，差动放大器中的信号增益常以晶体管中的漏极端增益放大的方式来实现，不易获得较高的信号增益。
有鉴于此，如何设计新的放大器以具备较高的信号增益、较强噪声处理的同时还能够尽量避免信号失真，便是业内相关技术人员的一项课题。
发明内容
本发明提供一种放大器，其利用两组叠接放大器电路来增加信号增益，从而使放大器具备良好的噪声处理能力，并增强噪声消除的效果。
本发明的放大器包括第一信号输入端、至少一个信号输出端、第一叠接放大器电路、第二叠接放大器电路、第一电容器以及负载电路。第一信号输入端用来接收第一输入信号。第一叠接放大器电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端。第一输入端耦接至第一信号输入端以接收第一输入信号。第二叠接放大器电路包括第三输入端、第四输入端以及第三输出端。第三输入端耦接第一输出端，第三输出端耦接第二输入端。第一电容器的两端分别耦接第四输入端以及第一输出端。负载电路包括第一端与第二端。负载电路的第一端耦接第三输出端。负载电路的第二端耦接第二输出端。负载电路的第一端与第二端的至少其中之一还耦接至少一信号输出端。
基于上述，本发明所述的放大器利用两组叠接放大器电路作为单端放大器以增加信号增益，从而使放大器具备良好的噪声处理效能及避免信号失真，例如，消除由晶体管所产生的噪声、利用叠接放大器的结构来增加信号增益。此外，也可将两个单端输入型放大器相结合以形成差动输入型/双端输入型放大器，以增加本发明的放大器的应用范围。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。
图1是依照本发明第一实施例的一种放大器100的电路图。
图2是依照本发明第二实施例的一种放大器200的电路图。
图3是依照本发明第三实施例的一种放大器300的电路图。
图4A至图4E是依照本发明多个实施例中不同类型的负载电路的电路结构图。
图5是依照本发明第四实施例的一种放大器500的电路图。
图6是依照本发明第五实施例的一种放大器600的电路图。
图7是依照本发明第六实施例的一种放大器700的电路图。
图8A与图8B是图1放大器100与现有的放大器相比较的示意图。
【附图标记说明】
100、200、300、500、600、700：放大器
110、120、610、620、710、720：叠接放大器电路
130、430A～430E、730：负载电路
132、134、432A～432E、434A～434E、732、734：负载元件
540：匹配电路
550：双平衡混频器
660：频带调整电路
810～840：曲线
RF_In、RF_In1、RF_In2：信号输入端
RF_OUT、RF_OUT180：信号输出端
C1、C21、C22、C3～C6、CL1：电容器
VCL1、VCL2：可变电容器
T1～T8、TL1～TL2、M1～M4：晶体管
L1、L2、LC1：电感器
LL1、LL2：负载电感器
RL1～RL2：电阻器
RL3～RL4：负载电阻器
IN1～IN8：输入端
OUT1～OUT6：输出端
Vref1、Vref2：参考电压
DC_bias1～DC_bias4：偏压端
E1：负载电路的第一端
E2：负载电路的第二端
SW1：开关
具体实施方式
图1是依照本发明第一实施例的一种放大器100的电路图。放大器100可以是用于无线通信的接收器中所使用的低噪声放大器(LNA)。应用本实施例者亦可将放大器100应用至其他电子设备或不同技术领域的信号放大设备中，本发明不限制放大器100的应用领域。图1的放大器100属于单端输入、双端输出型放大器。本实施例的双端输出型放大器可以被称为是差动输出型放大器。
放大器100包括信号输入端RF_In、至少一个信号输出端(例如，信号输出端RF_OUT、RF_OUT180)、叠接(cascode)放大器电路110、叠接放大器电路120、电容器C1及负载电路130。信号输入端RF_In用来接收第一输入信号(例如，射频信号)。所谓的『叠接放大器电路』是将两个或两个以上的晶体管相互叠接而形成的放大器电路结构，其可获得较佳的信号增益，亦会使得频率响应变好。
叠接放大器电路110包括输入端IN1、输入端IN2、输出端OUT1以及输出端OUT2。输入端IN1耦接至信号输入端RF_In以接收所述第一输入信号。叠接放大器电路120包括输入端IN3、输入端IN4以及输出端OUT3。此外，输入端IN1还可耦接至偏压端DC_bias2，以对输入端IN1提供稳定的直流偏压。
输入端IN3耦接输出端OUT1。输出端OUT3耦接输入端IN2。此外，输入端IN4还可耦接至偏压端DC_bias1，以对输入端IN4提供稳定的直流偏压。在本实施例中，偏压端DC_bias1上的直流电压值大于偏压端DC_bias2上的直流电压值。应用本实施例者可依其需求来调整偏压端DC_bias1与DC_bias2上的直流电压值，例如，将偏压端DC_bias1上的直流电压值调整为小于或等于偏压端DC_bias2上的直流电压值。
电容器C1的两端分别耦接输入端IN4以及输出端OUT1。电容器C1用来进行交流耦合(AC coupling)效应。本实施例的电容器C1、下述实施例的电容器C21和/或电容器C22可以包括结电容器(junction capacitor)、金属-绝缘层-金属(Metal-insulator-metal；MIM)电容器、金属-氧化层-金属(Metal-oxide-metal；MOM)电容器及晶体管电容器(transistor capacitor)的其中之一或其组合。
负载电路130包括第一端E1与第二端E2。第一端E1耦接输出端OUT3。第二端E2耦接输出端OUT2。
负载电路130的第一端E1与第二端E2的其中之一还耦接到至少一个信号输出端。详细来说，本实施例的放大器100为双端输出型放大器，因此第一端E1透过电容器C21耦接到信号输出端RF_OUT180，第二端E2透过电容器C22耦接到信号输出端RF_OUT。换句话说，放大器100还包括至少两个电容器C21及C22。电容器C21的两端分别耦接第一端E1以及信号输出端RF_OUT180，而电容器C22的两端分别耦接第二端E2以及信号输出端RF_OUT。电容器C21及C22主要用于隔绝直流信号从信号输出端RF_OUT180、RF_OUT输出至后端的电子设备，也就是所谓的『直流阻隔(DC blocking)』。信号输出端RF_OUT180上的信号与信号输出端RF_OUT上的信号互为差动信号。
在此说明叠接放大器电路110的详细电路结构。叠接放大器电路110主要包括晶体管T1及晶体管T2。图1中的晶体管T1、T2与下述的晶体管T3～T8、TL1～TL2可包括双极性结型晶体管(bipolar junction transistor；BJT)、互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor；CMOS)晶体管或场效晶体管(field-effect transistor；FET)的其中之一或其组合。本实施例与下述各实施例的晶体管T1～T8及TL1、TL2是以N型晶体管来实现，应用本实施例者亦可以P型晶体管来实现各晶体管。此外，本实施例所述的N型晶体管的第一端为源极端，N型晶体管的第二端为漏极端，且N型晶体管的控制端为栅极端，以下实施例不再赘述。晶体管T1的控制端耦接输入端IN1。晶体管T1的第一端接收参考电压Vref1。晶体管T1的第二端耦接输出端OUT1。晶体管T2的控制端耦接输入端IN2。晶体管T2的第一端耦接晶体管T1的第二端。晶体管T2的第二端耦接输出端OUT2。
在此说明叠接放大器电路120的详细电路结构。叠接放大器电路120包括晶体管T3以及晶体管T4。晶体管T3的控制端耦接输入端IN3，晶体管T3的第一端接收参考电压Vref1。晶体管T4的控制端耦接输入端IN4，晶体管T4的第一端耦接晶体管T3的第二端，晶体管T4的第二端耦接输出端OUT3。
在此说明负载电路130的电路结构。本实施例的负载电路130主要可包括负载元件132及134。负载元件132的第一端耦接负载电路130的第一端E1。负载元件134的第一端耦接负载元件132的第二端，负载元件134的第二端耦接负载电路130的第二端E2。负载元件132的第二端及负载元件134的第一端接收参考电压Vref2。特别说明的是，当本发明实施例是以N型晶体管来实现各晶体管时，所述参考电压Vref1是以接地电压作为范例，所述参考电压Vref2是以电源电压作为范例。
图1中的负载元件132及134分别包括电感器L1、L2。在其他实施例中，负载元件132和/或负载元件134还可利用电感器、电阻器、晶体管的其中之一或其组合来实现，并于下述实施例及图式中举例说明。
透过图1的电路结构，可让晶体管T1、T2、T3或T4所产生的噪声在放大器100的两个信号输出端RF_OUT、RF_OUT180上皆产生具备相同相位的噪声，从而让这两个噪声因相位相同而互相抵销而减少，使得信号输出端RF_OUT、RF_OUT180上的信号并不易受到晶体管产生的噪声影响。
在现有技术的放大器电路结构中，差动放大器中的信号增益常以晶体管中的漏极端增益放大的方式来实现。相对来说，本实施例放大器100将信号输入端RF_In所接收的交流式(AC)射频信号主要通过叠接放大器电路110中的晶体管T1及T2进行信号增益放大，并且将与射频信号相关的信号输入到叠接放大器电路120中晶体管T3与T4的栅极端，让叠接放大器电路120将信号反馈回叠接放大器电路110的输入端IN2。藉此，可让晶体管T2的源极端与栅极端皆各自接收与射频信号相关的信号，从而增加放大器100对于射频信号的信号增益的强度。换言之，图1放大器100的信号增益将大于以往使用差动放大器来实现的放大器结构的信号增益。此外，放大器100中主要耗费电能的电路结构为叠接放大器电路110，叠接放大器电路120主要用来辅助叠接放大器电路110而较少耗费电能。因此，放大器100中所耗费的电能也将小于以往使用差动放大器来实现的放大器结构。
图1放大器100中叠接放大器电路110的信号增益Gain可如下述方程式(1)表示：
方程式(1)中的符号『gm1』指代为晶体管T1的增益；符号『gm2』指代为晶体管T2的增益；符号『Zl』指代为放大器100中信号输出端的RLC谐振阻抗(resonant impedance)；符号『s』指代为拉普拉斯转换(Laplace transform)中的复数频率(complex frequency)；符号『M12』指代为负载电路130中电感器L1及L2之间的互感(mutual inductance)系数。
图2是依照本发明第二实施例的一种放大器200的电路图。图2放大器200与图1放大器100之间的差异在于，图2中放大器200为单端输出型放大器，放大器200仅具备一个信号输出端RF_OUT180。信号输出端RF_OUT180透过电容器C21耦接至负载电路130的第一端E1。应用本实施例者可依其需求而将本发明实施例中的放大器电路结构依据图2中的适例而改为单端输出型放大器。
图3是依照本发明第三实施例的一种放大器300的电路图。图3放大器300与图1放大器100之间的差异在于，图3放大器300为单端输出型放大器，放大器300仅具备一个信号输出端RF_OUT。信号输出端RF_OUT透过电容器C22耦接至负载电路130的第二端E2。应用本实施例者可依其需求而将本发明实施例中的放大器电路结构依据图3中的适例而改为单端输出型放大器。
图4A至图4E是依照本发明多个实施例中不同类型的负载电路430A至430E的电路结构图。图4A至图4E的负载电路430A至430E与图1负载电路130之间的差异主要在于电路结构不同。应用本实施例者可依其需求而选择性地将负载电路130、430A至430E其中之一的电路结构应用在本实施例中各个放大器的电路结构中。
在此描述负载电路430A至430E的电路结构。图4A中负载电路430A的负载元件432A及434A分别包括晶体管TL1及TL2。晶体管TL1的第一端耦接负载电路430A的第一端E1，晶体管TL1的第二端耦接晶体管TL2的第二端以及参考电压Vref2，且晶体管TL2的第一端耦接负载电路430A的第二端E2。
图4B中的负载电路430B的负载元件432B及434B分别包括电阻器RL1及RL2。电阻器RL1的第一端耦接负载电路430B的第一端E1，电阻器RL1的第二端耦接参考电压Vref2。电阻器RL2的第一端耦接参考电压Vref2，电阻器RL2的第二端耦接负载电路430B的第二端E2。
在图4C中，当负载电路430C中的负载元件432C及434C是以晶体管TL1及TL2来实现时，负载电路430C还可包括负载电感器LL1及LL2。负载电感器LL1的第一端耦接至晶体管TL1的第二端，负载电感器LL1的第二端耦接参考电压Vref2。负载电感器LL2的第一端耦接参考电压Vref2，负载电感器LL2的第二端耦接晶体管TL2的第二端。晶体管TL1及TL2的第二端分别透过负载电感器LL1及LL2以接收参考电压Vref2。
在图4D中，当负载电路430D中的负载元件432D及434D是以晶体管TL1及TL2来实现时，负载电路430D还可包括负载电阻器RL3及RL4。负载电阻器RL3的第一端耦接至晶体管TL1的第二端，负载电阻器RL3的第二端耦接参考电压Vref2。负载电阻器RL4的第一端耦接参考电压Vref2，负载电阻器RL4的第二端耦接晶体管TL2的第二端。晶体管TL1及TL2的第二端分别透过负载电阻器RL3及RL4以接收参考电压Vref2。
在图4E中，负载电路430E除了两个负载元件432E及434E以外，还可更包括两个可变电容器VCL1及VCL2。详细来说，可变电容器VCL1的第一端耦接负载电路430E的第一端E1。可变电容器VCL2的第一端耦接可变电容器VCL1的第二端，且可变电容器VCL2的第二端耦接负载电路430E的第二端E2。应用本实施例者亦可将图4A至图4B中的负载元件432A～432B、434A～434B电路结构应用在本实施例的负载元件432E及434E电路结构中。
图5是依照本发明第四实施例的一种放大器500的电路图。图5放大器500与图1放大器100之间的差异在于，图5放大器500还包括匹配电路540，且放大器500的两个信号输出端RF_OUT与RF_OUT180可以连接至放大器500外部的双平衡混频器(double balancemixer)550。详细来说，匹配电路540包括电感器LC1与电容器CL1。电感器LC1的一端耦接信号输入端RF_In，电感器LC1的另一端耦接电容器CL1的一端。电容器CL1的另一端耦接叠接放大器电路110的输入端IN1。匹配电路540的功用是用来消除信号输入端RF_In上的直流偏压，也同时用于调整输入阻抗的匹配。匹配电路540亦可以应用在本发明实施例中的所有放大器结构中。
图5放大器500为双端输出型/差动输出型放大器。电容器C21的两端耦接至负载电路130的第一端E1以及放大器500的信号输出端RF_OUT与RF_OUT180的其中之一。电容器C22的两端耦接至负载电路130的第二端E2以及放大器500的信号输出端RF_OUT与RF_OUT180中的另一个。为使信号输出端RF_OUT与RF_OUT180上的两个信号能相互调整而达成输出振幅的平衡，放大器500的两个信号输出端RF_OUT与RF_OUT180可以连接至放大器500外部的双平衡混频器550。双平衡混频器550可平衡信号输出端RF_OUT与RF_OUT180上的两个信号的输出振幅。由于双平衡混频器550并非设置于放大器500内部而是设置在放大器500外部，因此双平衡混频器550以虚线方框呈现。
图6是依照本发明第五实施例的一种放大器600的电路图。放大器600是双端输入型及双端输出型的放大器。除了图1放大器100的原有架构(亦即，信号输入端RF_In1、信号输出端RF_OUT、RF_OUT180、叠接放大器电路110、叠接放大器电路120、电容器C1及负载电路130)以外，放大器600更包括信号输入端RF_In2、叠接放大器电路610、叠接放大器电路620以及电容器C3。信号输入端RF_In2用来接收第二输入信号(例如，射频信号)。信号输入端RF_In1所接收的第一输入信号与信号输入端RF_In2所接收的第二输入信号互为差动信号。
叠接放大器电路610包括输入端IN5、输入端IN6、输出端OUT4以及输出端OUT5。输入端IN5耦接至信号输入端RF_In2以接收第二输入信号，且输出端OUT5耦接负载电路130的第一端E1。输入端IN1与输入端IN5还可耦接至偏压端DC_bias2，以对输入端IN1与IN5提供稳定的直流偏压。
详细来说，叠接放大器电路610包括晶体管T5及晶体管T6。晶体管T5的控制端耦接输入端IN5。晶体管T5的第一端接收参考电压Vref1。晶体管T5的第二端耦接输出端OUT4。晶体管T6的控制端耦接输入端IN6。晶体管T6的第一端耦接晶体管T5的第二端。晶体管T6的第二端耦接输出端OUT5。
叠接放大器电路620包括输入端IN7、输入端IN8以及输出端OUT6。输入端IN7耦接输出端OUT4。输出端OUT6耦接输入端IN6以及负载电路130的第二端E2。详细来说，叠接放大器电路620包括晶体管T7及晶体管T8。晶体管T7的控制端耦接输入端IN7，晶体管T7的第一端接收参考电压Vref1。晶体管T8的控制端耦接输入端IN8，晶体管T8的第一端耦接晶体管T7的第二端，晶体管T8的第二端耦接输出端OUT6。电容器C3的两端分别耦接输入端IN8以及输出端OUT4。
放大器600还包括频带调整电路660。频带调整电路660的第一端与第二端分别耦接负载电路130的第一端E1与第二端E2。详细来说，频带调整电路660包括电容器C4、开关SW1及电容器C5。电容器C4的第一端耦接负载电路130的第一端E1。开关SW1的第一端耦接电容器C4的第二端。电容器C5的第一端耦接开关SW1的第二端。电容器C5的第二端耦接负载电路130的第二端E2。藉此，便可透过频带调整电路660中开关SW1的导通或截止来调整放大器600的中心频率。
本实施例的放大器600为双端输入、双端输出型态，也可依照应用本实施例者的需求调整为双端输入、单端输出型态(如，仅具备信号输出端RF_OUT或RF_OUT180其中之一)。当放大器600为双端输出时，信号输出端RF_OUT及RF_OUT180也可耦接至设置于放大器600外部的双平衡混频器，以平衡信号输出端RF_OUT与RF_OUT180上的两个信号的输出振幅。
上述图1至图6中的晶体管皆是以多个N型晶体管来实现。为了详加说明本发明实施例，在此利用P型晶体管来实现符合本发明的放大器。图7是依照本发明第六实施例的一种放大器700的电路图。放大器700属于单端输入、双端输出型放大器。
放大器700包括信号输入端RF_In、至少一个信号输出端(例如，信号输出端RF_OUT、RF_OUT180)、叠接放大器电路710、叠接放大器电路720、电容器C6及负载电路730。信号输入端RF_In用来接收第一输入信号。叠接放大器电路710主要包括晶体管M1与M2，叠接放大器电路720主要包括晶体管M3与M4。本实施例的晶体管M1～M4皆为P型晶体管。此外，本实施例中的P型晶体管的第一端为源极端，P型晶体管的第二端为漏极端，且P型晶体管的控制端为栅极端。图1放大器100中的晶体管T1～T4与图7放大器700中的晶体管M1～M4的连接关系相似。不同之处在于，图7放大器700中与晶体管M1与M3相耦接的参考电压Vref1是以电源电压作为范例；图7放大器700中的负载电路730所耦接的参考电压Vref2是以接地电压作为范例。
叠接放大器电路710包括输入端IN1、输入端IN2、输出端OUT1以及输出端OUT2。输入端IN1耦接至信号输入端RF_In以接收所述第一输入信号。叠接放大器电路720包括输入端IN3、输入端IN4以及输出端OUT3。此外，输入端IN1还可耦接至偏压端DC_bias4，以对输入端IN1提供稳定的直流偏压。
输入端IN3耦接输出端OUT1。输出端OUT3耦接输入端IN2。此外，输入端IN4还可耦接至偏压端DC_bias3，以对输入端IN4提供稳定的直流偏压。于本实施例中，偏压端DC_bias4上的直流电压值大于偏压端DC_bias3上的直流电压值。应用本实施例者可依其需求来调整偏压端DC_bias3与DC_bias4上的直流电压值，例如，将偏压端DC_bias4上的直流电压值调整为小于或等于偏压端DC_bias3上的直流电压值。负载电路730包括负载元件732及734，且负载电路730的实现方式可参阅图1至图4E的负载电路各种态样。图7中放大器700的电路结构及功用与图1放大器100相近似，在此不予赘述。
图8A与图8B是图1放大器100与现有的放大器相比较的示意图。图8A呈现出图1放大器100与采用差动放大器实现的现有的放大器的信号增益之间的比较。图8A的曲线810为图1放大器100在不同输入信号的频率下的信号增益；曲线820为现有的放大器在不同输入信号的频率下的信号增益。从图8A可知，在每个输入信号的频率下，图1放大器100比现有的放大器具备较佳的信号增益。
图8B呈现出图1放大器100与现有的放大器的噪声指数(Noise Figure；NF)之间的比较。噪声指数的数值愈高，表示该放大器在相对频率的输入信号下具备较多的噪声(亦即，消除噪声的处理能力较差)；噪声指数的数值愈低，表示该放大器在相对频率的输入信号下具备较少的噪声(亦即，消除噪声的处理能力较佳)。图8B的曲线830为图1放大器100在不同输入信号的频率下的噪声指数；曲线840为现有的放大器在不同输入信号的频率下的噪声指数。从图8B可知，在每个输入信号的频率下，图1放大器100比现有的放大器具备较良好的噪声处理能力，并增强噪声消除的效果。
综上所述，本发明所述的放大器利用两组叠接放大器电路作为单端放大器以增加信号增益，从而使放大器具备良好的噪声处理效能及避免信号失真，例如，消除由晶体管所产生的噪声、利用叠接放大器的结构来增加信号增益。此外，也可将两个单端输入型放大器相结合以形成差动输入型/双端输入型放大器，以增加本发明的放大器的应用范围。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用来限定本发明，任何所属技术领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视前附的权利要求书所界定者为准。

Claims (11)

1.一种放大器，其特征在于，包括：
一第一信号输入端，用来接收一第一输入信号；
至少一信号输出端；
一第一叠接放大器电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端以及一第二输出端，所述第一输入端耦接至所述第一信号输入端以接收所述第一输入信号；
一第二叠接放大器电路，包括一第三输入端、一第四输入端以及一第三输出端，所述第三输入端耦接所述第一输出端，所述第三输出端耦接所述第二输入端；
一第一电容器，所述第一电容器的两端分别耦接所述第四输入端以及所述第一输出端；以及
一负载电路，包括一第一端与一第二端，所述负载电路的所述第一端耦接所述第三输出端，所述负载电路的所述第二端耦接所述第二输出端，所述负载电路的所述第一端与所述第二端的至少其中之一还耦接所述至少一信号输出端。
2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，其中所述第一叠接放大器电路包括：
一第一晶体管，所述第一晶体管的一控制端耦接所述第一输入端，所述第一晶体管的一第一端接收一第一参考电压，所述第一晶体管的一第二端耦接所述第一输出端；以及
一第二晶体管，所述第二晶体管的一控制端耦接所述第二输入端，所述第二晶体管的一第一端耦接所述第一晶体管的所述第二端，所述第二晶体管的一第二端耦接所述第二输出端。
3.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，其中所述第二叠接放大器电路包括：
一第三晶体管，所述第三晶体管的一控制端耦接所述第三输入端，所述第三晶体管的一第一端接收一第一参考电压；以及
一第四晶体管，所述第四晶体管的一控制端耦接所述第四输入端，所述第四晶体管的一第一端耦接所述第三晶体管的一第二端，所述第四晶体管的一第二端耦接所述第三输出端。
4.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，其中所述负载电路包括：
一第一负载元件，其第一端耦接所述负载电路的所述第一端；以及
一第二负载元件，其第一端耦接所述第一负载元件的一第二端，所述第二负载元件的一第二端耦接所述负载电路的所述第二端，其中所述第一负载元件的所述第二端及所述第二负载元件的所述第一端接收一第二参考电压。
5.如权利要求4所述的放大器，其特征在于，其中所述第一负载元件包括第一电感器、第一电阻器或是第五晶体管；所述第二负载元件包括第二电感器、第二电阻器或是第六晶体管。
6.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，其中所述负载电路的所述第一端耦接所述至少一信号输出端的其中之一，所述负载电路的所述第二端耦接所述至少一信号输出端的另一个，所述至少一信号输出端的其中之一以及所述至少一信号输出端的另一个还耦接一双平衡混频器。
7.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，还包括：
一第二信号输入端，用来接收一第二输入信号，其中所述第一输入信号与所述第二输入信号互为差动信号；
一第三叠接放大器电路，包括一第五输入端、一第六输入端、一第四输出端以及一第五输出端，所述第五输入端耦接至所述第二信号输入端以接收所述第二输入信号，且所述第五输出端耦接所述负载电路的所述第一端；
一第四叠接放大器电路，包括一第七输入端、一第八输入端以及一第六输出端，所述第七输入端耦接所述第四输出端，所述第六输出端耦接所述第六输入端以及所述负载电路的所述第二端；以及
一第二电容器，所述第二电容器的两端分别耦接所述第八输入端以及所述第四输出端。
8.如权利要求7所述的放大器，其特征在于，其中所述第三叠接放大器电路包括：
一第七晶体管，所述第七晶体管的一控制端耦接所述第五输入端，所述第七晶体管的一第一端接收一第一参考电压，所述第七晶体管的一第二端耦接所述第四输出端；以及
一第八晶体管，所述第八晶体管的一控制端耦接所述第六输入端，所述第八晶体管的一第一端耦接所述第七晶体管的所述第二端，所述第八晶体管的一第二端耦接所述第五输出端。
9.如权利要求7所述的放大器，其特征在于，其中所述第四叠接放大器电路包括：
一第九晶体管，所述第九晶体管的一控制端耦接所述第七输入端，所述第九晶体管的一第一端接收一第一参考电压；以及
一第十晶体管，所述第十晶体管的一控制端耦接所述第八输入端，所述第十晶体管的一第一端耦接所述第九晶体管的一第二端，所述第十晶体管的一第二端耦接所述第六输出端。
10.如权利要求7所述的放大器，其特征在于，还包括：
一频带调整电路，其第一端与第二端分别耦接所述负载电路的所述第一端与所述第二端，以调整所述放大器的中心频率。
11.如权利要求10所述的放大器，其特征在于，所述频带调整电路包括：
一第三电容器，其第一端耦接所述负载电路的所述第一端；
一开关，其第一端耦接所述第三电容器的一第二端；以及
一第四电容器，其第一端耦接所述开关的一第二端，所述第四电容器的一第二端耦接所述负载电路的所述第二端。
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