CN110416782A - 一种充电触点组合结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式公开了一种充电触点组合结构，包括：磁铁基材，表面设有第一镀层；罩盖，表面设有第二镀层，且套设在磁铁基材外，用于将磁铁基材与外部电源导通并传导磁铁基材的磁性；第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层。本发明实施方式分别在磁铁基材和罩盖表面设有第一镀层和第二镀层，第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层以及抗人工汗液电解金属层；这样不仅能够使充电触点组合结构表面具有好的平整度及光滑度，而且可以保护充电触点组合结构中的磁铁基材SMT后通过盐雾测试、人工汗液静态测试和充电人工汗液电解测试。解决了现有技术充电触点组合结构中的磁铁不能SMT或SMT后不能充电的问题。

Description

一种充电触点组合结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及充电装置技术领域，尤其涉及一种充电触点组合结构及其制备方法。
背景技术
目前智能穿戴产品的常用充电方式包括连接器方式和充电触点加弹片或连接器(Pogo pin)的方式；例如，蓝牙无线耳机及充电盒就是采用的Pogo pin充电方式。其中充电触点的基材以及电镀方案经常会遇到两个难题：第一，传统磁铁电镀镀层后不能做表面贴装(Surface Mounted Technology，SMT)焊接；第二，充电时产品上触点承受摩擦力同时，也会受到在有汗液的状态下电流的电解作用，出现镀层脱落的现象，镀层脱落后内部极易氧化的磁性材料暴露出来，进而导致磁性材料被氧化腐蚀，因此降低了充电触点的导通性能。
现有技术中充电触点组合结构的镀层有Ni-Cu-Ni镀层、Cu-Ni镀层，Cu镀层，以及Ni-Cu-Ni-Au-Ag-Pd-Au镀层。然而具有Ni-Cu-Ni镀层、Cu-Ni镀层或Cu镀层的充电触点组合结构存在如下几个问题：1)在SMT时表面镀层容易爆裂；2)不能通过盐雾测试和人工汗液静态测试；3)若在SMT后进行充电人工汗液电解测试在1分钟内所有镀层会电解掉造成无法充电。具有Ni-Cu-Ni-Au-Ag-Pd-Au镀层的充电触点组合结构不能很好的通过人工汗液电解测试，例如在SMT后进行充电人工汗液电解测试在1分钟内所有镀层会电解掉造成无法充电。
发明内容
鉴于此，本发明的实施方式提供一种充电触点组合结构及其制备方法，以使所述充电触点组合结构能够有效通过盐雾测试、人工汗液静态测试和人工汗液电解测试。
为实现上述目的，本发明实施方式第一方面提供一种充电触点组合结构。该充电触点组合结构，包括：磁铁基材，表面设有第一镀层；罩盖，表面设有第二镀层，且套设在所述磁铁基材外，用于将所述磁铁基材与外部电源导通并传导所述磁铁基材的磁性。其中，所述第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层。
进一步，所述的充电触点组合结构，还包括：印刷电路板；所述磁铁基材和所述罩盖均通过表面贴装连接至所述印刷电路板上。
进一步，所述抗人工汗液电解金属层为Rh、Ru，或RhRu合金镀层；更进一步，所述抗人工汗液电解金属层为RhRu合金镀层；再进一步，所述抗人工汗液电解金属层的厚度为0.75μ-1μ。
进一步，所述金属阻挡层为Pd镀层、Pt镀层、PdCo镀层、PdPt镀层、PdAg镀层、PdAu镀层，或PdIn镀层；更进一步，所述金属阻挡层为Pd镀层；再进一步，所述金属阻挡层的厚度为0.75μ-1μ。
进一步，所述第二镀层还包括：设置在抗人工汗液电解金属层上的易焊接金属层，所述易焊接金属层为Au、Sn、CuSnZn，或SnAg镀层；更进一步，所述易焊接金属层为Au镀层；再进一步，所述易焊接金属层的厚度为0.125μ-0.25μ。
进一步，所述第二镀层还包括：设置在所述金属阻挡层和抗人工汗液电解金属层之间的导电金属层，所述导电金属层为Ag、SnAg、CuSnZn，或Au镀层；更进一步，所述导电金属层为Au镀层；再进一步，所述导电金属层的厚度为0.5μ-0.75μ。
进一步，所述第一镀层从里到外依次为焦铜层和镍层；更进一步，所述焦铜层的厚度为18μ-20μ，所述镍层的厚度为5-8μ。
进一步，所述酸铜层被所述酸镍层取代；更进一步，所述酸铜层的厚度为3-5μ。
进一步，所述第一镀层和第二镀层均是最外层进行了封孔处理的镀层；所述第一镀层的最外层是指镍层，所述第二镀层的最外层是指抗人工汗液电解金属层或电镀在抗人工汗液电解金属层上的其他金属镀层。
进一步，所述罩盖的材质为不锈钢基材，所述磁铁基材为钕铁硼或钐钴；更进一步，所述罩盖的材质为SUS430基材。
本发明实施方式第二方面提供一种由本发明实施方式第一方面所述充电触点组合结构的制备方法，包括：
选取第一特定规格的所述磁铁基材；在所述磁铁基材表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第一镀层的磁铁基材；
选取第二特定规格的罩盖；在所述罩盖表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第二镀层的罩盖；
将所述具有第二镀层的罩盖套设在所述具有第一镀层的磁铁基材的外表面，使所述具有第一镀层的磁铁基材的上表面与所述具有第二镀层的罩盖的内部上表面通过HONDE9736胶水相连接，得到待充磁的充电触点组合结构；
对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
进一步，对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，具体包括：
将所述待充磁的充电触点组合结构表面贴装至所述印刷电路板中，然后对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
本发明实施方式与现有技术相比具有如下有益效果：
1、本发明实施方式在磁铁基材表面设有第一镀层，在罩盖表面设有第二镀层并且第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层；这样不仅能够使充电触点组合结构表面具有好的平整度及光滑度，而且可以保护充电触点组合结构中的磁铁基材SMT后通过盐雾测试、人工汗液静态测试和充电人工汗液电解测试；解决了现有技术充电触点组合结构中的磁铁不能SMT或SMT后不能充电的问题。
2、本发明实施方式将具有第二镀层的罩盖套设在具有第一镀层的磁铁基材表面，不仅保护了磁铁基材，而且将磁铁基材和罩盖合并在同一结构中，既具有吸磁功能又具有充电功能，从而缩小了充电触点组合结构的空间，为产品瘦身实现了新的技术突破。
3、本发明实施方式将具有第一镀层的磁铁基材和具有第二镀层的罩盖组装后SMT至印刷电路板，然后再进行充磁处理，这样不仅可解决传统带磁磁铁SMT时吸附其他件器件的问题，而且可解决带磁磁铁在SMT时出现的高温退磁的问题，方便充电触点组合结构SMT至印刷电路板上。
附图说明
图1为本发明实施例1中充电触点组合结构的剖视图；
图2为本发明实施例1中SUS430罩盖上第二镀层的示意图；
图3为本发明实施例1中钕铁硼上的第一镀层示意图；
图4为本发明实施例2中充电触点组合结构的示意图；
图5为本发明实施例2中充电触点组合结构的剖视图；
图6为本发明实施例7中人工汗液电解测试的原理图。
其中，10、钕铁硼，20、第二镀层，201、酸铜层，202、Pd镀层，203、第一Au镀层，204、RhRu合金镀层，205、第二Au镀层，30、SUS430罩盖，40、印刷电路板，50、第一镀层，501、焦铜层，502、镍层。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施方式在第一方面提供一种充电触点组合结构，磁铁基材，表面设有第一镀层；罩盖，表面设有第二镀层，且套设在所述磁铁基材外，用于将所述磁铁基材与外部电源导通并传导所述磁铁基材的磁性；其中，所述第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层。
本发明实施方式在所述罩盖的表面电镀酸铜层，一方面是为了利用酸铜层延展性好的性能使罩盖表面光滑平整，降低罩盖表面的粗糙度，提高其他金属镀层的附着力；另一方面是可控制第二镀层的光哑度，使充电触点组合结构表面光哑度达到所需要求。金属阻挡层具有高的致密度，在酸铜层上电镀金属阻挡层，一方面是为了有效防止罩盖表面的Cu层释放扩散到其他金属镀层中，进而影响其他金属镀层的性能；另一方面是为了提高第二镀层的耐盐雾和耐人工汗液静态测试。在金属阻挡层外电镀抗人工汗液电解金属层，抗人工汗液电解金属层为Rh、Ru，或RhRu合金镀层；这是为了增强罩盖耐盐雾测试、耐人工汗液静态测试及充电时人工汗液电解测试的性能。在本实施方式中，电镀过程均可以采用的常规电镀工艺实现。
在进一步的实施方式中，所述的充电触点组合结构，还包括：印刷电路板；所述磁铁基材和所述罩盖均通过表面贴装连接至所述印刷电路板上。
本发明实施方式将具有第二镀层的罩盖套设在具有第一镀层的磁铁基材表面，从而使磁铁基材和罩盖合并在同一结构中，既具有吸磁功能又具有充电功能，进而缩小了充电触点组合结构的空间。另外，通过在罩盖的表面上依次设有酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层，从而保护磁铁基材，使其通过盐雾测试、人工汗液静态测试和人工汗液电解测试。
在进一步的实施方式中，为了使具有第二镀层的罩盖具有良好的耐人工汗液电解测试性能，所述抗人工汗液电解金属层为RhRu合金镀层。
在进一步的实施方式中，所述抗人工汗液电解金属层的厚度为0.75μ-100μ(例如0.75、0.8、0.85、0.9、1、10或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述抗人工汗液电解金属层的厚度为0.75μ-1μ(例如0.75、0.8、0.85、0.9或1μ)。
在进一步的实施方式中，为了有效防止罩盖表面的Cu层释放扩散到其他金属镀层中，进而影响其他金属镀层的性能；所述金属阻挡层为Pd镀层、Pt镀层、PdCo镀层、PdPt镀层、PdAg镀层、PdAu镀层，或PdIn镀层。在更进一步的实施方式中，为了提高罩盖的耐盐雾测试和耐人工汗液静态测试的性能；所述金属阻挡层为Pd镀层。由于所述Pd镀层具有耐热性，进而能够防止罩盖表面的第二镀层出现爆裂现象。
在进一步的实施方式中，所述金属阻挡层的厚度为0.4μ-100μ(例如0.4、0.6、0.63、0.65、0.7、0.8、1、10、50或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述金属阻挡层的厚度为0.75μ-1μ(例如0.75、0.8、0.85、0.9或1μ)。
在进一步的实施方式中，所述第二镀层还包括：设置在抗人工汗液电解金属层上的易焊接金属层。为了提高SMT时第二镀层与焊锡的焊接性能，所述易焊接金属层为Au、Sn、CuSnZn，或SnAg镀层。在更进一步的实施方式中，为了提高第二镀层的导电性、焊接性、耐盐雾测试和耐人工汗液静态测试的性能，所述易焊接金属层为Au镀层。Au镀层提高了第二镀层的焊接性能，是由于SMT是焊锡能够很容易的浸润到Au镀层，从而有利于快速地实现焊接。
在进一步的实施方式中，所述易焊接金属层的厚度为0.125μ-100μ(例如0.125、0.15、0.18、0.20、0.25、10或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述易焊接金属层的厚度为0.125μ-0.25μ(例如0.125、0.15、0.18、0.20或0.25μ)。
在进一步的实施方式中，所述第二镀层还包括：设置在所述金属阻挡层和抗人工汗液电解金属层之间的导电金属层。为了提高第二镀层的导电性，所述导电金属层为Ag、SnAg、CuSnZn，或Au镀层。在更进一步的本实施方式中，所述导电金属层为Au镀层。选用Au镀层作为导电金属镀层，一方面是由于Au镀层具有阻抗小和导电性好的特点；另一方面Au镀层可以提高第二镀层的耐盐雾测试和耐人工汗液静态测试的性能。
在进一步的实施方式中，所述导电金属层的厚度为0.3μ-100μ(例如0.3、0.5、0.6、0.63、0.65、0.7、0.75、1、10、50或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述导电金属层的厚度为0.5μ-0.75μ(例如0.5、0.6、0.63、0.65、0.7或0.75μ)。
在进一步的实施方式中，所述第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层。在磁铁基材表面电镀焦铜层是因为Cu的材质软，在小尺寸的磁铁基材上容易电镀均匀，且表面气泡、爆边等问题少。在焦铜层上电镀Ni层，一方面是为了保护焦铜层铜不被氧化，另一方面是为了在SMT时使磁铁基材与焊锡容易焊接，即提高焊接性能。
在进一步的实施方式中，所述焦铜层的厚度为3μ-100μ(例如3、5、10、20、50或100μ)，所述Ni层的厚度为5μ-100μ(例如5、8、10、20、50或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述焦铜层的厚度为18μ-20μ(例如18、18.5、19、19.5或20μ)，所述Ni层的厚度为5μ-8μ(例如5、5.5、6、6.5、7、7.5或8μ)。
在进一步的实施方式中，所述酸铜层的厚度为2μ-100μ(2、5、10、20、50或100μ)；在更进一步的实施方式中，所述酸铜层的厚度为3μ-5μ(例如3、3.5、4、4.5或5μ)；所述酸铜层能被所述酸镍层所替换。
在进一步的实施方式中，所述第一镀层和第二镀层均是最外层进行了封孔处理的镀层；所述第一镀层的最外层是指镍层，所述第二镀层的最外层是指抗人工汗液电解金属层或易焊接金属镀层。在第一镀层中的Ni层上进行封孔处理不仅可以保护Ni层不被氧化，提高SMT时第一镀层的焊接效果；而且可以避免空气通过微孔氧化磁铁基材，进而防止SMT时磁铁基材表面的第一镀层发生爆裂现象。在第二镀层中的上进行封孔处理可以保护抗人工汗液电解金属层或易焊接金属镀层不被氧化，提高SMT时第二镀层的焊接效果。
在进一步的实施方式中，为了提高罩盖的导磁性，罩盖的材质选取为不锈钢基材；为了提高磁铁基材的磁性，磁铁基材选用为钕铁硼或钐钴。在更进一步实施方式中，所述罩盖的材质为SUS430基材；这是由于SUS430基材的阻磁性小，导磁性好。
本发明实施方式的充电触点组合结构在现市场上耳机、手表、眼镜或VR等可穿戴设备以及电子烟等电子产品中，首次实现了磁铁直接磁吸充电的功能，将传统的磁铁与充电POGO PIN结构合二为一，为产品瘦身实现了新的技术突破。
本发明实施方式通过在罩盖表面设有第二镀层，可保护磁铁基材SMT后通过盐雾测试、人工汗液静态测试、人工汗液电解测试；因此实现了可穿戴产品或电子产品的充电触点组合结构与充电盒的充电触点组合结构(充电盒里有充电触点组合结构，且该充电触点组合结构与产品的充电触点组合结构形成磁吸充电)在有人体汗液的状态下长时间充电正常工作，大大延长了可穿戴产品或电子产品与充电盒的使用寿命。
本发明实施方式第二方面提供一种由本发明实施方式第一方面所述充电触点组合结构的制备方法，包括如下步骤：
选取第一特定规格的所述磁铁基材；在所述磁铁基材表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第一镀层的磁铁基材；
选取第二特定规格的罩盖；在所述罩盖表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第二镀层的罩盖；
将所述具有第二镀层的罩盖套设在所述具有第一镀层的磁铁基材的外表面，使所述具有第一镀层的磁铁基材的上表面与所述具有第二镀层的罩盖的内部上表面通过HONDE9736胶水相连接，得到待充磁的充电触点组合结构；
对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
在本实施方式中，封孔处理是指利用封孔剂对最外层镀层表面上的微孔进行封孔处理。
在进一步实施方式中，对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，具体包括：将所述待充磁的充电触点组合结构表面贴装至所述印刷电路板中，然后对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
本发明实施方式将具有第一镀层的磁铁基材和具有第二镀层的罩盖组装后SMT至印刷电路板，然后再对磁铁基材进行充磁处理；解决了传统充电触点组合结构充磁后进行SMT时出现的高温退磁以及相互吸引的问题，方便充电触点组合结构SMT至印刷电路板上。
实施例1
图1为本发明实施例1中充电触点组合结构的剖视图；图2为本发明实施例1中SUS430罩盖上第二镀层的示意图；图3为本发明实施例1中钕铁硼上的第一镀层示意图。一种充电触点组合结构，包括：钕铁硼10和SUS430罩盖30；SUS430罩盖30套设在钕铁硼10外，用于将钕铁硼10与外部电源导通并传导钕铁硼10的磁性。钕铁硼10表面设有第一镀层50，第一镀层50从里到外依次为焦铜层501和Ni层502，焦铜层501的厚度为18μ-20μ；Ni层502的厚度为5μ-8μ。SUS430罩盖30表面设有第二镀层20，第二镀层20从里到外依次为酸铜层201、Pd镀层202、第一Au镀层203、RhRu合金镀层204以及第二Au镀层205；第二镀层20中酸铜层201的厚度为3-5μ，Pd镀层202的厚度为0.75μ-1μ，第一Au镀层203的厚度为0.5μ-0.75μ，RhRu合金镀层204的厚度为0.75μ-1μ，第二Au镀层205的厚度为0.125μ-0.25μ，第二Au镀层205是封孔处理后的镀层。
一种充电触点组合结构的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：具有第一镀层的磁铁基材的制备
1)将所述钕铁硼毛胚用胶水粘贴到切割板上，然后采用切割机进行切割，得方条状钕铁硼。其中，胶水为502胶水。
2)将粘在切割板上的方条状钕铁硼和水加入至煮料桶内，水加热至沸腾后进行煮料；当方条状钕铁硼上的胶水煮开时，将方条状钕铁硼取出并利用烘干机烘干；对方条状钕铁硼的规格进行质量检测。
3)将检测通过的方条状钕铁硼利用滚圆机滚圆，制得圆柱形钕铁硼；对圆柱形钕铁硼的规格进行质量检测。
4)将检测通过的多根圆柱形钕铁硼的一端对齐，然后将对齐的一端通过胶水粘贴至切割板上，多根圆柱形钕铁硼之间用胶水粘牢，在圆柱形钕铁硼的长度方向上采用切割机进行切割，得准圆柱形钕铁硼；对准圆柱形钕铁硼进行质量检测；其中，准圆柱形钕铁硼是指特定长度的圆柱形钕铁硼。
5)将检测通过的准圆柱形钕铁硼和水加入至煮料桶内，水加热至沸腾后进行煮料；当准圆柱形钕铁硼上的胶水煮开时，将准圆柱形钕铁硼取出并利用烘干机烘干。对烘干后的准圆柱形钕铁硼进行质量检测。
6)对检测通过的准圆柱形钕铁硼用∮5mm的磨粒导角；将导角后的准圆柱形钕铁硼进行酸洗，然后超声波清洗；得第一特定规格的钕铁硼。其中酸洗的溶液为硝酸，体积浓度为5％，酸洗时间为30S。其中第一特定规格的钕铁硼是指表面干净和具有特定尺寸的钕铁硼。
7)在第一特定规格的钕铁硼上进行电镀，依次焦铜层和镍层；然后在镍层上利用封孔剂进行封孔处理，得具有第一镀层的钕铁硼。
8)检测第一镀层的厚度、外观及尺寸，然后将检测通过的具有第一镀层的钕铁硼真空包装。其中，第一镀层外观检测标准是：第一镀层表面不能有崩缺，烧焦，破裂，起皮，起皱、刀纹等不良现象，第一镀层需均匀，表面需平整。具有镀层的钕铁硼整体尺寸需控制在+/-0.05mm的公差范围内。
步骤2：具有第二镀层的SUS430罩盖
1)在车床上将棒状SUS430基材直径尺寸车成罩盖所需的外形直径尺寸；然后将SUS430基材置于车床上，并在SUS430基材内部车出用于放置磁铁基材的圆槽，然后用车床对车出后SUS430罩盖的外形与内圆边倒角去毛刺，最后按照罩盖的高度尺寸将罩盖从棒状SUS430基材上切割下来，得SUS430罩盖。
2)用磨床将SUS430罩盖的外端面磨平；然后对其规格和外观进行检测。
3)将检测通过的SUS430罩盖进行酸洗，然后超声波清洗，得第二特定规格的SUS430罩盖；在第二特定规格的SUS430罩盖表面进行电镀，依次镀酸铜层、Pd镀层、第一Au镀层、RhRu合金镀层以及第二Au镀层。将最外层的镀层用封孔剂进行封孔处理，得具有第二镀层的SUS430罩盖。其中酸洗与超声波清洗主要是为了去除SUS430罩盖上的杂质与油污；酸洗的溶液为硫酸，体积浓度为8％，酸洗时间为60s。
4)检验具有第二镀层的SUS430罩盖的厚度、外观及尺寸，然后将检测通过的具有第二镀层的SUS430罩盖真空包装。其中具有第二镀层的SUS430罩盖外观检测标准是：表面光滑无刀纹、无变形、平整度≤0.1mm，第二镀层表面不能有烧焦，破裂，起皮等不良现象。
步骤3：将具有第一镀层的钕铁硼用HONDE 9736胶水粘贴到具有第二镀层的SUS430罩盖内，使钕铁硼的上表面与SUS430罩盖的内部上表面相连接，然后载带包装；得到待充磁的充电触点组合结构。其中，载带包装是指将电镀好的产品按摆放要求放入载带的孔槽内，用透明上膜覆盖住产品，上膜边缘自带胶粘到载带上，同时将载带卷到载带盘上，包装完成后用上膜多卷几圈将载带固定到载带盘上，防止载带松开脱落。
步骤4：对待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
在本实施例中，由于电镀厂空气的酸性大，因此采用真空包装一方面可防止具有第一镀层的钕铁硼或具有第二镀层的SUS430罩盖在存储及运输过程中被酸性气体所腐蚀；另一方面真空包装还可防止具有第一镀层的钕铁硼或具有第二镀层的SUS430罩盖在运输过程中散落漏出。
本实施例中电镀工艺的实现方法：将准圆柱形钕铁硼或SUS430罩盖与陪镀钢球一起放入电镀池中，加电流进行电镀。陪镀钢球主要是为了防止小尺寸准圆柱形钕铁硼或SUS430罩盖出现叠片现象，以及通过电流小时出现镀层不均匀的问题。每一镀层有对应的电镀池，每一镀层镀完后均需测镀层的膜厚，镀层厚度达到所需要求后再放入下一电镀池，按顺序依次进行电镀。
现有技术中磁铁跟铜材质POGO PIN分开，磁铁组装到壳体内起到磁吸作用，铜材质POGO PIN组装到壳体上起到充电作用；本实施例钕铁硼和SUS430罩盖结合的方案是将磁铁与罩盖合并到同一结构空间，既可以实现磁吸功能又可以实现充电功能，而且还可以缩小了充电触点组合结构。本实施例在磁铁基材表面设有第一镀层Cu-Ni，在罩盖表面设有第二镀层Cu-Pd-Au-RhRu-Au；从而使充电触点组合结构表面具有好的平整度及光滑度，而且还可以保护充电触点组合结构通过盐雾测试、人工汗液静态测试和充电人工汗液电解测试。
实施例2
图4为本发明实施例2中充电触点组合结构的示意图；图5为本发明实施例2中充电触点组合结构的剖视图。一种充电触点组合结构，包括：钕铁硼10，SUS430罩盖30和印刷电路板40；SUS430罩盖30套设在钕铁硼10外，用于将钕铁硼10与外部电源导通并传导所述钕铁硼10的磁性；钕铁硼10和SUS430罩盖30均通过表面贴装连接至印刷电路板40上。钕铁硼表面设有第一镀层，第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层，焦铜层的厚度为18μ-20μ；Ni层的厚度为5μ-8μ。SUS430罩盖表面设有第二镀层，第二镀层从里到外依次为酸铜层、Pd镀层、第一Au镀层、RhRu合金镀层以及第二Au镀层；第二镀层中酸铜层的厚度为3-5μ，Pd镀层的厚度为0.75μ-1μ，第一Au镀层的厚度为0.5μ-0.75μ，RhRu合金镀层的厚度为0.75μ-1μ，第二Au镀层的厚度为0.125μ-0.25μ，第二Au镀层是封孔处理后的镀层。
一种充电触点组合结构的制备方法同实施例1，唯一不同的是，步骤4不同于实施例1。
步骤4：将待充磁的充电触点组合结构SMT至印刷电路板中，然后对待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得充电触点组合结构。
本实施例在钕铁硼表面设有第一镀层Cu-Ni，在SUS430罩盖表面设有第二镀层Cu-Pd-Au-RhRu-Au；而后将未充磁钕铁硼与SUS430罩盖一起SMT到印刷电路板中，最后进行充磁。这样可以保护充电触点组合结构中的磁铁SMT后通过盐雾测试、人工汗液静态测试和充电人工汗液电解测试。解决了现有技术充电触点组合结构中的磁铁不能SMT或SMT后不能充电的问题。
实施例3
一种充电触点组合结构，包括：钕铁硼，SUS430罩盖和印刷电路板；SUS430罩盖套设在钕铁硼外，用于将所述钕铁硼与外部电源导通并传导所述钕铁硼的磁性；钕铁硼和SUS430罩盖均通过表面贴装连接至印刷电路板上。钕铁硼表面设有第一镀层，第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层，焦铜层的厚度为18μ-20μ；Ni层的厚度为5μ-8μ。罩盖表面设有第二镀层，第二镀层从里到外依次为酸铜层、Pd镀层、RhRu合金镀层；第二镀层中酸铜层的厚度为3-5μ，Pd镀层的厚度为0.75μ-1μ，RhRu合金镀层的厚度为0.75μ-1μ，RhRu合金镀层是封孔处理后的镀层。
制备方法同实施例1，唯一不同的是：步骤2中的3)和步骤4。
步骤2:3)将检测通过的SUS430罩盖先进行酸洗，然后超声波清洗，得第二特定规格的SUS430罩盖；在第二特定规格的SUS430罩盖表面进行电镀，依次镀酸铜层、Pd镀层、RhRu合金镀层。将最外层的镀层用封孔剂进行封孔处理，得具有第二镀层的SUS430罩盖。其中酸洗与超声波清洗主要是为了去除SUS430罩盖上的杂质与油污；酸洗的溶液为硫酸，体积浓度为8％，酸洗时间为60s。
步骤4：将待充磁的充电触点组合结构SMT至印刷电路板中，然后对待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得充电触点组合结构。
实施例4
一种充电触点组合结构，包括：钕铁硼，SUS430罩盖和印刷电路板；SUS430罩盖套设在钕铁硼外，用于将钕铁硼与外部电源导通并传导所述钕铁硼的磁性；钕铁硼和SUS430罩盖均通过表面贴装连接至印刷电路板上。钕铁硼表面设有第一镀层，第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层，焦铜层的厚度为18μ-20μ；Ni层的厚度为5μ-8μ。罩盖表面设有第二镀层，第二镀层从里到外依次为镀酸铜层、Pd镀层、RhRu合金镀层，以及Au镀层；第二镀层中酸铜层的厚度为3-5μ，Pd镀层的厚度为0.75μ-1μ，RhRu合金镀层的厚度为0.75μ-1μ，Au镀层的厚度为0.125μ-0.25μ，Au镀层是封孔处理后的镀层。
制备方法同实施例1，唯一不同的是：步骤2中的3)和步骤4。
步骤2:3)将检测通过的SUS430罩盖先进行酸洗，然后超声波清洗，得第二特定规格的SUS430罩盖；在第二特定规格的SUS430罩盖表面进行电镀，依次镀酸铜层、Pd镀层、RhRu合金镀层以及Au镀层。将最外层的镀层用封孔剂进行封孔处理，得具有第二镀层的SUS430罩盖。其中酸洗与超声波清洗主要是为了去除SUS430罩盖上的杂质与油污；酸洗的溶液为硫酸，体积浓度为8％，酸洗时间为60s。
步骤4：将待充磁的充电触点组合结构SMT至印刷电路板中，然后对待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得充电触点组合结构。
实施例5
一种充电触点组合结构，包括：钕铁硼，SUS430罩盖和印刷电路板；SUS430罩盖套设在钕铁硼外，用于将所述磁铁基材与外部电源导通并传导所述磁铁基材的磁性；钕铁硼和SUS430罩盖均通过表面贴装连接至印刷电路板上。钕铁硼表面设有第一镀层，第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层，焦铜层的厚度为18μ-20μ；Ni层的厚度为5μ-8μ。罩盖表面设有第二镀层，第二镀层从里到外依次为酸铜层、Pd镀层、Au镀层、RhRu合金镀层；第二镀层中酸铜层的厚度为3-5μ，Pd镀层的厚度为0.75μ-1μ，Au镀层的厚度为0.5μ-0.75μ，RhRu合金镀层的厚度为0.75μ-1μ，RhRu合金镀层是封孔处理后的镀层。
制备方法同实施例1，唯一不同的是：步骤2中的3)和步骤4。
步骤2:3)将检测通过的SUS430罩盖进行酸洗，然后超声波清洗，得第二特定规格的SUS430罩盖；在第二特定规格的SUS430罩盖表面进行电镀，依次镀酸铜层、Pd镀层、Au镀层、RhRu合金镀层。将最外层的镀层用封孔剂进行封孔处理，得具有第二镀层的SUS430罩盖。其中酸洗与超声波清洗主要是为了去除SUS430罩盖上的杂质与油污；酸洗的溶液为硫酸，体积浓度为8％，酸洗时间为60s。
步骤4：将待充磁的充电触点组合结构SMT至印刷电路板中，然后对待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得充电触点组合结构。
实施例6
一种充电触点组合结构，包括：钐钴，罩盖和印刷电路板；罩盖套设在钐钴外，用于钐钴将与外部电源导通并传导所述磁铁基材的磁性；钐钴和SUS430罩盖均通过表面贴装连接至印刷电路板上。钐钴表面设有第一镀层，第一镀层从里到外依次为焦铜层和Ni层，焦铜层的厚度为18μ-20μ；Ni层的厚度为5μ-8μ。罩盖表面设有第二镀层，第二镀层从里到外依次为酸镍层、Pt镀层、SnAg镀层、Rh镀层，以及Sn镀层；第二镀层中酸镍层的厚度为3-5μ，Pt镀层的厚度为0.75μ-1μ，SnAg镀层的厚度为0.5μ-0.75μ，Rh镀层的厚度为0.75μ-1μ；Sn镀层0.125μ-0.25μ，Sn镀层是封孔处理后的镀层。
制备方法同实施例1，唯一不同的是：步骤2中的3)和步骤4。
步骤2:3)将检测通过的罩盖进行酸洗，然后超声波清洗，得第二特定规格的罩盖；在第二特定规格的罩盖表面进行电镀，依次镀酸镍层、Pt镀层、SnAg镀层、Rh镀层，以及Sn镀层。将最外层的镀层用封孔剂进行封孔处理，得具有第二镀层的罩盖。其中酸洗与超声波清洗主要是为了去除SUS430罩盖上的杂质与油污；酸洗的溶液为硫酸，体积浓度8％，酸洗时间为60s。
步骤4：将待充磁的充电触点组合结构SMT至印刷电路板中，然后对待充磁的充电触点组合结构内的钐钴进行充磁处理，得充电触点组合结构。
实施例7
图6为本发明实施例7中人工汗液电解测试的原理图。
1、人工汗液电解测试：
1)将适用于耳机的充电触点组合结构的pad端和适用于充电盒的充电触点组合结构的pin端分别用导线焊接；其中，充电触点组合结构进行了SMT的焊锡不能覆盖在测试接触面，保持测试接触面的清洁。
2)分别对两个充电触点组合结构的磁铁基材充磁，使充电触点组合结构的中pad端和pin端吸到一起(即与正常充电时pad端和pin端的接触状态一致)，得到一组充电触点组合结构。
3)将上述处理后的两组充电触点组合结构放在盛有人工汗液(PH4.7)的同一容器中，且两组充电触点组合结构能完全浸没在汗液中，以分别作为电解槽的正极和负极。正负极间距为1-3cm，将55Ω电阻串联于两组充电触点组合结构之间，并与电源连接成回路。
4)将电流调节到90mA(电压为5V左右)并进行稳流，接通回路，保持通电状态，每通电一分钟后断开电路，将靠近正极端的pad从人工汗液中取出，擦拭干净后在显微镜下观察镀层破损情况，若镀层为银色，则继续测试；若镀层出现发黑情况露出底层SUS430罩盖，则停止测试。
通过人工汗液电解测试的标准：要求镀层破损时间≥2min。
2、盐雾测试：
将充电触点组合结构置于盐雾机试验箱中，在温度35±2℃，湿度>85％条件下连续喷48小时盐雾浓度为5％的NaCl溶液，PH值6.5-7.2，喷雾压力1±0.3kg/cm2；测试结束后常温下放置2H晾干，再检查外观、功能；
通过盐雾测试的标准是：要求外观和功能同进行盐雾测试之前一样，没有变化。通常外观不能有生锈腐蚀变色现象。
3、人工汗液静态测试：
将充电触点组合结构置于人工汗液(酸性ph4.7)浸泡，浸泡后用无尘布包裹样品,并于60℃，90％的温湿度条件下放置48h，测试结束后常温下放置2H，再检查外观、功能；
标准：要求外观和功能同进行人工汗液静态测试之前一样，没有变化。通常外观不能有生锈腐蚀变色现象。
经验证，本实施例的充电触点组合结构均通过了上述人工汗液电解测试、盐雾测试和人工汗液静态测试。而且实施例2的充电触点组合结构耐人工汗液电解测试、盐雾测试和人工汗液静态测试的性能最优。
本发明的实施例将磁铁基材和罩盖分别进行了电镀，不仅保证了产品表面的平整度及光滑度，而且对保持产品的美观有极大帮助；对罩盖进行电镀可保护磁铁基材SMT后通过盐雾测试、人工汗液静态测试、人工汗液电解测试。
另外注意的是，如果没有特别说明，本发明所记载的任何范围包括端值以及端值之间的任何数值以及以端值或者端值之间的任意数值所构成的任意子范围。
在本说明书的描述中，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种充电触点组合结构，其特征在于，包括：
磁铁基材，表面设有第一镀层；
罩盖，表面设有第二镀层，且套设在所述磁铁基材外，用于将所述磁铁基材与外部电源导通并传导所述磁铁基材的磁性；
其中，所述第二镀层从里到外依次为酸铜层、金属阻挡层，以及抗人工汗液电解金属层。
2.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，还包括：印刷电路板；所述磁铁基材和所述罩盖均通过表面贴装连接至所述印刷电路板上。
3.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述抗人工汗液电解金属层为Rh、Ru，或RhRu合金镀层；优选地，所述抗人工汗液电解金属层为RhRu合金镀层；更优选地，所述抗人工汗液电解金属层的厚度为0.75μ-1μ。
4.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述金属阻挡层为Pd镀层、Pt镀层、PdCo镀层、PdPt镀层、PdAg镀层、PdAu镀层，或PdIn镀层；优选地，所述金属阻挡层为Pd镀层；更优选地，所述金属阻挡层的厚度为0.75μ-1μ。
5.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述第二镀层还包括：设置在抗人工汗液电解金属层上的易焊接金属层，所述易焊接金属层为Au、Sn、CuSnZn，或SnAg镀层；优选地，所述易焊接金属层为Au镀层；更优选地，所述易焊接金属层的厚度为0.125μ-0.25μ。
6.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述第二镀层还包括：设置在所述金属阻挡层和抗人工汗液电解金属层之间的导电金属层，所述导电金属层为Ag、SnAg、CuSnZn，或Au镀层；优选地，所述导电金属层为Au镀层；更优选地，所述导电金属层的厚度为0.5μ-0.75μ。
7.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述第一镀层从里到外依次为焦铜层和镍层；优选地，所述焦铜层的厚度为18μ-20μ，所述镍层的厚度为5μ-8μ。
8.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述酸铜层被所述酸镍层取代；优选地，所述酸铜层的厚度为3μ-5μ。
9.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述第一镀层和第二镀层均是最外层进行了封孔处理的镀层；所述第一镀层的最外层是指镍层，所述第二镀层的最外层是指抗人工汗液电解金属层或电镀在抗人工汗液电解金属层上的其他金属镀层。
10.根据权利要求1所述的充电触点组合结构，其特征在于，所述罩盖的材质为不锈钢基材，所述磁铁基材为钕铁硼或钐钴；优选地，所述罩盖的材质为SUS430基材。
11.一种如权利要求1至10任一项所述的充电触点组合结构的制备方法，其特征在于，包括：
选取第一特定规格的所述磁铁基材；在所述磁铁基材表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第一镀层的磁铁基材；
选取第二特定规格的罩盖；在所述罩盖表面进行电镀，形成镀层；在所述镀层表面进行封孔处理，得到具有第二镀层的罩盖；
将所述具有第二镀层的罩盖套设在所述具有第一镀层的磁铁基材的外表面，使所述具有第一镀层的磁铁基材的上表面与所述具有第二镀层的罩盖的内部上表面通过HONDE9736胶水相连接，得到待充磁的充电触点组合结构；
对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，具体包括：
将所述待充磁的充电触点组合结构表面贴装至所述印刷电路板中，然后对所述待充磁的充电触点组合结构内的磁铁基材进行充磁处理，得到充电触点组合结构。
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