CN110416424A - 一种量子点电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
一种量子点电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110416424A CN110416424A CN201910310324.8A CN201910310324A CN110416424A CN 110416424 A CN110416424 A CN 110416424A CN 201910310324 A CN201910310324 A CN 201910310324A CN 110416424 A CN110416424 A CN 110416424A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quanta point
- electroluminescent device
- quantum dot
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 6
- -1 carbazoles Compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims description 4
- 239000006210 lotion Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 claims description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 claims 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002866 fluorescence resonance energy transfer Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000002165 resonance energy transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004851 dishwashing Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical group [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
Description
技术领域
本发明涉及宽禁带半导体光电器件领域，特别涉及采用氮化镓材料作为导电阴极与电子注入层、量子点作为电致发光材料的发光器件制备技术，具体涉及一种量子点电致发光器件及其制备方法。
背景技术
目前主流的固态照明方法是用蓝光的LED芯片与传统的黄色钇铝石榴石(yttriumaluminum garnet,YAG:Ce)荧光粉组合而获得白光LED。这种黄色荧光粉的发射光谱主要含有黄绿光，其红光成分相对不足，这就造成了此类白光LED的显色指数较低(一般不大于80)，甚至不及传统的白炽灯等光源。而稀土荧光粉的颗粒一般较大(微米量级)存在严重的光散射问题，易造成白光LED的效率降低，另外其制备条件也相对苛刻，一般需要高温。因此，要获得高显色性的、高效率的白光LED必须要具备性能优异的发光材料。量子点作为发光材料，相较于传统的荧光粉而言，具有颗粒尺寸小、发光峰位可调、色彩饱和度高、量子产率高等诸多优点，有望成为下一代显示和照明的主导者。
量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,QLED)电致发光器件主要有两种。一种是直接载流子注入复合，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层直接注入到量子点发光层，在量子点发光层中通过辐射复合发光；另一种是共振能量转移((resonance energy transfer,FRET)或者二者共同的作用。跨越量子点发光层的电子输运到空穴传输层(Hole Transfer Layer，HTL)，和其中的空穴作用形成激子。同时，跨越量子点发光层的空穴也输运到电子传输层(Electron Transfer Layer，ETL)，和其中的电子作用形成激子，再经过FRET能量转移传递给量子点，进而又重新在量子点发光层形成电子-空穴对，再通过辐射复合发光。这两种过程既能独立存在又能共同作用实现量子点的电致发光。然而，由于电致发光的量子点材料的未占有电子的最低能级(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)一般在-3.9eV左右，而ITO的功函数在-4.7eV，两者能级不匹配往往阻碍载流子的注入而影响发光性能。而氮化镓材料的表面功函数在-3.9eV，与量子点材料的能级匹配，非常适合电子的注入与传输，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
发明内容
本发明创新性地提出了一种新型的量子点电致发光器件。本发明提出的利用氮化镓材料的高电子迁移率与合适的表面功函数，从而解决目前量子点材料电致发光器件因能级不匹配而造成的高启亮电压与电致发光效率较低的问题。
本发明提供的量子点电致发光器件包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料层。
优选地，所述氮化镓材料包括非掺杂、掺杂的N型氮化镓单晶层或多层，其中掺杂的原子包括Si，Ge。
优选次，所述量子点电致发光器件还包括在阴极层和量子点发光层之间依次层叠的电子注入层和电子传输层，其中所述氮化镓材料既为阴极又为电子注入层。
优选地，所述透明衬底包括蓝宝石衬底、氮化镓自支撑衬底或者两者的结合。
优选地，所述量子点发光层的厚度为(30±10)nm。
优选地，所述量子点发光层包括红光、绿光、蓝光量子点，可以包括不同结构，不同元素，不同直径大小。
优选地，所述空穴传输层的厚度为(20±10)nm。
优选地，所述空穴注入层(如PEDOT:PSS)的厚度为5-40nm。
优选地，所述空穴传输层的材料包括芳香族化合物、咔唑类化合物或有机金属配合物；
优选地，所述空穴传输层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)和聚乙烯咔唑(PVK)。
优选地，所述空穴注入层的材料包括以碳或硅做主链的共轭或非共轭高电导体系构成的薄膜(如PEDOT:PSS)或无机氧化物。
优选地，所述空穴注入层包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯乙炔。
优选地，所述金属阳极的厚度为(200±100)nm。
优选地，所述金属阳极的材料包括Al、Au或Ag中的任意一种或至少两种以上金属的合金。
本发明还提供了所述的量子点电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
(1)提供透明衬底；
(2)在步骤(1)中的所述衬底上生长一层氮化镓单晶层作为阴极/电子注入层；
(3)分别用洗液、去离子水、异丙醇超声清洗各10min(请核实确认，是三种液体各清洗10分钟还是总共清洗10分钟)，清洗表面污染物，高压氮气吹干后，采用氧气等离子对其进行表面修饰，然后在氮气手套箱内旋涂量子点材料，得量子点发光层；
(4)在步骤(3)所述的量子点发光层上通过溶液加工工艺依次旋涂空穴传输层和空穴注入层；
(5)放入真空蒸镀腔室，在真空度低于3×10-4Pa条件下蒸镀金属阳极；
其中，量子点材料、空穴传输层的材料和空穴注入层的材料的溶剂包括甲苯、二甲苯、氯苯中的任意一种或其任意一种与高沸点醚类共混的复合溶剂。
优选地，在步骤(3)所述的量子点发光层上通过真空蒸镀工艺，在真空度低于3×10-4Pa条件下依次形成空穴传输层和空穴注入层。
优选地，可通过研磨抛光处理工艺提高所述衬底的透光性的方法。
本发明的优点和效果：本发明提出了一种新型量子点电致发光器件及其制备方法。利用氮化镓材料的高电子迁移率及与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，能有效降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
附图说明
图1为本发明的实施例一与实施例二所示的基于氮化镓衬底的量子点电致发光器件结构示意图。
图2为本发明的实施例一所示的结构制备的红光量子点制备的电致发光器件照片及红光光谱图像。
图中，11：蓝宝石衬底；12：氮化镓阴极/电子注入层；13：量子点发光层；14：空穴传输层；15：空穴注入层；16：金属电极。
具体实施方式
实施列一
选用图1所示的器件结构，采用双抛的透明蓝宝石作为衬底，在蓝宝石衬底11上面生长一层氮化镓单晶层作为阴极/电子注入层12，分别用洗液(如洗洁精)、去离子水、异丙醇超声清洗各10min，清洗表面污染物，高压氮气吹干后，采用氧气等离子对其进行表面修饰，然后在氮气手套箱内旋涂红光量子点材料制备量子点发光层13，厚度为30nm，所用溶剂是二甲苯，再在红光量子点发光层13表面旋涂空穴传输层14，所用材料为TFB，旋涂速度为2000转每秒，时间为1分钟，厚度为(20±10)nm，旋涂空穴注入层15，所用材料为PEDOT:PSS,旋涂速度为2000转每秒，时间为1分钟，厚度为(40±10)nm，在高真空蒸镀仓中，真空度低于3×10-4Pa的条件下蒸镀金属阳极铝16，厚度为(200±100)nm，最后用环氧树脂粘贴玻璃封装片并进行紫外固化封装。
采用该工艺制备的QLED，除了金属电极外，其他功能层均采用低成本的溶液法制备，具有结构简单，成本低等优点。器件的启亮电压低，器件在电压为2伏时启亮。
实施列二
选用图1所示的器件结构，采用双抛的透明蓝宝石作为衬底，在蓝宝石衬底11上面生长一层氮化镓单晶层作为阴极/电子注入层12，分别用洗液、去离子水、异丙醇超声清洗各10min，清洗表面污染物，高压氮气吹干后，采用氧气等离子对其进行表面修饰，然后在氮气手套箱内旋涂红光量子点材料制备量子点发光层13，厚度为30nm，所用溶剂是二甲苯，然后放入真空蒸镀腔室，在真空度低于3×10-4Pa以下时依次蒸镀空穴传输层14,所用材料为N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)，厚度为(20±10)nm，空穴注入层15，所用材料为氧化钼，厚度为5nm，金属阳极Al16，厚度为(200±10)nm，最后用环氧树脂粘贴玻璃封装片并进行紫外固化封装。
采用该工艺制备的QLED，除了量子点材料采用旋涂工艺制备外，其他功能层均采用真空蒸镀工艺制备，器件的启亮电压低，器件在电压为2伏时启亮。
上述列举了本发明的实例方式，但本发明的上述实施方案都只能认为是对本发明的说明而不能限制本发明，权利要求书指出了本发明的范围。因此，只要通过涉及以宽禁带半导体材料作为透明阴极与电子注入层，采用量子点材料作为发光层的电致发光器件及其制备工艺技术，都应认为属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种量子点电致发光器件，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，其特征在于，所述氮化镓材料包括非掺杂、掺杂的N型氮化镓单晶层或多层，其中掺杂的原子包括Si，Ge。
2.根据权利要求1项所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括在阴极层和量子点发光层之间依次层叠的电子注入层和电子传输层，其中所述氮化镓材料既为阴极又为电子注入层。
3.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述透明衬底包括蓝宝石衬底、氮化镓自支撑衬底或者两者的结合。
4.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为(30 ± 10) nm；
所述量子点发光层包括红光、绿光、蓝光量子点。
5.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为(20 ±10) nm；
所述空穴注入层的厚度为5-40 nm;所述空穴传输层的材料包括芳香族化合物、咔唑类化合物或有机金属配合物；所述空穴注入层的材料包括以碳或硅做主链的共轭或非共轭高电导体系构成的薄膜或无机氧化物。
6.根据权利要求1或2所述的量子点电致发光器件，其特征在于，所述金属阳极的厚度为200 ± 100 nm;
所述金属阳极的材料包括Al、Au或Ag中的任意一种或至少两种以上金属的合金。
7.制备权利要求1~6任一项所述的量子点电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）提供透明衬底；
（2）在步骤（1）中的所述衬底上生长一层氮化镓单晶层作为阴极/电子注入层；
（3）分别用洗液、去离子水、异丙醇超声清洗各10 -20min，清洗表面污染物，高压氮气吹干后，采用氧气等离子对其进行表面修饰，然后在氮气手套箱内旋涂量子点材料，得量子点发光层；
（4）在步骤（3）所述的量子点发光层上通过溶液加工工艺依次旋涂空穴传输层和空穴注入层；
（5）放入真空蒸镀腔室，在真空度低于3×10-4 Pa条件下蒸镀金属阳极；
其中，量子点材料、空穴传输层的材料和空穴注入层的材料的溶剂包括甲苯、二甲苯、氯苯中的任意一种或其任意一种与高沸点醚类共混的复合溶剂。
8.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件的制备方法，其特征在于，在步骤（3）所述的量子点发光层上通过真空蒸镀工艺，在真空度低于3×10-4 Pa条件下依次形成空穴传输层和空穴注入层。
9.根据权利要求7所述的量子点电致发光器件的制备方法，其特征在于，提高所述衬底的透光性的方法包括研磨抛光处理工艺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910310324.8A CN110416424A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910310324.8A CN110416424A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110416424A true CN110416424A (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=68357619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910310324.8A Pending CN110416424A (zh) | 2019-04-17 | 2019-04-17 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110416424A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111982885A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-11-24 | 绍兴秀朗光电科技有限公司 | 非接触式薄膜水氧透过性能测试方法 |
| CN113540386A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-22 | 齐鲁工业大学 | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714838A (en) * | 1996-09-20 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures |
| KR20000016407A (ko) * | 1996-06-05 | 2000-03-25 | 포만 제프리 엘 | 주입층으로서의 비축퇴 광폭 밴드갭 반도체 및/또는 유기 전계발광 디바이스를 위한 컨택트 전극 |
| CN1575061A (zh) * | 2003-06-03 | 2005-02-02 | 三星Sdi株式会社 | 采用低电阻阴极的有机电致发光显示装置 |
| CN102544270A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-04 | 中国科学院半导体研究所 | 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法 |
| CN105070849A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
| CN106328786A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-11 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件 |
| CN210272429U (zh) * | 2019-04-17 | 2020-04-07 | 华南理工大学 | 一种量子点电致发光器件 |
-
2019
- 2019-04-17 CN CN201910310324.8A patent/CN110416424A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000016407A (ko) * | 1996-06-05 | 2000-03-25 | 포만 제프리 엘 | 주입층으로서의 비축퇴 광폭 밴드갭 반도체 및/또는 유기 전계발광 디바이스를 위한 컨택트 전극 |
| US5714838A (en) * | 1996-09-20 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures |
| CN1575061A (zh) * | 2003-06-03 | 2005-02-02 | 三星Sdi株式会社 | 采用低电阻阴极的有机电致发光显示装置 |
| CN102544270A (zh) * | 2012-03-06 | 2012-07-04 | 中国科学院半导体研究所 | 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法 |
| CN105070849A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-11-18 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法 |
| CN106328786A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-11 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件 |
| CN210272429U (zh) * | 2019-04-17 | 2020-04-07 | 华南理工大学 | 一种量子点电致发光器件 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111982885A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-11-24 | 绍兴秀朗光电科技有限公司 | 非接触式薄膜水氧透过性能测试方法 |
| CN111982885B (zh) * | 2020-07-10 | 2023-06-09 | 绍兴秀朗光电科技有限公司 | 非接触式薄膜水氧透过性能测试方法 |
| CN113540386A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-22 | 齐鲁工业大学 | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
| CN113540386B (zh) * | 2021-07-13 | 2022-04-05 | 齐鲁工业大学 | 一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104681731B (zh) | 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法 | |
| CN109004091B (zh) | 一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法 | |
| US6700322B1 (en) | Light source with organic layer and photoluminescent layer | |
| Zhang et al. | High‐performance all‐polymer white‐light‐emitting diodes using polyfluorene containing phosphonate groups as an efficient electron‐injection layer | |
| Gil-Escrig et al. | Fullerene imposed high open-circuit voltage in efficient perovskite based solar cells | |
| CN105261707A (zh) | 一种新型量子点发光器件 | |
| CN108281559B (zh) | 一种高效率、低滚降磷光有机发光二极管 | |
| KR19980070127A (ko) | 하이브리드형 유기물-무기물 반도체 발광 다이오드 | |
| CN109346616B (zh) | 一种白光钙钛矿型电致发光器件以及制备方法 | |
| Meng et al. | Combined optimization of emission layer morphology and hole-transport layer for enhanced performance of perovskite light-emitting diodes | |
| CN110416424A (zh) | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 | |
| Lin et al. | Enhanced performance of green perovskite quantum dots light-emitting diode based on Co-doped polymers as hole transport layer | |
| CN109755398A (zh) | 一种具有高显色指数的高效杂化白光有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN114864835A (zh) | 蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备 | |
| Levermore et al. | Deep-blue light emitting triazatruxene core/oligo-fluorene branch dendrimers for electroluminescence and optical gain applications | |
| Das et al. | Efficient blue and white polymer light emitting diodes based on a well charge balanced, core modified polyfluorene derivative | |
| CN210272429U (zh) | 一种量子点电致发光器件 | |
| CN107086271B (zh) | 一种荧光/磷光混合白光oled | |
| CN108565346A (zh) | 一种双色全荧光白光oled器件 | |
| CN106098957B (zh) | 一种qled及其制备方法 | |
| CN105261706B (zh) | 一种平面异质结敏化的有机荧光发光二极管及其制备方法 | |
| Alam et al. | Binary blends of polymer semiconductors: nanocrystalline morphology retards energy transfer and facilitates efficient white electroluminescence | |
| Zhang et al. | CdSe/ZnS quantum-dot light-emitting diodes with spiro-OMeTAD as buffer layer | |
| Rui et al. | Tunable deep-red electroluminescence from flexible quasi-2D perovskites light-emitting diodes | |
| CN109616578B (zh) | 一种荧光/磷光混合型白光有机发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |