CN110416389A - 图案化量子点膜制备方法及量子点膜 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
本发明实施例公开一种图案化量子点膜制备方法及量子点膜，其中制备方法包括如下步骤：将量子点材料制作成量子点油墨，采用喷墨打印或者凹版打印的工艺将量子点油墨以特定的图案沉积在基材上，量子点油墨在透明基材上固化后，再涂一层保护膜，完全固化后形成量子点膜。采用本发明，根据覆盖光源的分布提供图案化的量子点膜制备方法，可以减少量子点油墨的使用，降低量子点膜的制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及量子点材料领域，尤其涉及一种图案化量子点膜制备方法及量子点膜。
背景技术
量子点材料具有发射峰半峰宽窄、波长可调等特点，可以显著提升显示器的色域，广泛应用与量子点显示器的制作。电致发光的量子点发光二极管(QLED)尚存在工艺实施等难题，还无法实现商业化。目前，主要是将量子点材料加工成量子点膜，应用在液晶显示背光中，即量子点液晶显示器。
量子点膜一般采用涂布的方式制作，在水氧阻隔膜上涂布一层量子点油墨，然后在上面覆上另一层阻隔膜，经过UV固化形成量子点膜。在使用时，将量子点膜按照所需的尺寸和形状裁切，然后组装成量子点背光源。
目前，市面上的量子点膜采用满幅涂布，量子点材料均匀地分布在整张膜片上。由于量子点材料的价格昂贵，因而客户使用量子点膜的成本比较高，无法大规模推广应用。
发明内容
本发明实施例提供一种图案化量子点膜制备方法及量子点膜，根据覆盖光源的分布提供图案化的量子点膜制备方法，可以减少量子点油墨的使用，降低量子点膜的制作成本。
本发明实施例第一方面提供了一种图案化量子点膜制备方法，可包括：
将量子点材料制作成量子点油墨；
采用喷墨打印或者凹版打印的工艺将量子点油墨以特定的图案沉积在基材上；
量子点油墨在透明基材上固化后，再涂一层保护膜，完全固化后形成量子点膜。
进一步的，上述方法还包括：
上述量子点材料以特定图案离散的分布在基材上。
进一步的，上述量子点油墨沉积的区域的形状和大小由直下式背光LED的结构和排布确定。
进一步的，上述直下式背光LED为量子点膜覆盖的光源。
进一步的，上述基材为透明基材。
进一步的，上述保护膜为透明胶。
进一步的，上述量子点油墨沉凸出于基材之上。
进一步的，上述量子点油墨沉积于基材的凹槽内。
本发明实施例第二方面提供了一种图案化量子点膜，可包括：
量子点油墨层、基材层、保护膜，
其中，量子点油墨层为量子点材料制作成的量子点油墨以喷墨打印或者凹版打印的工艺沉积在基材层上形成量子点油墨层；
基材层用于承载量子点油墨层；
保护膜层由于保护量子点油墨层，位于量子点油墨层之上。
进一步的，上述量子点油墨层是离散的量子点油墨，以特定图案离散的分布在基材层上。
进一步的，上述量子点油墨沉积的区域的形状和大小由直下式背光LED的结构和排布确定。
进一步的，上述直下式背光LED为量子点膜覆盖的光源。
进一步的，上述基材层的基材为透明基材。
进一步的，上述保护膜为透明胶。
进一步的，上述量子点油墨凸出于基材之上。
进一步的，上述量子点油墨沉积于基材的凹槽内。
在本发明实施例中，根据被覆盖光源的结构和排布，提供图案化的量子点膜制备方法，减少了量子点油墨的使用量，降低了量子点膜的制作成本，为量子点膜大规模推广提供了更大的便利。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例提供的一种图案化量子点膜制备方法的流程示意图；
图2是本发明实施例提供的一种量子点膜结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种量子点膜结构示意图；
图4是本发明实施例提供的量子点膜俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本申请中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。
此外，术语“设置”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
下面将结合附图1，对本发明实施例提供的图案化量子点膜制备方法进行详细介绍。
请参见图1，为本发明实施例提供了一种图案化量子点膜制备方法的流程示意图。如图1所示，本发明实施例的所述方法可以包括以下步骤S101-步骤S103。
S101，将量子点材料制作成量子点油墨。
S102，采用喷墨打印或者凹版打印的工艺将量子点油墨以特定的图案沉积在基材上。
可以理解的是，量子点油墨可以特定图案离散的分布在基材上，图案的具体形状即量子点油墨在基材上的沉积区域的形状和大小与直下式背光LED的结构和排布有关，图案的形状可以与LED的排布和结构形成的图案一致，需要说明的是，直下式背光LED为量子点膜覆盖的光源，即制备的量子点膜覆盖在IED上。
在可选实施例中，量子点油墨可以如图2所示凸出于基材之上，也如图3所示可以位于基材的凹槽内，上述两种形式沉积后的量子点膜图案可以如图4所示，量子点油墨均匀分布于基材上。
优选的，上述基材为透明基材。
S103，量子点油墨在透明基材上固化后，再涂一层保护膜，完全固化后形成量子点膜。
优选的，上述保护膜可以是透明胶。最终固化后形成的量子点膜如图2和图3所示，包括基材、量子点和UV胶即透明胶。
在本发明实施例中，根据被覆盖光源的结构和排布，提供图案化的量子点膜制备方法，减少了量子点油墨的使用量，降低了量子点膜的制作成本，为量子点膜大规模推广提供了更大的便利。
需要说明的是，图2-图4为本发明实施例提供的量子点膜示意图。
如图2和图3所示的量子点膜1，包括量子点油墨层10、基材层11和保护膜12。
其中，量子点油墨层10并不是连续的量子点油墨，而是由离散的量子点油墨组成的图案，其中的，量子点油墨可以如图2所示凸出与基材层11之上，也如图3所示可以位于基材层11的凹槽内，上述两种形式沉积后的量子点膜图案可以如图4所示，量子点油墨层10指示的量子点油墨均匀分布于基材层11之上。优选的，基材层11可以是透明基材。保护膜12可以是透明胶即UV胶。
可以理解的是，量子点油墨层10可以特定图案离散的分布在基材层11上，图案的具体形状即量子点油墨在基材层11上的沉积区域的形状和大小与直下式背光LED的结构和排布有关，图案的形状可以与LED的排布和结构形成的图案一致，需要说明的是，直下式背光LED为量子点膜1覆盖的光源，即制备的量子点膜1覆盖在IED上。
在本发明实施例中，根据被覆盖光源的结构和排布，提供图案化的量子点膜制备方法，减少了量子点油墨的使用量，降低了量子点膜的制作成本，为量子点膜大规模推广提供了更大的便利。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种图案化量子点膜制备方法，其特征在于，包括：
将量子点材料制作成量子点油墨；
采用喷墨打印或者凹版打印的工艺将所述量子点油墨以特定的图案沉积在基材上；
所述量子点油墨在所述透明基材上固化后，再涂一层保护膜，完全固化后形成量子点膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述量子点油墨以特定图案离散的分布在所述基材上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述量子点油墨沉积的区域的形状和大小由直下式背光LED的结构和排布确定。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
所述直下式背光LED为所述量子点膜覆盖的光源。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述基材为透明基材。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述保护膜为透明胶。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述量子点油墨凸出于所述基材之上。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述量子点油墨沉积于所述基材的凹槽内。
9.一种图案化量子点膜，其特征在于，包括：量子点油墨层、基材层、保护膜，
其中，所述量子点油墨层为量子点材料制作成的量子点油墨以喷墨打印或者凹版打印的工艺沉积在基材层上形成的油墨层；
所述基材层用于承载量子点油墨层；
所述保护膜用于保护所述量子点油墨层，位于所述量子点油墨层之上。
10.根据权利要求9所述的量子点膜，其特征在于：
所述量子点油墨层是离散的量子点油墨，以特定图案离散的分布在所述基材层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910596256.6A CN110416389A (zh) | 2019-07-03 | 2019-07-03 | 图案化量子点膜制备方法及量子点膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910596256.6A CN110416389A (zh) | 2019-07-03 | 2019-07-03 | 图案化量子点膜制备方法及量子点膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110416389A true CN110416389A (zh) | 2019-11-05 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| CN (1) | CN110416389A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113448120A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 变色膜及其制造方法 |
| CN116825934A (zh) * | 2023-08-30 | 2023-09-29 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法 |
| WO2023197480A1 (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 色转换结构制作方法、色转换结构、晶粒制作方法及晶粒 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106483712A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-03-08 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种量子点膜材结构及其应用 |
| CN108023011A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-05-11 | 左洪波 | 一种量子点膜层结构的制作方法 |
| CN108511390A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-09-07 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种量子点全彩微显示器件的制备方法 |
| CN109709716A (zh) * | 2019-02-11 | 2019-05-03 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种背光模组、显示装置及其驱动方法 |
| CN109765726A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-17 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 量子点膜、制备方法、背光模组、驱动方法及显示装置 |
| CN109814191A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-28 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种像素化量子点滤光膜的制备方法 |
-
2019
- 2019-07-03 CN CN201910596256.6A patent/CN110416389A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106483712A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-03-08 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种量子点膜材结构及其应用 |
| CN108023011A (zh) * | 2017-12-24 | 2018-05-11 | 左洪波 | 一种量子点膜层结构的制作方法 |
| CN108511390A (zh) * | 2018-05-09 | 2018-09-07 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种量子点全彩微显示器件的制备方法 |
| CN109709716A (zh) * | 2019-02-11 | 2019-05-03 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种背光模组、显示装置及其驱动方法 |
| CN109814191A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-28 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种像素化量子点滤光膜的制备方法 |
| CN109765726A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-17 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 量子点膜、制备方法、背光模组、驱动方法及显示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113448120A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 | 变色膜及其制造方法 |
| WO2023197480A1 (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 色转换结构制作方法、色转换结构、晶粒制作方法及晶粒 |
| CN116825934A (zh) * | 2023-08-30 | 2023-09-29 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法 |
| CN116825934B (zh) * | 2023-08-30 | 2023-11-17 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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