CN110391181A - 一种plc晶圆切割方法 - Google Patents

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陈文铨
叶建国
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

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Abstract

本发明公开一种PLC晶圆切割方法。本发明的目的在于在晶圆切割过程中避免使用加热步骤,减少酒精用量,减少生产步骤,包括以下步骤:一,将整片晶圆,用酒精溶性UV胶水粘到1mm厚的反光镜片上;二,用切割机将沿着芯片的长边,切完所有的长边,但是不切断镜片,再沿着芯片的短边,切断反光镜,得到晶圆条;三,将条状晶圆装到研磨夹具上,在自动研磨、抛光机上研磨晶圆两端的角度;四,再将磨好角度的条状晶圆,泡在酒精内3‑6小时;五,去除反光镜片、废边,沥除酒精;六,纯水清洗芯片,烘干;所述UV胶水成分包括聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、烷氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯;本发明使晶圆一次性完成切割,设备占用时间减少至少一半;制程中没有加热步骤;酒精用量大幅度减少。

Description

一种PLC晶圆切割方法
技术领域
本发明涉及半导体制程技术领域,特别涉及一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法。
背景技术
常规的PLC晶圆的切割方法是:1.将整片晶圆,用熔融的石蜡和松香混合物粘到1mm厚的反光镜片上;2.用高精度自动划片机将晶圆切成条状;3.在加热平台上将条状晶圆背部的反光镜片去除;4.将条状晶圆装到研磨夹具上,在自动研磨、抛光机上把晶圆两端的8度角磨出来;5.再将磨好角度的条状晶圆,粘到反光镜片上,用高精度自动划片机将条状晶圆切成芯片颗粒;6.加热反光镜片,用镊子去除废边,取下芯片,泡在酒精内清洗;7.纯水清洗芯片,烘干。
这种切割方式效率低下,需要两次上切割机切割。加热平台的温度基本上都在85度以上,员工在实际操作过程中经常会烫伤手。由于溶解度有限,去除石蜡松香混合剂需要大量酒精,整个晶圆切割的生产成本较高。
已公开中国发明专利,公开号:CN102280410A,专利名称:基于玻璃基的 PLC晶圆切割方法,申请日:20110621,其公开了一种基于玻璃基的PLC晶圆切割方法,该基于玻璃基的PLC晶圆切割方法包括,在玻璃基板上涂上涂有粘合层,通过热熔方式使粘合层与需要切割的PLC晶圆进行粘合,待粘合层冷却PLC晶圆固定后,采用切割工具,对与玻璃基板固定的PLC晶圆进行切割。与现有技术,由于被切割的PLC晶圆,通过热熔将粘合层与玻璃基板进行固定,其牢固度是 UV膜的3倍以上,一方面可以在切刀转速过快时,避免PLC晶圆产生移位,造成切割精度不高,同时该PLC晶圆与粘合层之间产生足够的机械强度,使得切割后的晶粒有背面的崩缺减少,通常在50um,同时切刀转速快是可以提高切割速度,提高切割效率,成本较低。
这种切割方式效率低下,需要两次上切割机切割。加热平台的温度基本上都在85度以上,员工在实际操作过程中,经常会烫伤手。由于溶解度有限,去除石蜡松香混合剂需要大量酒精,整个晶圆切割的生产成本较高。
发明内容
本发明的目的在于在晶圆切割过程中避免使用加热步骤,减少酒精用量,减少生产步骤。
本发明提供一种PLC晶圆切割方法,包括以下步骤:
步骤一,将整片晶圆,用酒精溶性UV胶水粘到1mm厚的反光镜片上;
步骤二,用切割机将沿着芯片的长边,切完所有的长边,但是不切断镜片,再沿着芯片的短边,切断反光镜,得到晶圆条;
步骤三,将条状晶圆装到研磨夹具上,在自动研磨、抛光机上研磨晶圆两端的角度;
步骤四,再将磨好角度的条状晶圆,泡在酒精内;
步骤五,去除反光镜片、废边,沥除酒精;
步骤六,纯水清洗芯片,烘干;
所述UV胶水成分包括聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、烷氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯。
优选的,所述步骤三研磨晶圆两端的角度为8度。
优选的,所述步骤四麽好角度的晶圆泡在酒精内的时间为3-6小时。
优选的,所述切割机为高精度自动划片机。
本发明的有益效果为:1、整个生产过程,晶圆上切割机一次性完成切割,设备占用时间减少至少一半;2、制程中没有加热步骤,避免了烫伤的可能;3、酒精用量大幅度减少;4、生产步骤减少,单位时间内产量提升明显。
具体实施例
下面对本实用进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
本发明提供一种PLC晶圆切割方法,包括以下步骤:
步骤一,将整片晶圆,用酒精溶性UV胶水粘到1mm厚的反光镜片上;
步骤二,用切割机将沿着芯片的长边,切完所有的长边,但是不切断镜片,再沿着芯片的短边,切断反光镜,得到晶圆条;
步骤三,将条状晶圆装到研磨夹具上,在自动研磨、抛光机上研磨晶圆两端的角度;
步骤四,再将磨好角度的条状晶圆,泡在酒精内;
步骤五,去除反光镜片、废边,沥除酒精;
步骤六,纯水清洗芯片,烘干;
所述UV胶水成分包括聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、烷氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯。
优选的,所述步骤三研磨晶圆两端的角度为8度。
优选的,所述步骤四麽好角度的晶圆泡在酒精内的时间为3-6小时。
优选的,所述切割机为高精度自动划片机。
需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
以上所述的本发明实施方式,并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (4)

1.一种PLC晶圆切割方法,包括以下步骤:
步骤一,将整片晶圆,用酒精溶性UV胶水粘到1mm厚的反光镜片上;
步骤二,用切割机将沿着芯片的长边,切完所有的长边,但是不切断镜片,再沿着芯片的短边,切断反光镜,得到晶圆条;
步骤三,将条状晶圆装到研磨夹具上,在自动研磨、抛光机上研磨晶圆两端的角度;
步骤四,再将磨好角度的条状晶圆,泡在酒精内;
步骤五,去除反光镜片、废边,沥除酒精;
步骤六,纯水清洗芯片,烘干;
所述UV胶水成分包括聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、烷氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯。
2.根据权利要求一所述的一种PLC晶圆切割方法,其特征在于,所述步骤三研磨晶圆两端的角度为8度。
3.根据权利要求一所述的一种PLC晶圆切割方法,其特征在于,所述步骤四麽好角度的晶圆泡在酒精内的时间为3-6小时。
4.根据权利要求一所述的一种PLC晶圆切割方法,其特征在于,所述切割机为高精度自动划片机。
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