CN110379729A - 加热基座及半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种加热基座及半导体加工设备，该加热基座包括基座主体和设置在基座主体下方的可伸缩腔体，其中，基座主体和可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在空腔中设置有加热元件，且在空腔中充满导热媒介；可伸缩腔体能够伸缩，以使空腔的体积随空腔的压强变化而变化。本发明提供的加热基座，其不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。

Description

加热基座及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种加热基座及半导体加工设备。
背景技术
近年来，半导体设备发展迅速，涉及半导体、集成电路、太阳能电池板、平面显示器、微电子、发光二极管等，而这些器件主要是由在衬底上形成的数层材质厚度不同的薄膜组成，因此，作为半导体设备之核心的成膜设备，是决定半导体器件薄膜生长的质量和成品率的重要因素。
半导体成膜工艺均在加热基座上完成，目前半导体成膜设备加热基座多样化，对应高温要求的加热基座通常采用电阻加热器直接加热。这种加热基座分为两类，分别为高温金属加热基座和高温陶瓷加热基座。但是高温金属加热基座存在导热效率低，导致热区不均匀的问题。而高温陶瓷加热基座存在成本高，且高温基座在低温使用时不易控制温度的问题。
为了解决上述技术问题，现有的一种加热基座包括具有上部结构件的容器，该上部结构件能够承载衬底；在容器中充满有液体，且在容器中设置有热源，用于为液体提供足够的热以使液体沸腾。
当液体沸腾时，由其产生的蒸汽会使容器内部(密闭空间)的压强随着温度的升高而升高，容易导致容器变形甚至破裂，为了避免发生事故，需要利用压力控制装置调节容器中的压力，但是这会造成加热基座的结构复杂，成本较高。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种加热基座及半导体加工设备，其不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
为实现本发明的目的而提供一种加热基座，包括基座主体和设置在所述基座主体下方的可伸缩腔体，其中，所述基座主体和所述可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在所述空腔中设置有加热元件，且在所述空腔中充满导热媒介；
所述可伸缩腔体能够伸缩，以使所述空腔的体积随所述空腔的压强变化而变化。
可选的，还包括支撑轴，所述支撑轴设置在所述基座主体与所述可伸缩腔体之间，且分别与二者连接，并且所述支撑轴是中空的，并与所述基座主体和所述可伸缩腔体共同构成所述空腔。
可选的，所述可伸缩腔体包括波纹管、第一法兰、第二法兰、导向柱和压缩弹簧，其中，
在所述支撑轴的下端设置有第三法兰，所述第三法兰与所述第一法兰固定连接；
所述波纹管的上端与所述第一法兰固定连接，所述波纹管的下端与所述第二法兰固定连接；
在所述第二法兰中设置有至少两个沿其厚度贯穿的第一通孔，且至少两个所述第一通孔均匀分布在所述波纹管的周围；
所述导向柱为至少两个，且所述导向柱一一对应地穿过所述第一通孔，并且每个所述导向柱的上端与所述第三法兰固定连接，每个所述导向柱的下端设置有凸台；
所述压缩弹簧为至少两个，且所述压缩弹簧一一对应地套置在所述导向柱上，并且所述压缩弹簧位于所述第二法兰与所述凸台之间，且所述压缩弹簧的弹力大于所述第二法兰和所述导热媒介的重力之和。
可选的，在所述第二法兰中设置有贯穿其厚度的第二通孔，且在所述第二法兰的底部设置有安装件，并且在所述安装件与所述第二法兰之间设置有密封圈，用于密封所述第二通孔；
所述加热基座还包括加热电极，所述加热电极由下而上贯穿所述安装件，并与所述加热元件电连接。
可选的，在所述第二法兰中设置有热电偶安装孔，且在所述热电偶安装孔的上端设置有直管，所述直管竖直设置，且所述直管的下端是敞开的，所述直管的上端是封闭的，且延伸至所述基座主体中；
所述加热基座还包括热电偶，所述热电偶由下而上依次穿过所述热电偶安装孔和直管，并与所述直管的上端接触。
可选的，在所述支撑轴与所述基座主体的连接处有圆角过渡。
可选的，所述圆角的半径的取值范围在5～50mm。
可选的，在所述基座主体上设置有凹槽，待加热工件设置在所述凹槽中。
可选的，所述空腔在所述基座主体中的部分的外径大于所述凹槽的直径。
可选的，在所述基座主体中设置有多个贯穿其厚度的第三通孔，且多个所述第三通孔围绕所述基座主体的轴线均匀分布。
可选的，所述基座主体包括用于承载待加热件的承载面，并且在所述基座主体的接触所述导热媒介的表面，且与所述承载面相背离的区域分布有多个凸起，用于增加该区域与所述导热媒介的接触面积。
可选的，在加热温度小于等于300℃时，所述基座主体采用铝制作；在加热温度大于300℃，且小于等于750℃时，所述基座主体采用不锈钢、石英或者陶瓷制作；在加热温度大于750℃，且小于等于1350℃时，所述基座主体采用钨、钼制作。
可选的，在加热温度小于等于100℃时，所述导热媒介采用水；在加热温度大于100℃，且小于等于400℃时，所述导热媒介采用油；在加热温度大于400℃，且小于等于1350℃时，所述导热媒介采用熔盐。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有加热基座，所述加热基座采用本发明提供的上述加热基座。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的加热基座，其在基座主体的下方设置有可伸缩腔体，且基座主体和可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在该空腔中设置有加热元件，且在空腔中充满导热媒介。由于可伸缩腔体能够伸缩，其能够使空腔的体积随空腔的压强变化而变化。这与现有技术相比，不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述加热基座，不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的加热基座的剖视图；
图2为本发明第二实施例提供的加热基座的剖视图；
图3为图2中I区域的放大图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的加热基座及半导体加工设备进行详细描述。
请参阅图1，本发明第一实施例提供的加热基座，其包括基座主体1和设置在该基座主体1下方的可伸缩腔体4，其中，基座主体1用于承载待加热件5。基座主体1和可伸缩腔体4均是中空的，共同构成一空腔11，并且在该空腔11中设置有加热元件2，且在空腔11中充满导热媒介3。在本实施例中，加热元件2为电阻丝，而导热媒介3为液体，电阻丝在通电后产生的热量经导热媒介3传导至基座主体1，并经基座主体1传导至待加热件5。
可伸缩腔体4能够伸缩，以使空腔11的体积随空腔11的压强变化而变化。当导热媒介3的温度发生改变时，空腔11的压强也会发生改变，在这种情况下，若空腔11的体积是不变的，在导热媒介3的温度升高时，容易导致基座主体1发生变形甚至破裂，造成漏液，从而引起事故。为此，借助可伸缩腔体4，可以使空腔11的体积随空腔11的压强变化而变化，从而可以不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
在实际应用中，可伸缩腔体4可以借助弹性结构来实现伸缩，或者也可以采用弹性材料制作，以能够随空腔11的压强的变化而伸缩。
请一并参阅图2和图3，本发明第二实施例提供的加热基座，其与上述第一实施例相比，同样包括基座主体6和可伸缩腔体，在此基础上，加热基座还包括支撑轴8，该支撑轴8设置在基座主体6与可伸缩腔体之间，且分别与二者连接，并且支撑轴8是中空的，并与基座主体6和可伸缩腔体共同构成空腔7，并且在该空腔7中设置有加热元件10，且在空腔7中充满导热媒介9。借助支撑轴8，可以使可伸缩腔体远离基座主体6，从而可以设置在腔室外部，以节省腔室空间。
可选的，在基座主体6上设置有凹槽61，待加热工件设置在凹槽61中。这可以增大待加热工件与基座主体6的接触面积，从而可以提高加热均匀性和加热效率。
进一步可选的，空腔7在基座主体6中的部分7a的外径大于凹槽61的直径。这可以保证空腔7内的导热液体9能够覆盖整个待加工工件表面，从而可以保证导热均匀性。
可选的，在支撑轴8与基座主体6的连接处有圆角过渡，该圆角的半径R的取值范围在5～50mm。圆角过渡更有利于热对流的形成，从而可以提高导热均匀性。
可选的，支撑轴8和基座主体6一体成型，从而便于加工。
下面对可伸缩腔体的结构进行详细描述。具体地，可伸缩腔体包括波纹管41、第一法兰42、第二法兰43、导向柱44和压缩弹簧45，其中，在支撑轴8的下端设置有第三法兰81，该第三法兰81与第一法兰42固定连接。波纹管41的上端与第一法兰42固定连接，波纹管41的下端与第二法兰43固定连接。
并且，在第二法兰43中设置有至少两个沿其厚度贯穿的第一通孔，且至少两个第一通孔均匀分布在波纹管41的周围。导向柱44为至少两个，且导向柱44一一对应地穿过第一通孔，并且每个导向柱44的上端与第三法兰81固定连接，每个导向柱44的下端设置有凸台441。压缩弹簧45为至少两个，且压缩弹簧45一一对应地套置在导向柱44上，并且压缩弹簧44位于第二法兰43与凸台441之间，且压缩弹簧44的弹力大于第二法兰43和导热媒介9的重力之和。
在加热过程中，随着导热媒介3的温度升高，空腔7的压强增大，波纹管3会克服压缩弹簧44的弹力作用而伸长，从而可以增大空腔7的体积，保证基座主体6和支撑轴8不会发生变形或者破裂，从而可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。当导热媒介3的温度降低时，在压缩弹簧44的弹力作用下，第二法兰43会朝向靠近第三法兰81的方向移动，从而使波纹管3压缩，进而减小了空腔7的体积，保证导热媒介3能够与基座主体6的顶部充分接触，从而保证了导热均匀性和导热效率。
在本实施例中，为了实现加热元件10的通电，在第二法兰43中设置有贯穿其厚度的第二通孔，且在第二法兰43的底部设置有安装件46，并且在该安装件46与第二法兰43之间设置有密封圈47，用于密封第二通孔，从而保证空腔7的密封性。加热基座还包括加热电极48，该加热电极48由下而上贯穿安装件46，并与加热元件10电连接。该加热电极48与电源连接，从而实现加热元件10的通电。
可选的，上述安装件46内嵌在第二法兰43中，且其下表面与第二法兰43的下表面相平齐。
在本实施例中，在第二法兰43中设置有热电偶安装孔，且在该热电偶安装孔的上端设置有直管13，该直管13竖直设置，且直管13的下端是敞开的，直管13的上端是封闭的，且延伸至基座主体1中。加热基座还包括热电偶12，该热电偶12由下而上依次穿过热电偶安装孔和直管13，并与直管13的上端接触。可选的，上述直管13的上端接近基座主体6的顶部，从而可以更准确地检测待加热件5的温度。
可选的，基座主体6包括用于承载待加热件的承载面，在本实施例中，该承载面即为凹槽61的底面，并且在基座主体6的接触导热媒介9的表面，且与承载面相背离的区域(即，空腔7的顶壁)分布有多个凸起(图中未示出)，用于增加该区域与导热媒介9的接触面积，从而可以提高导热效率。
在本实施例中，在基座主体6中设置有多个贯穿其厚度的第三通孔62，且多个第三通孔62围绕基座主体6的轴线均匀分布。借助第三通孔62，可以供顶针(图中未示出)通过。顶针用于在进行取放片操作时，通过第三通孔62上升或下降，以能够自基座主体6的承载面托起待加热件，或者将待加热件传递至基座主体体6的承载面。
在实际应用中，基座主体6所采用的材料包括铝、不锈钢、石英、陶瓷等等。根据不同的使用要求，可以选用不同材料制作基座主体6。具体地，在加热温度小于等于300℃时，基座主体6采用铝制作；在加热温度大于300℃，且小于等于750℃时，基座主体6采用不锈钢、石英或者陶瓷制作；在加热温度大于750℃，且小于等于1350℃时，基座主体6采用钨、钼制作。所谓加热温度，是指需要待加热件达到的温度。
在实际应用中，根据不同的温度要求，空腔7中的导热媒介9不同.具体地，在加热温度小于等于100℃时，导热媒介9采用水；在加热温度大于100℃，且小于等于400℃时，导热媒介9采用油；在加热温度大于400℃，且小于等于1350℃时，导热媒介9采用熔盐。
需要说明的是，在本实施例中，可伸缩腔体借助波纹管来实现伸缩，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以采用其他任意弹性结构，或者还可以采用弹性材料制作，以能够随空腔的压强的变化而伸缩。
综上所述，本发明上述各个实施例提供的加热基座，其在基座主体的下方设置有可伸缩腔体，且基座主体和可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在该空腔中设置有加热元件，且在空腔中充满导热媒介。由于可伸缩腔体能够伸缩，其能够使空腔的体积随空腔的压强变化而变化。这与现有技术相比，不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，在该反应腔室内设置有加热基座，该加热基座采用本发明上述各个实施例提供的加热基座。
本发明实施例提供的半导体加工设备，其通过采用本发明上述各个实施例提供的加热基座，不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种加热基座，其特征在于，包括基座主体和设置在所述基座主体下方的可伸缩腔体，其中，所述基座主体和所述可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在所述空腔中设置有加热元件，且在所述空腔中充满导热媒介；
所述可伸缩腔体能够伸缩，以使所述空腔的体积随所述空腔的压强变化而变化。
2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，还包括支撑轴，所述支撑轴设置在所述基座主体与所述可伸缩腔体之间，且分别与二者连接，并且所述支撑轴是中空的，并与所述基座主体和所述可伸缩腔体共同构成所述空腔。
3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述可伸缩腔体包括波纹管、第一法兰、第二法兰、导向柱和压缩弹簧，其中，
在所述支撑轴的下端设置有第三法兰，所述第三法兰与所述第一法兰固定连接；
所述波纹管的上端与所述第一法兰固定连接，所述波纹管的下端与所述第二法兰固定连接；
在所述第二法兰中设置有至少两个沿其厚度贯穿的第一通孔，且至少两个所述第一通孔均匀分布在所述波纹管的周围；
所述导向柱为至少两个，且所述导向柱一一对应地穿过所述第一通孔，并且每个所述导向柱的上端与所述第三法兰固定连接，每个所述导向柱的下端设置有凸台；
所述压缩弹簧为至少两个，且所述压缩弹簧一一对应地套置在所述导向柱上，并且所述压缩弹簧位于所述第二法兰与所述凸台之间，且所述压缩弹簧的弹力大于所述第二法兰和所述导热媒介的重力之和。
4.根据权利要求3所述的加热基座，其特征在于，在所述第二法兰中设置有贯穿其厚度的第二通孔，且在所述第二法兰的底部设置有安装件，并且在所述安装件与所述第二法兰之间设置有密封圈，用于密封所述第二通孔；
所述加热基座还包括加热电极，所述加热电极由下而上贯穿所述安装件，并与所述加热元件电连接。
5.根据权利要求3所述的加热基座，其特征在于，在所述第二法兰中设置有热电偶安装孔，且在所述热电偶安装孔的上端设置有直管，所述直管竖直设置，且所述直管的下端是敞开的，所述直管的上端是封闭的，且延伸至所述基座主体中；
所述加热基座还包括热电偶，所述热电偶由下而上依次穿过所述热电偶安装孔和直管，并与所述直管的上端接触。
6.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，在所述支撑轴与所述基座主体的连接处有圆角过渡。
7.根据权利要求6所述的加热基座，其特征在于，所述圆角的半径的取值范围在5～50mm。
8.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，在所述基座主体上设置有凹槽，待加热工件设置在所述凹槽中。
9.根据权利要求8所述的加热基座，其特征在于，所述空腔在所述基座主体中的部分的外径大于所述凹槽的直径。
10.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，在所述基座主体中设置有多个贯穿其厚度的第三通孔，且多个所述第三通孔围绕所述基座主体的轴线均匀分布。
11.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述基座主体包括用于承载待加热件的承载面，并且在所述基座主体的接触所述导热媒介的表面，且与所述承载面相背离的区域分布有多个凸起，用于增加该区域与所述导热媒介的接触面积。
12.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，在加热温度小于等于300℃时，所述基座主体采用铝制作；在加热温度大于300℃，且小于等于750℃时，所述基座主体采用不锈钢、石英或者陶瓷制作；在加热温度大于750℃，且小于等于1350℃时，所述基座主体采用钨、钼制作。
13.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，在加热温度小于等于100℃时，所述导热媒介采用水；在加热温度大于100℃，且小于等于400℃时，所述导热媒介采用油；在加热温度大于400℃，且小于等于1350℃时，所述导热媒介采用熔盐。
14.一种半导体加工设备，包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有加热基座，其特征在于，所述加热基座采用权利要求1-13任意一项所述的加热基座。
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2109996B (en) * 1981-11-24 1985-08-07 Varian Associates Hydraulically actuated semiconductor wafer clamping and cooling apparatus
EP0746010A2 (en) * 1993-06-07 1996-12-04 Applied Materials, Inc. Sealing device and method useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
CN1798953A (zh) * 2003-06-05 2006-07-05 株式会社尼康 具有温度控制的热管
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
CN201484038U (zh) * 2009-07-17 2010-05-26 蔡瑞安 具气囊式容室的密闭式液体摆饰物
US20120231628A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Novellus Systems Inc. Reduction of a process volume of a processing chamber using a nested dynamic inert volume
CN104428064A (zh) * 2012-07-09 2015-03-18 拜奥卡蒂斯股份有限公司 用于一次性诊断盒的加热器
CN204285908U (zh) * 2014-11-06 2015-04-22 Tcl空调器(中山)有限公司 储液罐、冷媒循环系统及空调器
CN105480612A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 成都佳信电气工程技术公司 一种容器压力补偿装置
CN205809537U (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种热盘及烘干装置
CN106611733A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 沈阳拓荆科技有限公司 一种多进口空腔加热支撑架
CN106609354A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体镀膜设备可控温基台
CN107388533A (zh) * 2017-08-18 2017-11-24 广东高而美制冷设备有限公司 一种适用于空调系统的可变体积蓄能水箱

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2109996B (en) * 1981-11-24 1985-08-07 Varian Associates Hydraulically actuated semiconductor wafer clamping and cooling apparatus
EP0746010A2 (en) * 1993-06-07 1996-12-04 Applied Materials, Inc. Sealing device and method useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
CN1798953A (zh) * 2003-06-05 2006-07-05 株式会社尼康 具有温度控制的热管
JP2010114397A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
CN201484038U (zh) * 2009-07-17 2010-05-26 蔡瑞安 具气囊式容室的密闭式液体摆饰物
US20120231628A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Novellus Systems Inc. Reduction of a process volume of a processing chamber using a nested dynamic inert volume
CN104428064A (zh) * 2012-07-09 2015-03-18 拜奥卡蒂斯股份有限公司 用于一次性诊断盒的加热器
CN204285908U (zh) * 2014-11-06 2015-04-22 Tcl空调器(中山)有限公司 储液罐、冷媒循环系统及空调器
CN106611733A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 沈阳拓荆科技有限公司 一种多进口空腔加热支撑架
CN106609354A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体镀膜设备可控温基台
CN105480612A (zh) * 2015-12-30 2016-04-13 成都佳信电气工程技术公司 一种容器压力补偿装置
CN205809537U (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 京东方科技集团股份有限公司 一种热盘及烘干装置
CN107388533A (zh) * 2017-08-18 2017-11-24 广东高而美制冷设备有限公司 一种适用于空调系统的可变体积蓄能水箱

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