CN110376751A - 光学波长分光装置及其制造方法 - Google Patents

光学波长分光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110376751A
CN110376751A CN201910671758.0A CN201910671758A CN110376751A CN 110376751 A CN110376751 A CN 110376751A CN 201910671758 A CN201910671758 A CN 201910671758A CN 110376751 A CN110376751 A CN 110376751A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
optical
wavelength dispersion
grating
dispersion device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910671758.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110376751B (zh
Inventor
柯正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of CN110376751A publication Critical patent/CN110376751A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110376751B publication Critical patent/CN110376751B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/24—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer not being coherent before laminating, e.g. made up from granular material sprinkled onto a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0008—Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0036—Heat treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0944—Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1861—Reflection gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
    • G02B6/29305—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating as bulk element, i.e. free space arrangement external to a light guide
    • G02B6/29307—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating as bulk element, i.e. free space arrangement external to a light guide components assembled in or forming a solid transparent unitary block, e.g. for facilitating component alignment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29304—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating
    • G02B6/29305—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by diffraction, e.g. grating as bulk element, i.e. free space arrangement external to a light guide
    • G02B6/29308—Diffractive element having focusing properties, e.g. curved gratings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/24—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer not being coherent before laminating, e.g. made up from granular material sprinkled onto a substrate
    • B32B2037/243—Coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/416—Reflective
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0831—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00—Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/085—Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using X-ray
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B32B2311/02—Noble metals
    • B32B2311/04—Gold
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • B32B2311/18—Titanium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2551/00—Optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明揭露一种光学波长分光装置，主要由一第一基板、一输入单元、一光栅、一第一光学反射单元以及一第二基板所组成。该输入单元形成于该第一基板上，并具有一狭缝以接收一光学讯号；该光栅形成于该第一基板上，可根据该光学讯号产生一输出之第一光束。该第一光学反射单元形成于该第一基板上，用以反射来自于该光栅的该第一光束。该第二基板则覆盖于该输入单元与该光栅上。其中，该输入单元、该光栅以及该第一光反射单元系利用高能量光源对一光阻层进行曝光所形成。

Description

光学波长分光装置及其制造方法
相关申请案参照
本申请案为一美国正式申请案，根据35 U.S.C.§119请求美国临时案之优先权，临时案申请号为61/563,734，申请日为11/25/2011。
著作权公告
此专利文件中的部份揭露内容受著作权保护。著作权所有人同意任何人对此专利揭露内容进行复制，但前提是复制的揭露内容必须和美国专利局(United States Patentand Trademark Office)档案或记录中的揭露内容相符，著作权所有人对于除上述状况之外的其余任何状况均保留全部著作权权利。
技术领域
本发明系关于一种波长分散装置，尤指一种可缩小体积与降低成本的SoC光学波长分光装置及其制造方法。
背景技术
按，光通讯乃一种利用光作为传输媒介的任何通信，而光通讯系统包含有一用以将讯息编码成光讯号的发射器、一用来传输讯号的信道以及用来将接受到的光讯号再生成原讯息的接收器。该接收器包含一用以接收该光学讯号的输入狭缝以及一使不同方向之该光学讯号散射与绕射后输出的光栅。在其他的光学应用之中，如光谱仪或光学分析仪等等，光栅在这些应用中都扮演着相当重要的角色。
由于硅的微加工具有各式各样的衍生性，故最适合被当作先进技术来制造微电子机械学系统(MEMS)的装置。然，很多微系统的应用中，都会有着材料基础、几何学、宽深比、尺寸、形状、微结构精确度以及许多无法透过主流硅微加工科技来满足的需求。LIGA(Lithography,Electroplating,and Molding)，乃一种结合微影、电镀以及制模的微制造程序，可令微结构于制造时具有高精确度，并令微结构的高度可达到数百甚至数千微米的厚度。由于光栅结构具有小间距的原因，故LIGA(Lithography,Electroplating,andMolding)的脱模过程良率是不足以满足制造垂直光栅的要求。
美国专利US7034935号揭示一种具有侦测数组的高性能微小光谱仪，可光学耦合一厚光波导结构，于厚光波导结构之输出面外部则有一聚焦平面。该侦测数组系安装于该厚光波导结构上，并与该聚焦平面间有着固定的距离。由于光谱仪是由很多组件所组合而成，因此很明显的，美国专利US7034935号中的光谱仪会因为体积的关系而难以堪称实用。
美国专利US7485869号揭示一种用于真空紫外光范围的光谱工具。由于该光谱工具是由很多组件所组合而成，因此很明显的，美国专利US7485869号中的光谱工具会因为体积的关系而难以堪称实用。
美国专利US2010053611号揭示一种具有高密度沟槽的绕射光栅结构，包含一具有连续不断凹陷特征的梯形基板，以及配置于该基板上的多层堆栈材料。该绕射光栅虽然是透过半导体制程来成形，但其并非属于SoC(系统单晶片)的结构。
因此，能提供一种体积相对较小的光处理装置，实为一刻不容缓的议题。
发明内容
本发明之一目的在于提供一种光学波长分光装置，以达到缩小体积及以及降低制造成本之功效者。
本发明之另一目的在于提供一种光学波长分光装置，以利用高能量光源曝光技术来达到SoC(系统单晶片)之制造功效。
为达上述目的，本发明之实现技术如下：
一种光学波长分光装置，包含：一第一基板；一输入单元，系形成于该第一基板上，并具有一狭缝，以接收一光学讯号；一光栅，系形成于该第一基板上，用于从该光学讯号产生衍射光束；一第一光学反射单元，形成于该第一基板上，以反射输出来自于该光栅之该衍射光束用于输出；以及一第二基板，系覆盖于该第一基板上；其中，该输入单元、该光栅与该第一光学反射单元系利用一高能量光源曝光从一光阻层形成，且该高能量光源的波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该光栅具有凹面、凸面或平面的轮廓，且其表面呈现层叠薄片态样、锯齿态样、闪耀态样、正弦曲线态样或上述的组合态样。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。
于上述的光学波长分光装置中，更包含一第二光学反射单元，系形成于该第一基板上，用以反射来自于该第二光学反射单元的该衍射光束。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该第二光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。
本发明之另一实施例，即在提供一种光学波长分光装置，包含：一第一基板；一输入单元，系形成于该第一基板上，并具有一狭缝，以接收一光学讯号；一第一光学反射单元，形成于该第一基板上，以反射来自于该输入单元之该光学讯号；一光栅，系形成于该第一基板上，用于从该第一光学反射单元反射的该光学讯号产生衍射光束用于输出；以及一第二基板，系覆盖于该第一基板上；其中，该输入单元、该光栅与该第一光学反射单元系利用一高能量光源曝光从一光阻层形成。
本发明之又一实施例，即在提供一种光学波长分光装置之制造方法，该方法包含下列步骤：(a)提供一第一基板；(b)于该第一基板上形成一光阻层；(c)利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对该光阻层进行曝光，且该高能量光源之波长范围介于系0.01奈米至100奈米之间；(d)对该光阻层显影(Development)，以形成一具有一狭缝之输入单元、一第一光学反射单元与一光栅；(e)于该第一基板、该输入单元、该第一光学反射单元与该光栅表面镀上一反射层；以及(f)将一第二基板覆盖于该第一基板上方。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。
于上述的光学波长分光装置中，其中，该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该光栅具有凹面、凸面或平面的轮廓，且其表面呈现层叠薄片态样、锯齿态样、闪耀态样、正弦曲线态样或上述的组合态样。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该光阻层的厚度介于10微米至1000微米之间。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该高能量光源光罩包含一第三基板、一形成于该第三基板上之金属层、复数形成于该金属层上方之金属图样，以及一形成于该第三基板底面之硅层。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该高能量光源光罩之该第三基板材质为氮化硅(Si3N4)或碳化硅(SiC)，且该第三基板之厚度介于1微米至5微米之间。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，其中，该金属层系为一厚度介于10奈米至200奈米之间的钛层，且该复数金属图样均为一厚度介于1微米至10微米之间的金图样。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，在步骤(c)之后，更包含将该高能量光源光罩与该第一基板旋转一倾斜角度，以透过二次曝光来形成一第二光学反射单元的步骤。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，在步骤(c)之后，更包含透过一相对于该第一基板具有一倾斜角度之光罩体进行第二次曝光来形成一第二光学反射单元的步骤。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，更包含于100℃至200℃的温度下，对该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元以及该第二光学反射单元进行硬烤的步骤。
于上述的光学波长分光装置之制造方法中，更包含于该第一基板、该输入单元、该光栅、该光学反射单元以及该第二光学反射单元表面镀上一高反射镀层的步骤。
为使本发明之光学波长分光装置及其制造方法与上述其他目的、特征及功效能更明显易懂，兹藉由下述具体之实施例，并配合所附之图式，对本发明一详细说明如下。
附图说明
图1(a)至图1(d)为本发明光学波长分光装置之示意图。
图2(a)与图2(b)分别为本发明光栅之俯视图与侧面剖视图。
图3至图9为本发明光学波长分光装置之制造过程示意图。
具体实施方式
下述的揭露内容是为了让熟悉该项技术之人能够制作和使用本发明。描述中的较佳实施例仅作为举例参考，由于本领域技术人员可以容易地做出许多修改和变化，我们不想把这项发明仅仅限制在我们所解释和描述的确切的结构和操作上。因此，所有合适的修改和等价变化间落入本发明的保护范围。
对光学通讯装置来说，一些基本的组件，如光栅等，是可以透过半导体制程来制造出来，但某些则无法。因此，如何能将光学通讯装置的所有组件都利用半导体曝光微影制程而制造出来，实为一有意义的议题。
图1(a)为本发明光学波长分光装置之示意图，如图所示：本发明之光学波长分光装置10包括一第一基板11、一具有一狭缝121之输入单元12、一光栅13、一第一光学反射单元14、一输出单元(图未示)以及一第二基板(图未示)。该输入单元12形成于该第一基板11上，并可经由该狭缝121接收一光学讯号，且该狭缝121的宽度介于5微米(μm)至500微米之间。该光栅13形成于该第一基板11上，用于从该光学讯号产生衍射光束。该光栅具有凹面、凸面或平面的轮廓，且其表面呈现层叠薄片态样、锯齿态样、闪耀态样、正弦曲线态样或上述的组合态样。一般来说，不同波长的光学讯号就会于该输出单元的不同方向聚集。该光栅13系用来增加特定绕射层级的绕射效率，最适当的光学讯号波长大约介于200奈米至2000奈米之间。该第一光学反射单元14反射来自于该光栅13的该衍射光束，并将其射入该输出单元(图未示)。该输出单元(图未示)系用以输出来自该第一光学反射单元14的该衍射光束。外部传感器(图未示)则接收来自于该第一光学反射单元14的该衍射光束，以进行后续处理。该第二基板(图未示)系覆盖于该输入单元12、该光栅13以及该第一光学反射单元14上，因此，该第一基板11与该第二基板(图未示)之间的空间即可视为一光学波导管，用以接收与传送光学讯号。
此外，该输入单元12、该光栅13与该第一光学反射单元14系经由一高能量光源对一光阻层曝光而形成的。该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。X光的波长为0.01奈米至1奈米；软X光的波长为0.1奈米至10奈米；超紫外光的波长则为10奈米至120奈米。该第一基板11与该第二基板(图未示)系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。再者，于光学电信以区域光学通讯领域中，会因为表面粗糙度限制的关系，故该高能量光源的波长介于0.1奈米至1奈米会比1奈米至100奈米来的恰当。
在图1(a)中，由于该第一光学反射单元14反射角度的关系，自该第一光学反射单元14向该输出单元输出的该衍射光束方向上将会与该光学讯号的输入方向相同。因此，本发明之光学波长分光装置10就可以具有长方形或正方形的形状。
图1(b)亦为本发明光学波长分光装置之示意图，如图所示：该光学波长分光装置10’主要由一第一基板11、一具有一狭缝121之输入单元12、一光栅13、一第一光学反射单元14、一输出单元(图未示)以及一第二基板(图未示)所组成，且其与图1(a)中的光学波长分光装置10相当类似。由于该第一光学反射单元14反射角度的关系，自该第一光学反射单元14输出之该衍射光束输出方向与该光学讯号输入方向的夹角大约为45度至135度之间，最佳为90度。因此，本发明之光学波长分光装置10’就可以具有长方形或正方形的外围形状。
在图1(a)与图1(b)中，如图所示：该光学波长分光装置10、10’更包含有一形成于该第一基板11上之第二光学反射单元15，用以反射来自该第一光学反射单元14的该衍射光束。如此一来，外部传感器(图未示)就能根据使用者的需求而放置于该光学波长分光装置10、10’的任何方向与位置(尤指上方或下方)，且该第二光学反射单元15亦经由该高能量光源对该光阻层曝光而形成的。
图1(c)为本发明光学波长分光装置之另一示意图，如图所示：该光学波长分光装置10”主要由一第一基板11、一具有一狭缝121之输入单元12、一光栅13、一第一光学反射单元14、一输出单元(图未示)以及一第二基板(图未示)所组成。该输入单元12形成于该第一基板11上，并可经由该狭缝121接收一光学讯号。该第一光学反射单元14形成于该第一基板11上，用以反射来自于该输入单元12的该光学讯号。该光栅13形成于该第一基板11上，用于从该第一光学反射单元14反射的该光学讯号产生衍射光束。该输出单元(图未示)系用以输出来自该光栅13的该衍射光束。该第二背板(图未示)覆盖在该第一背板11上并接触该输入单元12、该光栅13和该第一光学反射单元14。外部传感器(图未示)则接收来自于该光栅13的该衍射光束，以进行后续处理。
在图1(c)中，由于该第一光学反射单元14反射角度的关系，自该光栅13向该输出单元输出的该衍射光束方向上将会与该光学讯号的输入方向相同。因此，本发明之光学波长分光装置10”就可以具有长方形或正方形的外围形状。
图1(d)亦为本发明光学波长分光装置之另一示意图，如图所示：该光学波长分光装置10”’主要由一第一基板11、一具有一狭缝121之输入单元12、一光栅13、一第一光学反射单元14、一输出单元(图未示)以及一第二基板(图未示)所组成，且其与图1(c)中的光学波长分光装置10”相当类似。由于该第一光学反射单元14反射角度的关系，自该光栅13输出之该衍射光束输出方向与该光学讯号输入方向的夹角大约为45度至135度之间，最佳为90度。因此，本发明之光学波长分光装置10”’就可以具有长方形或正方形的外围形状。
图2(a)与图2(b)分别为本发明光栅13于图1(a)至1(d)之俯视图与侧面剖视图，如图所示：于经过高能量光源曝光之后，光栅13表面各邻接波峰之间的间距大约为3微米，且其表面粗糙度大约为5奈米至10奈米。因此，该光栅13即可适用于光学电信及区域光学通讯领域之中。
图3至图9为本发明光学波长分光装置之制造过程示意图，如图所示：为制造光学波长分光装置，首先，会提供一第一基板11，并于该第一基板11上形成一厚度为10微米至1000微米的光阻层111(图4)。该光学波长分光装置中的所有组件都将透过该光阻层111才形成。该光阻层111的材质为SU-8或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。随后，该光阻层111就会被一高能量光源30(如X光、软X光或超紫外光等)透过一高能量光源光罩20进行曝光(图5)。于图5中显示，该高能量光源光罩20包含一第三基板201，其材质为氮化硅(Si3N4)或碳化硅(SiC)，且其厚度介于1微米至5微米之间。该高能量光源光罩20更包含一形成于该第三基板201上且厚度介于10奈米至200奈米之钛层204(金属层)、一形成于该钛层204上之复数金图样203(金属图样)以及一形成于该第三基板201底面之硅层202。部份的高能量光源30将被厚度介于1微米至10微米的复数金图样203遮蔽，且该高能量光源光罩20上之该金图样203会藉由该高能量光源的曝光后，转移到该光阻层111上。
举例来说，经过该高能量光源曝光之后，光阻层111上经过该高能量光源曝光的区域就会进行显影。如图6所示，经过显影之后，光阻层111上经过曝光的区域就会形成具有狭缝121的输入单元12(示于图1(a))、光栅13以及第一光学反射单元14(如图1所示)。甚者，在显影之前，可将该高能量光源光罩20与该第一基板11一同旋转一倾斜角度(例如45度)，透过二次曝光来形成一第二光学反射单元15；亦或是透过一相对于该第一基板11具有一倾斜角度之光罩体(图未示)进行第二次曝光来形成该第二光学反射单元15。此外，为增加输入单元12、该光栅13、该第一光学反射单元14与该第二光学反射单元15的结构强度，可于100℃至200℃的温度下，对该输入单元12、该光栅13以及该第一光学反射单元14与该第二光学反射单元15进行硬烤。
由于该输入单元12、该光栅13以及该光反射单元14均为利用高能量光源于该光阻层111曝光来形成，也就是形成于该第一基板11上，故可达到SoC的目的。
为加强该第一基板11、该输入单元12、该光栅13、该第一光学反射单元14与该第二光学反射单元15的反射率，故可增加于该第一基板11、该输入单元12、该光栅13、该第一光学反射单元14与该第二光学反射单元15表面镀上一高反射率镀层(金或铝)112的步骤(如图8所示)。最后，再将一表面镀有该高反射率镀层(金或铝)112的第二基板16覆盖于该输入单元12、该光栅13与该第一光学反射单元14上。因此，于图9中，该第一基板11与该第二基板16之间的空间就可视为一光学波导，用以于该输入单元12与传感器(图未示)之间接收/传送光学讯号。
另，未于图9中显示，复数个第一连接单元系形成为该第一基板11上，以做为与该第二基板16上的第二连接单元结合的桥梁。透过复数个第一连接单元和第二连接单元的结合，该光学波长分光装置10的结构稳固性就会因此而增强。
在详细说明上述本发明的各项较佳实施例之后，熟悉该项技术人士可清楚的了解，在不脱离下述申请专利范围与精神下可进行各种变化与改变，如限位单元的各种实施态样等等，亦不受限于说明书之实施例的实施方式。

Claims (23)

1.一种光学波长分光装置，包含：
一第一基板；
一输入单元，系形成于该第一基板上，并具有一狭缝，以接收一光学讯号；
一光栅，系形成于该第一基板上，其中该光栅是反射式光栅，可根据该光学讯号产生输出之一第一光束；
一第一光学反射单元，系形成于该第一基板上，以反射输出来自于该光栅之该第一光束；
一第二光学反射单元，系形成于该第一基板上，用以反射来自于该第一光学反射单元的该第一光束，从而容许一外部传感器被放置于该光学波长分光装置的任何方向；
一输出单元，以输出该第一光束；以及
一第二基板，系覆盖于该输入单元与该光栅上；其中，该输入单元、该第一光学反射单元、该第二光学反射单元与该光栅系利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对一光阻层进行曝光所形成，且该高能量光源的波长范围介于0.1奈米至1奈米之间；其中该第一基板与该第二基板界定一光波导空间于两者之间；其中该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元与该第二光学反射单元分别被设置于于该光波导空间；其中，进一步包含一高反射率镀层镀于该第一基板、该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元、该第二光学反射单元与该第二基板。
2.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中，该高能量光源系为X光或软X光中之任一者；其中该第一光学反射单元具有一反射角度以容许该第一光学反射单元反射该第一光束至该输出单元，其中在该第一光束被该第一光学反射单元反射后，该第一光束的输出方向与该光学讯号的输入方向相同。
3.如申请专利范围第2项所述之光学波长分光装置，其中，该高反射率镀层由金或铝材料所制成，其中该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
4.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中该光栅具有具有凹面、凸面或平面的整体轮廓，且其表面呈现层叠薄片态样、锯齿态样、闪耀态样、正弦曲线态样或上述层叠薄片、锯齿、闪耀、正弦曲线的组合态样，其中该光栅表面各邻接波峰之间的间距大约为3微米。
5.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者；其中该第一光学反射单元具有一反射角度以容许该第一光学反射单元反射该第一光束至该输出单元，其中在该第一光束被该第一光学反射单元反射后，该第一光束与该光学讯号的夹角为45度至135度之间。
6.如申请专利范围第1项所述之光学波长分光装置，其中该第一光学反射单元与该第二光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。
7.如申请专利范围第3项所述之光学波长分光装置，其中，进一步该第一基板上設有复数个第一连接单元与该第二基板設有复数个第二连接单元，，其中该第一基板与该第二基板结合係透过该第一连接单元和该第二连接单元的结合。
8.一种光学波长分光装置，包含：
一第一基板；
一输入单元，系形成于该第一基板上，并具有一狭缝，以接收一光学讯号；
一第一光学反射单元，形成于该第一基板上，以反射该光学讯号；
一光栅，系形成于该第一基板上，其中该光栅是反射式光栅，可根据来自于该第一光学反射单元之该光学讯号产生一第一光束以输出；
一第二光学反射单元，系形成于该第一基板上，用以反射来自于该光栅的该第一光束，从而容许一外部传感器被放置于该光学波长分光装置的任何方向；
一输出单元，以输出该第一光束；以及
一第二基板，系覆盖于该输入单元与该光栅上；其中该输入单元、该第一光学反射单元与该光栅系利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对一光阻层进行曝光所形成，且该高能量光源的波长范围介于0.1奈米至1奈米之间；其中该第一基板与该第二基板界定一光波导空间于两者之间；其中该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元与该第二光学反射单元分别被设置于于该光波导空间；其中，进一步包含一高反射率镀层镀于该第一基板、该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元、该第二光学反射单元与该第二基板。
9.如申请专利范围第8项所述之光学波长分光装置，其中，该高反射率镀层由金或铝材料所制成，其中该第一光学反射单元与该第二光学反射单元利用该高能量光源对该光阻层进行曝光所形成。
10.如申请专利范围第9项所述之光学波长分光装置，其中，进一步该第一基板上設有复数个第一连接单元与该第二基板設有复数个第二连接单元，其中该第一基板与该第二基板结合係透过该第一连接单元和该第二连接单元的结合。
11.一种光学波长分光装置之制造方法，该方法包含下列步骤：
(a)提供一第一基板；
(b)于该第一基板上形成一光阻层；
(c)利用一高能量光源透过一高能量光源光罩对该光阻层进行曝光，且该高能量光源之波长范围介于系0.01奈米至1奈米之间；
(d)对该光阻层显影，以形成一具有一狭缝之输入单元、一第一光学反射单元与一光栅；
(e)于该第一基板、该输入单元、该第一光学反射单元与该光栅表面镀上一反射层；以及
(f)将一第二基板覆盖于该第一基板上方。
12.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源系为X光、软X光或超紫外光中之任一者。
13.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该狭缝的宽度介于5微米至500微米之间。
14.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该光栅具有凹面、凸面或平面的整体轮廓，且其表面呈现层叠薄片态样、锯齿态样、闪耀态样、正弦曲线态样或上述层叠薄片、锯齿、闪耀、正弦曲线的组合态样。
15.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该第一基板与该第二基板系为半导体基板、玻璃基板、金属基板或塑料基板中之任一者。
16.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该光阻层的厚度介于10微米至1000微米之间。
17.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源光罩包含一第三基板、一形成于该第三基板上之金属层、复数形成于该金属层上方之金属图样以及一形成于该第三基板底面之硅层。
18.如申请专利范围第17项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该高能量光源光罩之该第三基板材质为氮化硅(Si3N4)或碳化硅(SiC)，且该第三基板之厚度介于1微米至5微米之间。
19.如申请专利范围第17项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，该金属层系为一厚度介于10奈米至200奈米之间的钛层，且该复数金属图样均为一厚度介于1微米至10微米之间的金图样。
20.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，在步骤(c)之后，更包含将该高能量光源光罩与该第一基板旋转一倾斜角度，以透过第二次曝光来形成一第二光学反射单元的步骤。
21.如申请专利范围第11项所述之光学波长分光装置之制造方法，其中，在步骤(c)之后，更包含透过一相对于该第一基板具有一倾斜角度之光罩体进行第二次曝光来形成一第二光学反射单元的步骤。
22.如申请专利范围第20项所述之光学波长分光装置之制造方法，更包含于100℃至200℃的温度下，对该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元与该第二光学反射单元进行硬烤的步骤。
23.如申请专利范围第20项所述之光学波长分光装置之制造方法，更包含于该第一基板、该输入单元、该光栅、该第一光学反射单元、该第二光学反射单元与该第二基板表面镀上一高反射镀率层的步骤。
CN201910671758.0A 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法 Active CN110376751B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161563734P 2011-11-25 2011-11-25
US61/563,734 2011-11-25
US13/556,144 US9715050B2 (en) 2011-11-25 2012-07-23 Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same
US13/556,144 2012-07-23
CN201280001298.7A CN103782208A (zh) 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法
PCT/CN2012/081114 WO2013075533A1 (en) 2011-11-25 2012-09-07 Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280001298.7A Division CN103782208A (zh) 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110376751A true CN110376751A (zh) 2019-10-25
CN110376751B CN110376751B (zh) 2022-07-15

Family

ID=48466659

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910671758.0A Active CN110376751B (zh) 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法
CN201280001298.7A Pending CN103782208A (zh) 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280001298.7A Pending CN103782208A (zh) 2011-11-25 2012-09-07 光学波长分光装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9715050B2 (zh)
CN (2) CN110376751B (zh)
TW (1) TWI489142B (zh)
WO (1) WO2013075533A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107796806A (zh) * 2016-09-05 2018-03-13 柯正浩 筛检试纸及其检验之系统与方法
CN110392853A (zh) * 2017-11-30 2019-10-29 柯正浩 光学分波装置
CN110383128A (zh) * 2017-11-30 2019-10-25 柯正浩 光学分波装置及其制造方法
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
CN109597162B (zh) * 2018-12-27 2021-04-09 华为技术有限公司 平面光波导、plc芯片、光束整形结构及wss

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784935A (en) * 1986-04-04 1988-11-15 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh Method of producing a passive optical device including at least one reflection grating
US20020074554A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-20 Sweatt William C. Microoptical system and fabrication method therefor
US6862092B1 (en) * 1999-01-08 2005-03-01 Ibsen Photonics A/S Spectrometer
US20070086703A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Mcgill University Integrated etched multilayer grating based wavelength demultiplexer

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657723B2 (en) * 2000-12-13 2003-12-02 International Business Machines Corporation Multimode planar spectrographs for wavelength demultiplexing and methods of fabrication
JP2003139611A (ja) * 2001-11-06 2003-05-14 Olympus Optical Co Ltd 分光光度計
EP1506440A4 (en) * 2002-05-17 2005-08-10 Nanoventions Inc OPTICAL WAVEGUIDE
JP2004309146A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Olympus Corp 分光光度計
US7041979B2 (en) * 2003-09-09 2006-05-09 The Regents Of The University Of California Compact reflective imaging spectrometer utilizing immersed gratings
CN1236335C (zh) * 2003-09-22 2006-01-11 吉林大学 有机聚合物阵列波导光栅及其制作方法
WO2007112548A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Enablence Inc. Planar lightwave filter with mixed diffraction elements
US7889991B2 (en) * 2007-02-12 2011-02-15 Jds Uniphase Corporation Planar lightwave circuit based tunable 3 port filter
TWI345050B (en) * 2007-08-03 2011-07-11 Oto Photonics Inc Optical system and method of manufacturing the same
US8331027B2 (en) * 2008-07-29 2012-12-11 The Regents Of The University Of California Ultra-high density diffraction grating
US9157798B2 (en) * 2011-11-08 2015-10-13 Photon Chip, Inc. Optical wavelength dispersion device and method of manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784935A (en) * 1986-04-04 1988-11-15 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh Method of producing a passive optical device including at least one reflection grating
US6862092B1 (en) * 1999-01-08 2005-03-01 Ibsen Photonics A/S Spectrometer
US20020074554A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-20 Sweatt William C. Microoptical system and fabrication method therefor
US20070086703A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-19 Mcgill University Integrated etched multilayer grating based wavelength demultiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
US9715050B2 (en) 2017-07-25
US20150198754A1 (en) 2015-07-16
TWI489142B (zh) 2015-06-21
US9910195B2 (en) 2018-03-06
WO2013075533A1 (en) 2013-05-30
CN103782208A (zh) 2014-05-07
TW201326898A (zh) 2013-07-01
US20130135740A1 (en) 2013-05-30
CN110376751B (zh) 2022-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103459995B (zh) 光学波长分光装置及其制造方法
US7221845B2 (en) Planar optical waveguide
US7455957B2 (en) Blazed holographic grating, method for producing the same and replica grating
CN107229088B (zh) 光学微结构及光学微结构层的制作方法、导光组件及显示装置
CN110376751A (zh) 光学波长分光装置及其制造方法
US7881432B2 (en) X-ray focusing device
US20040109642A1 (en) Optical coupling arrangement
US20220299685A1 (en) Fabrication of blazed diffractive optics by through-mask oxidation
JPS6190185A (ja) ホログラフイツク露光方法
JP2004258076A (ja) 光配線層およびその製造方法
KR100433624B1 (ko) 초소형 프리즘 어레이 금형 제조방법
US7820365B1 (en) Method to fabricate a tilted logpile photonic crystal
TWI644135B (zh) Optical demultiplexing device and method of manufacturing same
WO2019104623A1 (zh) 光学分波装置及其制造方法
Yuan Flexible fabrication of multi-scale integrated 3D periodic nanostructures with phase mask
JP2008008969A (ja) 反射防止構造体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant