CN110359015B - 一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法 - Google Patents

一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法,该自动切换电路包括:n个级联的子电路,子电路包括切换模块和转换模块,通过转换模块的输入端接收信号采集模块获取的信号值,并根据信号值产生控制信号后通过其输出端输出至切换模块的控制端,切换模块根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的第一支路或同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的第二支路,即切换模块根据控制信号自动的切换子电路。本发明实施例提供的自动切换电路可以自动切换子电路,节约切换时间,提高切换效率。

Description

一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法
技术领域
本发明实施例涉及检测技术领域,尤其涉及一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法。
背景技术
OLED显示技术由于具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、高反应速度等优点,被广泛应用于显示领域。其中,蒸镀是OLED显示技术中一个非常重要的环节。
现有技术中蒸镀时,膜层的均匀性和厚度是通过膜厚仪来反映,即在蒸镀过程中,晶振片镀上了某种膜层,使晶振片的厚度增大,则其固有频率相应的衰减,晶振探测器采集此晶振片的固有频率后发送至膜厚仪,通过膜厚仪对固有频率进行处理后得到此膜层的厚度。因为晶振片的固有频率随着厚度增大而衰减,因此在使用一段时间后就需要通过人工进行晶振片的更换。
然而,通过人工更换晶振片,需要暂停蒸镀设备和破坏真空环境,进而造成材料的浪费和时间的浪费。
发明内容
本发明提供了一种自动切换电路、蒸镀装置及蒸镀控制方法,可以自动切换子电路,节约切换时间,提高切换效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种自动切换电路,该自动切换电路包括:
n个级联的子电路,所述子电路包括切换模块和转换模块;各级子电路中,所述切换模块均包括采集端、控制端和级联输出端,第1级至第n-1级子电路还包括测试端和级联接收端;所述转换模块包括输入端和输出端;
各级子电路中所述切换模块的所述采集端及同级所述子电路中所述转换模块的输入端同时与信号采集模块电连接;
第1级子电路中,所述切换模块的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;所述切换模块的级联输出端和所述切换模块的测试端分别与信号处理模块电连接;所述切换模块的级联接收端与下一级的级联输出端电连接;
第2级至第n-1级子电路中,所述切换模块的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;所述切换模块的级联输出端与上一级的级联接收端电连接;所述切换模块的测试端与所述信号处理模块电连接;所述切换模块的级联接收端与下一级的级联输出端电连接;
所述转换模块用于根据对应所述信号采集模块获取的信号值,产生控制信号;
所述切换模块用于在所述控制信号的控制下,选择导通第一支路或第二支路,所述第一支路为同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的连接支路;所述第二支路为同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的连接支路。
进一步地,所述第1级至第n-1级子电路的切换模块包括:第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元;
所述第一开关单元的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接,所述第一开关单元的第一端分别与所述第二开关单元的控制端、所述第三开关单元的控制端和外部电压提供模块电连接,所述第一开关单元的第二端接地设置;
所述第二开关单元的第一端与同级子电路对应的采集端电连接,所述第二开关单元的第二端电连接所述级联输出端;
所述第三开关单元的第一端电连接所述测试端,所述第三开关单元的第二端与同级电路中的所述切换模块的级联接收端电连接。
进一步地,所述第n级子电路的切换模块包括:第四开关单元和第五开关单元;
所述第四开关单元的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接,所述第四开关单元的第一端与外部电压提供模块电连接,所述第四开关单元的第二端接地设置;
所述第五开关单元的控制端与所述第四开关单元的第一端电连接,所述第五开关单元的第一端与同级子电路对应的所述采集端连接,所述第五开关单元的第二端与同级子电路对应的级联输出端电连接。
进一步地,所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元分别包括三极管或MOS管,其中所述第一开关单元与所述第二开关单元的类型相反;所述第一开关单元与所述第三开关单元的类型相同。
进一步地,所述第1级至第n-1级子电路的切换模块还包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;
所述第一开关单元的控制端通过所述第一电阻与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;
所述第一开关单元的第一端分别通过所述第二电阻与所述第二开关单元的控制端、通过所述第三电阻与所述第三开关单元的控制端和通过所述第四电阻与所述外部电压提供模块电连接。
进一步地,所述转换模块包括振荡器;所述信号采集模块包括晶振探测器;所述信号处理模块包括膜厚仪。
第二方面,本发明实施例还提供了一种蒸镀装置,该蒸镀装置包括第一方面所述的自动切换电路,还包括:n个信号采集模块和信号处理模块;
所述信号采集模块包括晶振探测器;
所述信号处理模块包括膜厚仪;
所述膜厚仪通过所述自动切换电路与各个所述晶振探测器连接,所述自动切换电路根据各所述晶振探测器的工作信号控制各所述晶振探测器依次与所述膜厚仪接通。
进一步地,所述的蒸镀装置还包括位置调节模块;
所述膜厚仪与所述自动切换电路中各级子电路内切换模块的测试端电连接;
每个所述晶振探测器分别电连接同级子电路内切换模块的采集端;
所述位置调节模块与各级子电路内转换模块的输出端,以及所述n个晶振探测器电连接,用于接收多个转换模块输出的多个控制信号,所述多个控制信号中,第k级子电路中转换模块输出的控制信号为失效信号,第k+1级子电路中转换模块输出的控制信号为有效信号,所述位置调节模块还用于将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路中的晶振探测器移动至所述预设位置。
第三方面,本发明实施例还提供了一种蒸镀控制方法,该蒸镀控制方法采用第二方面所述的蒸镀装置实现,所述蒸镀控制方法包括:
第k级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率;
所述自动切换电路采集所述震荡频率,并将所述震荡频率转换为控制信号;
当所述控制信号为第一控制信号时,所述自动切换电路根据所述第一控制信号,导通第一支路,以使所述第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率,并通过所述第一支路将第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率发送至所述膜厚仪;
当所述控制信号为第二控制信号时,所述自动切换电路根据所述第二控制信号,导通第二支路,以使第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率,并通过所述第二支路将所述第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率发送至所述膜厚仪。
进一步地,所述蒸镀装置还包括位置调节模块;
所述膜厚仪与所述自动切换电路中各级子电路内切换模块的测试端电连接;
每个所述晶振探测器分别电连接同级子电路内切换模块的采集端;
所述位置调节模块与各级子电路内转换模块的输出端,以及所述n个晶振探测器电连接;
当所述控制信号为第一控制信号时,所述自动切换电路根据所述第一控制信号,导通第一支路,同时所述位置调节模块根据所述第一控制信号不移动第k级子电路对应的晶振探测器;
当所述控制信号为第二控制信号时,所述自动切换电路根据所述第二控制信号,导通第二支路;同时所述位置调节模块根据所述第二控制信号,将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路对应的晶振探测器移动至所述预设位置。
本发明实施例提供的自动切换电路包括n个级联子电路,每个子电路包括切换模块和转换模块,通过转换模块的输入端接收信号采集模块获取的信号值,并根据信号值产生控制信号后通过输出端输出至切换模块的控制端,切换模块根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的第一支路或同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的第二支路,即切换模块根据控制信号自动的切换子电路,避免人工切换时,浪费时间的问题,可以节约时间,提高切换效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种自动切换电路的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的又一种自动切换电路的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的又一种自动切换电路的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种蒸镀控制方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种自动切换电路的结构示意图,如图1所示,该自动切换电路包括:n个级联的子电路100,子电路100包括切换模块10和转换模块20;各级子电路100中,切换模块10均包括采集端A1、控制端A2和级联输出端A3,第1级至第n-1级子电路还包括测试端A5和级联接收端A4;转换模块20包括输入端B1和输出端B2;
各级子电路100中切换模块10的采集端A1及同级子电路中转换模块20的输入端B1同时与信号采集模块30电连接;
第1级子电路1001中,切换模块101的控制端A21与同级子电路中的转换模块201的输出端B21电连接;切换模块101的级联输出端A31和切换模块101的测试端A51分别与信号处理模块40电连接;切换模块101的级联接收端A41与下一级的级联输出端A32电连接;
第2级至第n-1级子电路100中,切换模块10的控制端A2与同级子电路中的转换模块20的输出端电B2连接;切换模块10的级联输出端A3与上一级的级联接收端A4电连接;切换模块10的测试端A5与信号处理模块40电连接;切换模块10的级联接收端A4与下一级的级联输出端A3电连接;
转换模块20用于根据对应信号采集模块30获取的信号值,产生控制信号;
切换模块10用于在控制信号的控制下,选择导通第一支路或第二支路,第一支路为同级子电路的级联输出端A3与上一级的级联接收端A4构成的连接支路;第二支路为同级子电路的级联接收端A4与下一级子电路的级联输出端A3构成的连接支路。
其中,图1仅示例性展示了n为4时自动切换电路的切换,在实际设置时,子电路100的个数可以有多种。虽然子电路100的个数不同,但其工作原理相同。下面就以4个级联的子电路100的典型示例进行详细说明,但下述内容均不属于对本发明的限制。
具体地,参见图1,当第1级子电路1001中信号采集模块301正常工作时,信号采集模块301获取信号值,此时信号值包括正常信号值,并将此信号值发送至同级子电路的转换模块201,转换模块201根据此信号值产生一个控制信号,此控制信号例如可以为高电平信号,然后将此控制信号通过其输出端B21输出至切换模块101的控制端A21,切换模块101根据此控制信号,控制其采集端A11采集信号采集模块301获取的信号值,并通过级联输出端A31将信号值输出至信号处理模块40,通过信号处理模块40对信号值进行处理,以得到相应的参数。
当第1级子电路1001中信号采集模块301工作不正常时,信号采集模块301获取的信号值包括不正常信号值,此时同级子电路的转换模块201根据此信号值产生一个控制信号,此控制信号例如可以为低电平信号,然后将此控制信号通过其输出端B21输出至切换模块101的控制端A21,切换模块101根据此控制信号,控制其采集端A11以及级联输出端A31关闭,以使信号采集模块301获取的信号值不会通过级联输出端A31将信号值输出至信号处理模块40。同时切换模块101控制其测试端A51和级联接收端A41导通,使第2级子电路1002中信号采集模块302获取信号值,并通过第2级子电路1002中切换模块102采集端A12采集信号采集模块302获取的信号值,然后通过级联输出端A32将信号值输出至第1级子电路1001的级联接收端A41,通过第1级子电路1001的级联接收端A41和测试端A51将信号值输出至信号处理模块40,通过信号处理模块40对信号值进行处理,以得到相应的参数。
当第2级子电路1002中信号采集模块302工作不正常时,信号采集模块302获取的信号值包括不正常信号值,此时同级子电路的转换模块202根据此信号值产生一个控制信号,此控制信号例如可以为低电平信号,然后将此控制信号通过其输出端B22输出至切换模块102的控制端A22,切换模块102根据此控制信号,控制其采集端A12以及级联输出端A32关闭,以使信号采集模块302获取的不正常信号值不会通过级联输出端A32将信号值输出至信号处理模块40。同时切换模块102控制其测试端A52和级联接收端A42导通,使第3级子电路1003中信号采集模块303获取信号值,并通过第3级子电路1003中切换模块103采集端A13采集信号采集模块303获取的信号值,然后通过级联输出端A33将信号值输出至第2级子电路1001的级联接收端A42,通过第2级子电路1003的级联接收端A42和测试端A52将信号值输出至信号处理模块40,通过信号处理模块40对信号值进行处理,以得到相应的参数。
当第3级子电路1003中信号采集模块303工作不正常时,信号采集模块303获取的信号值包括不正常信号值,此时同级子电路的转换模块203根据此信号值产生一个控制信号,此控制信号例如可以为低电平信号,然后将此控制信号通过其输出端B23输出至切换模块103的控制端A23,切换模块103根据此控制信号,控制其采集端A13以及级联输出端A33关闭,以使信号采集模块303获取的不正常信号值不会通过级联输出端A33将信号值输出至信号处理模块40。同时切换模块103控制其测试端A53和级联接收端A43导通,使第4级子电路1004中信号采集模块304获取信号值,并通过第4级子电路1004中切换模块104采集端A14采集信号采集模块304获取的信号值,然后通过级联输出端A34将信号值输出至第3级子电路1003的级联接收端A43,通过第3级子电路1003的级联接收端A43和测试端A53将信号值输出至信号处理模块40,通过信号处理模块40对信号值进行处理,以得到相应的参数。
可选的,第4级子电路1004中还包括一报警模块(图中未示出),报警模块例如可以与第4级子电路1004中转换换模块204的输出端B24连接。当第4级子电路1004中信号采集模块304工作不正常时,信号采集模块304获取的信号值包括不正常信号值,此时同级子电路的转换模块204根据此信号值产生一个控制信号,此控制信号例如可以为低电平信号,然后将此控制信号通过其输出端B24输出至切换模块104的控制端A24,以及报警模块,报警模块例如可以根据此控制信号,产生警示信息,以提醒用户信号采集模块30产生的信号值全部不是正常信号值,需要重新更换信号采集模块30。
可以理解的是,n个级联的子电路100的个数包括但不限于4,本领域技术人员可以根据产品所需自行设定子电路100的个数,在本发明中不进行具体限制。虽然子电路100的个数不同,但其工作原理相同,在此不再赘述。
本发明实施例提供的自动切换电路包括n个级联子电路,每个子电路包括切换模块和转换模块,通过转换模块的输入端接收信号采集模块获取的信号值,并根据信号值产生控制信号后通过输出端输出至切换模块的控制端,切换模块根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的第一支路或同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的第二支路,即切换模块根据控制信号自动的切换子电路,避免人工切换时,浪费时间的问题,可以节约时间,提高生产效率。同时,提高信号值的准确性,避免了不正常的信号值进入信号处理模块。本发明实施例在第n级子电路上,即最后一级子电路上加装报警模块,所述报警模块可以根据第n级子电路的信号采集模块发出的控制信号,产生警示信息,以提醒用户需要重新更换各级子电路中的信号采集模块。
图2是本发明实施例提供的又一种自动切换电路的结构示意图。在上述方案的基础上,可选的,如图2所示,第1级至第n-1级子电路的切换模块10包括:第一开关单元S1、第二开关单元S2和第三开关单元S3;
第一开关单元S1的控制端与同级子电路中的转换模块20的输出端B2电连接,第一开关单元S1的第一端分别与第二开关单元S2的控制端、第三开关单元S3的控制端和外部电压提供模块50电连接,第一开关单元S1的第二端接地设置;
第二开关单元S2的第一端与同级子电路对应的采集端A1电连接,第二开关单元S2的第二端电连接级联输出端A3;
第三开关单元S3的第一端电连接测试端A5,第三开关单元S3的第二端与同级电路中的切换模块10的级联接收端A4电连接。
上述方案中第1级至第n-1级子电路中,通过第一开关单元S1、第二开关单元S2和第三开关单元S3根据切换模块10的控制端A2接收的控制信号导通或关闭,从而实现切换模块10根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的第一支路或同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的第二支路。
可选的,第n级子电路的切换模块包括:第四开关单元S14和第五开关单元S24
第四开关单元S14的控制端与同级子电路中的转换模块20的输出端B24电连接,第四开关单元S14的第一端与外部电压提供模块50电连接,第四开关单元S14的第二端接地设置;
第五开关单元S24的控制端与第四开关单元S14的第一端电连接,第五开关单元S24的第一端与同级子电路对应的采集端A14连接,第五开关单元S24的第二端与同级子电路对应的级联输出端A34电连接。
上述方案中第n级子电路中,通过第四开关单元S1n和第五开关单元S2n根据切换模块10n的控制端A2n接收的控制信号导通,从而实现切换模块10n根据控制信号选择导通同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的支路。
在上述方案的基础上,可选的,第一开关单元S1、第二开关单元S2和第三开关单元S3分别包括三极管或MOS管,其中第一开关单元S1与第二开关单元S2的类型相反;第一开关单元S1与第三开关单元S3的类型相同。
可选的,第四开关单元S1n和第五开关单元S2n分别包括三极管或MOS管,其中第四开关单元S1n和第五开关单元S2n的类型相反。
图3是本发明实施例提供的又一种自动切换电路的结构示意图。在上述方案的基础上,可选的,如图3所示,第1级至第n-1级子电路的切换模块10还包括:第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4;
第一开关单元S1的控制端通过第一电阻R1与同级子电路中的转换模块20的输出端B2电连接;
第一开关单元S1的第一端分别通过第二电阻R2与第二开关单元S2的控制端、通过第三电阻R3与第三开关单元S3的控制端和通过第四电阻R4与外部电压提供模块50电连接。
其中,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4均是分压的作用。防止高电压对第一开关单元S1、第二开关单元S2以及第三开关单元S3的损坏。
可选的,继续参见图3,第n级子电路的切换模块10n还包括:第五电阻R1n、第六电阻R2n和第七电阻R4n;S1n的控制端通过第五电阻R1n与同级子电路中的转换模块20n的输出端B2n电连接,第四开关单元S1n的第一端分别通过第六电阻R2n与第五开关单元S2n的第一端连接、通过第七电阻R4n与外部电压提供模块50电连接。
其中,第五电阻R1n、第六电阻R2n和第七电阻R4n均是分压的作用。防止高电压对第四开关单元S1n与第五开关单元S2n的损坏。
在上述方案的基础上,可选的,转换模块20包括振荡器;信号采集模块30包括晶振探测器;信号处理模块40包括膜厚仪。
以便理解,以下内容示例性的展示了自动切换电路的整个工作过程,为了更加方便、清楚地对后续方案进行描述,以蒸镀工艺为应用场景,以转换模块20为振荡器,信号采集模块30为晶振探测器,信号处理模块40为膜厚仪,第一开关单元S1为P型三极管,第二开关单元S2为N型三极管和第三开关单元S3为P型三极管。但是并不能对本申请构成限定。
其中,在蒸镀过程中,子电路100的个数与晶振片的个数一一对应,即一个晶振探测器采集一个晶振片的固有频率,当第一个晶振片失效时,通过下一个晶振探测器采集其对应的晶振片的固有频率。
继续参见图2,首先,第1级子电路1001对应的晶振片镀上了某种膜层,使晶振片的厚度增大,则其相应的固有频率发生改变,晶振探测器实时采集晶振片的固有频率并发送至振荡器,振荡器将此时固有频率与预设频率进行比较,当此时固有频率大于预设频率时,输出高电平信号。因为第一开关单元S1为P型三极管,当其基极的电压为高电平时,第一开关单元S1导通,第二开关单元S2导通,第三开关单元S3截止,此时膜厚仪接收第1级子电路1001中的晶振探测器采集的晶振片的固有频率。
当第1级子电路1001对应的晶振片的厚度过大,即晶振片失效,此时振荡器接收的固有频率小于预设频率时,输出低电平信号。当第一开关单元S1的基极的电压为低电平时,第一开关单元S1截止,第二开关单元S2截止,第三开关单元S3导通。此时会通过第2级子电路1002将膜厚仪与第2级子电路1002中的晶振探测器连接,通过第2级子电路1002对应的晶振片的固有频率来获得膜层的厚度。依次类推,直至没有下一级子电路可切换了,通过报警模块发出警示信息,以提醒用户所有的晶振片已经全部失效。
上述方案,通过晶振探测器读取晶振片的固有频率后发送至振荡器,由振荡器来判断此晶振片的寿命,当其晶振片的固有频率低于预设频率时,自动切断当前晶振探测器与膜厚仪的连接,自动转到下一级子电路,通过下一级子电路对应的正常的晶振片的固有频率来获得膜层的厚度。实现多晶振片的自动连续接替工作,节省更换晶振片的时间,减少材料的浪费,提高生产效率。
本发明实施例还提供了一种蒸镀装置,图4是本发明实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图。如图4所示,蒸镀装置2000包括上述实施例中的自动切换电路1000,还包括:n个信号采集模块30和信号处理模块40;
信号采集模块30包括晶振探测器;
信号处理模块40包括膜厚仪;
膜厚仪通过自动切换电路1000与各个晶振探测器连接,自动切换电路1000根据各晶振探测器的工作信号控制各晶振探测器依次与膜厚仪接通。
本技术方案,实现多晶振片的自动连续接替工作,节省更换晶振片的时间,减少材料的浪费,提高生产效率。
在上述方案的基础上,可选的,蒸镀装置2000还包括位置调节模块60;
膜厚仪与自动切换电路1000中各级子电路内切换模块10的测试端A5电连接;
每个晶振探测器分别电连接同级子电路内切换模块10的采集端A1;
位置调节模块60与各级子电路内转换模块20的输出端B2,以及n个晶振探测器电连接,用于接收多个转换模块20输出的多个控制信号,多个控制信号中,第k级子电路中转换模块20输出的控制信号为失效信号,第k+1级子电路中转换模块20输出的控制信号为有效信号,位置调节模块60还用于将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路中的晶振探测器移动至预设位置。
其中,位置调节模块60例如可以包括驱动电磁阀。当第k级子电路中转换模块20输出的控制信号为失效信号,失效信号例如可以包括低电平信号,当第k+1级子电路中转换模块20输出的控制信号为有效信号,有效信号例如可以包括高电平信号。位置调节模块60根据此失效信号或有效信号,带动第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路中的晶振探测器移动至预设位置,通过第k+1级子电路对应的晶振片的固有频率得到膜层的厚度。实现多晶振片的连续使用。
本发明实施例还提供了一种蒸镀控制方法,该蒸镀控制方法采用上述实施例中的蒸镀装置实现,图5为本发明实施例提供的一种蒸镀控制方法的流程图。如图5所示,蒸镀控制方法包括:
S110、第k级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率;
S120、自动切换电路采集震荡频率,并将震荡频率转换为控制信号;
S130、当控制信号为第一控制信号时,自动切换电路根据所述第一控制信号,导通第一支路,以使第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率,并通过第一支路将第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率发送至膜厚仪;
当控制信号为第二控制信号时,自动切换电路根据第二控制信号,导通第二支路,以使第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率,并通过第二支路将第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率发送至膜厚仪。
本技术方案,实现多晶振片的自动连续接替工作,节省更换晶振片的时间,减少材料的浪费,提高生产效率。
在上述方案的基础上,可选的,蒸镀装置还包括位置调节模块;
膜厚仪与自动切换电路中各级子电路内切换模块的测试端电连接;
每个晶振探测器分别电连接同级子电路内切换模块的采集端;
位置调节模块与各级子电路内转换模块的输出端,以及n个晶振探测器电连接;
当控制信号为第一控制信号时,自动切换电路根据第一控制信号,导通第一支路,同时位置调节模块根据第一控制信号不移动第k级子电路对应的晶振探测器;
当控制信号为第二控制信号时,自动切换电路根据第二控制信号,导通第二支路;同时位置调节模块根据第二控制信号,将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路对应的晶振探测器移动至预设位置。
上述方案通过位置调节模块自动带动各子电路对应的晶振片移动,进而通过有效的晶振片的固有频率得到膜层的厚度,提高了生产效率。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种自动切换电路,其特征在于,包括:
n个级联的子电路,所述子电路包括切换模块和转换模块;各级子电路中,所述切换模块均包括采集端、控制端和级联输出端,第1级至第n-1级子电路还包括测试端和级联接收端;所述转换模块包括输入端和输出端;
各级子电路中所述切换模块的所述采集端及同级所述子电路中所述转换模块的输入端同时与信号采集模块电连接;
第1级子电路中,所述切换模块的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;所述切换模块的级联输出端和所述切换模块的测试端分别与信号处理模块电连接;所述切换模块的级联接收端与下一级的级联输出端电连接;
第2级至第n-1级子电路中,所述切换模块的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;所述切换模块的级联输出端与上一级的级联接收端电连接;所述切换模块的测试端与所述信号处理模块电连接;所述切换模块的级联接收端与下一级的级联输出端电连接;
所述转换模块用于根据对应所述信号采集模块获取的信号值,产生控制信号;
所述切换模块用于在所述控制信号的控制下,选择导通第一支路或第二支路,所述第一支路为同级子电路的级联输出端与上一级的级联接收端构成的连接支路;所述第二支路为同级子电路的级联接收端与下一级子电路的级联输出端构成的连接支路;
其中,所述转换模块包括振荡器;所述信号采集模块包括晶振探测器;所述信号处理模块包括膜厚仪。
2.根据权利要求1所述的自动切换电路,其特征在于,所述第1级至第n-1级子电路的切换模块包括:第一开关单元、第二开关单元和第三开关单元;
所述第一开关单元的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接,所述第一开关单元的第一端分别与所述第二开关单元的控制端、所述第三开关单元的控制端和外部电压提供模块电连接,所述第一开关单元的第二端接地设置;
所述第二开关单元的第一端与同级子电路对应的采集端电连接,所述第二开关单元的第二端电连接所述级联输出端;
所述第三开关单元的第一端电连接所述测试端,所述第三开关单元的第二端与同级电路中的所述切换模块的级联接收端电连接。
3.根据权利要求1所述的自动切换电路,其特征在于,所述第n级子电路的切换模块包括:第四开关单元和第五开关单元;
所述第四开关单元的控制端与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接,所述第四开关单元的第一端与外部电压提供模块电连接,所述第四开关单元的第二端接地设置;
所述第五开关单元的控制端与所述第四开关单元的第一端电连接,所述第五开关单元的第一端与同级子电路对应的所述采集端连接,所述第五开关单元的第二端与同级子电路对应的级联输出端电连接。
4.根据权利要求2所述的自动切换电路,其特征在于,所述第一开关单元、所述第二开关单元和所述第三开关单元分别包括三极管或MOS管,其中所述第一开关单元与所述第二开关单元的类型相反;所述第一开关单元与所述第三开关单元的类型相同。
5.根据权利要求2所述的自动切换电路,其特征在于,所述第1级至第n-1级子电路的切换模块还包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;
所述第一开关单元的控制端通过所述第一电阻与同级所述子电路中的所述转换模块的输出端电连接;
所述第一开关单元的第一端分别通过所述第二电阻与所述第二开关单元的控制端、通过所述第三电阻与所述第三开关单元的控制端和通过所述第四电阻与所述外部电压提供模块电连接。
6.一种蒸镀装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的自动切换电路,还包括:n个信号采集模块和信号处理模块;
所述信号采集模块包括晶振探测器;
所述信号处理模块包括膜厚仪;
所述膜厚仪通过所述自动切换电路与各个所述晶振探测器连接,所述自动切换电路根据各所述晶振探测器的工作信号控制各所述晶振探测器依次与所述膜厚仪接通;
还包括位置调节模块;
所述膜厚仪与所述自动切换电路中各级子电路内切换模块的测试端电连接;
每个所述晶振探测器分别电连接同级子电路内切换模块的采集端;
所述位置调节模块与各级子电路内转换模块的输出端,以及所述n个晶振探测器电连接,用于接收多个转换模块输出的多个控制信号,所述多个控制信号中,第k级子电路中转换模块输出的控制信号为失效信号,第k+1级子电路中转换模块输出的控制信号为有效信号,所述位置调节模块还用于将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路中的晶振探测器移动至所述预设位置。
7.一种蒸镀控制方法,其特征在于,采用权利要求6所述的蒸镀装置实现,所述蒸镀控制方法包括:
第k级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率;
所述自动切换电路采集所述震荡频率,并将所述震荡频率转换为控制信号;
当所述控制信号为第一控制信号时,所述自动切换电路根据所述第一控制信号,导通第一支路,以使所述第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率,并通过所述第一支路将第k级子电路对应的晶振探测器继续获取晶振片的震荡频率发送至所述膜厚仪;
当所述控制信号为第二控制信号时,所述自动切换电路根据所述第二控制信号,导通第二支路,以使第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率,并通过所述第二支路将所述第K+1级子电路对应的晶振探测器获取晶振片的震荡频率发送至所述膜厚仪。
8.根据权利要求7所述的蒸镀控制方法,其特征在于;
当所述控制信号为第一控制信号时,所述自动切换电路根据所述第一控制信号,导通第一支路,同时所述位置调节模块根据所述第一控制信号不移动第k级子电路对应的晶振探测器;
当所述控制信号为第二控制信号时,所述自动切换电路根据所述第二控制信号,导通第二支路;同时所述位置调节模块根据所述第二控制信号,将第k级子电路对应的晶振探测器移出预设位置,并将第k+1级子电路对应的晶振探测器移动至所述预设位置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112859667B (zh) * 2020-12-31 2024-09-27 苏州佑伦真空设备科技有限公司 一种真空蒸镀机的信号采集控制电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2795233Y (zh) * 2005-03-18 2006-07-12 上海泰尧真空科技有限公司 膜厚控制仪
CN101883006A (zh) * 2010-06-01 2010-11-10 中兴通讯股份有限公司 一种可实现线路自动桥接的级联系统及方法
CN204189158U (zh) * 2014-10-28 2015-03-04 俊杰机械(深圳)有限公司 多路信号整合装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1157495C (zh) * 2000-06-07 2004-07-14 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 真空镀膜计算机控制装置
US7244343B2 (en) * 2003-08-28 2007-07-17 Origin Electric Company Limited Sputtering apparatus
CN100545300C (zh) * 2008-04-03 2009-09-30 南京邮电大学 有机真空成膜过程中样品的自动交替镀膜控制装置及方法
CN208352204U (zh) * 2018-05-09 2019-01-08 厦门伊泰电气有限公司 状态可切换的继电器电路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2795233Y (zh) * 2005-03-18 2006-07-12 上海泰尧真空科技有限公司 膜厚控制仪
CN101883006A (zh) * 2010-06-01 2010-11-10 中兴通讯股份有限公司 一种可实现线路自动桥接的级联系统及方法
CN204189158U (zh) * 2014-10-28 2015-03-04 俊杰机械(深圳)有限公司 多路信号整合装置

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