CN110324545A - 一种像素结构、图像传感器及终端 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种像素结构、图像传感器及终端，所述像素结构包括：4个子像素结构，所述子像素结构包括：滤光片、N个光电二极管和读出电路；N取大于2的整数；所述滤光片位于所述N个光电二极管的感光区域与所述子像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；所述光电二极管，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；所述读出电路与所述N个光电二极管相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。

Description

一种像素结构、图像传感器及终端

技术领域

本申请涉及图像技术，尤其涉及一种像素结构、图像传感器及终端。

背景技术

拜耳阵列是一种将RGB(Red红，Green绿，Blue蓝)滤色器排列在光传感组件方格之上所形成的马赛克彩色滤色阵列。如图2所示，吸收红绿蓝三色的像素以图1所示的排列方式形成拜耳阵列，拜耳阵列是实现图像传感器拍摄彩色图像的主要技术之一。数字相机、录影器、扫描仪等使用的单片机数字图像传感器大多数用这种特定排列的滤色阵列来制作彩色影像。这种滤色器的排列有50％是绿色，25％是红色，另外25％是蓝色，因此也称为RGBG，GRGB或者RGGB。

互补金属氧化物半导体图像传感器(Complementary Metal OxideSemiconductor Image Sensor，CIS)是一种图形收集处理半导体器件，光电二极管(Photo-Diode，PD)作为光电转换器件应用于CIS中，使得CIS实现将光信号转化成电信号进行存储和显示。

传统的CIS的PD结构利用的是自身对于可见光的吸收，其吸收效率依赖于PD尺寸，PD的量子效率会随着PD尺寸的降低而减小，因此，在缩小PD尺寸后如何保证PD的量子效率是图像技术中亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例期望提供一种像素结构、图像传感器及终端，能够使图像传感器满足小尺寸高像素的要求。

本申请的技术方案是这样实现的：

第一方面，所述像素结构包括：4个子像素结构，所述子像素结构包括：滤光片、N个光电二极管和读出电路；N取大于2的整数；

所述滤光片位于所述N个光电二极管的感光区域与所述子像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；

所述光电二极管，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；

所述读出电路与所述N个光电二极管相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。

上述方案中，所述光电二极管具体用于根据感光区域的共振波长吸收一种特定波长的光信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的感光区域发生共振吸收时的波长；不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长。

上述方案中，所述4个子像素结构包括：P个第一类子像素结构和/或Q个第二类子像素结构；其中，P和Q均取不大于4的整数，P和Q之和等于4；其中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸相同，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管的至少部分光电二极管的感光区域尺寸不同。

上述方案中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第一尺寸时，用于吸收第一种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第二尺寸时，用于吸收第二种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第三尺寸时，用于吸收第三种特定波长的光信号；其中，所述第一种特定波长的光信号为蓝光，所述第二种特定波长的光信号为绿光，所述第三种特定波长的光信号为红光，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述第二尺寸小于第三尺寸。

上述方案中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管等间距阵列分布。

上述方案中，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管包括第一类光电二极管和第二类光电二极管时，用于吸收第四种特定波长的光信号；其中，所述第一类光电二极管的感光区域尺寸为第四尺寸，所述第二类光电二极管的感光区域尺寸为第五尺寸，所述第四尺寸和所述第五尺寸不同。

上述方案中，所述第二类子像素结构中所述第一类光电二极管等间距阵列分布，所述第二类光电二极管均匀分布在所述第一类光电二极管之间。

上述方案中，所述光电二极管形状为圆柱；其中，所述光电二极管的感光区域为所述圆柱的其中一个圆形底面。

第二方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括上述任一种所述的像素结构。

第三方面，提供了一种终端，所述终端包括上述图像传感器。

采用上述技术方案，得到了一种新的像素结构，像素结构包含4个子像素结构，每一个子像素结构中包含N个光电二极管，通过调整光电二极管的感光区域尺寸保证光电二极管具有较高的量子效率，满足了图像传感器的小尺寸高像素的要求。通过调整光电二极管的数量和排列结构，进一步提高子像素结构对特定波长光信号的吸收效率。如此，解决了像素结构尺寸太小导致的光电二极管量子效率过低的问题。

附图说明

图1为现有技术中拜耳阵列的组成结构示意图；

图2为本申请实施例中子像素结构的组成结构示意图；

图3为本申请实施例中像素结构的第一组成结构示意图；

图4为本申请实施例中像素结构的第二组成结构示意图；

图5为本申请实施例中子像素结构纵向剖面示意图；

图6为本申请实施例中读出电路的组成结构示意图；

图7为本申请实施例中图像传感器的组成结构示意图；

图8为本申请实施例中终端的组成结构示意图。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。

实施例一

在实际应用中，像素结构作为图像传感器的重要组成部分，能够完成对接收到的自然光进行光电转换，从而得到电信号，然而，像素结构的像素尺寸大约为600nm左右时，光电二极管拥有较高量子效率，随着像素结构的尺寸减小，使光电二极管的感光区域面积也随之减小从而使光电二极管的量子效率降低，影响图像传感器的成像效果。

这里，量子效率是衡量某个颜色通道某个频率/波长的光子转换成电子的效率，传统的像素结构，随着像素尺寸的不断缩减，光电二极管的感光区域面积也随着减小，使得光电二极管的电荷收集势阱中可容纳的最大信号电荷量即满阱容量(简称，阱容量)受到抑制，阱容量受到抑制使得小尺寸像素的动态范围、信噪比和灵敏度等指标恶化，而这些指标都将直接影响小尺寸像素的成像质量。

为了保证图像传感器中PD的量子效率，本申请实施例提供了一种图像传感器中的像素结构。如图2所示，像素结构包括：4个子像素结构20，所述子像素结构20包括：滤光片201、N个光电二极管202和读出电路203；N取大于2的整数；

所述滤光片201位于所述N个光电二极管202的感光区域与所述子像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；

所述光电二极管202，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；

所述读出电路203与所述N个光电二极管202相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。

入射光穿过进光口进入到子像素结构内部，被N个光电二极管吸收后转化为电信号，读出电路读出光电二极管的电信号用于颜色感知。

其中，所述光电二极管具体用于根据感光区域的共振波长吸收一种特定波长的光信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的感光区域发生共振吸收时的波长；不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长。

这里，当子像素结构中呈正方形的进光口的边长小于特定波长时，为了防止特定波长被衍射掉，本申请实施例利用光电二极管的感光区域的共振吸收特性，使得光电二极管根据其感光区域的共振波长对特定波长进行吸收。

实际应用中，光电二极管的感光区域可以为光电二极管的上表面，光电二极管的共振波长与光电二极管的感光区域的折射率和尺寸有关，所以，可以通过调整感光区域的折射率，和/或，感光区域的尺寸，来调整光电二极管的共振波长。

本申请实施例中，通过调整光电二极管的感光区域尺寸来调整共振波长，以使得特定波长在光电二极管的感光区域的共振波长范围之内，这样，得到的较小尺寸光电二极管能够对特定波长的光信号实现共振吸收，使得其在较小的感光区域下仍然拥有较高的量子效率。通过增加光电二极管的数量并设置光电二极管的排列方式，能够进一步提高子像素结构对特定波长光信号的吸收率。

实际应用中，在像素结构尺寸小于特定波长时，只需要调整光电二极管的感光区域的尺寸，便可以得到不同的共振波长，使得特定波长的光通过共振吸收的方式被光电二极管吸收，使得其在较小的感光区域下仍然拥有较高的量子效率。

为了使光电二极管在较小的感光区域下仍然拥有较高的量子效率，特定波长在共振波长的范围之内。由于光电二极管的感光区域的共振波长与感光区域的形状有关，不同形状的感光区域的共振波长可以是一个波长范围，其中，可以是特定波长的一部分位于共振波长的范围之内，也可以是特定波长全部在共振波长的范围之内。

为了减小光电二极管之间的耦合，在一些实施例中，光电二极管为柱体，比如，圆柱、棱柱。柱体的上表面为感光区域，感光区域可以为规则形状或不规则形状，比如，感光区域为正多边形。N个光电二极管的感光区域总面积小于进光口的横截面积，不同光电二极管之间存在间隔空间。

也就是说，在制作图像传感器时，不仅需要在子像素结构中不同光电二极管之间留有间隔，也需要在相邻子像素结构中的光电二极管之间留有间隔，由于光电二极管发生共振吸收时会使得边缘场很强，增加间隔是为了防止相邻像素结构的光电二极管之间光的相互串扰。所以，在工艺上光电二极管采用感光区域面积小于进光口横截面积的柱形结构不仅可以实现对光的共振吸收，还可以更好的控制相邻两个光电二极管的间隔。

在一些实施例中，所述4个子像素结构包括：P个第一类子像素结构和/或Q个第二类子像素结构；其中，P和Q均取不大于4的整数，P和Q之和等于4；其中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸相同，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管的至少部分光电二极管的感光区域尺寸不同。这里，子像素结构内相同感光区域尺寸的光电二极管吸收相同颜色光，不同感光区域尺寸的光电二极管吸收不同颜色光。

也就是说，4个子像素结构可以都是第一类子像素结构，或者都是第二类子像素结构，或者部分为第一类子像素结构部分为第二类子像素结构。

在一些实施例中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第一尺寸时，用于吸收第一种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第二尺寸时，用于吸收第二种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第三尺寸时，用于吸收第三种特定波长的光信号；其中，所述第一种特定波长的光信号为蓝光，所述第二种特定波长的光信号为绿光，所述第三种特定波长的光信号为红光，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述第二尺寸小于第三尺寸。比如，PD为圆柱体，感光区域为圆形，吸收红光的光电二极管感光区域直径为120nm，吸收绿光的光电二极管感光区域直径为90nm，吸收蓝光的光电二极管感光区域直径为60nm。

在一些实施例中，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管包括第一类光电二极管和第二类光电二极管时，用于吸收第四种特定波长的光信号；其中，所述第一类光电二极管的感光区域尺寸为第四尺寸，所述第二类光电二极管的感光区域尺寸为第五尺寸，所述第四尺寸和所述第五尺寸不同。这里，第四尺寸可以为第一尺寸、第二尺寸或第三尺寸，第五尺寸可以为第一尺寸、第二尺寸或第三尺寸，比如，PD为圆柱体，感光区域为圆形，第一类光电二极管用于吸收红光，感光区域直径为120nm，第一类光电二极管用于吸收绿光，感光区域直径为90nm，通过这两种光电二极管的混合排列该子像素可以吸收黄光。

实际应用中，4个子像素结构全为第一类子像素结构时，4个子像素结构可以包括吸收相同光线的第一类子像素结构，比如，红光、绿光或蓝光。4个子像素结构也可以包括吸收至少两种不同光线的第一类子像素结构，比如，红光、绿光或蓝光中的两种或三种。

实际应用中，4个子像素结构全为第二类子像素结构时，第二类子像素结构中的N个光电二极管的至少部分光电二极管的感光区域尺寸不同，也就是说，第二类子像素结构中不同光感区域尺寸的光电二极管吸收不同波长光，比如，包括吸收红光、绿光或蓝光中至少两种光线的光电二极管，包括吸收红光的光电二极管和吸收绿光的光电二极管得到吸收黄光的子像素结构，包括吸收红光的光电二极管和吸收蓝光的光电二极管得到吸收品红色光的子像素结构，包括吸收绿光的光电二极管和吸收蓝光的光电二极管得到吸收品青色光的子像素结构。

实际应用中，4个子像素结构部分为第一类子像素结构部分为第二类子像素结构，比如，包括一个吸收红光的子像素结构、一个吸收蓝光的子像素结构和两个吸收黄光的子像素结构。

可选的，所述光电二极管形状为圆柱；其中，所述光电二极管的感光区域为所述圆柱的其中一个圆形底面。所述光电二极管形状为正四棱柱；其中，所述光电二极管的感光区域为所述正四棱柱的其中一个正方形底面。

针对上述特定波长来说，特定波长的光包括以下任意一项：红光波长，绿光波长，蓝光波长。

采用上述技术方案，得到了一种新的像素结构，像素结构包含4个子像素结构，每一个子像素结构中包含N个光电二极管，通过调整光电二极管的感光区域尺寸保证光电二极管具有较高的量子效率，满足了图像传感器的小尺寸高像素的要求。通过调整光电二极管的数量和排列结构，进一步提高子像素结构对特定波长光信号的吸收效率。如此，解决了像素结构尺寸太小导致的光电二极管量子效率过低的问题。

实施例二

在上述实施例的基础上给出了第二种实施例，如图2所示，像素结构包括：4个子像素结构20，所述子像素结构20包括：滤光片201、N个光电二极管202和读出电路203；N取大于2的整数；

所述滤光片201位于所述N个光电二极管202的感光区域与所述像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；

所述光电二极管202，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；

所述读出电路203与所述N个光电二极管202相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。

入射光穿过进光口进入到子像素结构内部，被光电二极管吸收后转化为电信号，读出电路读出光电二极管的电信号用于颜色感知。

其中，所述光电二极管具体用于根据感光区域的共振波长吸收一种特定波长的光信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的感光区域发生共振吸收时的波长；不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长。

在一些实施例中，所述4个子像素结构包括：P个第一类子像素结构和/或Q个第二类子像素结构；其中，P和Q均取不大于4的整数，P和Q之和等于4；其中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸相同，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管的至少部分光电二极管的感光区域尺寸不同。

也就是说，4个子像素结构可以都是第一类子像素结构，或者都是第二类子像素结构，或者部分为第一类子像素结构部分为第二类子像素结构。

在一些实施例中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第一尺寸时，用于吸收第一种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第二尺寸时，用于吸收第二种特定波长的光信号；所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第三尺寸时，用于吸收第三种特定波长的光信号；其中，所述第一种特定波长的光信号为蓝光，所述第二种特定波长的光信号为绿光，所述第三种特定波长的光信号为红光，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述第二尺寸小于第三尺寸。比如，PD为圆柱体，感光区域为圆形，吸收红光的光电二极管感光区域直径为120nm，吸收绿光的光电二极管感光区域直径为90nm，吸收蓝光的光电二极管感光区域直径为60nm。

在一些实施例中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管等间距分布在目标区域内，目标区域小于子像素结构的进光口的横截面积，目标区域可以由圆形、椭圆、矩形、其他规则图形或不规则图形围成的区域。

比如，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管等间距阵列分布。也就是说，目标区域为矩形。

如图3所示，像素结构包括吸收红光的子像素结构、吸收蓝光的子像素结构和两个吸收绿光的子像素结构，其中，子像素结构中都包含了16个圆柱形光电二极管，感光区域为圆形，吸收红光的光电二极管感光区域直径为120nm，吸收绿光的光电二极管感光区域直径为90nm，吸收蓝光的光电二极管感光区域直径为60nm，16个光电二极管以等间距的排列成4行4列的矩阵。除了图3中示出的子像素结构的组合方式之外，还可以包括其他子像素结构的组成方式这里不再一一列举。

在一些实施例中，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管包括第一类光电二极管和第二类光电二极管时，用于吸收第四种特定波长的光信号；其中，所述第一类光电二极管的感光区域尺寸为第四尺寸，所述第二类光电二极管的感光区域尺寸为第五尺寸，所述第四尺寸和所述第五尺寸不同。比如，PD为圆柱体，感光区域为圆形，第一类光电二极管用于吸收红光，感光区域直径为120nm，第一类光电二极管用于吸收绿光，感光区域直径为90nm，通过这两种光电二极管的混合排列该子像素可以吸收黄光。

在一些实施例中，所述第二类子像素结构中的第一类光电二极管等间距分布在目标区域内，目标区域小于子像素结构的进光口的横截面积，目标区域可以由圆形、椭圆、矩形、其他规则图形或不规则图形围成的区域。第二类光电二极管均匀分布在所述第一类光电二极管之间。

比如，所述第二类子像素结构中所述第一类光电二极管等间距阵列分布，所述第二类光电二极管均匀分布在所述第一类光电二极管之间。也就是说，目标区域为矩形。

如图4所示，像素结构包括吸收红光的子像素结构、吸收蓝光的子像素结构和两个吸收黄光的子像素结构，光电二极管均为圆柱形光电二极管，感光区域为圆形，吸收红光的光电二极管感光区域直径为120nm，吸收绿光的光电二极管感光区域直径为90nm，吸收蓝光的光电二极管感光区域直径为60nm，吸收红光的子像素结构和吸收蓝光的子像素结构中16个光电二极管以等间距的排列成4行4列的矩阵，吸收黄光的子像素结构中16个吸收红光的光电二极管以等间距的排列成4行4列的矩阵，9个吸收绿光的光电二极管均匀分布在吸收红光的光电二极管之间，每一个吸收绿光的光电二极管周围分布4个吸收红光的光电二极管。除了图4中示出的子像素结构的组合方式之外，还可以包括其他子像素结构的组成方式这里不再一一列举。

图5中示出了单个子像素内部的纵向结构示意图，子像素50包括位于进光口的下方的滤光片501，位于滤光片501下方的N个光电二极管502，以及与N个光电二极管502相连的金属排线503，这里，金属排线即为读出电路，用于读取N个光电二极管502的电信号。

传统的像素结构中只包含一个光电二极管，且量子效率低，为了使其拥有较高的量子效率，通过调整光电二极管的感光区域尺寸保证光电二极管具有较高的量子效率，满足了图像传感器的小尺寸高像素的要求。通过调整光电二极管的数量和排列结构，进一步提高子像素结构对特定波长光信号的吸收效率。

图6示出了一种读出电路的组成结构，读出电路的工作流程包括：1、曝光，光照射PN结产生的电子-空穴对会因PN结内电场的存在而分开，电子移向n区，空穴移向p区的能量聚集区域；2、复位，给PN结加载反向电压，或者说激活RST给PN结进行复位。复位完成后，不再导通RST；3、复位电平读出，复位完成后，从输出端OUT读出复位电平，将读出的信号存储在第一个电容中；4、电荷转移，激活TX，将电荷从感光区完全转移到n+区用于读出。

采用上述技术方案，得到了一种新的像素结构，像素结构包含4个子像素结构，每一个子像素结构中包含N个光电二极管，通过调整光电二极管的感光区域尺寸保证光电二极管具有较高的量子效率，满足了图像传感器的小尺寸高像素的要求。通过调整光电二极管的数量和排列结构，进一步提高子像素结构对特定波长光信号的吸收效率。如此，解决了像素结构尺寸太小导致的光电二极管量子效率过低的问题。

实施例三

图7为本申请实施例提供的一种可选的图像传感器的结构示意图，如图7所示，图像传感器70包括上述一个或多个实施例给出的像素结构701，多个像素结构按照特定的排列方式组成像素整列。实际应用中，图像传感器可以为CIS或电耦合器件(Charged CoupledDevice，CCD)。

图8为本申请实施例提供的一种可选的终端的结构示意图，如图8所示，终端80包括上述实施例所述的图像传感器801。

本申请实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和智能设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个第二处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：4个子像素结构，所述子像素结构包括：滤光片、N个光电二极管和读出电路；N取大于2的整数；

所述滤光片位于所述N个光电二极管的感光区域与所述子像素结构的进光口之间，用于对所述进光口的入射光线进行过滤，得到一种能被所述光电二极管吸收的特定波长的光信号；

所述光电二极管，用于吸收所述特定波长的光信号，将吸收到的光信号转换为电信号；其中，所述感光区域尺寸不同的光电二极管所能吸收的特定波长的光信号不同；

所述读出电路与所述N个光电二极管相连，用于读出所述N个光电二极管的电信号。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管具体用于根据感光区域的共振波长吸收一种特定波长的光信号；其中，所述共振波长为所述光电二极管的感光区域发生共振吸收时的波长；不同尺寸的感光区域对应不同的共振波长。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述4个子像素结构包括：P个第一类子像素结构和/或Q个第二类子像素结构；其中，P和Q均取不大于4的整数，P和Q之和等于4；

其中，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸相同，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管的至少部分光电二极管的感光区域尺寸不同。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第一尺寸时，用于吸收第一种特定波长的光信号；

所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第二尺寸时，用于吸收第二种特定波长的光信号；

所述第一类子像素结构中的N个光电二极管的感光区域尺寸为第三尺寸时，用于吸收第三种特定波长的光信号；

其中，所述第一种特定波长的光信号为蓝光，所述第二种特定波长的光信号为绿光，所述第三种特定波长的光信号为红光，所述第一尺寸小于所述第二尺寸，所述第二尺寸小于第三尺寸。

5.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一类子像素结构中的N个光电二极管等间距阵列分布。

6.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第二类子像素结构中的N个光电二极管包括第一类光电二极管和第二类光电二极管时，用于吸收第四种特定波长的光信号；

其中，所述第一类光电二极管的感光区域尺寸为第四尺寸，所述第二类光电二极管的感光区域尺寸为第五尺寸，所述第四尺寸和所述第五尺寸不同。

7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第二类子像素结构中所述第一类光电二极管等间距阵列分布，所述第二类光电二极管均匀分布在所述第一类光电二极管之间。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述光电二极管形状为圆柱；其中，所述光电二极管的感光区域为所述圆柱的其中一个圆形底面。

9.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括上述权利要求1至8中任一项所述的像素结构。

10.一种终端，其特征在于，所述终端包括上述权利要求9中所述的图像传感器。