CN110321081B - 一种闪存读缓存的方法及其系统 - Google Patents

一种闪存读缓存的方法及其系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110321081B
CN110321081B CN201910609978.0A CN201910609978A CN110321081B CN 110321081 B CN110321081 B CN 110321081B CN 201910609978 A CN201910609978 A CN 201910609978A CN 110321081 B CN110321081 B CN 110321081B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tlc
physical block
data
slc
reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910609978.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110321081A (zh
Inventor
付东松
韩道静
刘金雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd filed Critical Shenzhen Union Memory Information System Co Ltd
Priority to CN201910609978.0A priority Critical patent/CN110321081B/zh
Publication of CN110321081A publication Critical patent/CN110321081A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110321081B publication Critical patent/CN110321081B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/065—Replication mechanisms
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种闪存读缓存的方法及其系统；其中，方法，包括：S1，主机发起LBA_X的读数据请求；S2，SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；S3，SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；S4，判断SLC物理块P是否存在；若是，进入S5；若否，则进入S6；S5，SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；S6，SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。本发明通过将热数据从TLC缓存区读到SLC缓存区，提升了性能，还能在掉电情况下长久且大量的保持住热数据。

Description

一种闪存读缓存的方法及其系统
技术领域
本发明涉及闪存读缓存技术领域，更具体地说是指一种闪存读缓存的方法及其系统。
背景技术
目前主流的固态硬盘(SSD)基本都采用闪存(NAND)作为存储介质，为了降低SSD的价格，提升SSD的容量，目前基本都采用TLC(Trinary-Level Cell，即1个存储器储存单元存储3bit信息)闪存；TLC闪存的物理块可以切换成SLC(Single-Level Cell，即1个存储器储存单元存储1bit信息)模式使用，SLC模式的容量只有TLC模式的三分之一，但是具有更高的读写性能和更高的寿命，针对这一特性大部分厂家都将一部分TLC物理块切换成SLC模式作为写缓存使用，这样主机的写入性能得到大幅提升。
然而实际的用户使用场景中除了写数据，还会读数据，甚至有些热数据是频繁读取的，比如操作系统，现有的SSD读缓存技术基本都是DRAM缓存，即将热数据预先读取到DRAM中，后续主机请求的数据命中缓存后直接从DRAM中读取数据，性能比较高，然而它有以下缺点：1.DRAM空间有限无法缓存较多数据；2.DRAM中数据在掉电情况下就丢失了，无法长期保存；因此，无法满足需求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种闪存读缓存的方法及其系统。
为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：
一种闪存读缓存的方法，包括以下步骤：
S1，主机发起LBA_X的读数据请求；
S2，SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
S3，SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
S4，判断SLC物理块P是否存在；若是，进入S5；若否，则进入S6；
S5，SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
S6，SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。
其进一步技术方案为：所述S2中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一。
其进一步技术方案为：所述S2中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
其进一步技术方案为：所述S2中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
其进一步技术方案为：所述S2中，所述闪存读缓存决策模块的复制处理步骤如下：
A1，主机读取下一个1/3TLC新源物理块的读计数值cnt；
A2，判断cnt是否大于设定的阈值；若是，进入A3；若否，则返回A1；
A3，判断SLC缓存区是否存在剩余物理块；若是，进入A7；若否，则进入A4；
A4，查询SLC缓存区中最小读计数c_min；
A5，判断c_min是否小于cnt；若是，进入A6；若否，则返回A1；
A6，解除c_min复制块与旧源物理块的对应关系，并擦除c_min复制块中的数据，并进入A8；
A7，SLC缓存区中挑选出一个复制块；
A8，进行数据复制，在TLC缓存区中记录新源物理块与复制块的对应关系。
其进一步技术方案为：所述阈值为600。
一种闪存读缓存的系统，包括：请求单元，获取单元，查询单元，判断单元，第一读取单元，及第二读取单元；
所述请求单元，用于主机发起LBA_X的读数据请求；
所述获取单元，用于SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
所述查询单元，用于SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
所述判断单元，用于判断SLC物理块P是否存在；
所述第一读取单元，用于SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
所述第二读取单元，用于SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。
其进一步技术方案为：所述获取单元中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一。
其进一步技术方案为：所述获取单元中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
其进一步技术方案为：所述获取单元中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
本发明与现有技术相比的有益效果是：通过将热数据从TLC缓存区读到SLC缓存区，提升了性能，同时在有效提升热数据读取性能的前提下，还能在掉电情况下长久且大量的保持住热数据，能够更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
图1为现有DRAM读缓存的示意图；
图2为本发明一种闪存读缓存的方法流程图；
图3为本发明闪存读缓存的的示意图；
图4为TLC缓存区管理模块管理信息示意图；
图5为SLC缓存区管理模块管理信息示意图；
图6为闪存读缓存决策模块的复制处理流程图；
图7为本发明一种闪存读缓存的的系统方框图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。
如图1到图7所示的具体实施例，其中，如图1所示的现有技术，将DRAM作为缓存，即将热数据从闪存读到DRAM，后续主机发起的读命令如果命中了DRAM缓存，则直接从DRAM缓存中出数据，主机与SSD交互的单元为LBA(Logic Block Address)，每个LBA携带512B的数据；SSD控制器与闪存交互的单元为物理页PPA(Physical Page Address)，TLC模式的物理页为48KB，SLC模式的物理页为16KB，若干(由闪存出厂配置决定)个物理页组成物理块，若干(由闪存出厂配置决定)个物理块构成整个闪存；SSD控制器从主机端接收LBA后，将对应的数据写入到闪存的物理页PPA中，并将LBA-＞PPA的映射关系记录在映射表L2P(Logicalto Physical)中，以便于主机后续读取该LBA数据时，查找到物理地址。
其中，SSD DRAM可用于存放用户数据或SSD内部的数据，它的性能优于闪存，价格高于闪存，所以容量不会太大，典型的，如果是128GB的闪存容量，一般配备128MB的DRAM；其中，现有DRAM读缓存的步骤流程如下：
S1：SSD控制器中预取模块根据预设的算法决策出热数据的LBA区段，控制器通过查找L2P表，得到该LBA区段对应的物理地址，然后生成读请求发往闪存；
S2：闪存解析读请求的物理地址，将对应的数据传输到DRAM缓存；
S3：主机发送读命令到SSD控制器的预取模块；
S4：SSD控制器预取模块根据读命令的LBA区间，和已缓存的LBA区段做匹配检查；
S4.1：如果读命令的LBA区间命中了缓存的LBA区段，则该命令需要的数据在DRAM中。
Step4.2：如果读命令的LBA区间没有命中缓存的LBA区段，则需要从闪存中读取数据，控制器根据L2P表查找出该命令LBA区间对应物理地址，然后生成读请求发往闪存；
Step5.1：控制器直接将DRAM中对应的数据传送给主机；
Step5.2：闪存解析读请求的物理地址，将对应的数据传输给主机。
其中，上述的现有技术的缺陷如下：1、依赖DRAM，有些SSD并没有配备DRAM介质，那么就无法做DRAM缓存了；2、受限于成本DRAM的容量很小，无法缓存太多的数据；3、DRAM的特性，掉电即丢失数据。
其中，如图2至图6所示，本发明公开了一种闪存读缓存的方法，包括以下步骤：
S1，主机发起LBA_X的读数据请求；
S2，SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
S3，SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
S4，判断SLC物理块P是否存在；若是，进入S5；若否，则进入S6；
S5，SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
S6，SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。
其中，所述S2中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一。
进一步地，所述S2中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
进一步地，所述S2中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
更进一步地，所述S2中，所述闪存读缓存决策模块的复制处理步骤如下：
A1，主机读取下一个1/3TLC新源物理块的读计数值cnt；
A2，判断cnt是否大于设定的阈值；若是，进入A3；若否，则返回A1；
A3，判断SLC缓存区是否存在剩余物理块；若是，进入A7；若否，则进入A4；
A4，查询SLC缓存区中最小读计数c_min；
A5，判断c_min是否小于cnt；若是，进入A6；若否，则返回A1；
A6，解除c_min复制块与旧源物理块的对应关系，并擦除c_min复制块中的数据，并进入A8；
A7，SLC缓存区中挑选出一个复制块；
A8，进行数据复制，在TLC缓存区中记录新源物理块与复制块的对应关系。
其中，所述阈值为600。
其中，在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数(三个计数)，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数，假设当TLC物理块N+2中间1/3区域的读计数值超过了阈值A(600)，则认为对应的数据为热数据，读缓存决策模块将其复制到SLC缓存区域，如果SLC缓存有可用的物理块1，则进行数据复制；应知道，此时该笔数据有两个存储位置，位置1：TLC物理块N+2中间1/3位置；位置2：SLC缓存物理块1，而L2P记录的是位置1，然而本发明要的是从位置2读出数据，因为SLC缓存区域具有更快的读性能，所以TLC缓存区管理模块还需要记住被复制数据的源地址和目标地址的对应关系，如图4至图5中所示，后续主机读取该数据时，首先通过L2P表得到TLC物理块N+2中间1/3位置，再通过TLC缓存区管理模块的复制地址得到SLC缓存物理块1，然后从SLC缓存中读数据
如图6所示，当数据从TLC缓存区域复制到SLC缓存区域后，SLC缓存区管理模块需要实时记录有效SLC物理块的读计数，目的在于当SLC缓存区域的物理块都被用完时，读缓存决策模块需要从SLC缓存区域中选择一个读计数最小的SLC物理块(假设为物理块0)剔除出SLC缓存，并且找到对应的源地址(此例中为物理块M前1/3(X))，然后将TLC缓存区管理模块中源地址对应的复制地址(此例中为物理块0)清除，如此后续主机读物理块M前1/3中数据时只会从TLC缓存区域读取。SSD控制需要将图4至图5记录的数据保存到闪存上，再次上电后读出，就可以直接使用SLC缓存区域中热数据。
如图7所示，本发明还公开了一种闪存读缓存的系统，包括：请求单元10，获取单元20，查询单元30，判断单元40，第一读取单元50，及第二读取单元60；
所述请求单元10，用于主机发起LBA_X的读数据请求；
所述获取单元20，用于SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
所述查询单元30，用于SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
所述判断单元40，用于判断SLC物理块P是否存在；
所述第一读取单元50，用于SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
所述第二读取单元60，用于SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机。
其中，所述获取单元20中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一。
其进一步地，所述获取单元20中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
更进一步地，所述获取单元20中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
本发明通过将热数据从TLC缓存区读到SLC缓存区，提升了性能，同时在有效提升热数据读取性能的前提下，还能在掉电情况下长久且大量的保持住热数据，能够更好地满足需求。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。

Claims (8)

1.一种闪存读缓存的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，主机发起LBA_X的读数据请求；
S2，SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
S3，SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
S4，判断SLC物理块P是否存在；若是，进入S5；若否，则进入S6；
S5，SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
S6，SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机；
所述S2中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一；
其中，在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数，假设当TLC物理块N+2中间1/3区域的读计数值超过了阈值A，则认为对应的数据为热数据，读缓存决策模块将其复制到SLC缓存区域，如果SLC缓存有可用的物理块1，则进行数据复制；此时该笔数据有两个存储位置，位置1：TLC物理块N+2中间1/3位置；位置2：SLC缓存物理块1，而L2P记录的是位置1，后续主机读取该数据时，首先通过L2P表得到TLC物理块N+2中间1/3位置，再通过TLC缓存区管理模块的复制地址得到SLC缓存物理块1，然后从SLC缓存中读数据。
2.根据权利要求1所述的一种闪存读缓存的方法，其特征在于，所述S2中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
3.根据权利要求2所述的一种闪存读缓存的方法，其特征在于，所述S2中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
4.根据权利要求3所述的一种闪存读缓存的方法，其特征在于，所述S2中，所述闪存读缓存决策模块的复制处理步骤如下：
A1，主机读取下一个1/3TLC新源物理块的读计数值cnt；
A2，判断cnt是否大于设定的阈值；若是，进入A3；若否，则返回A1；
A3，判断SLC缓存区是否存在剩余物理块；若是，进入A7；若否，则进入A4；
A4，查询SLC缓存区中最小读计数c_min；
A5，判断c_min是否小于cnt；若是，进入A6；若否，则返回A1；
A6，解除c_min复制块与旧源物理块的对应关系，并擦除c_min复制块中的数据，并进入A8；
A7，SLC缓存区中挑选出一个复制块；
A8，进行数据复制，在TLC缓存区中记录新源物理块与复制块的对应关系。
5.根据权利要求4所述的一种闪存读缓存的方法，其特征在于，所述阈值为600。
6.一种闪存读缓存的系统，其特征在于，包括：请求单元，获取单元，查询单元，判断单元，第一读取单元，及第二读取单元；
所述请求单元，用于主机发起LBA_X的读数据请求；
所述获取单元，用于SSD控制器通过查询L2P表，获取LBA_X对应的TLC物理块地址TLC物理块Y，第Z部分；
所述查询单元，用于SSD控制器查询TLC物理块Y，第Z部分的复制地址SLC物理块P；
所述判断单元，用于判断SLC物理块P是否存在；
所述第一读取单元，用于SSD控制器从SLC缓存区的物理块P中读取数据至主机；
所述第二读取单元，用于SSD控制器从TLC缓存区的物理块Y中读取数据至主机；
所述获取单元中，还包括：将整个闪存中的物理块分为SLC缓存区和TLC缓存区，TLC缓存区的物理块设置成TLC模式，SLC缓存区的物理块设置成SLC模式，作为读缓存使用，容量为TLC模式的三分之一；
其中，在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数，假设当TLC物理块N+2中间1/3区域的读计数值超过了阈值A，则认为对应的数据为热数据，读缓存决策模块将其复制到SLC缓存区域，如果SLC缓存有可用的物理块1，则进行数据复制；此时该笔数据有两个存储位置，位置1：TLC物理块N+2中间1/3位置；位置2：SLC缓存物理块1，而L2P记录的是位置1，后续主机读取该数据时，首先通过L2P表得到TLC物理块N+2中间1/3位置，再通过TLC缓存区管理模块的复制地址得到SLC缓存物理块1，然后从SLC缓存中读数据。
7.根据权利要求6所述的一种闪存读缓存的系统，其特征在于，所述获取单元中，还包括：数据最开始存入TLC缓存区，SSD控制器的TLC缓存区管理模块管理着主机对该区域中每个物理块的读次数。
8.根据权利要求7所述的一种闪存读缓存的系统，其特征在于，所述获取单元中，还包括：在主机对SSD读数据的过程中，TLC缓存区管理模块实时记录每个TLC物理块的读次数计数，读缓存决策模块的内部任务实时监测这些计数。
CN201910609978.0A 2019-07-08 2019-07-08 一种闪存读缓存的方法及其系统 Active CN110321081B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910609978.0A CN110321081B (zh) 2019-07-08 2019-07-08 一种闪存读缓存的方法及其系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910609978.0A CN110321081B (zh) 2019-07-08 2019-07-08 一种闪存读缓存的方法及其系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110321081A CN110321081A (zh) 2019-10-11
CN110321081B true CN110321081B (zh) 2023-06-06

Family

ID=68123074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910609978.0A Active CN110321081B (zh) 2019-07-08 2019-07-08 一种闪存读缓存的方法及其系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110321081B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113918091B (zh) * 2021-09-13 2022-06-07 北京得瑞领新科技有限公司 Nand闪存中物理块的控制方法、装置及ssd设备
CN113835640A (zh) * 2021-09-27 2021-12-24 深圳忆联信息系统有限公司 闪存缓存清空的实现方法、装置、计算机设备及存储介质
CN117555492B (zh) * 2024-01-12 2024-03-29 合肥开梦科技有限责任公司 存储器控制器、存储器管理方法及存储装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101526923A (zh) * 2009-04-02 2009-09-09 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种数据处理方法、装置和闪存存储系统
CN106775466A (zh) * 2016-12-05 2017-05-31 深圳市金泰克半导体有限公司 一种无dram的ftl读缓存管理方法及装置
CN109582227A (zh) * 2018-11-15 2019-04-05 深圳忆联信息系统有限公司 固态硬盘写入方法、装置、计算机设备和存储介质

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019008730A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 東芝メモリ株式会社 メモリシステム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101526923A (zh) * 2009-04-02 2009-09-09 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种数据处理方法、装置和闪存存储系统
CN106775466A (zh) * 2016-12-05 2017-05-31 深圳市金泰克半导体有限公司 一种无dram的ftl读缓存管理方法及装置
CN109582227A (zh) * 2018-11-15 2019-04-05 深圳忆联信息系统有限公司 固态硬盘写入方法、装置、计算机设备和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN110321081A (zh) 2019-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10838859B2 (en) Recency based victim block selection for garbage collection in a solid state device (SSD)
US10430084B2 (en) Multi-tiered memory with different metadata levels
CN108121503B (zh) 一种NandFlash地址映射及块管理方法
US10915475B2 (en) Methods and apparatus for variable size logical page management based on hot and cold data
US9547589B2 (en) Endurance translation layer (ETL) and diversion of temp files for reduced flash wear of a super-endurance solid-state drive
US9229876B2 (en) Method and system for dynamic compression of address tables in a memory
US9378131B2 (en) Non-volatile storage addressing using multiple tables
US9747202B1 (en) Storage module and method for identifying hot and cold data
CN102841850B (zh) 减小固态硬盘写放大的方法及系统
CN110321081B (zh) 一种闪存读缓存的方法及其系统
US20110231598A1 (en) Memory system and controller
US20120284587A1 (en) Super-Endurance Solid-State Drive with Endurance Translation Layer (ETL) and Diversion of Temp Files for Reduced Flash Wear
WO2010066098A1 (zh) 用较大容量dram参与闪存介质管理构建高速固态存储盘的方法及装置
CN107797759B (zh) 访问缓存信息的方法、装置与驱动器
CN107797760B (zh) 一种访问缓存信息的方法、装置与固态驱动器
KR20090038386A (ko) 혼합 밀도 메모리 저장 장치
KR101297442B1 (ko) 공간 지역성을 고려한 요구 기반 플래시 메모리 변환 계층을 포함하는 낸드 플래시 메모리 시스템
CN110362499B (zh) 电子机器及其控制方法、计算机系统及其控制方法以及主机的控制方法
US20090094391A1 (en) Storage device including write buffer and method for controlling the same
US20190303019A1 (en) Memory device and computer system for improving read performance and reliability
CN108845957B (zh) 一种置换和回写自适应的缓冲区管理方法
KR20200116372A (ko) 저장 장치, 컨트롤러 및 컨트롤러의 동작 방법
US11016889B1 (en) Storage device with enhanced time to ready performance
US11061598B2 (en) Optimized handling of multiple copies in storage management
JP5259257B2 (ja) 記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant