CN110312942A - 用于不同mri模式的rf线圈设备和rf屏蔽设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于磁共振(MR)检查系统(110)的射频(RF)屏蔽设备(124)，其中，所述RF屏蔽设备(124)包括第一屏蔽(250)和第二屏蔽(252)，所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)布置以共同的中心轴(118)，所述第一屏蔽(250)的屏蔽结构(254)与所述第二屏蔽(252)的屏蔽结构(254)不同，并且所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)是根据所述RF线圈设备(140)的不同操作模式设计的。本发明还提供了一种用于磁共振(MR)检查系统(110)的射频(RF)线圈设备(140)，其中，所述RF线圈设备(140)包括第一线圈(200)和第二线圈(202)，所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)被提供为鸟笼线圈，所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)布置有共同的中心轴(118)，所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)具有梯级(204)，所述梯级与所述RF线圈设备(140)的中心轴(118)不平行地布置，所述第一线圈(200)的线圈结构(210)与所述第二线圈(202)的线圈结构(210)不同，并且所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)是可切换的以针对不同的操作模式有效。本发明还提供一种包括这样的RF线圈设备(140)和/或这样的RF屏蔽设备(124)的磁共振(MR)成像系统(110)。

Description

用于不同MRI模式的RF线圈设备和RF屏蔽设备

技术领域

本发明涉及磁共振(MR)成像系统领域，具体而言涉及用于MR成像系统的RF线圈和RF屏蔽领域。本发明具体而言涉及具有鸟笼结构或横向电磁(TEM)线圈结构的RF线圈设备的设计。本发明具体而言还涉及RF屏蔽的设计，特别是用于与RF线圈设备一起使用。

背景技术

在高场强磁共振成像(MRI)中，图像质量经常受到由RF场的波传播效应引起的差的B1场均匀性的影响。因此，场不均匀性仍然是当今高场强磁共振(MR)检查系统中的主要挑战，特别是对于具有3T或7T的强磁场的最新MR检查系统。在设计用于解决该问题的各种RF线圈中，已经引入了具有在与RF线圈的纵向方向相比不是线性的方向上延伸的梯级的鸟笼线圈，以改善MRI成像的场均匀性。

然而，所提出的线圈设计打破了标准的鸟笼线圈设计，其中线圈的梯级在RF线圈的纵向方向上延伸。因此，与标准鸟笼线圈相比，RF线圈对称性被破坏。对于RF线圈的梯级导体的非线性延伸通常有两个取向。两个方向可以是例如对于发送或接收模式中的任一项是最佳的。然而，当偏离标准鸟笼时，没有线圈布置对于接收和传输模式都是最佳的。

上述原理也适用于除鸟笼线圈之外的其他RF线圈类型，特别是在横向电磁(TEM)线圈的情况下。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于磁共振(MR)检查系统的射频(RF)线圈设备，一种用于磁共振(MR)检查系统的射频(RF)屏蔽设备，以及一种包括射频(RF)线圈设备和射频(RF)屏蔽设备中的至少一个的磁共振(MR)检查系统，其能够改进MR成像。特别地，本发明的一个目的是改善RF线圈中的MR场的均匀性，并且——更一般地——改善MR成像系统的检查空间，还优选的是，本发明的目的是改善B1场的均匀性。

该目的通过一种用于磁共振(MR)检查系统的射频(RF)屏蔽设备来实现，其中，所述RF屏蔽设备包括第一屏蔽和第二屏蔽，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽以共同的中心被布置，所述第一屏蔽的屏蔽结构与所述第二屏蔽的屏蔽结构不同，并且所述第一屏蔽和所述第二屏蔽是根据RF线圈设备的不同操作模式设计的。也就是说，这些屏蔽关于电导体图案的电气和几何布置来布置，以支持各个模式中的屏蔽的实质性技术效果，或甚至针对不同的模式单独地优化屏蔽。

不同模式下的RF屏蔽实现屏蔽不同类型的射频场的技术效果。RF发射(TX)模式中的RF屏蔽需要屏蔽例如用于激励(横向旋转翻转角)、重新聚焦或反转核自旋的高功率RF场。此外，不同的模式可以涉及不同的射频频带，以应用于具有不同旋磁比的不同种类的原子核的磁共振。而且，不同的RR激励模式可以与RF线圈设备的不同谐振模式的RF激励有关。不同的RF发射模式与使用产生RF发射场的不同空间分布的个体射频电流模式的不同RF天线元件的激活相关联。例如，可以优化相应的第一、第二和另外的屏蔽，以对正交RF体线圈的各个线性模式进行RF屏蔽。每个线性模式与不同的RF场分布相关联，该RF场分布需要单独的技术布置以在需要屏蔽的体积(例如，RF线圈的外围)中实现RF场的消除。

该目的还通过一种用于磁共振(MR)检查系统的射频(RF)线圈设备来实现，其中，所述RF线圈设备包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈被提供为鸟笼线圈，所述第一线圈和所述第二线圈被布置有共同的中心轴，所述第一线圈和所述第二线圈具有梯级，所述梯级被布置为与所述RF线圈设备的所述中心轴不平行，所述第一线圈的线圈结构与所述第二线圈的线圈结构不同，所述第一线圈和所述第二线圈是可切换的，以针对不同的操作模式有效。

此外，该目的通过一种用于磁共振(MR)检查系统的射频(RF)线圈设备来实现，其中，所述RF线圈设备包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈被布置有共同的中心轴，所述第一线圈和所述第二线圈具有梯级，所述梯级被布置为与RF线圈设备的所述中心轴不平行，所述RF线圈设备与围绕所述第一线圈和所述第二线圈的RF屏蔽设备一体地提供，所述梯级被耦合到所述RF屏蔽设备，所述第一线圈的线圈结构与所述第二线圈的线圈结构不同，并且所述第一线圈和所述第二线圈是可切换的，以针对不同的操作模式有效。这些不同的操作模式需要不同的射频场。射频发射和接收场的不同之处在于RF发射场是高功率RF场，用于例如核自旋的激发、重新聚焦或反转。接收模式中的RF场与磁共振信号相关联，是非常低功率的磁共振信号。此外，不同的模式(TX以及RX)可以与不同的RF频带相关联，例如涉及从不同类型的原子核的操纵或信号采集。例如，本发明实现了单独优化(i)顺时针圆偏振动态磁场(B1+)激励模式以及(ii)逆时针动态磁场(B1-)的空间均匀性。也就是说，本发明能够单独优化RF激励场以及磁共振信号的均匀接收灵敏度。也就是说，这些(鸟笼)RF线圈关于电导体图案的电气和几何布置来布置，以支持各个模式中的场发射和接收灵敏度的实质性技术效果，或甚至针对不同的模式单独地优化屏蔽。

该目的通过射频(RF)设备进一步实现，该射频设备包括如上所述的射频(RF)线圈设备和如上所述的RF屏蔽设备。

该目的通过磁共振(MR)成像系统进一步实现，所述磁共振(MR)成像系统包括：管状检查空间，其被提供用于将感兴趣对象定位于其中；RF屏蔽设备，其用于屏蔽所述检查空间；磁梯度线圈系统，其用于生成叠加到静态磁场的梯度磁场，以及主磁体，其用于生成静态磁场，其中，所述RF屏蔽设备、所述磁梯度线圈系统和所述主磁体以此顺序在检查空间周围沿着径向向外的方向被同心地定位，其中，所述磁共振(MR)成像系统包括至少一个如上所述的射频(RF)线圈设备，所述射频线圈设备被同心地布置在所述RF屏蔽设备内，并且所述磁共振(MR)成像系统还包括切换设备，用于在至少两种不同的操作模式之间切换所述RF线圈设备。

该目的还通过一种磁共振(MR)成像系统来进一步实现，所述磁共振(MR)成像系统包括：管状检查空间，其被提供用于将感兴趣对象定位于其中；磁梯度线圈系统，其用于生成叠加到静态磁场的梯度磁场，以及主磁体，其用于生成静态磁场，其中，所述磁梯度线圈系统和所述主磁体以此顺序在检查空间周围沿着径向向外的方向被同心地定位，其中，所述磁共振(MR)成像系统包括至少一个所述射频(RF)线圈设备，所述所述射频线圈设备被同心地布置在磁梯度线圈内，并且所述磁共振(MR)成像系统还包括切换设备，用于在至少两种不同的操作模式之间切换所述RF线圈设备。

因此，利用所述RF线圈设备的第一线圈和第二线圈，两个线圈结构可以组合在单个RF线圈设备中。在MR成像系统中，可以使用切换设备在不同模式和相应线圈之间容易地切换，该切换设备根据需要将所述第一线圈和所述第二线圈连接到MR成像系统的信号路径。因此，TX和/或RX信号可以根据需要单独连接到所述第一线圈和所述第二线圈。可以针对每种模式执行线圈结构的最佳选择，从而可以进一步改善MR图像质量。所述第一线圈和所述第二线圈能够改善均匀B1场的匀场。基于所述第一线圈和所述第二线圈，RF线圈设备的适当线圈结构可以应用于感兴趣的对象。此外，可以实现对局部和全局SAR的良好控制。

第一线圈和第二线圈被提供为鸟笼线圈或横向电磁(TEM)线圈。特别地，RF线圈设备可以被提供有鸟笼结构，其被提供有导电端部环，并且所述第一线圈和所述第二线圈中的每个的梯级被连接到所述导电端部环。替代地，所述RF线圈设备可以被提供有TEM结构，其不具有导电端部环。因此，具有TEM结构的第一和第二RF线圈的梯级被耦合到作为接地连接的RF屏蔽。因此，TEM线圈需要RF屏蔽设备用于将梯级耦合到其上，使得RF屏蔽设备提供接地连接。在鸟笼线圈的情况下，RF屏蔽设备仅用于屏蔽MR成像系统中生成的RF场。

用于同时针对不同模式(例如发射和接收模式)进行优化的单个RF线圈对于具有梯级的RF线圈基本上是不可能的，所述梯级被布置为与所述RF线圈的中心轴不平行。因此，利用本发明的RF线圈设备，所述RF线圈设备的每个线圈可以具有关于其中一个模式的优化线圈结构。因此，可以实现用于改善B1场均匀性的大的参数空间。此外，可以实现感兴趣的对象中降低的功率吸收和改善的SNR。

再另外，利用RF屏蔽设备的所述第一屏蔽和所述第二屏蔽，两个单独的屏蔽结构可以组合在单个RF屏蔽设备中。当MR成像系统在不同模式之间切换时，RF屏蔽设备可以用两个单独的屏蔽充分地屏蔽所产生的RF场，其中一个屏蔽针对RF线圈设备的一种操作模式进行了优化。因此，实现了改进的RF屏蔽，其独立于RF线圈设备的操作模式。所述第一RF屏蔽和所述第二RF屏蔽还可以包括连接到相应屏蔽结构的集总电容器。电容器可以焊接到所述第一屏蔽和所述第二屏蔽的屏蔽结构，以桥接提供在所述第一屏蔽和所述第二屏蔽中的用于RF电流的狭缝。在屏蔽结构中提供狭缝以避免低频涡流。RF线圈设备当然可以包括两个以上的线圈，例如第三和再其他的线圈。附加线圈可以针对其他模式进行优化，或者它们可以被提供为与至少一个其他线圈一起生成用于RF线圈设备的一个模式的改进的RF场。

类似地，RF屏蔽设备也可包括两个以上的屏蔽，例如第三和再其他的屏蔽。额外的屏蔽可以针对其他模式进行优化，或者与至少一个其他屏蔽一起提供，为RF线圈设备的一种模式提供改进的屏蔽。

RF线圈设备的所述第一线圈和所述第二线圈可以作为独立线圈提供，它们一起安装在MR成像设备中。优选地，RF线圈设备的所述第一线圈和所述第二线圈彼此连接，使得它们可以容易地安装在所述MR成像系统中。进一步优选地，所述第一线圈和所述第二线圈被附接到共同的安装结构。

类似于RF线圈设备的线圈，RF屏蔽设备的所述第一屏蔽和所述第二屏蔽也可以作为独立的屏蔽提供，它们一起安装在所述MR成像设备中。优选地，RF屏蔽设备的所述第一屏蔽和所述第二屏蔽彼此连接，使得它们可以容易地安装在所述MR成像系统中。进一步优选地，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽连接到公共安装结构。

在优选的实施例中，RF屏蔽设备和RF线圈设备彼此连接，并且可以作为单个部件提供，例如RF布置。

通常，关于不同RF线圈设备讨论的原理也适用于RF屏蔽设备，反之亦然。此外，关于具有鸟笼结构的RF线圈设备所讨论的原理通常也适用于具有TEM结构的RF线圈设备。

根据优选的实施例，所述第一线圈和所述第二线圈被布置为共用至少一个导电端部环。因此，提供在端部环中的耦合电容器必须仅针对共用环提供一次，这有利于RF线圈设备的设计。所述第一线圈和所述第二线圈可以被布置为共用两个端部环。这使得能够大量减少使用的电容器的数量。然而，当所述第一线圈和所述第二线圈己经被布置为共用一个端部环时，可以减少电容器的数量。替代地，所述第一线圈和所述第二线圈中的每个都具有单独的端部环，这使得能够完全控制线圈的所有电特性。

根据TEM线圈设备的优选实施例，射频(RF)线圈设备的RF屏蔽设备是如上所述的RF屏蔽设备，并且所述第一线圈和所述第二线圈的梯级分别被耦合到所述第一屏蔽和所述第二屏蔽。因此，在RF线圈设备具有TEM结构的情况下，梯级可以耦合到RF屏蔽设备的所述第一屏蔽和所述第二屏蔽，以改善每种操作模式的屏蔽。然而，只要适用，所述第一RF屏蔽和所述第二RF屏蔽中的每个都可以被提供为内部屏蔽或外部屏蔽。

根据优选的实施例，RF线圈设备包括圆柱形线圈PCB，并且第一线圈和第二线圈的梯级在线圈PCB的内侧和外侧被提供为金属化层。术语PCB指的是印刷电路板。利用所描述的设置，所述RF线圈设备可以作为具有紧凑尺寸的高度集成的设备提供。此外，所述第一线圈和所述第二线圈易于制造为PCB上的金属化层。术语“金属化层”是指沉积在线圈PCB上的金属线圈结构，其基本上可以具有任何结构。因此，不要求金属化层完全覆盖线圈PCB的一侧。线圈PCB为所述第一线圈和所述第二线圈提供结构完整性。特别地，所述第一线圈和所述第二线圈可以在线圈PCB上被提供有小的厚度。线圈PCB原则上可以是具有典型介电特性的任何类型的PCB。用于线圈PCB的优选介电材料例如称为FR-4。通常，线圈PCB也可以是多层PCB，其中可以提供多个金属化层，例如当RF线圈设备包括多个线圈时。

根据优选的实施例，所述第一线圈和所述第二线圈包括由在线圈PCB的内侧和外侧上的金属化层制成的线圈元件，反之亦然。因此，一个线圈的线圈结构被提供在线圈PCB的一侧，另一个线圈的线圈结构被提供在线圈PCB的另一侧。

根据优选的实施例，所述第一线圈和所述第二线圈被形成为包括在线圈PCB的内侧和外侧两者上的金属化层的线圈元件。因此，所述第一线圈和所述第二线圈的线圈元件可以提供在所述线圈PCB的两侧。所述线圈PCB的内侧和外侧处的相应线圈元件彼此耦合以形成所述第一线圈和所述第二线圈的线圈结构。所述RF线圈设备的这种设计使得能够以用于金属化的减少量的金属提供RF线圈设备，因为线圈PCB的内表面和外表面处的线圈元件可以有效地用于第一或第二线圈。此外，发射器和接收器可以在各个线圈电流模式之间独立切换。可以使用这种交错/堆叠线圈设计来补偿金属化层与RF线圈设备的中心轴的不同距离，由此在线圈PCB的内侧和外侧处的金属化层的线圈元件一起形成相应的第一和第二线圈。在多层PCB的情况下，可以形成包括至少两个金属化层的线圈元件的线圈。原则上，还可以形成包括多于两个金属化层的线圈元件的线圈。

根据优选的实施例，第一线圈和第二线圈具有线圈结构，该线圈结构具有梯级的正弦形状、抛物线形状、V形、螺旋形、或sinc形状，或其任何组合。这些形状还能够有效地生成当今MR场成像系统的高场强，其磁场强度为3T或7T，同时提高了B1场的均匀性。

根据优选实施例，第一线圈的线圈结构与第二线圈的线圈结构相比是镜像的。在一些情况下，取决于线圈结构的形状，不能实现所述第一线圈和所述第二线圈的对称性。因此，已证明镜像适合于提供个体线圈。可以关于圆柱形表面执行镜像，例如在RF线圈设备的轴向方向上在圆柱形表面的中心轴上，或者关于垂直于该轴的轴。

根据优选实施例，不同的操作模式包括RF线圈设备的TX模式和RX模式。

优选地，第一线圈和第二线圈具有抛物线形状，并且第一线圈和第二线圈中针对TX模式有效的线圈被提供有70度的延伸，并且针对RX模式有效的线圈被提供有150度的延伸。已证明该线圈结构对于例如2通道RF线圈设备是有效的，以提供均匀的B1场。

优选地，第一线圈和第二线圈中针对TX模式有效的线圈被提供为多频调谐线圈，并且第一线圈和第二线圈中针对RX模式有效的线圈被提供为单频调谐线圈。在所述第一线圈和所述第二线圈被被提供为两个单独的线圈的情况下，可以改进调谐以最适合于每种模式。然而，RX线圈的复杂性可以降低，因为双调谐或甚至更复杂的调谐仅限于线圈，其中可以实现MR扫描质量的改善。例如，对于TX模式有效的线圈可以是双调谐线圈，例如在氟F19和H1质子处调谐。针对RX模式有效的线圈可以是单调谐线圈，其仅针对H1质子进行调谐。

优选地，第一线圈和第二线圈被提供为多频率调谐线圈，其中，第一线圈和第二线圈中的至少一个被调谐到另一个线圈未被调谐的频率。基本上，可以选择调谐频率的任何组合。

根据优选的实施例，第一线圈和第二线圈中针对TX模式有效的线圈被提供有用于高功率发射的线圈结构，并且针对RX模式有效的线圈被提供有低功率设计。因此，在TX模式中有效的线圈可以例如具有允许高最大电流的相对厚的金属化，而在RX模式中有效的线圈可以例如具有相对薄的金属化，其仅允许减小的最大电流。此外，也可以为例如高压电容器提供针对TX模式有效的线圈的电容器，针对RX模式有效的线圈通常不需要高压电容器。

根据优选的实施例，所述第一线圈和所述第二线圈包括每个至少一个调谐设备，由此所述第一线圈和所述第二线圈的调谐设备相对于RF线圈设备位于不同的圆柱位置。不仅可以实现不同的调谐频率，用于调谐第一和第二RF线圈的硬件也可以是不同的。例如，对于放射治疗，电子元件需要位于辐射束之外。

根据优选的实施例，第一屏蔽和第二屏蔽中的每个屏蔽根据一种操作模式设计。因此，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽可以适于根据第一和第二RF线圈生成的相应场执行优化的屏蔽。

根据优选的实施例，所述RF屏蔽设备包括圆柱形屏蔽PCB，并且第一屏蔽和第二屏蔽作为金属化层提供在屏蔽PCB的内侧和外侧。术语PCB指的是印刷电路板。利用所描述的设置，RF屏蔽设备可以被提供为具有紧凑尺寸的高度集成的设备。此外，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽易于制造为PCB上的金属化层。术语“金属化层”是指沉积在屏蔽PCB上的金属屏蔽结构。屏蔽PCB为所述第一屏蔽和所述第二屏蔽提供结构完整性。特别地，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽可以在屏蔽PCB上被提供有小的厚度。屏蔽PCB原则上可以是具有典型介电特性的任何类型的PCB。用于屏蔽PCB的优选介电材料例如称为FR-4。通常，屏蔽PCB也可以是多层PCB，其中可以提供多个金属化层，例如当RF屏蔽设备包括多个屏蔽时。

根据优选的实施例，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽被形成为包括在屏蔽PCB的内侧和外侧上的金属化层的屏蔽元件，或反之亦然。在多层PCB的情况下，可以形成包括至少两个金属化层的屏蔽元件的屏蔽。

根据优选的实施例，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽对应于RF线圈设备的所述第一线圈和所述第二线圈形成。

根据优的选实施例，所述第一屏蔽和所述第二屏蔽形被成为包括屏蔽PCB的内侧和外侧两者上的金属化层的屏蔽元件。所述第一屏蔽和所述第二屏蔽的屏蔽元件可以被提供在屏蔽PCB的两侧。在屏蔽PCB的内侧和外侧处的相应屏蔽元件彼此耦合以形成所述第一屏蔽和所述第二屏蔽的屏蔽结构。RF屏蔽设备的这种设计使得能够以用于金属化的减少量的金属提供RF屏蔽设备，因为屏蔽PCB的内表面和外表面处的屏蔽元件可以有效地用于第一或第二屏蔽。在多层PCB的情况下，可以形成包括至少两个金属化层的屏蔽元件的屏蔽。原则上，还可以形成包括多于两个金属化层的屏蔽元件的屏蔽。

根据优选的实施例，第一屏蔽和第二屏蔽具有屏蔽结构，该屏蔽结构具有正弦曲线狭缝、抛物线狭缝、V形狭缝、sinc形狭缝或其任何组合。

根据优选的实施例，第一屏蔽蔽的屏蔽结构与第二屏蔽的屏蔽结构相比是镜像的。可以相对于圆柱形表面执行镜像，例如在RF屏蔽设备的轴向方向上在圆柱形表面的中心轴线处。

根据磁共振(MR)成像系统的优选实施例，RF屏蔽设备是如上所述的射频(RF)线圈设备。

附图说明

参考本文下文中所描述的实施例，本发明的这些和其他方面将显而易见并将得以阐述。这样的实施例不一定表示本发明的完全范围，然而，并且因此参考权利要求书和本文以解释本发明的范围。

在附图中：

图1是磁共振(MR)成像系统的第一优选实施例的一部分的示意性图示，

图2a是根据第二实施例的RF线圈设备的示意图，其具有独立示出的第一线圈和第二线圈，

图2b是根据第二实施例的RF线圈设备的示意图，其中，第一线圈和第二线圈以交叠布置示出，

图3是根据第三实施例的具有第一线圈和第二线圈RF线圈设备的视图，其以交叠布置示出为实际RF线圈设备，

图4是根据第四实施例的RF线圈设备的四种不同线圈结构的示意图，

图5是根据第五实施例的具有第一线圈和第二线圈的RF线圈设备的详细示意图，其以交叠布置示出，

图6是根据具有调谐元件的第六实施例的RF线圈设备的第一线圈和第二线圈的详细示意图，

图7a是根据第七实施例的RF线圈设备的详细示意图，其中第一线圈和第二线圈分别被布置为在线圈PCB的内侧和外侧金属化，

图7b是根据第八实施例的RF线圈设备的详细示意图，其中第一线圈和第二线圈被布置为沿线圈PCB的内侧和外侧两者的金属化，

图8是根据第九实施例的RF线圈设备的切换配置中的信号路径的示意图，

图9是根据第十实施例的用于RF线圈设备的切换配置的通信的示意图，

图10是根据第十一实施例的包括RF线圈设备和RF屏蔽设备的RF设备的示意图，

图11a是根据第十二实施例的RF屏蔽设备的详细示意图，其中第一屏蔽和第二屏蔽分别被布置为在屏蔽PCB的内侧和外侧的金属化，

图11b是根据第八实施例的RF屏蔽设备的详细示意图，其中第一屏蔽和第二屏蔽被布置为沿屏蔽PCB的内侧和外侧两者的金属化，

图12是根据第十四实施例的RF屏蔽设备的示意图，其具有被独立地和组合地示出第一线圈和第二线圈，并且

图13是根据第十五实施例的RF线圈设备的视图，其中第一线圈和第二线圈以交叠布置被示出为实际RF线圈设备，其构造为TEM线圈。

附图标记列表：

110 磁共振(MR)成像系统

112 磁共振(MR)扫描器

114 磁体

116 RF检查空间

118 中心轴

120 感兴趣对象

122 磁梯度线圈系统

124 RF屏蔽设备

126 磁共振成像系统控制单元

128 监视器

130 MR图像重建单元

132 控制线

134 RF发射器单元

136 RF切换单元

138 控制线

140 射频(RF)天线布置

142 射频(RF)线圈

200 第一线圈

202 第二线圈

204 梯级

206 二极管

208 端部环

210 线圈结构

212 耦合电容

214 调谐设备

216 调谐电容器

218 调谐线圈

220 调谐二极管

222 线圈PCB

224 金属化层(线圈PCB)

226 内侧(线圈PCB)

228 外侧(线圈PCB)

230 线圈元件

232 切换矩阵，切换设备

234 发射路径

236 接收路径

238 可切换谐振器

240 接口

242 MRI控制台

244 模拟数据库

250 第一屏蔽

252 第二屏蔽

254 屏蔽结构

256 共振模式，箭头

258 屏蔽PCB

260 金属化层(屏蔽PCB)

262 内侧(屏蔽PCB)

264 外侧(屏蔽PCB)

266 屏蔽元件

268 狭缝

300 第一线圈

302 第二线圈

304 梯级

306 二极管

308耦合设备

310 线圈结构

具体实施方式

图1示出了根据第一优选实施例的包括MR扫描器112的磁共振(MR)成像系统110的部分的示意性图示。MR成象系统110在这里总体地被描述为用于所有讨论的实施例的基础。

MR成像系统110包括被提供用于生成静态磁场主磁体114。主磁体114具有中心膛，其为感兴趣对象120(通常是要定位于其中的患者)提供围绕中心轴118的检查空间116。在该实施例中，中心膛并且因此，主磁体114的静态磁场根据中心轴线118具有水平取向。在备选的实施例中，主磁体114的取向可以是不同的，例如，以提供具有垂直取向的静态磁场。另外，MR成像系统110包括磁梯度线圈系统122，磁梯度线圈系统122被提供为生成叠加到静态磁场上的梯度磁场。如本领域己知，磁梯度线圈系统122被同心地布置在主磁体114的膛内。

此外，MR成象系统110包括射频(RF)线圈设备140，其被设计为具有管状主体的全身线圈。在备选的实施例中，RF线圈140被设计为头部线圈或者用于在磁共振成像系统110中使用的任何其它合适的线圈类型。RF线圈设备140提供了用于在RF发射阶段将RF磁场施加到检查空间116以激励应当由MR图像覆盖的感兴趣对象120的原子核。RF线圈设备140也被提供为在RF接收期间从激发的原子核接收MR信号。在MR成像系统110的操作状态中，RF发射阶段和RF接收阶段以相继的方式发生。RF线圈140在主磁体114的膛内同心地布置。圆柱形RF屏蔽设备124同心地布置在磁梯度线圈系统122与RF线圈设备140之间。因此，RF屏蔽设备124同轴地包围RF线圈140。在一些实施例中，RF线圈设备140和RF屏蔽设备124一体地提供，从而形成射频(RF)布置142。下面讨论关于RF线圈设备140和RF屏蔽设备124的实现的细节。

此外，MR成象系统110包括MR图像重建单元130和具有监视器单元128的MR成象系统控制单元126，MR图像重建单元130被提供用于从所采集的MR信号重磁共振图像，并且MR成象系统控制单元126被提供用于控制MR扫描器112的功能，如通常在本领域中己知的。控制线138被安装在磁共振成像系统控制单元126和RF发射器单元134之间，RF发射器单元134被提供为在RF功率发送阶段经由RF切换单元136将MR射频的RF功率馈送到RF线圈设备140。RF切换单元136继而也由MR成象系统控制单元126控制，并且另一控制线132被安装在MR成像系统控制单元126与RF切换单元136之间以服务于该目的。在RF接收阶段期间，RF切换单元136将MR信号在前置放大之后从RF线圈设备140导向到MR图像重建单元130。

图2a和2b示出了根据第二实施例的RF线圈设备140。从图2中可以看出，第二实施例的RF线圈设备140包括第一线圈200和第二线圈202，在该实施例中，第一线圈200和第二线圈202被提供为鸟笼线圈。第一线圈200和第二线圈202围绕中心轴118同心地布置。第一线圈200和第二线圈202具有梯级204，在该实施例中，梯级204被提供有提供在梯级204的中心区域中的二极管206。因此，二极管206被并入到所述第一线圈和所述第二线圈200、202中，以接通或断开相应的线圈200、202。

梯级204在端部环208之间延伸并且被布置为与RF线圈设备140的中心轴118不平行。第一线圈200的线圈结构210与第二线圈202的线圈结构210不同，如在图2b的交叠视图中可清楚地看到的。

根据第二实施例，第一线圈200和第二线圈202被布置为共用导电端部环208。在替代实施例中，所述第一线圈和所述第二线圈200、202被布置为仅共享端部环208中的一个。然而，在另一替代实施例中，所述第一线圈和所述第二线圈200、202各自具有其各自的一对端部环208。

如在图2中可以进一步看到的，第一线圈200和第二线圈202具有线圈结构210，其具有在相应的第一线圈200和第二线圈202的端部环208之间延伸的梯级204的抛物线形状。第一线圈200的所得线圈结构210与第二线圈202的线圈结构210相比是镜像的。在RF线圈设备140的轴向方向(即中心轴118)处相对于圆柱形表面的中心轴线处的圆柱形表面执行镜像。利用本发明的RF线圈设备140，每个线圈200、202相对于RF线圈设备140的TX模式和RX模式具有优化的线圈结构210。

第一线圈200和第二线圈202可切换为对于不同的操作模式有效，例如第一线圈200对于TX模式有效，并且第二线圈202对于RX模式有效，或反之亦然。因此，出自所述第一线圈200和所述第二线圈202中的针对TX模式有效的线圈200、202被提供有用于高功率发射的线圈结构210，并且针对RX模式有效的线圈200、202被提供有低功率设计。

图3示出了根据第三实施例的RF线圈设备140。第三实施例的RF线圈设备140的结构基本上与第二实施例的相同，因此将仅详细讨论第二和第三实施例的RF线圈设备140之间的差异。未针对第三实施例的RF线圈设备140明确描述的特征如上面关于第二实施例所述。

从图3中可以看出，第三实施例的RF线圈设备140包括第一线圈200和第二线圈202，它们作为鸟笼线圈提供，并且围绕中心轴118同心地布置。第一线圈200和第二线圈202具有梯级204，梯级204被提供有提供在其中心区域中的二极管206。梯级204在端部环208之间延伸并且被布置为与RF线圈设备140的中心轴118不平行。特别地，第一线圈200和第二线圈202具有线圈结构210，线圈结构210具有在相应的所述第一线圈和所述第二线圈200、202的端部环208之间延伸的梯级204的螺旋形状。因此，第一线圈200的线圈结构210与第二线圈202的线圈结构210不同。

第一线圈200和第二线圈202可切换为对于不同的操作模式有效，例如第一线圈200对于TX模式有效，并且第二线圈202对于RX模式有效，或反之亦然。因此，出自所述第一线圈200和所述第二线圈202中的针对TX模式有效的线圈200、202被提供有用于高功率发射的线圈结构210，并且针对RX模式有效的线圈200、202被提供有低功率设计。

图4涉及RF线圈设备140的第四实施例。第四实施例基于第二和/或第三实施例的RF线圈设备140。关于第四实施例未明确讨论的特征如上面关于第二和/或第三实施例所述。

如在图4中可以看到的，第一线圈200和第二线圈202可以具有线圈结构210，线圈结构210具有不同形状的梯级204。因此，第一线圈200和第二线圈202具有V形的线圈结构210，如在图4a中可见，抛物线形状，如在图4b中可见，正弦形状，如在图4c中可见，或者是sinc形状，如在图4d中可见。

在优选实施例中，第一线圈200和第二线圈202都具有抛物线形状，并且第一线圈200中的线圈200、202和针对TX模式有效的第二线圈202具有70度的延伸，并且针对RX模式有效的线圈200、202具有150度的延伸。

图5涉及RF线圈设备140的第五实施例。第五实施例基于前面第二到第四实施例的RF线圈设备140。关于第五实施例未明确讨论的特征如上面关于第二、第三和/或第四实施例中的至少一个所述。

第五实施例的RF线圈设备140与第二实施例的RF线圈设备140实质是相同的。然而，如图5中可见，梯级204被提供为具有V形。此外，图5的RF线圈设备140的实施例与耦合的电容器212一起显示，耦合的电容器212沿端部环208提供。特别地，耦合的电容器212将端部环208分隔在连接的梯级204之间。

图6涉及RF线圈设备140的第六实施例。第六实施例基于第二至第五实施例的RF线圈设备140。关于第六实施例未明确讨论的特征如上面关于第二至第五实施例中的至少一个所述。

第六实施例的RF线圈设备140与第二实施例的RF线圈设备140实质是相同的。然而，如图6所示，所述第一线圈和所述第二线圈200、202的梯级204沿其长度被提供有三个二极管206。此外，还示出了图6的RF线圈设备140的实施例，其具有沿着一个端部环的耦合电容器212，如上面关于第四实施例所讨论的。因此，耦合电容器212沿端部环208被提供，在连接的梯级204之间划分端部环208。此外，另一端部环208被提供有调谐设备214。尽管在图6中不可见，但是所述第一线圈和所述第二线圈200、212的调谐设备214相对于RF线圈设备140位于不同的圆柱位置。

所述调谐设备214被提供为调谐第一线圈200和第二线圈202。该实施例中的调谐设备214包括调谐电容器216和调谐线圈218，它们形成谐振电路。此外，在谐振电路中提供调谐二极管220，以改变对相应谐振器的调谐。出自第一线圈200和第二线圈202中的针对TX模式有效的线圈200、202被提供为多频率调谐线圈200、202，并且第一线圈200和第二线圈202中的针对RX模式有效的线圈200、202被提供为单频调谐线圈200、202。因此，在该实施例中，对于TX模式有效的线圈200、202是双调谐线圈200、202，其在氟F19和H1质子处被调谐，并且针对RX模式有效的线圈200、202是单调谐线圈200，202，仅适用于H1质子。

图7a涉及RF线圈设备140的第七实施例。第七实施例基于第二至第六实施例的RF线圈设备140。关于第七实施例未明确讨论的特征如上面关于第二至第六实施例中的至少一个所述。

除了前述实施例的RF线圈设备140之外，第七实施例的RF线圈设备140被提供有圆柱形线圈PCB 222。线圈PCB 222包括介电材料，在该实施例中称为FR-4。

第一线圈200和第二线圈202作为金属化层224分别在线圈PCB 222的内侧226和外侧228处被提供。金属化层224指的是沉积在线圈PCB 222上的金属线圈结构210，其可以具有基本上任何合适的结构。

在第七实施例中，第一线圈200在TX模式中有效，第二线圈202在RX模式中有效。因此，与第二线圈202的相对小的厚度相比，第一线圈200具有更高的厚度。第一线圈200和第二线圈202的金属化层224被形成为包括线圈元件230，其例如在图7b中示出。厚度是指沉积在线圈PCB 222上的金属化层224的厚度。

图7b涉及RF线圈设备140的第八实施例。第八实施例基于第二至第七实施例的RF线圈设备140。关于第八实施例未明确讨论的特征如上面关于第二至第七实施例中的至少一个所述。

第八实施例的RF线圈设备140也被提供有由FR-4形成的圆柱形线圈PCB 222。RF线圈设备140包括在线圈PCB 222的内侧226和外侧228处的金属化层224。金属化层224被沉积在线圈PCB 222上。在线圈PCB 222的内侧226和外侧228处的金属化层224被形成为包括单独的线圈元件230，如图7b所示。

根据第八实施例，第一线圈200和第二线圈202中的每个被形成为包括在线圈PCB222的内侧226和外侧228上的金属化层224的线圈元件230。线圈PCB 222的内侧226和外侧228处的相应线圈元件230彼此耦合以形成第一线圈200和第二线圈202的线圈结构210。

图8指示根据第九实施例的RF线圈设备140的切换配置中的信号路径。因此，切换矩阵232被连接到发射路径234和接收路径236。切换矩阵232也称为切换设备。发射路径234连接到在TX模式下有效的线圈200、202，并且接收路径236连接到在RX模式下有效的线圈200、202。此外，可切换谐振器238被连接到切换矩阵232。所述第一线圈和所述第二线圈200、202的线圈结构210在操作中与切换矩阵232镜像，切换矩阵232是电子切换器。因此，线圈200、202可以相对于感兴趣对象120的取向顺序地或最佳地选择使用。独立地针对发射TX和接收RX使用取向以调谐线圈结构210来实现最佳B+和B-均匀性。可切换谐振器238与MRI控制台242之间的信号流通过用于模式切换传感器的接口240实现，以执行模式切换并建立正确的信号流。该实施例中的MRI控制台242是监视器单元128的组成部分。

相对于第十实施例，在图9中表示相应的通信。因此，可切换谐振器238、MRI控制台242和接口240之间的通信包括与模拟数据库244的通信。计算预EM仿真结果或实时估计并映射到仿真数据库244，并选择MR序列的相应模式。

图10示出了第十一实施例的RF设备142，其包括根据任何前述实施例的RF线圈设备140和RF屏蔽设备124。RF线圈设备140是根据前述实施例之一的RF线圈设备140。因此，将不再重复讨论第十一实施例的RF线圈设备140的技术细节。

根据第十一实施例的RF屏蔽设备124包括第一屏蔽250和第二屏蔽252。第一屏蔽件250和第二屏蔽件252围绕中心轴线118同心地布置。第一屏蔽250和第二屏蔽252具有不同的屏蔽结构254，并且根据RF线圈设备140的两种不同操作模式设计。因此，两个屏蔽结构254可以组合在单个RF屏蔽设备124中。因此，当MR成像系统110在不同的操作模式之间切换时，RF屏蔽设备124利用两个单独的屏蔽250、252充分地屏蔽所得到的RF场，每个屏蔽250、252针对RF线圈设备140的一种操作模式进行优化。另外，如图10所示，所述第一线圈和所述第二线圈200、202中的每一个可以具有不同的谐振模式，这由图10中的箭头256表示。通常，具有鸟笼结构的RF线圈设备140具有两个独立的可用谐振模式256，一个具有正弦状并且一个具有余弦状电流分布，如箭头256之间的90°相位差所示。这些不同的谐振模式256增加了使用RF线圈设备140的自由度。

图11a涉及RF屏蔽设备124的第十二实施例。第十一实施例基于第十一实施例的RF屏蔽设备124。关于第十二实施例未明确讨论的特征如上面关于第十一实施例所述。

除了前一实施例的RF屏蔽设备124之外，第十二实施例的RF屏蔽设备124被提供有圆柱形屏蔽PCB258。屏蔽PCB258包括介电材料，在该实施例中称为FR-4。

第一屏蔽250和第二屏蔽252分别在屏蔽PCB 258的内侧262和外侧264处被提供为金属化层260。金属化层260指的是金属屏蔽结构254，其沉积在屏蔽PCB 258上，并且可以具有基本上任何所需的结构。

图11b涉及RF屏蔽设备124的第十三实施例。第十三实施例基于第十一至第十二实施例的RF屏蔽设备124。关于第十三实施例未明确讨论的特征如上面关于第十至第十二实施例中的至少一个所述。

第十三实施例的RF屏蔽设备124也设有由FR-4形成的圆柱形屏蔽PCB258。RF屏蔽设备124包括位于屏蔽PCB258的内侧262和外侧264的金属化层260。金属化层260指的是沉积在屏蔽PCB 258上的金属屏蔽结构254。屏蔽PCB258的内侧262和外侧264处的金属化层260形成为包括屏蔽元件230，如图11b中所指示。

根据第十三实施例，第一屏蔽250和第二屏蔽252形成为包括屏蔽PCB 222的内侧262和外侧264上的金属化层260的屏蔽元件266。在屏蔽PCB258的内侧262和外侧264处的相应屏蔽元件266彼此耦合以形成第一屏蔽250和第二屏蔽252的屏蔽结构254。

图12涉及RF屏蔽设备124的第十四实施例。第十四实施例基于第十一或第十二实施例的RF屏蔽设备124。关于第十四实施例未明确讨论的特征如上面关于第十一或第十二实施例所述。

根据第十二实施例，第十四实施例的RF屏蔽设备124被提供有圆柱形屏蔽PCB258。第一屏蔽250和第二屏蔽252分别在屏蔽PCB 258的内侧262和外侧264处被提供为金属化层260。金属化层260指的是金属屏蔽结构254，其沉积在屏蔽PCB 258上。第一屏蔽250和第二屏蔽252由对应于RF线圈设备140的所述第一线圈和所述第二线圈200、202形成。因此，第一屏蔽250和第二屏蔽252具有带抛物线狭缝268的屏蔽结构。在替代实施例中，第一屏蔽件250和第二屏蔽件252具有屏蔽结构，该屏蔽结构具有正弦曲线狭缝、V形狭缝、sinc形狭缝或其任何组合。

利用所讨论的实施例的RF屏蔽设备124，每个屏蔽250、252可以相对于RF线圈设备140的TX模式和RX模式被提供有优化的线圈210结构。

图13示出了根据第十五实施例的RF线圈设备140。第十五实施例的RF线圈设备140作为TEM线圈提供，下面将更详细地讨论。然而，同样对于第十五实施例的RF线圈设备140，以上关于参考具有鸟笼结构的RF线圈设备140的实施例所讨论的一般原理也适用。

如图13中可见，第十五实施例的RF线圈设备140包括第一线圈300和第二线圈302，它们围绕中心轴118同心地布置。第一线圈300和第二线圈302具有梯级304，梯级304不平行于RF线圈设备140的中心轴118布置。在该实施例中，梯级304被提供有提供在其中心区域中的二极管306。

梯级304在RF线圈设备140的纵向端部之间延伸，并且被布置为与RF线圈设备140的中心轴线118不平行。第一线圈300具有与第二线圈302的线圈结构310不同的线圈结构310，如图13中可清楚地看到的。特别地，第一线圈300和第二线圈302具有线圈结构310，线圈结构310具有梯级304的螺旋形状。利用第十五实施例的RF线圈设备140，每个线圈300、302相对于RF线圈设备140的TX模式和RX模式具有优化的线圈结构310。

根据第十五实施例，RF线圈设备140与围绕第一线圈300和第二线圈302的RF屏蔽设备124一体地设置。RF屏蔽设备124未在图13中明确示出。根据第十一至第十四实施例的RF屏蔽设备124提供第十五实施例的RF屏蔽设备124，即RF屏蔽设备124包括针对RF线圈设备140的不同操作模式优化的两个RF屏蔽250、252。在替代实施例中，RF屏蔽设备124仅包括单个RF屏蔽，如本领域中已知的。

第一线圈300和第二线圈302在其端部区域处被提供有耦合设备308，耦合设备308将梯级304在其端部区域耦合到RF屏蔽设备124。特别地，所述第一线圈和所述第二线圈300、302的梯级304分别连接到所述第一屏蔽和所述第二屏蔽250、252。耦合设备308包括耦合电容器。

第一线圈300和第二线圈302可切换为对于不同的操作模式有效，例如第一线圈300对于TX模式有效，并且第二线圈302对于RX模式有效，或反之亦然。因此，出自所述第一线圈300和所述第二线圈302中的针对TX模式有效的线圈300、302被提供有用于高功率发射的线圈结构310，并且针对RX模式有效的线圈300、302被提供有低功率设计。

尽管已经在附图和前面的描述中详细图示和描述了本发明，但是这样的图示和描述应当被认为是图示性或示范性的，而非限制性的。本发明不限于公开的实施例。本领域技术人员通过研究附图、公开内容以及权利要求书，在实践请求保护的本发明时能够理解并且实现对所公开的实施例的其他变型。在权利要求中，“包括”一词不排除其他元件或步骤，并且词语“一”或“一个”不排除多个。尽管特定措施是在互不相同的从属权利要求中记载的，但是这并不指示不能有利地使用这些措施的组合。权利要求书中的任何附图标记不应被解释为对范围的限制。

Claims (19)

1.一种用于磁共振(MR)检查系统(110)的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述RF线圈设备(140)包括第一线圈(200)和第二线圈(202)，

所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)被提供为鸟笼线圈，

所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)被布置有共同的中心轴(118)，

所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)具有梯级(204)，所述梯级与所述RF线圈设备(140)的所述中心轴(118)不平行地布置，

所述第一线圈(200)的线圈结构(210)与所述第二线圈(202)的线圈结构(210)不同，并且

所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)是可切换的以针对不同的操作模式有效。

2.根据前述权利要求1所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述第一线圈(200)和所述第二线圈(202)被布置为共用至少一个导电端部环(208)。

3.一种用于磁共振(MR)检查系统(110)的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述RF线圈设备(140)包括第一线圈(300)和第二线圈(302)，

所述第一线圈(300)和所述第二线圈(302)被布置有共同的中心轴(118)，

所述第一线圈(300)和所述第二线圈(302)具有梯级(304)，所述梯级与所述RF线圈设备(140)的所述中心轴(118)不平行地布置，

所述RF线圈设备(140)与围绕所述第一线圈(300)和所述第二线圈(302)的RF屏蔽设备(124)被一体地提供，

所述梯级(304)被耦合到所述RF屏蔽设备(124)，

所述第一线圈(300)的线圈结构(310)与所述第二线圈(302)的线圈结构(310)不同，并且

所述第一线圈(300)和所述第二线圈(302)是可切换的以针对不同的操作模式有效。

4.根据前述权利要求1至3中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述RF线圈设备(140)包括圆柱形线圈PCB(222)，并且

所述第一线圈(200、300)和所述第二线圈(202、302)的所述梯级(204)被提供为在所述线圈PCB(222)的内侧(226)和外侧(228)的金属化层(224)。

5.根据前述权利要求5所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述第一线圈(200、300)和所述第二线圈(202、302)包括由在所述线圈PCB(222)的所述内侧(226)和所述外侧(228)上的所述金属化层(224)制成的线圈元件(230)。

6.根据前述权利要求1至5中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述第一线圈(200、300)和所述第二线圈(202、302)具有线圈结构(210、310)，所述线圈结构具有梯级(204、304)的正弦形状、抛物线形状、V形、螺旋形、或sinc形状，或其任何组合。

7.根据前述权利要求1至6中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述第一线圈(200、300)的线圈结构(210、310)与所述第二线圈(202、302)的线圈结构(210、310)相比是镜像的。

8.根据前述权利要求1至7中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述不同的操作模式包括所述RF线圈设备(140)的TX模式和RX模式。

9.根据前述权利要求9所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

出自所述第一线圈(200、300)和所述第二线圈(202、302)中的针对TX模式有效的线圈(200、202、300、302)被提供有用于高功率发射的线圈结构(210、310)，并且针对RX模式有效的线圈(200、202、300、302)被提供有低功率设计。

10.根据前述权利要求1至9中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述第一线圈和所述第二线圈(200、202、300、302)每个包括至少一个调谐设备(214)，其中，

所述第一线圈和所述第二线圈(200、202、300、302)的所述调谐设备(214)相对于所述RF线圈设备(140)被定位于不同的圆柱位置。

11.一种用于磁共振(MR)检查系统(110)的射频(RF)屏蔽设备(124)，其中，

所述RF屏蔽设备(124)包括第一屏蔽(250)和第二屏蔽(252)，

所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)被布置有共同的中心轴(118)，

所述第一屏蔽(250)的屏蔽结构(254)与所述第二屏蔽(252)的屏蔽结构(254)不同，

并且所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)是根据所述RF线圈设备(140)的不同操作模式设计的。

12.根据前述权利要求11所述的射频(RF)屏蔽设备(124)，其中，

所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)中的每个屏蔽是根据一种操作模式设计的。

13.根据前述权利要求11至12中的任一项所述的射频(RF)屏蔽设备(124)，其中，

所述RF屏蔽设备(124)包括圆柱形屏蔽PCB(258)，并且

所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)被提供为所述屏蔽PCB(258)的内侧(262)和外侧(264)的金属化层(260)。

14.根据前述权利要求11至13中的任一项所述的射频(RF)屏蔽设备(124)，其中，

所述第一屏蔽(250)和所述第二屏蔽(252)被形成为包括所述屏蔽PCB(258)的所述内侧(262)和所述外侧(264)上的所述金属化层(260)的屏蔽元件。

15.根据前述权利要求7所述的射频(RF)线圈设备(140)，其中，

所述RF屏蔽设备(124)是根据前述权利要求11至14中的任一项所述的RF屏蔽设备(124)，并且

所述第一线圈和所述第二线圈(300、302)的所述梯级(304)分别被耦合到所述第一屏蔽和所述第二屏蔽(250、252)。

16.一种射频(RF)装置(142)，包括根据前述权利要求5或6中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)以及根据前述权利要求1至4中的任一项所述的RF屏蔽设备(124)。

17.一种磁共振(MR)成像系统(110)，包括：

管状检查空间(116)，其被提供用于将感兴趣对象(120)定位于其中，

RF屏蔽设备(124)，其用于屏蔽所述检查空间(116)，

磁梯度线圈系统(122)，其用于生成叠加到静态磁场的梯度磁场，以及

主磁体(114)，其用于生成静态磁场，

其中，所述RF屏蔽设备(124)、所述磁梯度线圈系统(122)和所述主磁体(114)以此顺序围绕所述检查空间(116)沿着径向向外的方向被同心地定位，其中，

所述磁共振(MR)成像系统(110)包括至少一个根据权利要求5至6中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，所述射频线圈设备被同心地布置在所述RF屏蔽设备(124)内，并且

所述磁共振(MR)成像系统(110)还包括切换设备(232)，所述切换设备用于在至少两种不同的操作模式之间切换所述RF线圈设备(140)。

18.根据前述权利要求16所述的磁共振(MR)成像系统(110)，其中，

所述RF屏蔽设备(124)是根据前述权利要求1至4中的任一项所述的RF屏蔽设备(124)。

19.一种磁共振(MR)成像系统(110)，包括：

管状检查空间(116)，其被提供用于将感兴趣对象(120)定位于其中，

磁梯度线圈系统(122)，其用于生成叠加到静态磁场的梯度磁场，以及

主磁体(114)，其用于生成静态磁场，

其中，所述磁梯度线圈系统(122)和所述主磁体(114)以此顺序围绕所述检查空间(116)沿着径向向外的方向被同心地定位，其中，

所述磁共振(MR)成像系统(110)包括至少一个根据权利要求7或8中的任一项所述的射频(RF)线圈设备(140)，所述射频线圈设备被同心地布置在所述磁梯度线圈(122)内，并且

所述磁共振(MR)成像系统(110)还包括切换设备(232)，所述切换设备用于在至少两种不同的操作模式之间切换所述RF线圈设备(140)。