CN110310914A - 一种柔性器件及其制作方法、柔性装置 - Google Patents

一种柔性器件及其制作方法、柔性装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种柔性器件及其制作方法、柔性装置,涉及柔性器件领域;该柔性器件的制作方法包括:在硬质的衬底基板上,采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜;在感光薄膜上形成包含无机材料的基底;在基底上形成电子器件功能层;在电子器件功能层上形成封装层;从衬底基板的背面对感光薄膜进行光照,感光薄膜中的叠氮化合物释放气体,以使得感光薄膜与基底之间出现间隙;将基底以及基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从感光薄膜上剥离。

Description

一种柔性器件及其制作方法、柔性装置
技术领域
本发明涉及柔性器件领域,尤其涉及一种柔性器件及其制作方法、柔性装置。
背景技术
近年来,柔性电子产品引起全世界的广泛关注并得到了迅速发展。柔性电子产品中的至少部分柔性器件在制作过程中,往往在硬质的玻璃基板上先形成PI膜(聚酰亚胺薄膜),在PI膜上制作相关的电子器件,并在相关的电子器件制作完成后将玻璃基板与PI膜分离,以形成以PI膜作为基底的柔性器件。
对于上述采用PI膜作为基底的柔性器件而言,一方面,PI膜在形成的过程中需要通过采用高温固化工艺,因此采用的承载玻璃基板必须为高温玻璃,造成成本的提高;另一方面,由于PI膜本身作为柔性器件的承载基底,其自身的厚度较大,并且PI膜自身具有的应力较大,因此,很容易出现玻璃基板破碎(即碎片)的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性器件及其制作方法、柔性装置,能够避免柔性器件因采用PI膜作为基底而出现的弊端。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供一种柔性器件的制作方法,包括:在硬质的衬底基板上,采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜;在所述感光薄膜上形成包含无机材料的基底;在所述基底上形成电子器件功能层;在所述电子器件功能层上形成封装层;从所述衬底基板的背面对所述感光薄膜进行光照,所述感光薄膜中的叠氮化合物释放气体,以使得所述感光薄膜与所述基底之间出现间隙;将所述基底以及所述基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从所述感光薄膜上剥离。
在一些实施例中,所述采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜包括:采用含有叠氮萘类化合物的感光树脂,形成厚度为0.3μm~8μm的感光薄膜。
在一些实施例中,所述在所述感光薄膜上形成包含无机材料的基底包括:在所述感光薄膜上,采用包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种无机材料,形成厚度为100nm~1000nm的基底。
在一些实施例中,所述在所述电子器件功能层上形成封装层包括:在所述电子器件功能层上,采用硅橡胶形成厚度为5μm~100μm的封装层。
在一些实施例中,所述将所述基底以及所述基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从所述感光薄膜上剥离包括:从所述衬底基板的边缘,拉起所述封装层,将所述基底从所述感光薄膜上剥离。
在一些实施例中,所述在所述基底上形成电子器件功能层包括:在所述基底上形成包括信号线的第一导电图案层;在所述第一导电图案层上形成第一绝缘层;所述第一绝缘层在对应所述信号线的位置设置有第一过孔;在所述第一绝缘层上通过一次构图工艺形成包括反射焊盘的第二导电图案层;所述反射焊盘通过所述第一过孔与所述信号线连接;在所述第二导电图案层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层在对应所述反射焊盘的位置设置有第二过孔;将多个Mini LED通过不同的所述第二过孔与不同的反射焊盘绑定。
本发明实施例还提供一种柔性器件,包括基底、封装层以及位于所述基底和所述封装层之间的电子器件功能层;所述基底包含无机材料,其厚度为100nm~1000nm;所述封装层的厚度为5μm~100μm。
在一些实施例中,所述封装层包含硅橡胶。
在一些实施例中,所述基底中的无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
在一些实施例中,所述柔性器件为液晶显示装置中的背光源。
在一些实施例中,所述电子器件功能层包括:依次设置于基底上的第一导电图案层、第一绝缘层、第二导电图案层、第二绝缘层、发光器件;所述第一导电图案层包括信号线,所述第二导电图案层包括反射焊盘;所述发光器件通过位于所述第二绝缘层上的第二过孔与所述反射焊盘连接,所述反射焊盘通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号线连接。
在一些实施例中,所述反射焊盘包括:金属反射层和位于所述金属反射层背离所述基底一侧的透明导电保护层;或者,所述反射焊盘包括:金属反射层、位于所述金属反射层背离所述基底一侧的第一透明导电保护层、位于所述金属反射层靠近所述基底一侧的第二透明导电保护层。
在一些实施例中,所述发光器件为Mini LED或者Micro LED。
本发明实施例还提供一种柔性装置,包括前述的柔性器件。
本发明实施例提供一种柔性器件及其制作方法、柔性装置,该柔性器件的制作方法包括:在硬质的衬底基板上,采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜;在感光薄膜上形成包含无机材料的基底;在基底上形成电子器件功能层;在电子器件功能层上形成封装层;从衬底基板的背面对感光薄膜进行光照,感光薄膜中的叠氮化合物释放气体,以使得感光薄膜与基底之间出现间隙;将基底以及基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从感光薄膜上剥离。
相比于相关技术在制作柔性器件时,需要采用高温玻璃为衬底基板,并在高温玻璃上形成PI膜,并以PI膜为基底形成柔性器件;由于PI膜的膜层厚度大,且PI膜的应力大,因此,在制作过程中容易导致高温玻璃发生碎片。本发明实施例提供的柔性器件的制作方法,通过在硬质的衬底基板上形成含有叠氮化合物的感光薄膜,然后在感光薄膜上形成以无机薄膜为基底的柔性器件,最后通过对感光薄膜进行光照后,在感光薄膜与基底之间产生间隙,从而将柔性器件进行分离,避免了采用PI膜作为柔性器件而导致的各种弊端。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种柔性器件的制作方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的一种柔性器件的制作过程的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种感光树脂的光分解机理图;
图4为本发明实施例提供的一种柔性器件的扫描电镜图;
图5为本发明实施例提供的一种柔性器件的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种柔性器件中电子器件功能层的制作方法的流程示意图;
图7为本发明实施例提供的一种背光源的平面示意图;
图8为本发明实施例提供的一种背光源的局部剖面示意图;
图9为本发明实施例提供的一种背光源的局部剖面示意图;
图10为本发明实施例提供的一种柔性器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本申请实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
此外,本申请中,“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”以及“竖直”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的,应当理解到,这些方向性术语是相对的概念,它们用于相对于的描述和澄清,其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。
本发明实施例提供一种柔性器件的制作方法,如图1所示,该制作方法包括:
步骤S101、如图2中(a)所示,在硬质的衬底基板01上,采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜02。
在一些实施例中,上述硬质的衬底基板01可以为玻璃基板,该玻璃基板可以为普通玻璃,无需采用高温玻璃。
在一些实施例中,上述含有叠氮化合物的感光树脂(Resin)可以为采用含有叠氮萘类化合物的感光树脂。
示例的,在一些实施例中,上述步骤S101可以包括:在玻璃基板(01)上,采用含有叠氮萘类化合物的感光树脂,形成厚度为0.3μm~8μm的感光薄膜02。
在一些实施例中,上述感光树脂可以通过涂布的方式涂布在玻璃基板(01),并进行前烘,然后进行固化(Curing),从而形成感光薄膜02。
步骤S102、如图2中(b)所示,在感光薄膜02上形成包含无机材料的基底03。
在一些实施例中,上述基底03中包含的无机材料可以为:氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
示例的,在一些实施例中,上述步骤S102可以包括:在感光薄膜02上,采用包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种无机材料,形成厚度为100nm~1000nm的基底03。
此处可以理解到,由于本发明在后续的制作过程中(步骤S106),需要将基底03与感光薄膜02进行分离,并且感光薄膜02采用感光树脂,也即感光薄膜02为有机薄膜;可以理解的是,有机薄膜与有机薄膜之间是很难进行分离的,因此,本发明中的基底03主要采用无机材料制成,以保证基底03与感光薄膜02在后续能够进行分离。
步骤S103、如图2中(c)所示,在基底03上形成电子器件功能层04。
上述电子器件功能层04是柔性器件实现其功能的主要组成部分,其可以包括多个图案膜层、电子元件等,并且根据柔性器件的种类、用途等不同,电子器件功能层04中包含的图案膜层、电子元件等,也不尽相同。
步骤S104、如图2中(d)所示,在电子器件功能层04上形成封装层05。此时,可以理解的是,在完成封装层05的制作后,相当于完成了柔性器件001中各部分的制作。
示例的,在一些实施例中,上述步骤S104可以包括:在电子器件功能层04上,采用硅橡胶形成厚度为5μm~100μm的封装层05。
可以理解的是,硅橡胶是指主链由硅和氧原子交替构成,硅原子上通常连有两个有机基团的橡胶。硅橡胶具有耐高温性、耐低温性、耐候性、优异的绝缘性、耐电晕性和耐电弧性、耐油性、耐溶剂性等,因此,采用硅橡胶制作封装层05,具有明显的优势。
另外,采用硅橡胶的封装层为全透明膜层,从而对于透明的柔性器件尤为适用,例如对于透明显示领域,采用硅橡胶的封装层能够保证其具有更好的透光率。
步骤S105、如图2中(e)所示,从衬底基板01的背面对感光薄膜02进行光照,感光薄膜02中的叠氮化合物释放气体,以使得感光薄膜02与基底03之间出现间隙。
上述感光薄膜02中的叠氮化合物在经光照后发生分解,释放的气体可以为氮气(N2)。
可以理解的是,上述衬底基板01的背面是指,衬底基板01背离感光薄膜02一侧的表面。
示例的,以感光薄膜02中的叠氮化合物为叠氮萘类化合物为例,如图3(叠氮萘类化合物在光照下发生分解的反应机理图)所示,叠氮萘类化合物的感光基团在光照的作用下先裂解生成卡宾(Carbene),并释放出氮气(N2);卡宾(Carbene)通过沃尔夫重排(wolffrearrangement,简称Wolff重排)后得到烯酮(Ketene)。
步骤S106、如图2中(f)所示,将基底03以及基底03上承载的电子器件功能层04、封装层05,整体从感光薄膜02上剥离。
由于在前述步骤S105中,感光薄膜02中的叠氮化合物发生光分解,有气体生成,使得感光薄膜02与基底03之间出现间隙,使得基底03与感光薄膜02之间的附着力明显下降,从而保证在该步骤S106中,能够将基底03进行有效的无损分离(可以参考图4所示的扫描电镜图)。
在一些实施例中,上述步骤S106可以包括:从衬底基板01的边缘,拉起封装层05,将基底03从感光薄膜02上剥离。
可以理解的是,如图5所示,在将基底03从感光薄膜02上剥离后,柔性器件001的制作完成。
相关技术在制作柔性器件时,需要采用高温玻璃为衬底基板,并在高温玻璃上形成PI膜(需要在400℃以上的高温进行固化),并以PI膜为基底形成柔性器件;由于PI膜的膜层(5μm~60μm)厚度大,且PI膜的应力大,因此,在制作过程中容易导致高温玻璃发生碎片。
相比之下,本发明实施例提供的柔性器件的制作方法,通过在硬质的衬底基板上形成含有叠氮化合物的感光薄膜,然后在感光薄膜上形成以无机薄膜为基底的柔性器件,最后通过对感光薄膜进行光照后,在感光薄膜与基底之间产生间隙,从而将柔性器件进行分离,避免了采用PI膜作为柔性器件而导致的各种弊端。
需要说明的是,相比于相关技术中,PI膜作为基底,其厚度可以达到5μm~60μm而言,本发明实施例提供的无机材料为基底03的厚度可以做到100nm~1000nm;当然,本发明中在采用厚度较小的基底03的情况下,为了保证柔性器件001自身不发生卷曲,实际中设置具有较大厚度(例如5μm~100μm)的封装层05,以对整个柔性器件001起到有效的支撑作用。
如前述可知,对于不同的柔性器件001而言,在步骤S103中,形成的电子器件功能层04的具体结构不尽相同。示例的,以下以柔性器件001为液晶显示装置中柔性背光源为例,对步骤S103中形成的电子器件功能层04作进一步的说明。参考图7的平面示意图以及图8的局部剖面示意图,如图6所示,上述步骤S103可以包括:
步骤S1031、在基底03上形成包括信号线Gata的第一导电图案层41。
可以理解的是,对于第一导电图案层41中的信号线而言,可以包括多种不同的信号线,也即用于传输不同类型电信号的信号线,例如传输两种不同电压(高电压和低电压)的信号线,图8中仅是局部的剖面示意图,未能示出全部的信号线,相关的其他信号线可以参考图7;实际中也可以根据需要进行选择设置,本发明对此不做具体限定。
示例的,步骤S1031可以包括:在基底03采用铜(Cu)形成2μm以上的厚铜膜,通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺(也即通过一次构图工艺),对该厚铜膜进行图案化,制作出包括信号线Gata的第一导电图案层41。
步骤S1032、在第一导电图案层41上形成第一绝缘层PVX1;第一绝缘层PVX1在对应信号线Gata的位置设置有第一过孔H1。
示例的,在一些实施例中,在第一导电图案层41上,采用氮化硅、氧化硅等无机绝缘材料形成第一绝缘薄膜,通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺,对该第一绝缘薄膜进行图案化,制作出在对应信号线Gata的位置设置有第一过孔H1的第一绝缘层PVX1。
步骤S1033、在第一绝缘层PVX1上通过一次构图工艺形成包括反射焊盘Pad的第二导电图案层42;反射焊盘Pad通过第一过孔H1与信号线Gata连接。
可以理解的是,对于上述反射焊盘Pad而言,其同时具备导电性能和对光线的反射性能。
示例的,在一些实施例中,在第一绝缘层PVX1上采用导电反射材料形成导电反射薄膜,并通过一次构图工艺形成包括多个反射焊盘Pad的第二导电图案层42。
示例的,在一些实施例中,在第一绝缘层PVX1上依次形成ITO/Ag/ITO(或者ITO/Ag)的膜层;其中,ITO膜层(即氧化铟锡膜层)的厚度可以为8nm~20nm,Ag膜层(即银膜层)的厚度可以为50nm~100nm;然后对该ITO/Ag/ITO(或者ITO/Ag)的膜层进行一次构图(包括曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺),形成包括多个反射焊盘Pad的第二导电图案层42(该第二导电图案层42为多层结构)。
步骤S1034、在第二导电图案层42上形成第二绝缘层PVX2;第二绝缘层PVX2在对应反射焊盘Pad的位置设置有第二过孔H2。
示例的,在一些实施例中,在第二导电图案层42上,采用氮化硅、氧化硅等无机绝缘材料形成第二绝缘薄膜,通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺,并对第二绝缘薄膜进行图案化,制作出在对应反射焊盘Pad的位置设置有第二过孔H2的第二绝缘层PVX2。示例的,在一些实施例中,可以在第二导电图案层42在每一反射焊盘Pad可以对应多个第二过孔H2。
步骤S1035、将多个Mini LED(也可称为:次毫米发光二极管)通过不同的第二过孔H2与不同的反射焊盘Pad绑定(Bonding)或者说焊接。
可以理解的是,采用对于采用Mini LED的背光源而言,能够应用至超级小间距显示屏,以及超省电、超薄显示屏中;另外,采用Mini LED的背光源可以设计为直下式背光、区域调光(Local Dimming),其比一般侧光式背光源具备更好的透光均匀度以及较高的对比度(Contrast Ratio)和更多明暗细节。
另外,相比于OLED(Organic Light Emitting Diode)显示面板而言,采用MiniLED的背光源的液晶显示面板拥有更好的衍色性,并且其厚度可以与OLED显示面板相同或相近。
示例的,在一些实施例中,将多个Mini LED通过不同的反射焊盘Pad上方的第二过孔H2,与反射焊盘Pad进行焊接。
如图7所示,在一些实施例中,上述多个Mini LED中,可以将适当数量的Mini LED分别进行串联;例如,可以将4个Mini LED串联。
对于上述反射焊盘Pad而言,可以理解的是,反射焊盘Pad即作为Mini LED的电极,通过信号线Gata向Mini LED提供电信号,同时作为反射层对Mini LED发出的光线进行反射,以提高背光源的出光率。
相比于图9中示出的背光源,为了达到同样的出光效果,通过不同的构图工艺分别制作焊盘Pad’、反射层a、保护层b;上述采用一次构图工艺制作反射焊盘Pad的方式,能够减小构图工艺的次数,从而降低制作成本。
基于前述柔性器件的制作方法的实施例,本发明另一方面还提供一种柔性器件,如图5所示,该柔性器件001包括基底03、封装层05以及位于基底03和封装层05之间的电子器件功能层04;其中,基底03采用无机材料制成,且基底03的厚度为100nm~1000nm;封装层05的厚度为5μm~100μm。
相比于相关技术中采用厚度为5μm~60μm的PI膜作为基底而言,本发明的柔性器件001中的基底03的厚度明显降低,并且本发明中的柔性器件001主要以厚度较大的封装层05作为支撑层,以保证柔性器件001的平整性,并且本发明的柔性器件001中的基底03,采用无机材料制作,避免了相关技术采用PI膜作为基底而导致的各种弊端。
在一些实施例中,封装层05主要采用硅橡胶制成。
在一些实施例中,上述基底03主要采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种无机材料制成。
另外,以上述柔性器件001为液晶显示装置中的柔性背光源为例,以下对上述电子器件功能层04的具体设置情况作进一步的说明。
示例的,在一些实施例中,如图10所述,在该背光源(即柔性器件001)中,电子器件功能层04可以包括:依次设置于基底03上的第一导电图案层41、第一绝缘层PVX1、第二导电图案层42、第二绝缘层PVX2、发光器件100;其中,第一导电图案层41中包括信号线Gata,第二导电图案层42包括反射焊盘Pad;发光器件100通过位于第二绝缘层PVX2上的第二过孔H2与反射焊盘Pad连接,反射焊盘Pad通过第一绝缘层PVX1上的第一过孔H1与信号线Gata连接。
上述发光器件100,可以为Mini LED,也可以为Micro LED,本发明对此不做具体限定。
可以理解的是,对于上述反射焊盘Pad而言,其同时具备导电性能和对光线的反射性能。
在一些实施例中,上述反射焊盘Pad包括:金属反射层和位于金属反射层背离基底03一侧的透明导电保护层。
例如,反射焊盘Pad可以包括Ag反射层以及位于Ag反射层背离基底03一侧的ITO层;也即反射焊盘Pad包括依次设置的Ag反射层和ITO层(即ITO/Ag)。
在一些实施例中,上述反射焊盘Pad包括:金属反射层、位于金属反射层背离基底03一侧的第一透明导电保护层以及位于金属反射层靠近基底03一侧的第二透明导电保护层。
例如,反射焊盘Pad可以包括Ag反射层、位于Ag反射层背离基底03一侧的ITO层以及位于Ag反射层靠近基底03一侧的ITO层;也即反射焊盘Pad包括依次设置的ITO层、Ag反射层、ITO层(即ITO/Ag/ITO)。
另外,对于上述柔性器件001中相关部分,可以对应的参考前述柔性器件001的制作方法实施例中的对应部分,也可以对相关制作方式进行相应的调整,本发明对此不做具体限定,此处不再一一赘述。
本发明实施例还提供一种柔性装置,包括前述的柔性器件001,具有与前述实施例提供的柔性器件相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对柔性器件的结构和有益效果进行了详细的描述,此处不再赘述。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种柔性器件的制作方法,其特征在于,包括:
在硬质的衬底基板上,采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜;
在所述感光薄膜上形成包含无机材料的基底;
在所述基底上形成电子器件功能层;
在所述电子器件功能层上形成封装层;
从所述衬底基板的背面对所述感光薄膜进行光照,所述感光薄膜中的叠氮化合物释放气体,以使得所述感光薄膜与所述基底之间出现间隙;
将所述基底以及所述基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从所述感光薄膜上剥离。
2.根据权利要求1所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,
所述采用含有叠氮化合物的感光树脂形成感光薄膜包括:采用含有叠氮萘类化合物的感光树脂,形成厚度为0.3μm~8μm的感光薄膜。
3.根据权利要求1所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,
所述在所述感光薄膜上形成包含无机材料的基底包括:
在所述感光薄膜上,采用包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种无机材料,形成厚度为100nm~1000nm的基底。
4.根据权利要求1所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,
所述在所述电子器件功能层上形成封装层包括:
在所述电子器件功能层上,采用硅橡胶形成厚度为5μm~100μm的封装层。
5.根据权利要求4所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,
所述将所述基底以及所述基底上承载的电子器件功能层、封装层,整体从所述感光薄膜上剥离包括:
从所述衬底基板的边缘,拉起所述封装层,将所述基底从所述感光薄膜上剥离。
6.根据权利要求1-5任一项所述的柔性器件的制作方法,其特征在于,所述在所述基底上形成电子器件功能层包括:
在所述基底上形成包括信号线的第一导电图案层;
在所述第一导电图案层上形成第一绝缘层;所述第一绝缘层在对应所述信号线的位置设置有第一过孔;
在所述第一绝缘层上通过一次构图工艺形成包括反射焊盘的第二导电图案层;所述反射焊盘通过所述第一过孔与所述信号线连接;
在所述第二导电图案层上形成第二绝缘层;所述第二绝缘层在对应所述反射焊盘的位置设置有第二过孔;
将多个Mini LED通过不同的所述第二过孔与不同的反射焊盘绑定。
7.一种柔性器件,其特征在于,包括基底、封装层以及位于所述基底和所述封装层之间的电子器件功能层;
所述基底包含无机材料,其厚度为100nm~1000nm;
所述封装层的厚度为5μm~100μm。
8.根据权利要求7所述的柔性器件,其特征在于,
所述封装层包含硅橡胶。
9.根据权利要求7所述的柔性器件,其特征在于,
所述基底中的无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一种。
10.根据权利要求7-9任一项所述的柔性器件,其特征在于,所述柔性器件为液晶显示装置中的背光源。
11.根据权利要求10所述的柔性器件,其特征在于,
所述电子器件功能层包括:依次设置于基底上的第一导电图案层、第一绝缘层、第二导电图案层、第二绝缘层、发光器件;
所述第一导电图案层包括信号线,所述第二导电图案层包括反射焊盘;所述发光器件通过位于所述第二绝缘层上的第二过孔与所述反射焊盘连接,所述反射焊盘通过所述第一绝缘层上的第一过孔与所述信号线连接。
12.根据权利要求11所述的柔性器件,其特征在于,
所述反射焊盘包括:金属反射层和位于所述金属反射层背离所述基底一侧的透明导电保护层;
或者,所述反射焊盘包括:金属反射层、位于所述金属反射层背离所述基底一侧的第一透明导电保护层、位于所述金属反射层靠近所述基底一侧的第二透明导电保护层。
13.根据权利要求11所述的柔性器件,其特征在于,所述发光器件为Mini LED或者Micro LED。
14.一种柔性装置,其特征在于,包括权利要求7-13任一项所述的柔性器件。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081743A (zh) * 2019-12-11 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制造方法及显示面板
CN112201671A (zh) * 2020-10-23 2021-01-08 业成科技(成都)有限公司 显示装置及其制造方法
CN112967680A (zh) * 2021-03-18 2021-06-15 合肥京东方卓印科技有限公司 像素结构及其驱动方法、显示基板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4206807A1 (en) * 2022-01-01 2023-07-05 LG Display Co., Ltd. Back-light unit having light-emitting chips and display apparatus having the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781525B2 (en) * 2004-12-28 2010-08-24 Kaneka Corporation Curable composition
EP1760798B1 (en) * 2005-08-31 2012-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
TWI589994B (zh) * 2012-10-09 2017-07-01 佳能股份有限公司 光可固化的組成物及製造膜的方法
KR101664121B1 (ko) * 2012-12-13 2016-10-10 제일모직 주식회사 컬러필터용 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 컬러필터
CN103325731B (zh) * 2013-05-20 2017-04-19 Tcl集团股份有限公司 柔性显示装置的制造方法
CN104501840A (zh) * 2014-12-18 2015-04-08 中国科学院理化技术研究所 一种单根超长一维硅微/纳米结构关节运动传感器及其制备方法
CN107086010B (zh) * 2017-04-19 2019-11-19 京东方科技集团股份有限公司 电子装置制造方法和电子装置
CN109088006B (zh) * 2017-06-13 2021-02-19 上海和辉光电股份有限公司 柔性基板及显示面板
CN107742618B (zh) * 2017-10-24 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 柔性面板的制备方法、柔性面板及显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081743A (zh) * 2019-12-11 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制造方法及显示面板
CN111081743B (zh) * 2019-12-11 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制造方法及显示面板
CN112201671A (zh) * 2020-10-23 2021-01-08 业成科技(成都)有限公司 显示装置及其制造方法
CN112201671B (zh) * 2020-10-23 2022-11-22 业成科技(成都)有限公司 显示装置及其制造方法
CN112967680A (zh) * 2021-03-18 2021-06-15 合肥京东方卓印科技有限公司 像素结构及其驱动方法、显示基板

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