CN110308621B - 一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 - Google Patents
一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110308621B CN110308621B CN201910534147.1A CN201910534147A CN110308621B CN 110308621 B CN110308621 B CN 110308621B CN 201910534147 A CN201910534147 A CN 201910534147A CN 110308621 B CN110308621 B CN 110308621B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alignment
- layer substrate
- inner layer
- coordinates
- alignment holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
Abstract
本发明是一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法,该方法采用内层基板上四个端角上的四个通孔作为正反面曝光时的定位标识,曝光正面(A面)时,通过设备中的对位相机抓取这四个通孔的中心点坐标(吸盘),反推出四个通孔靶标中心在正面(A面)图形坐标系中的坐标值,然后将通孔靶标中心在图形坐标系中的坐标值作为反面(B面)对位时的参考坐标进行对位曝光。本发明避免了现有技术中成像质量受显色性等因素影响而造成的对准失败,有效提高了激光直写成像设备内层基板对准定位的准确度。
Description
技术领域
本发明涉及激光直写成像设备技术领域,具体涉及一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法。
背景技术
激光直写成像设备在生产内层板时,一般使用UV靶标方式进行内层对准。UV靶标是在正面曝光的同时,利用UV光在反面干膜上曝光2~3个对位靶标,然后在翻面之后使用该UV靶标进行反面(B)对准曝光。该方法受限于UV靶标的成像质量和干膜的显色性等因素制约,经常会由于UV靶标不清晰导致对准失败。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法,该方法能够解决现有技术中存在的不足,提高激光直写成像设备内层基板的对准定位的准确度。
为实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:
一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法,该方法包括以下步骤:
(1)选取内层基板:选取矩形板作为内层基板,并在内层基板的四个端角处分别开设一个圆形通孔作为对位孔。
(2)测量对位孔的吸盘坐标:测量出内层基板上四个对位孔相对于内层基板左下角的坐标值(X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3)和(X4,Y4),作为对位孔的吸盘坐标。
(3)建立对位孔的对位料号:建立内层基板的正反(AB)料号,上传内层基板的正反(AB)曝光图形文件,并将步骤(2)中测量的四个对位孔的吸盘坐标作为该料号的对位孔信息,输入到该料号的对位孔资料中。
(4)正面(A面)对准曝光:在正面(A面)对准时,激光直写成像设备的机台使用对准相机根据正面(A面)的对位孔信息到内层基板正面(A面)的相应位置依次查找各个对位孔的中心点坐标值(精确值),得到四个坐标(X11,Y11)、(X12,Y12)、(X13,Y13)、(X14,Y14),同时将正面(A面)图形曝光到内层基板上,保证图形中心与四个对位孔组成的外接矩形中心重合,得到曝光在基板上的图形在以内层基板左下角为(0,0)点的正交坐标系下的吸盘坐标位置,此时可以得到料号里曝光图形的所在的图形坐标系与以内层基板左下角为(0,0)点的正交坐标系之间的转换关系(旋转,涨缩,平移),根据该转换关系,反推出四个对位孔在正面(A面)图形坐标系中的坐标值(XA1,YA1)、(XA2,YA2)、(XA3,YA3)、(XA4,YA4),将这四个坐标值暂存到设备内存或数据库中,供反面(B面)对准时使用。
(5)反面(B面)对准曝光:在进行反面(B面)对准前,从暂存区取出当前内层基板正面(A面)的四个对位孔图形坐标(XA1,YA1)、(XA2,YA2)、(XA3,YA3)、(XA4,YA4),根据该图形坐标和内层基板尺寸,估算四个对位孔在B面的位置,然后使用对准相机到内层基板反面(B面)的相应位置依次查找各个对位孔的中心点坐标值,得到四个坐标(XB1,YB1)、(XB2,YB2)、(XB3,YB3)、(XB4,YB4),根据这4个对位孔的反面(B面)实测坐标和在原图中的图形坐标,使用相似变换公式和最小二乘法计算出反面(B面)图形的变形参数,将该变形参数应用到反面(B面)图形中后,即可进行后续的曝光流程。
进一步的,所述4个对位孔分别开设在内层基板的四个端角上;所述图形坐标系是指图形资料在画图形时所在的坐标系。
由以上技术方案可知,本发明采用内层基板上四个端角处分别开设一个通孔作为正反面曝光时的定位标识,曝光正面(A面)时,通过设备中的对位相机抓取这四个通孔靶标的中心点坐标(吸盘),反推出四个通孔靶标中心在正面(A面)图形坐标系中的坐标值,然后将通孔靶标中心在图形坐标系中的坐标值作为反面(B面)对位时的参考坐标进行对位曝光。本发明避免了现有技术中成像质量受显色性等因素影响而造成的对准失败,有效提高了激光直写成像设备内层基板对准定位的准确度。
附图说明
图1是本发明的方法流程图;
图2是本发明中内层基板的结构示意图;
图3是本发明中对准定位模型示意图。
其中:
1、内层基板,2、对位孔,3、对准相机,4、曝光图形,5、曝光台面。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明:
如图1-图3所示的一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法,该方法包括以下步骤:
(1)选取内层基板
选取矩形板作为内层基板1,并在内层基板1的四个端角处分别开设一个圆形通孔作为对位孔2。所述内层基板1设置在激光直写成像设备的曝光台面5上。
(2)测量对位孔的吸盘坐标
使用卷尺等测量工具,测量出内层基板1上四个对位孔2相对于内层基板1左下角的坐标值(X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3)、(X4,Y4),精确到毫米。将(X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3)、(X4,Y4)作为四个对位孔2的吸盘坐标。
(3)建立对位孔的对位料号
建立内层基板1的正反(AB)料号,上传正反(AB)曝光图形文件,将步骤(2)中测量的对位孔吸盘坐标作为该料号的对位孔信息,输入到该料号的对位孔资料中。
(4)正面(A面)对准曝光
在正面(A面)对准时,激光直写成像设备的机台使用对准相机3到内层基板1的相应位置依次查找各个对位孔2的中心点坐标值(精确值),得到四个坐标(X11,Y11),(X12,Y12),(X13,Y13),(X14,Y14),同时将正面(A面)图形曝光到内层基板1上,保证图形中心(即图3中所示的曝光图形4的中心)与这四个对位孔2组成的外接矩形中心重合,得到曝光在基板上的图形在以内层基板左下角为(0,0)点的正交坐标系下的吸盘坐标位置,此时可以得到料号里曝光图形的所在的图形坐标系与以内层基板1左下角为(0,0)点的正交坐标系之间的转换关系(旋转,涨缩,平移),根据该变换关系,反推出四个对位孔2在正面(A面)图形坐标系中的坐标值(XA1,YA1),(XA2,YA2),(XA3,YA3),(XA4,YA4),将这四个坐标值暂存到设备内存或数据库中,供反面(B面)对准时使用。
(5)反面(B面)对准曝光
在进行反面对准前,从暂存区取出当前内层基板1正面(A面)的四个对位孔2的图形坐标(XA1,YA1),(XA2,YA2),(XA3,YA3),(XA4,YA4),根据该图形坐标和内层基板尺寸,估算这四个对位孔2在反面(B面)的大概位置,然后使用对准相机3到内层基板1的相应位置依次查找各个对位孔的中心点坐标值(精确值),得到结果(XB1,YB1),(XB2,YB2),(XB3,YB3),(XB4,YB4),根据这4个通孔靶标中心的反面(B面)实测坐标和在原图中的图形坐标,使用相似变换公式和最小二乘法计算出反面(B面)图形的变形参数(旋转,涨缩,平移),将该变形参数应用到反面(B面)图形中后,即可进行后续的曝光流程。
本发明以内层基板正面(A面)对位曝光提取的四个通孔靶标中心在设备坐标系下的坐标(吸盘),反推出四个通孔靶标中心在正面(A面)图形坐标系中的坐标值,作为反面(B面)对位时的参考坐标进行对位曝光,使用内层基板上的四个通孔靶标进行对准曝光,这四个通孔靶标的坐标不需要出现在曝光图形坐标系中,即:不需要提前知道对位孔在曝光图形中的坐标值;并且每片内层基板上四个通孔之间的相对间距也可以允许存在较大误差(小于2毫米),使用本发明所述的方法依然可以做到微米级的层间对位精度。本发明采用通孔对位,成像质量不受显色性等因素的影响,有效避免了因靶标成像不清晰而导致的对准失败情况。
以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (1)
1.一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
(1)选取内层基板:选取矩形板作为内层基板,并在内层基板上开设四个圆形通孔作为对位孔;
(2)测量对位孔的吸盘坐标:测量出内层基板上四个对位孔相对于内层基板左下角的坐标值(X1,Y1)、(X2,Y2)、(X3,Y3)和(X4,Y4),作为对位孔的吸盘坐标;
(3)建立对位孔的对位料号:建立内层基板的正反(AB)面料号,上传内层基板的正反(AB)面曝光图形文件,并将步骤(2)中测量的四个对位孔的吸盘坐标作为该料号的对位孔信息,输入到该料号的对位孔资料中;所述四个对位孔分别开设在内层基板的四个端角上;图形坐标系是指图形资料在画图形时所在的坐标系;
(4)正面(A面)对准曝光:在正面(A面)对准时,激光直写成像设备的机台使用对准相机根据正面(A面)的对位孔信息到内层基板正面(A面)的相应位置依次查找各个对位孔的中心点坐标值(精确值),得到四个坐标(X11,Y11)、(X12,Y12)、(X13,Y13)、(X14,Y14),同时将正面(A面)图形曝光到内层基板上,保证图形中心与四个对位孔组成的外接矩形中心重合,得到曝光在基板上的图形在以内层基板左下角为(0,0)点的正交坐标系下的吸盘坐标位置,此时可以得到料号里曝光图形的所在的图形坐标系与以内层基板左下角为(0,0)点的正交坐标系之间的转换关系,根据该转换关系,反推出四个对位孔在正面(A面)图形坐标系中的坐标值(XA1,YA1)、(XA2,YA2)、(XA3,YA3)、(XA4,YA4),将这四个坐标值暂存到设备内存或数据库中,供反面(B面)对准时使用;
(5)反面(B面)对准曝光:在进行反面(B面)对准前,从暂存区取出当前内层基板正面(A面)的四个对位孔图形坐标(XA1,YA1)、(XA2,YA2)、(XA3,YA3)、(XA4,YA4),根据该图形坐标和内层基板尺寸,估算四个对位孔在反面(B面)的位置,然后使用对准相机到内层基板反面(B面)的相应位置依次查找各个对位孔的中心点坐标值,得到四个坐标(XB1,YB1)、(XB2,YB2)、(XB3,YB3)、(XB4,YB4),根据这四个对位孔的反面(B面)实测坐标和在原图中的图形坐标,使用相似变换公式和最小二乘法计算出反面(B面)图形的变形参数,将该变形参数应用到反面(B面)图形中后,即可进行后续的曝光流程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910534147.1A CN110308621B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910534147.1A CN110308621B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110308621A CN110308621A (zh) | 2019-10-08 |
CN110308621B true CN110308621B (zh) | 2021-09-17 |
Family
ID=68077644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910534147.1A Active CN110308621B (zh) | 2019-06-20 | 2019-06-20 | 一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110308621B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114137799B (zh) * | 2021-10-25 | 2024-01-16 | 合肥众群光电科技有限公司 | 一种激光直接成像设备内层靶标标定方法 |
CN114019769B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-12-26 | 苏州新维度微纳科技有限公司 | 激光调控纳米压印对准装置及调控方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102262358A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-11-30 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 一种内层板双面对位装置和方法 |
CN105278261A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-01-27 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法 |
CN105378565A (zh) * | 2013-07-17 | 2016-03-02 | Arm有限公司 | 使用直写光刻的集成电路制造 |
CN106353977A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-01-25 | 天津津芯微电子科技有限公司 | Ldi外层对位方法及装置 |
CN108873622A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-23 | 中山新诺科技股份有限公司 | 双面曝光机及双面曝光方法 |
-
2019
- 2019-06-20 CN CN201910534147.1A patent/CN110308621B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102262358A (zh) * | 2011-04-13 | 2011-11-30 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 一种内层板双面对位装置和方法 |
CN105378565A (zh) * | 2013-07-17 | 2016-03-02 | Arm有限公司 | 使用直写光刻的集成电路制造 |
CN105278261A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-01-27 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法 |
CN106353977A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-01-25 | 天津津芯微电子科技有限公司 | Ldi外层对位方法及装置 |
CN108873622A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-23 | 中山新诺科技股份有限公司 | 双面曝光机及双面曝光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110308621A (zh) | 2019-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2017101150A1 (zh) | 结构光三维扫描系统的标定方法及装置 | |
CN110308621B (zh) | 一种激光直写成像设备内层基板的对准定位方法 | |
CN105278261B (zh) | 一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法 | |
JP2008036918A (ja) | スクリーン印刷装置および画像認識位置合わせ方法 | |
CN110196535B (zh) | 一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法 | |
CN105629678B (zh) | 一种直写系统运动平台的正交性测定方法 | |
CN102227804A (zh) | 将晶片放置在卡盘中心的方法和系统 | |
CN109884862B (zh) | 三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置及方法 | |
CN103529654A (zh) | 一种直写式光刻系统中内层对位的方法 | |
CN105278262B (zh) | 一种使用吸盘相机标定曝光机光路位置关系的方法 | |
CN105278260A (zh) | 一种pcb曝光图形正确性验证方法 | |
CN111640154A (zh) | 一种基于显微视觉的立针微平面亚像素级定位方法 | |
CN104407502A (zh) | 一种激光直接成像设备生产内层无孔电路板的方法 | |
CN108333881A (zh) | 一种应用于直写式曝光机的拼接调试方法 | |
CN108710266B (zh) | 一种触发式对位结构的直写式曝光系统及方法 | |
CN113341664A (zh) | 凹陷型soi衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法 | |
CN110793433B (zh) | 一种在线校准晶圆微纳米台阶高度标准样板及其循迹方法 | |
TWI696899B (zh) | 一種基底預對準方法和裝置以及一種光蝕刻機 | |
CN108735645A (zh) | 晶圆对准方法及晶圆对准装置 | |
US7312880B2 (en) | Wafer edge structure measurement method | |
CN113608412B (zh) | 一种半导体器件及其制作方法和电子设备 | |
CN111308868B (zh) | 一种直写曝光机的对位补偿方法 | |
CN114295056A (zh) | 一种激光加工设备的视觉定位系统快速校正方法及应用 | |
JP2000021769A (ja) | 位置合わせ方法及び位置合わせ装置 | |
CN110058496B (zh) | 一种电路板曝光设备及曝光工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 230088 the 11 level of F3 two, two innovation industrial park, No. 2800, innovation Avenue, Hi-tech Zone, Hefei, Anhui. Applicant after: Hefei Xinqi microelectronics equipment Co., Ltd Address before: 230088 the 11 level of F3 two, two innovation industrial park, No. 2800, innovation Avenue, Hi-tech Zone, Hefei, Anhui. Applicant before: HEFEI XINQI MICROELECTRONIC EQUIPMENT CO., LTD. |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |