CN110288957A - 应用于T-con板的电源驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种应用于T‑con板的电源驱动电路，包括驱动芯片、第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，所述驱动芯片分别与所述第一升压支路、所述第二升压支路、所述第一降压电路、所述第二降压电路和所述升降压式变换支路电连接。本发明为一种应用于T‑con板的电源驱动电路，通过设置第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，能够集成多种芯片，简化电路结构，降低信号与电压的传输损耗，降低生产成本；并且，扩大驱动电路的输出电压范围，增大输出电流，进而增大驱动电路的输出功率。

Description

应用于T-con板的电源驱动电路
技术领域
本发明涉及液晶电视屏的T-con板领域，特别是涉及一种应用于T-con板的电源驱动电路。
背景技术
随着液晶技术日益成熟，价格逐渐平民化，液晶电视在人们生活中的使用越加广泛。与此同时，液晶电视产品中重要的构成部分电源驱动电路的功能和设计成本是各个生产厂商不断增加投入研究，不断追求稳定、高效率、低成本、高集成驱动电路，以增加液晶显示的行业的的竞争筹码。传统液晶电视屏显示的驱动电路是由T-con板(逻辑板)与左右source板共同来驱动，而T-con板中有T-con IC、PMIC、P-GAMMA IC及Level Shift IC等多个重要集成芯片。
然而传统的T-con板上多驱动IC设计方案，不仅物料元件多、线路及结构复杂，而且信号与电压的传输损耗大，生产成本高。而且传统的集成化的T-con 板的电源驱动电路的输出电压范围较小，电流小，使得输出的功率也小。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种应用于T-con板的电源驱动电路，能够集成多种芯片，简化电路结构，降低信号与电压的传输损耗，降低生产成本；并且，扩大驱动电路的输出电压范围，增大输出电流，进而增大驱动电路的输出功率。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种应用于T-con板的电源驱动电路，包括：驱动芯片、第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，所述驱动芯片分别与所述第一升压支路、所述第二升压支路、所述第一降压电路、所述第二降压电路和所述升降压式变换支路电连接。
在其中一个实施例中，所述第一Boost升压支路包括储能单元、开关单元及电压输出单元，所述储能单元的一端用于连接外部的输入电压，所述储能单元的另一端与所述开关单元的输入端电连接，所述开关单元的输出端与所述电压输出单元电连接，所述开关单元的控制端还与所述驱动芯片电连接，所述电压输出单元的输出端用于输出高电压。
在其中一个实施例中，所述储能单元包括电容C7、电容C8、电容C9和电感L1，所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9相互并联连接，并且所述电容 C7的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C7的第二端接地，所述电感 L1的一端与所述电容C7的第一端电连接，所述电感L1的另一端与所述开关单元的输入端电连接。
在其中一个实施例中，所述开关单元包括MOS管Q2及电阻R1，所述电阻 R1的第一端与所述驱动芯片的一控制管脚电连接，所述电阻R1的第二端与所述MOS管Q2的G极电连接，所述MOS管Q2的S极与所述驱动芯片的A_CS 管脚电连接，所述MOS管Q2的D极分别与所述储能单元和所述电压输出单元电连接。
在其中一个实施例中，所述电压输出单元包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D1及MOS管Q1，所述二极管D1的阳极与所述开关单元电连接，所述电容C1和所述电容C4并联连接后的公共端与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的S极与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的G极与所述驱动芯片的另一控制管脚电连接，所述 MOS管Q1的D极与所述电容C2和所述电容C3电连接，并且所述MOS管Q1 的D极作为输出端输出高电压，所述电容C5的两端分别与所述MOS管Q1的 G极和D极连接，所述电容C6的两端分别与所述MOS管Q1的G极和S极连接。
在其中一个实施例中，所述第一降压电路包括续流单元、反馈单元及充放电单元，所述续流单元的输入端与所述驱动芯片电连接，所述续流单元的输出端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接，所述反馈单元还与所述充放电单元电连接，所述反馈单元的反馈端还与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接，所述充放电单元的输出端用于输出电压。
在其中一个实施例中，所述续流单元包括二极管D2和电感L2，所述二极管D2的阴极与所述驱动芯片电连接，所述二极管D2的阳极接地，所述电感L2 的第一端与所述二极管D2的阴极电连接，所述电感L2的第二端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接。
在其中一个实施例中，所述充放电单元包括电容C13、电容C14和电阻R6，所述电容C13的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电容C13的第二端与所述反馈单元电连接，所述电容C14与所述电容C13并联连接，所述电阻 R6的第一端与所述电容C13的第一端电连接，所述电阻R6的第二端作为所述第一降压电路的输出端。
在其中一个实施例中，所述反馈单元包括电阻R7和电阻R8，所述电阻R7 的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电阻R7的第二端与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接，所述电阻R8的第一端与所述电容C14与所述电容C13 并联连接的公共端电连接，所述电阻R8的第二端与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接。
在其中一个实施例中，所述升降压式变换支路包括电容C31、电容C32、电阻R18、电感L7、二极管D6及MOS管Q4，所述电容C31的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C31的第二端接地，所述电阻R18的第一端用于连接外部的输入电压，所述电阻R18的第二端与所述MOS管Q4的S极电连接，所述MOS管Q4的D极分别与所述电感L7的一端和所述二极管D6的阴极电连接，所述MOS管Q4的G极与所述驱动芯片电连接，所述电感L7的另一端接地，所述二极管D6的阳极用于输出电压，所述电容C32的一端与所述二极管 D6的阳极电连接，所述电容C32的另一端接地。
本发明相比于现有技术的优点及有益效果如下：
本发明为一种应用于T-con板的电源驱动电路，通过设置第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，能够集成多种芯片，简化电路结构，降低信号与电压的传输损耗，降低生产成本；并且，扩大驱动电路的输出电压范围，增大输出电流，进而增大驱动电路的输出功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明一实施方式的应用于T-con板的电源驱动电路的功能模块图；
图2为图1所示的电源驱动电路的第一Boost升压支路的功能模块图；
图3为图1所示的应用于T-con板的电源驱动电路的电路原理图；
图4为图1所示的电源驱动电路的第一降压支路的功能模块图；
图5为图1所示的电源驱动电路的第二Boost升压支路的功能模块图；
图6为图1所示的电源驱动电路的第二Boost升压支路的电路原理图；
图7为图1所示的电源驱动电路的第一降压支路的电路原理图；
图8为图1所示的电源驱动电路的第二降压支路的电路原理图；
图9为图1所示的电源驱动电路的第三降压支路的电路原理图；
图10为图1所示的电源驱动电路的电压检测支路的电路原理图；
图11为传统的T-con板及其周围电路的功能模块图；
图12为使用了本发明的应用于T-con板的电源驱动电路后的T-con板的功能模块图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，一种应用于T-con板的电源驱动电路包括：驱动芯片100、第一Boost升压支路200、第二Boost升压支路300、第一降压电路400、第二降压电路500及升降压式变换支路600，所述驱动芯片分别与所述第一升压支路、所述第二升压支路、所述第一降压电路、所述第二降压电路和所述升降压式变换支路电连接。需要说明的是，所述电源驱动电路还包括第三降压支路700及电压检测支路800，所述第三降压支路700和所述电压检测支路800分别与所述驱动芯片100电连接。
所述驱动芯片100作为控制中心，相比于原来的T-con板，集成了PM、 P-GAMMA、Level Shift三种IC的功能，集成化程度高，并且所述驱动芯片用于驱动各个电压的降压或升压。所述驱动芯片采用型号为CS602-A0R的驱动芯片，但不限于该型号的芯片，也可以是其他具有同等功能的驱动芯片。
需要说明的是，所述驱动芯片可以是型号为CS602-A0R、CS602-A0G、 CS601-A0R的驱动芯片，当然，其他能够满足本申请的技术方案的且是本领域技术人员能够自由选择的驱动芯片，均在本申请的保护范围内。还需要说明的是，所述驱动芯片为市面上常售的常规的现有技术的驱动芯片，本申请只要求保护所述驱动芯片与第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路的结构关系、连接关系和位置关系，具体关于所述驱动芯片与第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路配合的工作原理请参考现有技术实现，其中可能存在的含有方法的技术特征不是本发明要求保护的客体，在此不在赘述。
所述第一Boost升压支路200和所述第二Boost升压支路300用于实现升压的功能，并且所述第一Boost升压支路200将12V的电压升压至16.5V～17.1V，所述第二Boost升压支路300用于将输入的电压升压至27.2V～28.8V。所述第一降压电路400、所述第二降压电路500和所述第三降压支路700用于实现降压的输出，具体地，所述第一降压电路400用于将电压降低至1.7V～1.9V，所述第二降压电路500用于实现将电压降低至2.5V～4.2V。所述升降压式变换支路600用于为GOA屏提供关断的电压；所述电压检测支路800用于实现对输出的电压进行电压检测。
可以理解，传统的T-con板电源驱动电路上多IC电路设计方案的缺陷：1、 T-con板中采用多个IC电路方案，电路设计复杂、集成度低。2、外围阻电阻等元件增多，物料以及贴片成本增加。3、T-con板上多IC方案需烧录多个IC，间接提高了开发难度及生产成本。
而本实施例中，功能强大的集成IC CS602-A0R来取代原有PM、 P-GAMMA、LevelShift三种IC的功能，即为三合一电路设计；是有CS602-A0R 具有上述三种IC的功能，可为板上各模块电路工作提供所需电压并产生驱动液晶面板所需的Source Driver和GateDriver多路电压，同时产生各灰阶伽马电压和实现电平转换的功能，不仅三大功能于一身的集成IC，而且无需烧录CODE。
T-con板采用一种集成IC CS602-A0R电路取代传统逻辑板电路中三种IC 电路设计方案，有以下优点：1、采用一种IC CS602-A0R电路设计，输出电压稳定及精度高，电路结构优化、集成度更高。2、物料元器件的减少，物料成本得到了降低，也提高了贴片生产效率与产能。3、IC CS602-A0R无需烧录，减少了外发厂外烧录成本，进而提高了生产效率的同时降低了生产成本。如上所述传统的液晶显示屏T-con板中多IC功能模块电路设计方案，电路集成度低、成本费用高等问题；为了解决如上的问题在应用55寸液晶电视的高端的T-con板电路设计采用一种电源驱动电路，用一种功能强大的电源驱动IC CS602-A0R。
在TCON板中，IC CS602-A0R全部的功能引脚包含了PM电源模块、 P-GAMMA灰阶模块、LEVEL SHIFT电平转换模块三个IC的功能引脚，通过连接外围元件，与TCON IC电路共同组成液晶屏图像显示驱动的关键部件——T-con板。
IC CS602-A0R电路设计原理如下：I2C接口、SDA、SCL接上拉电阻R30、电阻R31并连接板上的TCON IC，实现两者通信。TCON IC可将数据写入到 CS602-A0R的寄存器中，使CS602-A0R电路输出各种电源电压及各灰阶gamma 电压。
请参阅图2，所述第一Boost升压支路200包括储能单元210、开关单元220 及电压输出单元230，所述储能单元的一端用于连接外部的输入电压，所述储能单元的另一端与所述开关单元的输入端电连接，所述开关单元的输出端与所述电压输出单元电连接，所述开关单元的控制端还与所述驱动芯片电连接，所述电压输出单元的输出端用于输出高电压。需要说明的是，所述储能单元210用于将电能存储起来；所述开关单元220用于控制电压的输出；所述电压输出单元230用于实现升压后输出电压。
请参阅图3，所述储能单元包括电容C7、电容C8、电容C9和电感L1，所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9相互并联连接，并且所述电容C7的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C7的第二端接地，所述电感L1的一端与所述电容C7的第一端电连接，所述电感L1的另一端与所述开关单元的输入端电连接。需要说明的是，所述电感L1起到存储电能升压的作用。
请参阅图3，所述开关单元包括MOS管Q2及电阻R1，所述电阻R1的第一端与所述驱动芯片的一控制管脚电连接，所述电阻R1的第二端与所述MOS 管Q2的G极电连接，所述MOS管Q2的S极与所述驱动芯片的A_CS管脚电连接，所述MOS管Q2的D极分别与所述储能单元和所述电压输出单元电连接。
需要说明的是，在MOS管Q2开关管闭合的时间里，电感L1能够把电能转化成磁场能，并加以储存，而MOS管Q2断开之后，电感L1又能够将储存好的磁场能转化成为电场能，并且能够让这个能量在与输入电源电压叠加之后，通过二极管D1以及电容的滤波，从而得到平滑的电压。
请参阅图3，所述电压输出单元包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D1及MOS管Q1，所述二极管D1的阳极与所述开关单元电连接，所述电容C1和所述电容C4并联连接后的公共端与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的S极与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的G极与所述驱动芯片的另一控制管脚电连接，所述MOS管Q1 的D极与所述电容C2和所述电容C3电连接，并且所述MOS管Q1的D极作为输出端输出高电压，所述电容C5的两端分别与所述MOS管Q1的G极和D 极连接，所述电容C6的两端分别与所述MOS管Q1的G极和S极连接。
需要说明的是，所述二极管D1起到了隔离作用。在MOS管Q2开关管闭合状态下，肖特基二极管D1的正极电压高于负极电压，形成反偏截止的状态。所述MOS管Q1用于控制VAA电压输出；由驱动芯片的引脚GD输出控制电压从而使PMOS管Q1导通或者截止。
具体地，+12V的输入电压供电连接滤波电容C7、电容C8、电容C9，连接电感L1、N-MOS管Q2的漏极，MOS管Q2栅极串联电阻R1接至驱动芯片的 AVDD_Gate引脚，MOS管Q2的源极接驱动芯片的A_CS引脚，且并联限流电阻R2、电阻R3、电阻R4；MOS管Q2的漏极串连二极管D1连接电容C1、电容C4以及驱动芯片的GD-1引脚，也连接P-MOS管Q1的源极，MOS管Q1 的栅极连接引脚GD以及分别连接电容C5、电容C6并联接MOS管Q1的源极和漏极，MOS管Q1的漏极连接引脚VADD，连接电容C2、电容C3接地输出 VAA电压；构成第一BOOST升压电路。主要用在Source Driver输出的像素电压。并且，VAAD电压16.8V±0.3。需要说明的是，AVDD_G输出PWM方波调节，通过软件设置来调整占空比可以调节VAA输出的电压。
当MOS管Q2导通时：MOS管Q2导通，可理解为MOS管Q2这里相当于一根线直接将MOS管Q2的漏极和源极连起来，这时候输入电压流过电感L1、 MOS管Q1、电容C1、电容C4，随着不断充电，电感L1上的电流线性增加，到达一定时候电感L1储存了一定能量；在这过程当中，二极管D1反偏截止，由电容C2给负载提供能量，维持负载工作。
当MOS管Q2截止时：当MOS管Q2不导通时候，此时MOS管Q1相当于断开，由于电感L1有反向电动势作用，电感L1的电流不能瞬时突变，而是会缓慢的逐渐放电。由于原来的电回路已经断开，电感L1只能通过二极管D1、负载、电容C7、电容C8、电容C9回路放电，也就是说电感L1开始给电容C2、电容C4充电，加上给电容C2充电之前已经有电容C2、电容C4提供电压，因此电容两端电压升高，从而实现电压的升压操作。
还需要说明的是，VADD电路设计，采用外接GD-MOS管Q2，由驱动IC 引脚AVDD_GATE输出开关信号控制MOS管Q2开启与关断，在BOOST电路中调节和改变AVDD_GATE输出开关信号的频率和占空比，从而改变输出 VADD电压。MOS管Q2的的源极连接引脚A_CS且并联三个电阻接地，构成反馈网络。因此，通过设置驱动芯片控制MOS管Q2，并设置由三个并联电阻组成的反馈网络，可以使得外接MOS管电压的输出电压范围较广，功率较高，还可以增大的电流，也不用担心驱动IC的温度问题，只适当选型MOS管Q2 即可。同时，外接MOS管Q2及反馈网络，也进一步的构成过压保护、过流保护的驱动芯片。
请参阅图3和图4，所述第一降压电路400包括续流单元410、反馈单元420 及充放电单元430，所述续流单元的输入端与所述驱动芯片电连接，所述续流单元的输出端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接，所述反馈单元还与所述充放电单元电连接，所述反馈单元的反馈端还与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接，所述充放电单元的输出端用于输出电压。需要说明的是，所述续流单元410用于存储电能及续流的作用；所述反馈单元420用于实现反馈的作用；所述充放电单元430用于实现低压输出。
请参阅图3，所述续流单元包括二极管D2和电感L2，所述二极管D2的阴极与所述驱动芯片电连接，所述二极管D2的阳极接地，所述电感L2的第一端与所述二极管D2的阴极电连接，所述电感L2的第二端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接。需要说明的是，所述电感L2用于存储电能；所述二极管D2用于续流作用。
请参阅图3，所述充放电单元包括电容C13、电容C14和电阻R6，所述电容C13的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电容C13的第二端与所述反馈单元电连接，所述电容C14与所述电容C13并联连接，所述电阻R6的第一端与所述电容C13的第一端电连接，所述电阻R6的第二端作为所述第一降压电路的输出端。
请参阅图3，所述反馈单元包括电阻R7和电阻R8，所述电阻R7的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电阻R7的第二端与所述驱动芯片的 FBB1管脚电连接，所述电阻R8的第一端与所述电容C14与所述电容C13并联连接的公共端电连接，所述电阻R8的第二端与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接。
驱动芯片的LX1引脚反接二极管D2接地，且串联电感L2，并联连接两个电容C13、电容C14、连接电阻R6后输出VDD1V8电压，其中，电阻R7、电阻D8连接引脚FBB3形成反馈网络。与驱动芯片内部电路共同构成了降压电路。所述第一降压支路用于为TCON板上提供1.8V±0.1电源。驱动芯片的LX1引脚用于开关电压波形输出。
当驱动芯片的LX1输出高电平电压时，储能电感L2被充磁，流经电感的电流线性增加，同时给电容C13、电容C14充电，同时给负载电阻R6供电；当驱动芯片的LX1输出底电平电压时，储能电感L2通过续流二极管D2放电，电感L2电流线性减少，输出电压靠输出滤波电容C13、电容C14放电；因此，输出电压低于输入电压，实现了低压的输出，输入电流为脉动的，输出电流为连续的。
请参阅图3，所述升降压式变换支路包括电容C31、电容C32、电阻R18、电感L7、二极管D6及MOS管Q4，所述电容C31的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C31的第二端接地，所述电阻R18的第一端用于连接外部的输入电压，所述电阻R18的第二端与所述MOS管Q4的S极电连接，所述MOS 管Q4的D极分别与所述电感L7的一端和所述二极管D6的阴极电连接，所述 MOS管Q4的G极与所述驱动芯片电连接，所述电感L7的另一端接地，所述二极管D6的阳极用于输出电压，所述电容C32的一端与所述二极管D6的阳极电连接，所述电容C32的另一端接地。
需要说明的上，所述电感L7用于存储电能，所述二极管D6起到续流的作用；所述电阻R18为限流电阻；所述升降压式变换支路为BUCK/BOOST变换器，也称升降压式变换器，是一种输出电压既可低于也可高于输进电压的单管不隔离直流变换器，但其输出电压的极性与输进电压相反，用于实现反向降压。
输入电压+12V经过电容C31连接驱动芯片的引脚VIN_GL，也串联电阻电阻R18连接驱动芯片的引脚N-CS且连接N-MOS管Q4的漏极，MOS管Q4的栅极连接驱动芯片的引脚VGH_Gate及电阻R20接地，MOS管Q4的漏极连接电感L7，且反接二极管D6经过电容C32连接引脚VGL，输出VGL电压，与驱动芯片的内部电路共同构成Buck-Boost电路。输出的VGL电压为-10.0V± 0.3，用在GOA屏提供关断的电压。
当MOS管Q4导通时，当MOS管Q4导通，输入电压流过电感L7，此时电感L7的电流逐渐上升，二极管D6截止，此过程主要输入电容C31供电，输出端电容C32放电为负载供电。当MOS管Q4截止时，当MOS管Q4截止，输入电压给电容C31充电，电感L7的电流不能突变，电感L7通过续流二极管 D6给输出电容C32放电及负载供电。
VGL_Gate输出PWM方波调节，通过软件设置来调整占空比可以调节VGL 输出的电压。采用buck-boost电路输出负电压，取代CS601的电容型电荷泵反压变换，电感型DC-DC变换相对于电荷泵具有输出电流大、效率较高，输出电压可以根据需要通过占空比进行调节，具有较宽的输出电压范围。
请参阅图5和图6，所述第二Boost升压支路300包括输入整流单元310、开关控制单元320及输出滤波单元330，所述输入整流单元的输入端用于连接外部的输出电压，所述开关控制单元的一端与所述输入整流单元电连接，所述开关控制单元的另一端与所述输出滤波单元电连接，所述开关控制单元还与所述驱动芯片电连接。
所述输入整流单元包括电感L5、二极管D5、电容C25、电容C29及电容 C30，所述电感L5的第一端与所述输入电压连接，所述电感L5的第二端与所述开关控制单元的一输入端电连接，所述电容C25的一端与所述输入电压连接，所述电容C25的另一端接地，所述二极管D5的阳极与所述电感L5的第二端电连接，所述电容C29和所述电容C30的一端分别与所述二极管D5的阴极电连接，所述电容C29和所述电容C30的另一端同时接地。
所述开关控制单元包括MOS管Q3和电阻R19，所述MOS管Q3的D极与所述电感L5的第二端电连接，所述MOS管Q3的S极与所述电阻R19的一端电连接，所述电阻R19的另一端接地，所述MOS管Q3的G极与所述驱动芯片的VGH_Gate引脚电连接。
所述输出滤波单元包括电阻R21、电阻R23和电容C33，所述电阻R21的第一端与所述二极管D5的阴极电连接，所述电阻R21的第二端用于输出VGH 电压，所述电阻R23的一端与所述电阻R21的第一端电连接，所述电阻R23的另一端接地，所述电容C33的一端与所述电阻R21的第二端电连接，所述电容 C33的另一端接地。
需要说明的是，电压12V经过滤波电容C25，串联电感L5后，连N-MOS 管Q3的漏极和栅极连接引脚VGH_Gate，源极连接引脚P_CS且连接电阻R19 接地；MOS管Q3的漏极连接二极管D5，经过连个蓄能电容C30、电容C29连接引脚VGL_LSIN，且并联电阻R23接地，串联个电阻R21经过滤波电容C33，输出电压VGH，且连接引脚VGH与IC内部电路，共同构成了BOOST升压电路。VGH电压输出28.0V±0.8，主要用在GOA屏提供开启电压。其中，VGH_Gate 输出PWM方波调节，通过软件设置来调整占空比可以调节VGH输出的电压。
本实施例中，采用BOOST电路即为电感型DC-DC变换，取代CS601的电容型电荷泵倍压变换。电荷泵倍压变换电路设计元器件电容需要耐压值较高，有限的范围的电压输出，转换最多只能达到输入电压的两倍，这表示输出电压不可能高于输入电压的两倍。而VIN输入+12，要输出28V电压的VGH，因此采用BOOST电路。电感型DC-DC变换相对于电荷泵具有输出电流大、效率较高，输出电压可以根据需要通过占空比进行调节，具有较宽的输出电压范围，
请参阅图7，图7为电源驱动电路的第一降压支路的电路原理图；请参阅图 8，图8为电源驱动电路的第二降压支路的电路原理图；请参阅图9，图9为电源驱动电路的第三降压支路的电路原理图。
其中，在图8中，驱动芯片的LX3引脚反接二极管D4接地，且串联电感 L4，并连两个电容C21、电容C22连接电阻R10后输出VDD3V3电压，电阻 R11、电阻D12连接驱动芯片的引脚FBB3形成反馈网络。与IC内部电路共同构成了降压电路。第二降压支路为TCON板上提供3.3V±0.8电源。
还需要说明的是，请参阅图10，图10为电压检测支路的电路原理图。所述驱动芯片的引脚LXH连接电感L6后，连接引脚HVAA，经过滤波电容C26、滤波电容C27，及并联电阻R14接地。构成了降压电路，输出HVAA电压。驱动芯片的引脚LXH用于开关电压波形输出HVAA，并且HVAA电压用于实现检测。
还需要说明的是，GMA1-GMA14，14个可编程的gamma电压经内部DAC (数模转换器)转换输出GMA1～GMA14电压，即各灰度电压GMA1～GMA14 到源极驱动器以驱动薄膜液晶屏的数据线，GMA电压是调节图像的恢阶度。另外，CLK_OUT1-12、引脚STV1-2、LC、CLK1-2，分别连接TCON IC上的功能引脚，经驱动芯片的内部逻辑模块及电平转换模块，从而可以输出电平信号 CLK_OUT1-12。
一种功能更强大的集成IC CS602-A0R来取代原先PM、P-GAMMA、Level Shift三种IC的功能。请参阅图11和图12，由两图对比可知，传统的框架需要 PM IC、P-gamma IC、LSIC、T-con IC及周边外围电路构成整个T-con板架构，而经优化设计之后只需IC CS602-A0R、T-con IC及周边外围电路就可实现整个 T-con板的功能，与source板组合后实现整个液晶面板的驱动。一种高端T-CON 板，电源驱动电路方案不仅使整个驱动系统框架更简单有效，而且使整个电路更集成，功能更稳定。
本发明相比于现有技术的优点及有益效果如下：
本发明为一种应用于T-con板的电源驱动电路，通过设置第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，能够集成多种芯片，简化电路结构，降低信号与电压的传输损耗，降低生产成本；并且，扩大驱动电路的输出电压范围，增大输出电流，进而增大驱动电路的输出功率。
以上所述实施方式仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，包括：驱动芯片、第一Boost升压支路、第二Boost升压支路、第一降压电路、第二降压电路及升降压式变换支路，所述驱动芯片分别与所述第一升压支路、所述第二升压支路、所述第一降压电路、所述第二降压电路和所述升降压式变换支路电连接。
2.根据权利要求1所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述第一Boost升压支路包括储能单元、开关单元及电压输出单元，所述储能单元的一端用于连接外部的输入电压，所述储能单元的另一端与所述开关单元的输入端电连接，所述开关单元的输出端与所述电压输出单元电连接，所述开关单元的控制端还与所述驱动芯片电连接，所述电压输出单元的输出端用于输出高电压。
3.根据权利要求2所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述储能单元包括电容C7、电容C8、电容C9和电感L1，所述电容C7、所述电容C8、所述电容C9相互并联连接，并且所述电容C7的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C7的第二端接地，所述电感L1的一端与所述电容C7的第一端电连接，所述电感L1的另一端与所述开关单元的输入端电连接。
4.根据权利要求2所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述开关单元包括MOS管Q2及电阻R1，所述电阻R1的第一端与所述驱动芯片的一控制管脚电连接，所述电阻R1的第二端与所述MOS管Q2的G极电连接，所述MOS管Q2的S极与所述驱动芯片的A_CS管脚电连接，所述MOS管Q2的D极分别与所述储能单元和所述电压输出单元电连接。
5.根据权利要求2所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述电压输出单元包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D1及MOS管Q1，所述二极管D1的阳极与所述开关单元电连接，所述电容C1和所述电容C4并联连接后的公共端与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的S极与所述二极管D1的阴极电连接，所述MOS管Q1的G极与所述驱动芯片的另一控制管脚电连接，所述MOS管Q1的D极与所述电容C2和所述电容C3电连接，并且所述MOS管Q1的D极作为输出端输出高电压，所述电容C5的两端分别与所述MOS管Q1的G极和D极连接，所述电容C6的两端分别与所述MOS管Q1的G极和S极连接。
6.根据权利要求1所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述第一降压电路包括续流单元、反馈单元及充放电单元，所述续流单元的输入端与所述驱动芯片电连接，所述续流单元的输出端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接，所述反馈单元还与所述充放电单元电连接，所述反馈单元的反馈端还与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接，所述充放电单元的输出端用于输出电压。
7.根据权利要求6所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述续流单元包括二极管D2和电感L2，所述二极管D2的阴极与所述驱动芯片电连接，所述二极管D2的阳极接地，所述电感L2的第一端与所述二极管D2的阴极电连接，所述电感L2的第二端分别与所述反馈单元和所述充放电单元电连接。
8.根据权利要求6所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述充放电单元包括电容C13、电容C14和电阻R6，所述电容C13的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电容C13的第二端与所述反馈单元电连接，所述电容C14与所述电容C13并联连接，所述电阻R6的第一端与所述电容C13的第一端电连接，所述电阻R6的第二端作为所述第一降压电路的输出端。
9.根据权利要求8所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述反馈单元包括电阻R7和电阻R8，所述电阻R7的第一端与所述续流单元的输出端电连接，所述电阻R7的第二端与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接，所述电阻R8的第一端与所述电容C14与所述电容C13并联连接的公共端电连接，所述电阻R8的第二端与所述驱动芯片的FBB1管脚电连接。
10.根据权利要求1所述的应用于T-con板的电源驱动电路，其特征在于，所述升降压式变换支路包括电容C31、电容C32、电阻R18、电感L7、二极管D6及MOS管Q4，所述电容C31的第一端用于连接外部的输入电压，所述电容C31的第二端接地，所述电阻R18的第一端用于连接外部的输入电压，所述电阻R18的第二端与所述MOS管Q4的S极电连接，所述MOS管Q4的D极分别与所述电感L7的一端和所述二极管D6的阴极电连接，所述MOS管Q4的G极与所述驱动芯片电连接，所述电感L7的另一端接地，所述二极管D6的阳极用于输出电压，所述电容C32的一端与所述二极管D6的阳极电连接，所述电容C32的另一端接地。
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