CN110277107B - 磁盘装置以及头位置的校正方法 - Google Patents
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Abstract
实施方式提供能够缩短测试时间等的磁盘装置以及头位置的校正方法。本实施方式的磁盘装置包括:盘,具有轨道,所述轨道具有多个伺服扇区;头,具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读出数据的多个读出头;以及控制器,由所述多个读出头同时取得对于所述盘的可重复性偏摆的多个校正数据,基于所述多个校正数据,取得第1校正数据和第2校正数据,将所述第1校正数据和所述第2校正数据向所述盘写入,基于所述第1校正数据以及所述第2校正数据校正所述头的位置。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及头位置的校正方法。
背景技术
公开了一种在磁盘装置中,抑制因可重复性偏摆(RRO:Repeatable Runout)导致的误差(以下仅称为RRO)来校正头的位置的技术。例如,存在在盘的半径方向上的多个不同的位置测定RRO,基于对测定出的多个数据间的RRO进行插补得到的数据,校正头的位置的方法。在校正该头的位置的方法中,由于在盘的半径方向上的多个不同的位置测定RRO,所以有可能随着盘进行高TPI(轨道数Tracks Per Inch)化,测定RRO的时间增大。另一方面,近年来,开发了具有多个读出头的2维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。
发明内容
本发明的实施方式提供能够缩短测试时间等的磁盘装置以及头位置的校正方法。
本实施方式的磁盘装置包括:盘,具有轨道,所述轨道具有多个伺服扇区;具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读出数据的多个读出头的头;以及控制器,由所述多个的读出头同时取得对于所述盘的可重复性偏摆的多个校正数据,基于所述多个校正数据取得第1校正数据和第2校正数据,将所述第1校正数据和所述第2校正数据向所述盘写入,基于所述第1校正数据以及所述第2校正数据校正所述头的位置。
附图说明
图1是表示实施方式的磁盘装置的结构的框图。
图2是表示实施方式的头相对于盘的配置的一例的示意图。
图3A是表示读出头位于图2所示的基准位置的情况下的写入头和2个读出头之间的几何配置的一例的图。
图3B是表示读出头位于图2所示的半径位置的情况下的写入头和2个读出头之间的几何配置的一例的图。
图4是表示实施方式的R/W通道以及MPU的结构例的框图。
图5是表示盘的半径方向的RRO的变化的一例的图。
图6是表示由多个读出头同时执行了RRO学习的情况下的一例的图。
图7是表示实施方式的推定学习处理的一例的图。
图8是表示实施方式的RRO学习处理的一例的图。
图9是表示实施方式的RRObit的配置的一例的图。
图10是表示实施方式的RRObit的配置的一例的图。
图11是表示实施方式的头位置的校正方法的一例的流程图。
图12是表示变形例的RRO学习处理的一例的图。
图13是表示变形例的头位置的校正方法的一例的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图说明实施方式。此外,附图是一例,并不限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式的磁盘装置1的结构的框图。
磁盘装置1具备:后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下为头放大器IC、或者前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲器)80、非易失性存储器90、作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外,磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。磁盘装置1例如是2维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。
HDA具有:磁盘(以下为盘)10、主轴电机(SPM)12、搭载有头15的臂13、以及音圈电机(VCM)14。盘10被安装在主轴电机12,利用主轴电机12的驱动而旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动,将搭载于臂13的头15移动控制至盘10上的预定的半径方向的位置(以下仅称为半径位置)为止。盘10以及头15也可以设置2个以上的数量。
盘10在其记录区域分配有可由用户利用的用户数据区域10a、和写入系统管理所需要的信息的系统区域10b。以下,将沿盘10的圆周的方向称为圆周方向,将与圆周方向正交的方向称为半径方向。
头15将滑块作为主体,具备安装于该滑块的写入头15W和读出头15R1、15R2。写入头15W向盘10上写入数据。读出头15R1、15R2读出盘10上的数据轨道所记录着的数据。读出头15R1例如被设置在距离写入头15W最远的位置。读出头15R2例如被设置在距离写入头15W的次于读出头15R1远的位置。此外,读出头也可以设置3个以上。以下,为了便于说明,有时也将写入到了盘10的轨道中的数据仅称为轨道。以下,说明磁盘装置1以读出头15R1为基准,将头15定位在盘10的预定的半径位置或者预定的轨道。此外,磁盘装置1也可以以读出头15R1以外的读出头例如读出头15R2为基准,对头15进行定位。
图2是表示实施方式的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。在图2中,在半径方向上,将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧),将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外,图2中示出有盘10的旋转方向。此外,旋转方向也可以是反向。在图2中,用户数据区域10a被区分为:位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR、位于内周区域IR和外周区域OR之间的中周区域MR。图2中示出了半径位置IRP、半径位置RP0、以及半径位置ORP。半径位置IRP是比半径位置RP0更靠内方向的位置,半径位置ORP是比半径位置RP0更靠外方向的位置。在图2中,半径位置RP0位于中周区域MR,半径位置ORP位于外周区域OR,半径位置IRP位于内周区域IR。此外,半径位置RP0既可以位于外周区域OR,也可以位于内周区域IR。半径位置IRP、半径位置RP0、以及半径位置ORP分别对应于内周区域IR的预定的轨道的半径方向的宽度(以下仅称为宽度)的中心位置(以下称为轨道中心)IIL、中周区域MR的预定的轨道的轨道中心IL0、以及外周区域OR的预定的轨道的轨道中心OIL。轨道中心IIL、IL0、以及OIL分别对应于将头15定位在半径位置IRP、RP0、以及ORP的情况下的作为目标的头15的轨迹(以下有时也称为目标轨迹)。例如,轨道中心IIL、IL0、以及OIL分别是与盘10同心的完全圆形。另外,图2中示出了因可重复性偏摆(Repeatable Run Out:RRO),相对轨道中心IIL、IL0、以及OIL分别偏移的头15的轨迹ISL、SL0、以及OSL。
盘10具有多个伺服区域SV。以下,有时也将伺服区域SV称为伺服扇区。多个伺服区域SV在盘10的半径方向上呈放射状延伸,在圆周方向隔开预定的间隔离散地配置。伺服区域SV包含用于将头15定位在盘10的预定的半径位置的伺服数据和RRO校正数据。
伺服数据例如包含伺服标记(Servo Mark)、地址数据、以及突发数据等。地址数据由预定的轨道的地址(柱面地址)和预定的轨道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测头15相对于预定的轨道的轨道中心的半径方向的位置偏移(位置误差)而使用的数据(相对位置数据),由预定的周期的重复图形构成。突发数据跨对外邻接的轨道交错状地被写入。突发数据包含因轨道相对完全圆形的轨道(轨道中心)的变形导致的误差,该变形由向盘写伺服数据时的与盘10的旋转同步的晃动(可重复性偏摆,RRO)产生。以下,为了便于说明,将因由RRO产生的轨道相对轨道中心的变形导致的误差仅称为RRO。
多个伺服区域SV被分别写入有构成用于校正RRO的RRO校正数据的图形(以下仅称为RRO校正数据)。RRO校正数据是伺服数据的一种附加数据。RRO校正数据被用于校正伺服数据(更详细而言,伺服数据中的伺服突发数据)的RRO、即校正头15相对于轨道中心的轨迹的变形。有时也将该RRO的校正称为完全圆形校正。
RRO校正数据包含RRO前导图形、同步图形、以及对校正量进行编码得到的数字数据(以下称为RRO校正码(RRO Code))。RRO前导图形、以及同步图形是为了检测数字数据的读出开始定时而被使用,所述数字数据是对向后续的区域写入的校正量进行编码得到的数据。此时,RRO校正码(RRO Code)构成RRO校正数据的主要部分。有时也将这样的RRO校正数据称为RRObit、或者PostCode。
在头15位于半径位置RP0的情况下,斜交(skew)角例如成为0°。以下有时也将半径位置RP0称为基准位置RP0。在头15位于半径位置ORP的情况下,斜交角例如成为正的值。在头15位于半径位置IRP的情况下,斜交角例如成为负的值。此外,在头15位于半径位置ORP的情况下,斜交角也可以是负的值。另外,在头15位于半径位置IRP的情况下,斜交角也可以是正的值。
在图2所示的例子中,在将头15定位在半径位置RP0的情况下,头15基于盘10上的伺服区域SV的伺服数据被校正动作,以使得离开轨迹SL0在轨道中心IL0上通过。在将头15定位在半径位置ORP的情况下,头15基于盘10上的伺服区域SV的伺服数据被校正动作,以使得离开轨迹OSL在轨道中心OIL上通过。在将头15定位在半径位置IRP的情况下,头15基于盘10上的伺服区域SV的伺服数据被校正动作,以使得离开轨迹ISL在轨道中心IIL上通过。
图3A是表示读出头15R1位于图2所示的基准位置RP0的情况下的写入头15W和2个读出头15R1、15R2之间的几何配置的一例的图。以下,以读出头15R1的位置为基准,说明头15中的写入头15W和2个读出头15R1、15R2的几何配置。图3A中,示出了写入头15W的中心部WC、读出头15R1的中心部RC1、读出头15R2的中心部RC2。图3A中示出了读出头15R1的中心部RC1与读出头15R2的中心部RC2的中间部HR。读出头15R1的中心部RC1和读出头15R2的中心部RC2之间的第2方向Y的距离,被称为沿轨道分离(Down Track Separation(DTS)),以下为了便于说明,称为纵偏移。
在图3A所示的例子中,在读出头15R1位于基准位置RP0的情况下,写入头15W相对于读出头15R1,位于在外方向上以读/写(R/W)偏移OF0分离的位置。以下,将R/W偏移OF0称为基准偏移OF0。另外,写入头15W的中心部WC相对于读出头15R1的中心部RC1,位于在圆周方向上以读/写(R/W)间隙GP0分离的位置。基准偏移OF0可能因制造工序时的偏差等而产生。此外,基准偏移OF0既可以为0(零),也可以为在内方向上偏移的值。基准偏移OF0例如为数百[nm(纳米)]级。另外,将R/W间隙GP0称为基准间隙GP0。基准间隙GP0例如为数千[nm(纳米)]级。
在图3A所示的例子中,在读出头15R1的中心部RC1位于基准位置RP0的情况下,读出头15R2的中心部RC2也位于基准位置RP0。换而言之,在读出头15R1的中心部RC1位于基准位置RP0的情况下,读出头15R1的中心部RC1以及读出头15R2的中心部RC2沿圆周方向排列。读出头15R1的中心部RC1,在半径方向上从写入头15W的中心部WC以基准偏移OF0分离。读出头15R2的中心部RC2,也在半径方向上从写入头15W的中心部WC以基准偏移OF0分离。读出头15R2的中心部RC2相对于读出头15R1的中心部RC1,在圆周方向上以纵偏移DTS0分离。以下,将纵偏移DTS0称为基准纵偏移DTS0。基准纵偏移DTS0例如是数十[nm]级。在读出头15R1的中心部RC1位于基准位置RP0的情况下,中间部HR也位于基准位置RP0。因此,中间部HR,在半径方向上从写入头15W的中心部WC以基准偏移OF0分离。此外,在读出头15R1的中心部RC1位于半径位置RP0的情况下,读出头15R1的中心部RC1以及读出头15R2的中心部RC2也可以在半径方向上相互稍微错开。以下,为了便于说明,有时也将“读出头(写入头)的中心部”仅表现为“读出头(写入头)”。
头15在维持图3A所示的写入头15W和2个读出头15R1、15R2的几何配置的状态下,一边通过致动器的驱动以预定的斜交角倾斜,一边移动到预定的半径位置。
图3B是表示读出头15R1位于图2所示的半径位置ORP的情况下的写入头15W和2个读出头15R1、15R2之间的几何配置的一例的图。读出头15R1的中心部RC1和读出头15R2的中心部RC2之间的半径方向的距离被称为跨轨道分离(CTS,Cross Track Separation),但是以下为了便于说明称为横偏移。
在图3B所示的例子中,在读出头15R1位于半径位置ORP的情况下,读出头15R2相对于读出头15R1以斜交角θ向外方向倾斜。因此,读出头15R2在半径方向上从读出头15R1以横偏移CTS分离,在圆周方向上从读出头15R1以纵偏移DTS分离。横偏移CTS根据斜交角θ而变化。读出头15R1在半径方向上从写入头15W以R/W偏移OF1分离,在圆周方向上从写入头15W以R/W间隙GP1分离。另外,在读出头15R1位于半径位置ORP的情况下,中间部HR在半径方向上从读出头15R1以横偏移CTS/2分离,在圆周方向上从读出头15R1以纵偏移DTS/2分离。
此外,在读出头15R1位于半径位置IRP的情况下,也与读出头15R1位于半径位置ORP的情况同样地,对于写入头15W和2个读出头15R1、15R2的几何配置,可以使用斜交角θ、横偏移CTS、基准纵偏移DTS0、基准间隙GP0、以及基准偏移OF0进行说明。
驱动器IC20根据系统控制器130(详细而言,后述的MPU60)的控制,控制SPM12以及VCM14的驱动。
头放大器IC(前置放大器)30具有读放大器以及写驱动器。读放大器放大从盘10读出的读信号,输出到系统控制器130(详细而言,后述的读/写(R/W)通道50)。写驱动器将从R/W通道50输出的写入数据所对应的写电流输出到头15。
易失性存储器70是电力供应一断开,保存的数据就会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部分的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如为DRAM(动态随机存取存储器,Dynamic Random Access Memory)、或者SDRAM(同步动态随机存取存储器,Synchronous Dynamic Random Access Memory)。
缓冲存储器80是暂时地记录在磁盘装置1和主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外,缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如为DRAM、SRAM(静态随机存取存储器,Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(铁电随机存取存储器,Ferroelectric Random Access memory)、或者MRAM(磁阻式随机存取存储器,Magnetoresistive Random Access Memory)等。
非易失性存储器90是即使电力供应断开也会记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如为NOR型或者NAND型的闪存ROM(闪存只读存储器,Flash Read OnlyMemory:FROM)。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件被集成在单一芯片的被称为System-on-a-Chip(片上系统,SoC)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包含硬盘控制器(HDC)40、读/写(R/W)通道50、微处理器(MPU)60。HDC40、R/W通道50、以及MPU60分别被相互电连接。系统控制器130例如被电连接到驱动器IC20、头放大器IC60、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90、以及主机系统100等。
HDC40根据来自后述的MPU60的指示,控制主机100和R/W通道50间的数据传送。HDC40例如被电连接到易失性存储器70、缓冲存储器80、以及非易失性存储器90等。
R/W通道50根据来自MPU60的指示,执行读出数据以及写入数据的信号处理。R/W通道50具有测定读出数据的信号质量的电路或者功能。R/W通道50例如被电连接到头放大器IC30等。
MPU60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14,执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60控制对盘10的数据的写动作,并且选择从主机100传送的写入数据的保存目的地。另外,MPU60控制来自盘10的数据的读动作,并且控制从盘10向主机100传送的读出数据的处理。MPU60被连接到磁盘装置1的各部分。MPU60例如被电连接到驱动器IC20、HDC40、以及R/W通道50等。
图4是表示本实施方式的R/W通道50以及MPU60的构成例子的框图。在图4中,省略盘10、头15、驱动器IC20、以及头放大器IC30等。
R/W通道50具有第1解调部510、第2解调部520。例如,第1解调部510将由读出头15R1读出的数据、例如伺服信号解调,将解调后的伺服数据输出到MPU60等。与第1解调部510同样,第2解调部520将由读出头15R2读出的伺服信号解调,将解调后的伺服数据输出到MPU60等。此外,在设置了3个以上的读出头的情况下,R/W通道50也可以具备与这些读出头分别对应的3个以上的解调部。MPU60具备读/写控制部610、RRO学习部620、RRO记录部630、位置校正部640。MPU60在固件(Firmware)上执行这些各部、例如读/写控制部610、RRO学习部620、RRO记录部630、以及位置校正部640等的处理。此外,MPU60也可以将这些各部作为电路而具备。
读/写控制部610根据来自主机100的命令,控制数据的读处理以及写处理。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14,将头15定位在盘10上的预定的半径位置,执行读处理或者写处理。读/写控制部610使用读出头15R1以及15R2中的至少一方执行读以及写处理。读/写控制部610将头15定位在盘10的预定的半径位置,能够利用读出头15R1以及读出头15R2同时进行读/写处理。在定位了头15的半径位置,由于横偏移CTS不同,所以读/写控制部610能够根据横偏移CTS对利用读出头15R1以及读出头15R2的任何一方执行读/写处理,或者利用读出头15R1以及读出头15R2这两方执行读/写处理进行控制。此外,读/写控制部610也可以将盘10的各半径位置中的横偏移CTS、基准纵偏移DTS0、基准偏移OF0、以及基准间隙GP0等与头15建立关联并记录在非易失性存储器90、系统区域10b中。
RRO学习部620测定定位了头15的半径位置所对应的目标轨迹和从读出的伺服数据解调得到的头15(读出头15R1以及读出头15R2)的半径位置之差(以下称为RRO校正量),执行基于测定出的RRO校正量算出RRO校正数据的处理(以下有时也称为RRO学习处理)。RRO学习处理例如在磁盘装置1的测试阶段、或者制造阶段执行。以下,将“测定RRO校正量”和“基于RRO校正量算出RRO校正数据”称为RRO学习。有时也将“进行RRO学习”称为“进行测定”、“读”或者“取得”等。有时也将RRO校正量和RRO校正数据以相同意思使用。有时也将执行了RRO学习的预定的半径位置以及将要执行RRO学习的预定的半径位置称为学习位置。另外,RRO学习部620也可以取得进行了RRO学习的圆周方向的位置信息等。此外,RRO学习部620既可以在预定的半径位置上,在圆周方向的几个位置执行RRO学习,也可以在圆周方向的全部的位置执行RRO学习。另外,RRO学习部620既可以在几个半径位置执行RRO学习,也可以在盘10的全部的半径位置执行RRO学习。
例如,RRO学习部620根据实际的RRO的半径方向上的变化(以下仅称为RRO的变化)执行RRO学习。在一例中,RRO的变化的斜率能够按每个轨道变化。RRO学习部620,对RRO的变化的斜率为一定例如为一定的增加率或者为一定的减少率、或者RRO的变化的斜率被视为一定的半径方向的每个区域执行RRO学习。换而言之,RRO学习部620基于预定的半径方向上的区域中、在2个学习位置分别取得的2个RRO校正量,预测该区域的RRO校正量的变化,对可执行校正头15的半径位置(以下仅称为头位置)的处理(以下称为线性RRO校正处理)的半径方向的区域(以下称为可线性区域)的每一个,执行RRO学习。例如,可线性区域为从数nm至数十nm级的区域。在一例中,可线性区域也可以在半径方向上,按1个轨道的一半宽度以下的每个区域而设定。RRO学习部620在预定的可线性区域的半径方向上的从开始位置起的预定的范围内的半径位置和该可线性区域的半径方向上的从结束位置起的预定的范围内的半径位置,执行RRO学习。以下,将预定的可线性区域的开始位置以及结束位置仅称为边界位置。另外,将距边界位置预定的范围内的半径位置称为校正位置。这里,校正位置是,能够对可再现与实际的RRO的变化相近似的RRO校正量的变化的RRO校正量(以下称为线性校正量)进行RRO学习的半径位置。校正位置包含边界位置。将2个校正位置间的半径方向的区域称为线性校正区域。可线性区域包含线性校正区域。此外,RRO学习部620既可以将线性校正区域任意地设定,也可以记录在存储器、例如非易失性存储器90和/或系统区域10b等。RRO学习部620也可以将与RRO的变化有关的信息记录在存储器、例如非易失性存储器90和系统区域10b等。
图5是表示盘10的半径方向的RRO的变化的一例的图。在图5中,纵轴表示RRO以及RRO校正量,横轴表示半径方向。在图5中,虚线L61表示RRO的变化L61的一例,线L62表示在线性RRO校正处理中所预测的RRO校正量的变化L62的一例。在图5中,示出了边界位置(校正位置)x1、x2、x3、以及x4。边界位置x1是与基准位置RP0相当的半径位置,边界位置x2是比边界位置x1更靠内方向的半径位置,边界位置x3是比边界位置x2更靠内方向的半径位置,边界位置x4是比边界位置x1更靠外方向的半径位置。另外,在图5中,示出了从边界位置x1至边界位置x2的可线性区域(线性校正区域)RG1、从边界位置x2至半径位置x3的可线性区域(线性校正区域)RG2、从边界位置x1至边界位置x4的可线性区域(线性校正区域)RG3。在图5中,如虚线L61所示,RRO的变化在半径方向上周期性地变动。在图5中,各点表示与RRO的变化L61中的各可线性区域的边界位置x1至x4分别对应的各RRO(RRO校正量)。点PO1表示与边界位置x1对应的RRO(RRO校正量)Eh1,点PO2表示与边界位置x2对应的RRO(RRO校正量)Eh2,点PO3表示与边界位置x3对应的RRO(RRO校正量)Eh3,点PO4表示与边界位置x4对应的RRO(RRO校正量)Eh4。在图5中,在从点PO1至点PO2的可线性区域RG1中,RRO的变化L61大致线形地变化。在从点PO2至点PO3的可线性区域RG2中,RRO的变化L61大致线形地变化。在从点PO1至点PO4的可线性区域RG3中,RRO的变化L61大致线形地变化。
在图5所示的例子中,RRO学习部620通过读出头15R1或者15R2,在边界位置(校正位置)x1对RRO校正量(线性校正量)Eh1进行RRO学习,在边界位置(校正位置)x2对RRO校正量(线性校正量)Eh2进行RRO学习,在边界位置(校正位置)x3对RRO校正量(线性校正量)Eh3进行RRO学习,在边界位置(校正位置)x4,对RRO校正量(线性校正量)Eh4进行RRO学习。
另外,RRO学习部620可以通过多个头15(读出头)同时执行RRO学习。RRO学习部620例如在线性校正区域通过读出头15R1以及15R2同时地执行RRO学习。在该情况下,RRO学习部620基于横偏移CTS,判定在预定的线性校正区域,由读出头15R1以及15R2同时执行还是不同时执行RRO学习。换而言之,RRO学习部620根据读出头15R1以及15R2能够配置还是不能够配置在线性校正区域内,判定由读出头15R1以及15R2同时执行还是不同时执行RRO学习执行。在定位了头15的半径位置,在横偏移CTS为线性校正区域以下的情况下,RRO学习部620利用读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。在定位了头15的半径位置,在横偏移CTS比线性校正区域大的情况下,RRO学习部620不同时利用读出头15R1以及15R2执行RRO学习。在不同时利用读出头15R1以及15R2执行RRO学习的情况下,RRO学习部620将读出头15R1以及15R2的某一方定位在校正位置,执行RRO学习。另外,在定位了头15的半径位置,在横偏移CTS为0的情况下,RRO学习部620也将读出头15R1以及15R2的任一方定位在校正位置,执行RRO学习。此外,在定位了头15的半径位置,即使在横偏移CTS比线性校正区域大的情况下,RRO学习部620也可以利用读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。另外,在定位了头15的半径位置,即使在横偏移CTS是0的情况下,RRO学习部620也可以利用读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习,将取得的数据平均化。RRO学习部620也可以在线性校正区域利用3个以上的读出头执行RRO学习。另外,在有3个以上的读出头的情况下,也可以选择横偏移CTS为线性校正区域以下的2个读出头,同时执行RRO学习。RRO学习部620在为了提高RRO学习精度而在相同半径位置反复实施RRO学习的情况下,也可以根据已经取得的RRO数据,实施基于线性RRO校正的头位置校正,由读出头15R1以及15R2同时实施RRO学习。另外,也可以变更到前一个同时学习数据可被利用的学习位置,并执行RRO学习。
图6是表示由多个读出头同时执行了RRO学习的情况下的一例的图。在图6中,纵轴表示通过各读出头取得的测定值,横轴表示圆周方向。
在图6所示的例子中,RRO学习部620将读出头15R1配置在图2所示的半径位置IRP,将读出头15R2配置在比半径位置IRP更靠内方向的半径位置IRP1。RRO学习部620例如在横偏移CTS为线性校正区域以下的情况下,由读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。
在预定的线性校正区域,在与校正位置不同的学习位置执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620基于校正位置和在该学习位置取得的RRO校正量,执行算出线性校正量的处理(以下,称为推定学习处理)。例如,在预定的线性校正区域,在与2个校正位置不同的2个学习位置通过读出头15R1以及15R2同时执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620基于这2个学习位置和在这些学习位置分别取得的2个RRO校正量,算出分别与这些校正位置对应的2个线性校正量LCA1、LCA2。线性校正量LCA1例如是读出头15R1的学习位置侧的校正位置所对应的RRO校正量。线性校正量LCA2例如是读出头15R2的学习位置侧的校正位置所对应的RRO校正量。线性校正量LCA1、LCA2以以下的式来表示。
LCA1=(E1-E2)/(px1-px2)×(cx1-px1)+E1式(1)
LCA2=(E1-E2)/(px1-px2)×(cx2-px2)+E2式(2)
这里,px1是读出头15R1的学习位置,px2是读出头15R2的学习位置,E1是在学习位置px1取得的RRO校正量,E2是在学习位置px2取得的RRO校正量。另外,cx1是学习位置px1侧的校正位置,cx2是学习位置px2侧的校正位置。例如,学习位置px1以及px2、和校正位置cx1以及cx2,以从线性校正区域的宽度的中心起的偏移量来表示。RRO学习部620基于线性校正量LCA1以及LCA2,算出RRO校正数据(以下有时也称为线性校正数据)LCA1以及LCA2。另外,例如在通过读出头15R1对预定的线性校正区域的一方的校正位置、通过读出头15R2对与另一方的校正位置不同的半径位置同时执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620在一方的校正位置通过读出头15R1取得线性校正量LCA1,基于线性校正量LCA1和在与另一方的校正位置不同的半径位置取得的RRO校正量,算出线性校正量LCA2。此外,也可以是,RRO学习部620通过读出头15R1或者15R2,在各个定时,在校正位置以外的多个学习位置执行RRO学习,基于这些多个学习位置和在这些学习位置分别取得的多个RRO校正量,执行推定学习处理。另外,也可以是,在线性校正区域通过3个以上的读出头,在校正位置以外的半径位置执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620基于3个以上的学习位置、这些学习位置所对应的RRO校正量以及表示线性校正区域中的RRO的变化的函数公式,执行推定学习处理。进而,RRO学习部620也可以分别算出线性校正数据LCA1以及LCA2之和(以下称为加法运算值)以及之差(以下称为减法运算值)。
在预定的线性校正区域的2个校正位置同时执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620取得2个线性校正量。例如,在通过读出头15R1对预定的线性校正区域的一方的校正位置、通过读出头15R2对另一方的校正位置同时地执行了RRO学习的情况下,RRO学习部620在一方的校正位置通过读出头15R1取得线性校正量LCA1,在另一方的校正位置通过读出头15R2取得线性校正量LCA2。
图7是表示本实施方式的推定学习处理的一例的图。在图7中,横轴表示半径位置,纵轴表示基于在各半径位置进行了RRO学习得到的RRO校正数据而校正了头位置的情况下的伺服定位误差(Repeatable Position Error:RPE)。在图7中,RPE的分布D1表示各半径位置上的RPE的变化。在RPE的分布D1中,各圆点表示基于进行了RRO学习得到的RRO校正数据而校正了头位置的情况下的RPE的测定值。RPE的分布D1在可线性区域RG1上小且为一定,在可线性区域RG1以外的区域变得比可线性区域RG1大。在图7中,读出头15R1以及读出头15R2位于预定的轨道的图6所示的可线性区域RG1,以横偏移CTS1分离。在图7中,示出了读出头15R1所处的学习位置px11、读出头15R2所处的学习位置px21、学习位置px11侧的校正位置cx11、学习位置px21侧的校正位置cx21。校正位置cx11从可线性区域RG1的中心RCG11向外方向以距离COF11分离。中心RCG11与线性校正区域LRG1的中心对应。此外,中心RCG11也可以不与线性校正区域LRG1的中心对应。校正位置cx21从可线性区域RG1的中心RCG11向内方向以距离COF21分离。距离COF11和距离COF21相同。此外,距离COF11和距离COF21也可以不同。学习位置px11从可线性区域RG1的中心RCG11向外方向以距离POF1分离。学习位置px21从可线性区域RG1的中心RCG11向内方向以距离POF2分离。距离POF1和距离POF2既可以相同,也可以不同。另外,距离POF1比距离COF11小,距离POF2比距离COF21小。距离COF11为距离R11以下,距离R11是从可线性区域RG1的中心RCG11至边界位置x1为止的距离。距离COF21为距离R21以下,距离R21是从可线性区域RG1的中心RCG11至边界位置x2为止的距离。距离R11和距离R21相同。此外,距离R11和距离R21也可以稍微不同。另外,可线性区域RG1也可以与预定的轨道的宽度对应。该情况下,中心RCG11与预定的轨道的轨道中心相当。
在图7所示的例子中,RRO学习部620判定为在读出头15R1被配置在学习位置px11的情况下的横偏移CTS1为线性校正区域LRG1以下,在线性校正区域LRG1中,通过读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。由于学习位置px11和校正位置cx11不一致、且学习位置px21和校正位置cx21不一致,所以RRO学习部620执行推定学习处理。RRO学习部620基于学习位置px11(=px1)以及px21(=px2)、校正位置cx11(=cx1)以及cx21(=cx2)、通过读出头15R1在学习位置px11进行了RRO学习的RRO校正量(=E1)以及通过读出头15R2在学习位置px21进行了RRO学习的RRO校正量(=E2)和式(1)、式(2),算出与校正位置cx11对应的线性校正量LCA1、和与校正位置cx21对应的线性校正量LCA2。
图8是表示本实施方式的RRO学习处理的一例的图。在图8中,横轴表示半径位置,纵轴表示基于在各半径位置进行了RRO学习的RRO校正数据而校正了头位置的情况下的RPE。在图8中,RPE的分布D2表示在各半径位置的RPE的变化。在RPE的分布D2中,各圆点表示基于进行了RRO学习的RRO校正数据而校正了头位置的情况下的RPE的测定值。RPE的分布D2在可线性区域RG2中小且为一定,在可线性区域RG2以外的区域中变得比可线性区域RG2大。在图8中,读出头15R1以及读出头15R2例如位于图6所示的可线性区域RG2,以横偏移CTS2分离。在图8中,示出了读出头15R1所处的学习位置px12、读出头15R2所处的学习位置px22、学习位置px12侧的校正位置cx12、和学习位置px22侧的校正位置cx22。校正位置cx12以及学习位置px12从可线性区域RG2的中心RCG12向外方向以距离EOF1分离。中心RCG12与线性校正区域LRG2的中心对应。此外,中心RCG12也可以不与线性校正区域LRG2的中心对应。校正位置cx22以及学习位置px22从可线性区域RG2的中心RCG12向内方向以距离EOF2分离。距离EOF1和距离EOF2相同。此外,距离EOF1和距离EOF2也可以不同。距离EOF1为距离R12以下,距离R12是从可线性区域RG2的中心RCG12至边界位置x2为止的距离。距离EOF2为距离R22以下,距离R22是从可线性区域RG2的中心RCG12至边界位置x3为止的距离。距离R12和距离R22相同。此外,距离R12和距离R22也可以稍微不同。另外,可线性区域RG1也可以与预定的轨道的宽度对应。该情况下,中心RCG11与预定的轨道的轨道中心相当。
在图8所示的例子中,RRO学习部620判定为在读出头15R1被配置在学习位置px12的情况下的横偏移CTS2为线性校正区域LRG2以下,在线性校正区域LRG2中,通过读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。由于学习位置px12和校正位置cx12一致、且学习位置px22和校正位置cx22一致,所以RRO学习部620通过读出头15R1在学习位置px12取得线性校正量LCA1,通过读出头15R2在学习位置px22取得线性校正量LCA2。
RRO记录部630将头15(写入头15W)定位在预定的半径位置,将通过RRO学习取得的RRO校正数据(以下有时也称为RRObit)例如线性校正数据LCA1以及LCA2向预定的伺服区域SV写入。RRO记录部630将至少一个RRO校正数据向各伺服区域SV写入。RRO记录部630能够调整RRO校正数据的可读的半径方向的宽度(以下称为再现宽度)。RRO记录部630例如能够通过RRO校正数据的配置间隔、以及写条件(例如写电流或写上浮)等,增减再现宽度。另外,再现宽度也在写入头的宽度、以及读出头的宽度等的设计的条件下增减。此外,RRO记录部630也可以不是将线性校正数据LCA1以及LCA2,而是将线性校正数据LCA1以及LCA2的加法运算值和减法运算值向预定的伺服区域SV写入。另外,RRO记录部630也可以将线性校正数据LCA1以及LCA2、和线性校正数据LCA1以及LCA2的加法运算值和减法运算值向预定的伺服区域SV写入。
RRO记录部630将RRO校正数据写入,以使得RRO校正数据的再现宽度的中心位置(以下仅称为RRO校正数据),被配置于各轨道中被许可写入数据的从轨道中心沿半径方向设定的预定的范围(以下称为许可范围)内。
图9是表示本实施方式的RRObit的配置的一例的图。在图9中,预定的线性校正区域LRG3位于预定的轨道的许可范围内。图9中示出了预定的轨道的轨道中心TRC1、从轨道中心TRC1向外方向以距离COF12分离的校正位置cx13、从轨道中心TRC1向内方向以距离COF22分离的校正位置cx23。距离COF12和距离COF22既可以相同,也可以不同。图9示出了多个伺服区域SV、和写入到各伺服区域SV的RRObit。另外,对多个伺服区域SV附加伺服编号(2k、2k+1、2k+2、2k+3…)。图9中,为了方便图示,仅简单地示出了写入到伺服区域SV的RRObit,但是实际上也写入有前述的伺服标记、地址数据、突发数据等。另外,实际上在多个伺服区域SV的各自之间写入有用户数据。在图9中,在伺服编号为奇数的伺服区域(以下仅称为奇数伺服区域),在校正位置cx13配置有RRObit,伺服编号为偶数的伺服区域(以下仅称为偶数伺服区域),在校正位置cx23配置有RRObit。在图9中,作为奇数伺服区域的一例,示出了伺服区域SV(2k+1)和伺服区域SV(2k+3),作为偶数伺服区域的一例,示出了伺服区域SV(2k)和伺服区域SV(2k+2)。伺服区域SV(2k)、SV(2k+1)、SV(2k+2)以及SV(2k+3)在圆周方向上按该顺序排列。实际上,在伺服区域SV(2k)、SV(2k+1)、SV(2k+2)以及SV(2k+3)的各自之间写入有用户数据。
伺服区域SV(2k)包含RRObit(2k),伺服区域SV(2k+2)包含RRObit(2K+2)。RRObit(2k)包含当前的伺服编号所对应的伺服区域(以下仅称为当前的伺服区域)SV(2k)的下一个伺服编号所对应的伺服区域(以下仅称为下一伺服区域)SV(2k+1)的RRO校正数据LCA2(2k+1)、和伺服区域SV(2k+1)的下一个伺服区域SV(2k+2)的RRO校正数据LCA2(2k+2)。RRO校正数据LCA2(2k+1)与伺服区域SV(2k+1)的校正位置cx23对应。RRO校正数据LCA2(2k+2)与伺服区域SV(2k+2)的校正位置cx23对应。RRObit(2k)的再现宽度的中心(以下仅称为RRObit)位于校正位置cx23。RRObit(2k+2),包含当前的伺服区域SV(2k+2)的下一个伺服区域SV(2k+3)的RRO校正数据LCA2(2k+3)、和伺服区域SV(2k+3)的下一个伺服区域SV(2k+4)的RRO校正数据LCA1(2k+4)。RRO校正数据LCA2(2k+3)与伺服区域SV(2k+3)的校正位置cx23对应。RRO校正数据LCA2(2k+4)与伺服区域SV(2k+4)的校正位置cx23对应。RRObit(2k+2)位于校正位置cx23。RRObit(2k)、RRObit(2k+1)、RRObit(2k+2)、以及RRObit(2k+3)的再现宽度既可以相同,也可以不同。
伺服区域SV(2k+1)包含RRObit(2k+1),伺服区域SV(2k+3)包含RRObit(2k+3)。RRObit(2k+1)包含当前的伺服区域SV(2k+1)的下一个伺服区域SV(2k+2)的RRO校正数据LCA1(2k+2)、和伺服区域SV(2k+2)的下一个伺服区域SV(2k+3)的RRO校正数据LCA1(2k+3)。RRObit(2k+1)位于校正位置cx13。RRO校正数据LCA1(2k+2)与伺服区域SV(2k+2)的校正位置cx13对应。RRO校正数据LCA1(2k+3)与伺服区域SV(2k+3)的校正位置cx13对应。RRObit(2k+3)包含当前的伺服区域SV(2k+3)的下一个伺服区域SV(2k+4)的RRO校正数据LCA1(2k+4)、和伺服区域SV(2k+4)的下一个伺服区域SV(2k+5)的RRO校正数据LCA1(2k+5)。RRO校正数据LCA1(2k+4)与伺服区域SV(2k+4)的校正位置cx13对应。RRO校正数据LCA1(2k+5)与伺服区域SV(2k+5)的校正位置cx13对应。RRObit(2k+3)位于校正位置cx13。
RRO记录部630,使向当前的伺服区域SV写入的RRObit和向下一个伺服区域SV写入的RRObit,在半径方向上沿相互相反的方向偏移而写入。例如,RRO记录部630将预定的轨道的轨道中心作为基轴,跨越多个伺服区域SV沿圆周方向交错状地将RRObit写入。RRO记录部630将在写入RRObit的半径位置侧进行了学习的下一个伺服区域SV所对应的RRO校正数据和下下一个伺服区域SV所对应的RRO校正数据,向当前的伺服区域SV写入。在图9所示的例子中,RRO记录部630在偶数伺服区域SV(2k)中,将RRObit(2k)向校正位置cx23写入,在偶数伺服区域SV(2k+2)中,将RRObit(2k+2)向校正位置cx23写入。进而,RRO记录部630在奇数伺服区域SV(2k+1)中,将RRObit(2k+1)向校正位置cx13写入,在奇数伺服区域SV(2k+3)中,将RRObit(2k+3)向校正位置cx13写入。
图10是表示本实施方式的RRObit的配置的一例的图。在图10中,示出了多个伺服区域SV、和写入到各伺服区域SV中的RRObit。另外,对多个伺服区域SV,附加伺服编号(k、k+1、k+2、k+3…)。图10中为了方便图示,仅简单地示出了写入到伺服区域SV中的RRObit,但实际上,也写入有前述的伺服标记、地址数据、突发数据等。另外,实际上,在多个伺服区域SV的各自间写入有用户数据。
在图10中,就伺服区域SV而言,在轨道中心TRC1配置有RRObit。在图10中,作为伺服区域SV的一例,示出了伺服区域SV(k)、伺服区域SV(k+1)、伺服区域SV(k+2)、伺服区域(k+3)。伺服区域SV(k)、SV(k+1)、SV(k+2)、以及SV(k+3)在圆周方向上按该顺序排列。实际上,在伺服区域SV(k)、SV(k+1)、SV(k+2)、以及SV(k+3)的各自之间,写入有用户数据。
伺服区域SV(k)包含RRObit(k),伺服区域SV(k+1)包含RRObit(k+1),伺服区域SV(k+2)包含RRObit(k+2),伺服区域SV(k+3)包含RRObit(k+3)。RRObit(k)包含当前的伺服区域SV(k)的下一个伺服区域SV(k+1)的RRO校正数据LCA1(k+1)、和当前的伺服区域SV(k)的下一个伺服区域SV(k+1)的RRO校正数据LCA2(k+1)。RRO校正数据LCA1(k+1)与伺服区域SV(k+1)的校正位置cx13对应,RRO校正数据LCA2(k+1)与伺服区域SV(k+1)的校正位置cx23对应。RRObit(k)位于轨道中心TRC1。
RRObit(k+1)包含当前的伺服区域SV(k+1)的下一个伺服区域SV(k+2)的RRO校正数据LCA1(k+2)、和当前的伺服区域SV(k+1)的下一个伺服区域SV(k+2)的RRO校正数据LCA2(k+2)。RRObit(k+1)位于轨道中心TRC1。RRObit(k+2)包含当前的伺服区域SV(k+2)的下一个伺服区域SV(k+3)的RRO校正数据LCA1(k+3)、和当前的伺服区域SV(k+2)的下一个伺服区域SV(k+3)的RRO校正数据LCA2(k+3)。RRObit(k+2)位于轨道中心TRC1。RRObit(k+3)包含当前的伺服区域SV(k+3)的下一个伺服区域SV(k+4)的RRO校正数据LCA1(k+4)、和当前的伺服区域SV(k+3)的下一个伺服区域SV(k+4)的RRO校正数据LCA2(k+4)。RRObit(k+3)位于轨道中心TRC1。此外,RRObit(k)所包含的数据,也可以是校正数据LCA1、LCA2的加法运算值(=LCA2+LCA1)、减法运算值(=LCA2-LCA1)。
RRO记录部630在各伺服区域SV中将RRObit向轨道中心写入。RRO记录部630,将在从该轨道中心向外方向的半径位置进行了学习的下一伺服区域SV所对应的RRO校正数据和在从该轨道中心向内方向的半径位置进行了学习的下一伺服区域SV所对应的RRO校正数据,向当前的伺服区域SV写入。在图10所示的例子中,RRO记录部630,在伺服区域SV(k)中将RRObit(k)向轨道中心TRC1写入,在伺服区域SV(k+1)中将RRObit(k+1)向轨道中心TRC1写入,在伺服区域SV(k+2)中将RRObit(k+2)向轨道中心TRC1写入,在伺服区域SV(k+3)中将RRObit(k+3)向轨道中心TRC1写入。
此外,RRO记录部630不限于前述的配置,也可以以其他的配置将RRObit写入。
位置校正部640读出RRObit(RRO校正数据),基于读出的RRObit算出RRO校正量,基于算出的RRO校正量、学习了RRObit的半径位置或从该RRObit所对应的轨道的轨道中心起的偏移量,将头位置进行校正例如以使其接近轨道中心。位置校正部640执行线性RRO校正处理,即,基于至少2个线性校正量,算出线性校正区域的RRO校正量的变化,基于算出的RRO校正量的变化,校正头位置。例如,位置校正部640读出线性校正数据(RRObit)LCA1以及LCA2,基于读出的线性校正数据(RRObit)LCA1以及LCA2、LCA1以及LCA2的校正位置cx1、cx2(或者学习位置px1、px2)、当前的头位置从目标轨道(轨道中心)起的偏移量,算出线性校正量。例如在半径方向上将轨道中心设为0,将外侧设为负的值,将内侧设为正的值时,线性校正量根据当前的头位置从目标轨道起的偏移量cur_ofs,分为下述情况。
cur_ofs<cx13(比cx13校正位置(或者学习位置)更靠外侧):线性校正量=LCA1
cur_ofs>cx23(比cx23校正位置(或者学习位置)更靠内侧):线性校正量=LCA2
cx13<=cur_ofs<=cx23:线性校正量=(LCA2-LCA1)/(cx23-cx13)*cur_ofs+(LCA2+LCA1)/2
位置校正部640基于算出的线性校正量和对线性校正数据LCA1以及LCA2分别进行了学习的2个半径位置校正头位置。
图11是表示本实施方式的头位置的校正方法的一例的流程图。
MPU60在预定的线性校正区域同时取得多个RRO校正量(B1101)。例如,MPU60在预定的线性校正区域通过读出头15R1以及15R2同时取得RRO校正量。MPU60判定学习位置与校正位置相同还是不同(B1102)。例如,MPU60判定读出头15R1以及15R2这2个学习位置与预定的线性校正区域的2个校正位置一致还是不一致。在判定为学习位置与校正位置相同的情况下(B1102的“是”),MPU60进入B1104的处理。在判定为学习位置与校正位置不同的情况下(B1102的“否”),MPU60执行推定学习处理(B1103)。例如,MPU60在通过读出头15R1以及15R2在校正位置以外的学习位置执行了RRO学习的情况下,MPU60基于学习位置和在该学习位置取得的多个RRO校正量,算出线性校正量。MPU60基于取得或者算出的线性校正量,算出线性校正数据(B1104)。MPU60将算出的线性校正数据以预定的配置向预定的轨道写入(B1105),结束处理。
根据本实施方式,磁盘装置1具备包含写入头15W、读出头15R1、以及读出头15R2在内的头15。磁盘装置1在预定的线性校正区域,通过读出头15R1以及15R2同时取得2个RRO校正量。磁盘装置1在读出头15R1以及15R2这2个学习位置与预定的线性校正区域的2个校正位置不一致的情况下,通过推定学习处理,基于取得的2个RRO校正量,算出与2个校正位置分别对应的2个线性校正量。磁盘装置1基于2个线性校正量分别算出2个线性校正数据,将算出的2个线性校正数据向盘10写入。如前述那样,由于能够通过读出头15R1以及15R2同时取得RRO校正量,所以磁盘装置1能够有效地执行RRO学习。因此,磁盘装置1能够缩短制造时的测试时间等。
接着,说明变形例以及其他的实施方式的磁盘装置。变形例以及其他的实施方式中,对与前述的实施方式相同的部分,附加同一参考标号,省略其详细的说明。
(变形例1)
变形例1的磁盘装置1,其RRO学习处理与前述的实施方式不同。在由多个读出头同时执行RRO学习的情况下,RRO学习部620对由用于定位的读出头(以下称为定位头)以外的头(以下称为非定位头)进行了RRO学习的RRO校正量进行校正。例如在由读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习的情况下,RRO学习部620将由作为非定位头的读出头15R2进行了RRO学习的RRO校正量E2(例如线性校正量LCA2)校正为RRO校正量CLCA2(以下称为修正校正量)。修正校正量CLCA2用以下的式表示。
CLCA2=E2-dRHP式(3)
这里,dRHP(Delta Repeatable Head Position,Delta可重复头位置)表示预定的半径位置中的定位头的轨迹和非定位头的轨迹之间的差分值。差分值dRHP例如根据由多个头同时进行RRO学习时取得的定位头的半径位置的轨迹和非定位头的半径位置的轨迹而被算出。RRO学习部620基于修正校正量CLCA2算出线性校正数据(以下称为修正校正数据)CLCA2。
此外,在读出头15R1为非定位头,且由读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习的情况下,RRO学习部620将由读出头15R1进行了RRO学习的RRO校正量E1(例如线性校正量LCA1)校正为修正校正量CLCA1。修正校正量CLCA1由以下的式表示。
CLCA1=E1-dRHP式(4)
RRO学习部620基于修正校正量CLCA1算出线性校正数据CLCA1。
图12是表示变形例的RRO学习处理的一例的图。在图12中,横轴表示半径位置,纵轴表示基于在各半径位置进行了RRO学习得到的RRO校正数据而校正了头位置的情况下的RPE。在图12中,RPE的分布D3表示:在基于由非定位头进行RRO学习而未校正的RRO校正数据、和由定位头进行了RRO学习得到的RRO校正数据,校正了头位置的情况下的各半径位置上的RPE的变化。在RPE的分布D3中,各四边形的点表示,在基于由非定位头进行RRO学习而未校正的RRO校正数据、和由定位头进行了RRO学习得到的RRO校正数据,校正了头位置的情况下的RPE的测定值。RPE的分布D4表示:在基于由非定位头进行了RRO学习并校正得到的RRO校正数据和由定位头进行了RRO学习得到的RRO校正数据,校正了头位置的情况下的在各半径位置的RPE的变化。在RPE的分布D4中,各三角形的点表示:基于由非定位头进行RRO学习并校正得到的RRO校正数据和由定位头进行了RRO学习得到的RRO校正数据,校正了头位置的情况下的RPE的测定值。RPE的分布D5表示:基于由1个读出头例如定位头在不同的定时进行了RRO学习得到的2个RRO校正数据,校正了头位置的情况下的在各半径位置的RPE的变化。在RPE的分布D5中,各圆形的点表示:基于由读出头在不同的定时进行了RRO学习得到的2个RRO校正数据,校正了头位置的情况下的RPE的测定值。
在图12所示的例子中,RRO学习部620判定为在读出头15R1被配置在学习位置px12的情况下的横偏移CTS2为线性校正区域LRG2以下,在线性校正区域LRG2通过读出头15R1以及15R2同时执行RRO学习。由于学习位置px12和校正位置cx12一致、且学习位置px22和校正位置cx22一致,所以RRO学习部620通过读出头15R1在学习位置px12取得线性校正量LCA1,通过读出头15R2在学习位置px22取得线性校正量LCA2。RRO学习部620基于由作为非定位头的读出头15R2进行了RRO学习的线性校正量LCA2和式(3),算出修正校正量CLCA2。这样,通过校正由非定位头进行了RRO学习的RRO校正量,如RPE的分布D3至D5所示,能改善在校正了头位置的情况下的RPE。
RRO记录部630例如分别将修正校正数据CLCA2和线性校正数据LCA1向预定的半径位置写入。
位置校正部640例如读出线性校正数据LCA1以及修正校正数据CLCA2,基于读出的线性校正数据LCA1以及修正校正数据CLCA2、LCA1以及CLCA2的学习位置cx1、cx2、当前的头位置从目标轨道起的偏移量,算出线性校正量。位置校正部640基于算出的线性校正量和分别学习了线性校正数据LCA1以及修正校正数据CLCA2的2个半径位置,校正头位置。
图13是表示变形例的头位置的校正方法的一例的流程图。
MPU60在预定的线性校正区域同时取得多个RRO校正量(B1101),校正由非定位头进行了RRO学习的RRO校正量(B1301),执行B1102至B1105的处理。例如,MPU60将由作为非定位头的读出头15R2取得的RRO校正量E2(例如线性校正量LCA2)校正为修正校正量CLCA2。
根据变形例,磁盘装置1在预定的线性校正区域同时取得多个RRO校正量,将由非定位头进行了RRO学习的RRO校正量校正为修正校正量。磁盘装置基于由定位头进行了RRO学习的RRO校正量和修正校正量,分别算出2个线性校正数据,将算出的2个线性校正数据写入盘10。因此,磁盘装置1的头位置的校正精度提高。
说明了几个实施方式,但是这些实施方式是作为例子而提示的方式,不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施,在不脱离发明的要旨的范围内,能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和其变形包含在发明的范围和要旨中,并且包含在权利要求书记载的发明和其均等的范围中。
Claims (9)
1.一种磁盘装置,包括:
盘,具有轨道,所述轨道具有多个伺服扇区;
头,具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读出数据的多个读出头;以及
控制器,由所述多个读出头同时取得对于所述盘的可重复性偏摆的多个校正数据,基于所述多个校正数据取得第1校正数据和第2校正数据,将所述第1校正数据和所述第2校正数据向所述盘写入,基于所述第1校正数据以及所述第2校正数据校正所述头的位置,
所述控制器在所述盘的半径方向的从第1位置至第2位置为止的第1区域中,在所述第1位置以及所述第2位置以外取得所述多个校正数据,基于所述多个校正数据,算出与所述第1位置对应的所述第1校正数据和与所述第2位置对应的所述第2校正数据。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器通过所述多个读出头中的第1读出头在第3位置取得第3校正数据,通过所述多个读出头中的第2读出头在第4位置取得第4校正数据,基于所述第3位置、所述第4位置、所述第3校正数据、所述第4校正数据以及所述第1位置,算出所述第1校正数据,基于所述第3位置、所述第4位置、所述第3校正数据、所述第4校正数据以及所述第2位置,算出所述第2校正数据。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器通过所述多个读出头中的用于所述头的定位的第1读出头在第3位置取得第3校正数据,通过所述多个读出头中的不用于所述头的定位的第2读出头在第4位置取得第4校正数据,将所述第4校正数据校正为第5校正数据,基于所述第3位置、所述第4位置、所述第3校正数据、所述第5校正数据以及所述第1位置,算出所述第1校正数据,基于所述第3位置、所述第4位置、所述第3校正数据、所述第4校正数据以及所述第2位置,算出所述第2校正数据。
4.根据权利要求3所述的磁盘装置,
所述控制器算出所述第1读出头的第1轨迹和所述第2读出头的第2轨迹之间的差分值,基于所述第4校正数据和所述差分值,算出所述第5校正数据。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器在所述多个伺服扇区中的第1伺服扇区向所述第1位置写入所述第1校正数据,在所述多个伺服扇区中的第2伺服扇区向所述第2位置写入所述第2校正数据。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器,在所述多个伺服扇区中的第1伺服扇区向所述轨道的轨道中心写入所述第1校正数据以及所述第2校正数据。
7.一种磁盘装置,包括:
盘,具有轨道,所述轨道具有多个伺服扇区;
头,具有对所述盘写入数据的写入头、和从所述盘读出数据的多个读出头;以及
控制器,由所述多个读出头同时取得对于所述盘的可重复性偏摆的多个校正数据,基于所述多个校正数据取得第1校正数据和第2校正数据,将所述第1校正数据和所述第2校正数据向所述盘写入,基于所述第1校正数据以及所述第2校正数据校正所述头的位置,
所述控制器在所述盘的半径方向的从第1位置至第2位置为止的第1区域中,通过所述多个读出头中的第1读出头在所述第1位置取得所述第1校正数据,通过所述多个读出头中的第2读出头在所述第2位置取得所述第2校正数据,
所述控制器将由不用于所述头的定位的第2读出头取得的所述第2校正数据校正为第3校正数据,基于所述第1校正数据以及所述第3校正数据校正所述头的位置。
8.根据权利要求7所述的磁盘装置,
所述控制器算出所述第1读出头的第1轨迹和所述第2读出头的第2轨迹之间的差分值,基于所述第2校正数据和所述差分值算出所述第3校正数据。
9.一种头位置的校正方法,适用于磁盘装置,该磁盘装置包括:盘,具有轨道,所述轨道具有多个伺服扇区;和头,具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读出数据的多个读出头,所述方法包括:
由所述多个读出头同时取得对于所述盘的可重复性偏摆的多个校正数据,
基于所述多个校正数据取得第1校正数据和第2校正数据,
将所述第1校正数据和所述第2校正数据向所述盘写入,
基于所述第1校正数据以及所述第2校正数据校正所述头的位置,以及
在所述盘的半径方向的从第1位置至第2位置为止的第1区域中,在所述第1位置以及所述第2位置以外取得所述多个校正数据,基于所述多个校正数据,算出与所述第1位置对应的所述第1校正数据和与所述第2位置对应的所述第2校正数据。
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