CN110262139B - 接触孔结构、阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，接触孔结构包括第一金属层、第二金属层、绝缘层以及公共电极层，第二金属层设置于第一金属层上，绝缘层位于第二金属层背离第一金属层的一侧，绝缘层设置部分暴露第一金属层和第二金属层表面的接触孔，公共电极层位于绝缘层背离第二金属层的一侧并分别与接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面电连接，其中，接触孔暴露的第一金属层和接触孔暴露的第二金属层处于同一水平面。本实施例提供的技术方案可以通过将接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面设置为同一水平面，保证信号在第二金属层、公共电极层以及第一金属层之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。

Description

接触孔结构、阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种接触孔结构、阵列基板及显示面板。
背景技术
这里的陈述仅提供与本发明有关的背景信息，而不必然地构成示例性技术。
VA(Vertical Alignment，垂直配向)显示以其宽视角、高对比度和无须摩擦配向等优势，成为显示设备用TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的常见显示模式。
为了提高VA型显示器的视角，通常采用三个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的结构设计，即采用Array(阵列)侧的接触孔将第三颗TFT的漏极与Array侧的第一层金属以设置通路，使得第三个TFT将TFT基板的次画素上的部分电荷释放到Array侧的公共电极上，从而实现8畴画素的结构，进而提高显示器的良率。
而Array侧的接触孔由于地形高低的差异，通常会影响信号的导通性，从而影响显示面板的良率。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，解决了Array侧的接触孔由于地形高低的差异，影响信号的导通性以及面板良率的问题。
为实现上述目的，本发明提出的一种接触孔结构，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
可选地，所述接触孔结构还包括中间层，所述中间层设于所述第一金属层背离所述第二金属层的一侧。
可选地，所述中间层对应所述接触孔的区域凸设有朝向所述第一金属层方向的凸块，所述凸块与所述公共电极层之间的距离等于所述第一金属层的厚度。
可选地，所述第一金属层对应所述接触孔的区域凸设有朝向所述公共电极层的方向的凸起，所述凸起部分暴露于所述接触孔中；
其中，所述公共电极层与所述凸起暴露的表面电连接，所述接触孔暴露的所述凸起和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
可选地，所述公共电极层的材质为氧化铟锡、铝或者合金中的至少一种。
为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
设置于所述基板上的数据线；
设置于所述基板上并与所述数据线阵列分布的扫描线，且所述数据线和所述扫描线之间设置多个像素单元；
其中，每一所述像素单元包括主画素、次画素和接触孔结构，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
可选地，所述阵列基板还包括第一主动开关和第二主动开关，所述数据线通过所述第一主动开关连接所述扫描线与所述主画素；且所述数据线通过所述第二主动开关连接所述扫描线与所述次画素。
可选地，所述阵列基板还包括第三主动开关，所述接触孔通过所述第三主动开关连接所述公共电极层与所述次画素。
为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
阵列基板；
对向基板，所述对向基板与所述阵列基板对向设置；以及
液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板与所述对向基板之间；
所述阵列基板包括：
基板；
设置于所述基板上的数据线；
设置于所述基板上并与所述数据线阵列分布的扫描线，且所述数据线和所述扫描线之间设置多个像素单元；
其中，每一所述像素单元包括主画素、次画素和接触孔结构，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
可选地，所述对向基板包括：
衬底；
透明电极层，所述透明电极层设于所述衬底相对所述阵列基板的一侧。
本发明实施例提供了一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，接触孔结构包括第一金属层、第二金属层、绝缘层以及公共电极层，第二金属层设置于第一金属层上，绝缘层位于第二金属层背离第一金属层的一侧，且绝缘层设置有部分暴露第一金属层和第二金属层表面的接触孔，公共电极层位于绝缘层背离第二金属层的一侧，并分别与接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面电连接，其中，接触孔暴露的第一金属层和接触孔暴露的第二金属层处于同一水平面。这样，本发明实施例提供的技术方案可以通过将接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面设置为同一水平面，避免因第一金属层和第二金属层的结构落差导致信号传输中断，保证信号在第二金属层、公共电极层以及第一金属层之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或示例性中的技术方案，下面将对实施例或示例性描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。
图1为本发明实施例八区域画素设计示意图；
图2为对应图1的画素电路示意图；
图3为本发明实施例接触孔结构的结构示意图；
图4为本发明另一实施例接触孔结构的结构示意图；
图5为本发明实施例阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例显示面板的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
为更进一步阐述本发明以达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明实施例提出的一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
本发明实施例的显示面板可为一LCD(Liquid Crystal Display)面板，包括：开关阵列(thin film transistor，TFT)基板、彩色滤光层(color filter，CF)基板与设置于两基板之间的液晶层；或者，本发明实施例的显示面板还可为 OLED(Organic Light-Emitting Diode)面板、QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode)面板等，在本发明实施例并无限制。
在一实施例中，本发明实施例的显示面板可为曲面型显示面板。
在一实施例中，本发明的开关阵列(TFT)基板及彩色滤光层(CF)基板可设置于同一基板上。
图1是范例性的八区域画素设计示意图及图2为范例性的为了解决色偏问题的液晶画素电路图。在液晶显示器中，为了避免在大视角的前提下出现色偏的问题，通过三个晶体管将4画素结构变为8画素结构，即包括主画素 10和次画素20，其中，主画素10和次画素20各包括4个画素。且三个晶体管分别设于图1中的A、B、C区域，可将子画素中的多个电容在彼此之间进行电荷分享。
请参照图1，一种解决大视角色偏的画素结构，在设计上会有主画素 10(mainpixel)和次画素20(sub pixel)通过调低次画素20(sub pixel)的电压，将4 个区域(4domain)变为8个区域(8domain)来改善视角。其中，显示面板具有除主画素10和次画素20显示区外的非显示区，该非显示区上设置有至少一个晶体管以及接触孔等结构，以使晶体管能够通过接触孔与扫描线、数据线等连接，实现数据的传输。
请参照图2，在图2所示的液晶画素电路中，主画素受到扫描线G1的控制，利用晶体管T1从数据线D1取得数据并储存到储存电容Cst1之中；而次画素同样受到扫描线G1的控制，利用晶体管T2从数据线D1取得数据并储存到储存电容Cst2之中，以利用晶体管T3使储存电容Cst2与储存电容Cst3 进行电荷分享。藉由此种架构，图1所示的液晶画素电路可以适当控制储存电容Cst1与储存电容Cst2所储存电压的比例，以藉此使液晶电容C1c1与C1c2受到默认的电压驱动，进而得以消除显示时的色偏问题。
如图3～4所示，本发明实施例提供了一种接触孔结构。
在一实施例中，如图3所示，接触孔结构包括第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层400。其中，第一金属层100和第二金属层200包括但不限于采用铝(Al)、铜(Cu)等金属材料进行制备。
可选的，绝缘层300包括两种，分别为氮化硅(SiNX:H)绝缘层以及氧化硅(SiOX:H)绝缘层。其中，氮化硅绝缘层采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备，即采用氨气(NH3)与硅烷(SiH4)，并混合氢气(H2) 和氮气(N2)作为稀释气体发生反应进行制备。氧化硅绝缘层采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备，即采用笑气(N2O)与硅烷(SiH4) 进行制备。
可选的，当绝缘层300为氧化硅绝缘层，且在制备过程时，用氦作为稀释剂对笑气(N2O)与硅烷(SiH4)进行稀释，可以提高绝缘层300的重复性和均匀性。在氧化硅绝缘层进行退火时，在400℃和一定比例的氮气与氢气的混合气体或水汽饱和的氮气气氛中对氧化硅进行退火，可以改善绝缘层300 结构的有序性，并提高其电阻率和电场击穿强度，以及降低绝缘层300的缺陷态密度。其中，一定比例的氮气与氢气的混合气体中，氮气与氢气的比例可选为9:1，或者，在其他实施例中设置为其他比例，在此并无限制。
可选的，第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层 400依次层叠设置。即第二金属层200设置于第一金属层100上，绝缘层300 位于第二金属层200背离第一金属层100的一侧，且绝缘层300设置有部分暴露第一金属层100和第二金属层200表面的接触孔310，公共电极层400位于绝缘层300背离第二金属层200的一侧，并分别与接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面电连接。
可选的，公共电极层400的材质为氧化铟锡、铝或者合金中的至少一种。即公共电极层400覆盖于绝缘层300背离所述第一金属层100或第二金属层 200的表面，并延伸至绝缘层300上设置的接触孔310中，使得公共电极层 400与该接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200接触，并与该第一金属层100和第二金属层200电连接，以进行信号数据之间的传输。
可选的，为了提高信号传输的导通性，使接触孔310暴露的第一金属层 100和接触孔310暴露的第二金属层200处于同一水平面，即第一金属层100 和第二金属层200分别与公共电极层400接触的表面处于同一水平面。由于第一金属层100和第二金属层200分别与公共电极层400接触的表面处于同一水平面，当信号从第二金属层200传输至公共电极层400，并由公共电极层 400传输至第一金属层100时，使得信号在第二金属层200、公共电极层400 以及第一金属层100之间的进行传输通畅，以保证信号传输的导通性，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，从而影响面板良率。
可选的，上述接触孔结构还包括栅极绝缘层、有源层以及半导体层，该栅极绝缘层、有源层以及半导体层设于第一金属层100与绝缘层300之间(图3中仅示出了有源层500)，具体的在本发明实施例中并不一一赘述。
在本发明的实施例，接触孔结构包括第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层400，第二金属层200设置于第一金属层100上，绝缘层300位于第二金属层200背离第一金属层100的一侧，且绝缘层300 设置有部分暴露第一金属层100和第二金属层200表面的接触孔310，公共电极层400位于绝缘层300背离第二金属层200的一侧，并分别与接触孔310 暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面电连接，其中，接触孔310 暴露的第一金属层100和接触孔310暴露的第二金属层200处于同一水平面。这样，本发明实施例提供的技术方案可以通过将接触孔310暴露的第一金属层100和接触孔310暴露的第二金属层200设置为同一水平面，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，保证信号在第二金属层200、公共电极层400以及第一金属层100之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。
可选的，接触孔结构还包括中间层600，中间层600设于第一金属层100 背离第二金属层200的一侧。中间层600可用于遮挡来自显示面板中背光源 (图未示)的光线，以避免光线照射到接触孔310的结构，比如，栅极绝缘层、有源层、半导体层、绝缘层300等区域产生光生载流子，从而影响接触孔结构的关态电流特性。
可选的，中间层600可以为树脂层，中间层600对应接触孔310的区域凸设有朝向第一金属层100方向的凸块610，即凸块610的凸起方向为朝向第一金属层100的方向，且凸块610与公共电极层400之间的距离等于第一金属层100的厚度。即在中间层600朝向第一金属层100的一侧凸设有凸块610，该凸块610对应于接触孔310的区域，且凸块610与公共电极层400之间的距离为第一金属层100的厚度，使第一金属层100背离凸块610的一侧与公共电极层400接触，从而实现第一金属层100与公共电极层400的电连接，以实现第一金属层100与公共电极层400的信号传输。
可选的，通过凸块610的作用，使得第一金属层100背离凸块610的一侧与公共电极层400接触，此时，第二金属层200背离第一金属层100的一侧也与公共电极层400接触，且第一金属层100和第二金属层200与公共电极层400接触的表面均处于同一水平面，使得信号在第二金属层200、公共电极层400以及第一金属层100之间的进行传输通畅，以保证信号传输的导通性，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，从而影响面板良率。
可选的，第一金属层100对应接触孔310的区域凸设有朝向公共电极层 400方向的凸起110，即凸起110的方向为朝向公共电极层400的方向，凸起 110部分暴露于接触孔310中；其中，公共电极层400与凸起110暴露的表面电连接，接触孔310暴露的凸起110和第二金属层200的表面处于同一水平面。
可选的，当中间层600为树脂层，并在对应接触孔310的区域设有凸块 610时，该凸起110于凸块610的凸起方向相同，且凸起110沿着凸块610设置，即凸起110的方向为朝向公共电极层400的方向，使得该凸起110部分暴露于接触孔310中，并与公共电极层400电连接。此时，接触孔310暴露的第一金属层100的凸起110的表面和第二金属层200的表面处于同一水平面，以保证第二金属层200、公共电极层400以及第一金属层100之间信号传输的通畅性。
可选的，中间层600还可以为其他材料层，在此并无限制。比如，如图4 所示，当中间层600为金属层，且与第一金属层100为同一金属材料制备时，中间层600与第一金属层100可为一体成型的结构，即只要在第一金属层100 朝向公共电极层400的表面凸设有凸起110，使得第一金属层100与公共电极层400接触的表面和第二金属层200与公共电极接触的表面设置在同一水平面，以保证信号传输的通畅性。
在本发明的实施例中，接触孔结构包括第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层400，第二金属层200设置于第一金属层100上，绝缘层300位于第二金属层200背离第一金属层100的一侧，且绝缘层300 设置有部分暴露第一金属层100和第二金属层200表面的接触孔310，公共电极层400位于绝缘层300背离第二金属层200的一侧，并分别与接触孔310 暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面电连接，其中，接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面处于同一水平面。这样，本发明实施例提供的技术方案可以通过将接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面设置为同一水平面，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，保证信号在第二金属层200、公共电极层400以及第一金属层100之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。
基于上述实施例，如图1～5所示，本发明另一实施例提供了一种阵列基板。
在一实施例中，如图1～2所示，本发明实施例中的阵列基板包括基板30 (如图5所示)、数据线D1以及扫描线G1，数据线D1与扫描线G1设置于该基板30上，且数据线D1与扫描线G1呈阵列分布，并在数据线D1与扫描线G1之间设置多个像素单元。其中，每一像素单元包括主画素10、次画素 20和接触孔结构，主画素10中包括4个画素，次画素20中包括4个画素，即每一像素单元中具有8个画素。其中，接触孔结构设置于该基板30上。
如图3～4所示，接触孔结构包括第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层400，第二金属层200设置于第一金属层100上，绝缘层300位于第二金属层200背离第一金属层100的一侧，且绝缘层300设置有部分暴露第一金属层100和第二金属层200表面的接触孔310，公共电极层 400位于绝缘层300背离第二金属层200的一侧，并分别与接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面电连接，其中，接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面处于同一水平面。这样，该接触孔结构可以通过将接触孔310暴露的第一金属层100和接触孔310暴露的第二金属层200设置为同一水平面，使得信号在第二金属层200、公共电极层400 以及第一金属层100之间的进行传输通畅，以保证信号传输的导通性，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，从而影响面板良率。
可选的，阵列基板还包括第一主动开关和第二主动开关(图未示)，数据线D1通过第一主动开关连接扫描线G1与主画素10，且数据线D1通过第二主动开关连接扫描线G1与次画素20。第一主动开关用于将信号传输至主画素10，并用于驱动该主画素10，第二主动开关用于将信号传输至次画素20，并用于驱动次画素20。
可选的，阵列基板还包括第三主动开关(图未示)，接触孔310通过第三主动开关连接公共电极层400与次画素20，第三主动开关用于将次画素20 中的部分电荷可以通过接触孔310释放至公共电极层400，从而拉低次画素 20的电压，实现8畴画素的结构，进而提高面板良率。
可选的，第三主动开关的漏极与第一金属层100连接于设置通路，并通过公共电极层400与第二金属层200电性连接。
结合图1，第一主动开关、第二主动开关以及第三主动开关分别设于A 区域、B区域、C区域中，以使连接数据线D1通过第一主动开关连接扫描线 G1与主画素10、数据线D1通过第二主动开关连接扫描线G1与次画素20以及接触孔310通过第三主动开关连接公共电极层400与次画素20。
由于本发明实施例包括上述实施例的接触孔结构，即本发明实施例中的阵列基板具备上述实施例接触孔结构的所有技术特征，以及其实现的技术效果，具体参照上述实施例，在此并不一一赘述。
基于上述两个实施例，如图1～6所示，本发明又一实施例提供了一种显示面板。
如图6所示，显示面板包括阵列基板40、对向基板50以及液晶层60。对向基板50与阵列基板40对向设置，液晶层60位于阵列基板40与对向基板50之间。
可选的，阵列基板40设置有数据线Dn与扫描线Gn，其中数据线Dn为阵列基板40上所有数据线的集合，用于提供数据信号，扫描线Gn为阵列基板40上所有扫描线的集合，用于提供扫描信号。该数据线Dn与扫描线Gn 定义出至少一个画素，如主画素10或者次画素20。
如图1～2所示，本发明实施例中的阵列基板包括基板30(如图5所示)、数据线D1以及扫描线G1，数据线D1与扫描线G1设置于该基板30上，且数据线D1与扫描线G1呈阵列分布，并在数据线D1与扫描线G1之间设置多个像素单元。其中，每一像素单元包括主画素10、次画素20和接触孔结构，主画素10中包括4个画素，次画素20中包括4个画素，即每一像素单元中具有8个画素。其中，接触孔结构设置于该基板30上。
如图3～4所示，接触孔结构包括第一金属层100、第二金属层200、绝缘层300以及公共电极层400，第二金属层200设置于第一金属层100上，绝缘层300位于第二金属层200背离第一金属层100的一侧，且绝缘层300设置有部分暴露第一金属层100和第二金属层200表面的接触孔310，公共电极层 400位于绝缘层300背离第二金属层200的一侧，并分别与接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面电连接，其中，接触孔310暴露的第一金属层100和第二金属层200的表面处于同一水平面。这样，该接触孔结构可以通过将接触孔310暴露的第一金属层100和接触孔310暴露的第二金属层200设置为同一水平面，使得信号在第二金属层200、公共电极层400 以及第一金属层100之间的进行传输通畅，以保证信号传输的导通性，避免因第一金属层100和第二金属层200的结构落差导致信号传输中断，从而影响面板良率。
可选的，对向基板50包括衬底51以及透明导电层52，所述透明导电层 52设于衬底相对阵列基板40的一侧。其中，该透明导电层52的材质为氧化铟锡、铝或者合金中的至少一种。
由于本发明实施例包括上述两个实施例中的接触孔结构以及阵列基板，即本发明实施例中的阵列基板具备上述两个实施例中接触孔结构以及阵列基板的所有技术特征，以及其实现的技术效果，具体参照上述两个实施例，在此并不一一赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种接触孔结构，其特征在于，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
所述第一金属层设有朝向所述公共电极层的方向的凸起，所述凸起部分暴露于所述接触孔中；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面，所述接触孔暴露的所述凸起和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
2.根据权利要求1所述的接触孔结构，其特征在于，所述接触孔结构还包括中间层，所述中间层设于所述第一金属层背离所述第二金属层的一侧。
3.根据权利要求2所述的接触孔结构，其特征在于，所述中间层对应所述接触孔的区域凸设有朝向所述第一金属层方向的凸块，所述凸块与所述公共电极层之间的距离等于所述第一金属层的厚度。
4.根据权利要求1～3任一项所述的接触孔结构，其特征在于，所述第一金属层对应所述接触孔的区域凸设有所述凸起；
其中，所述公共电极层与所述凸起暴露的表面电连接。
5.根据权利要求4所述的接触孔结构，其特征在于，所述公共电极层的材质为氧化铟锡、铝或者合金中的至少一种。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
设置于所述基板上的数据线；
设置于所述基板上并与所述数据线阵列分布的扫描线，且所述数据线和所述扫描线之间设置多个像素单元；
其中，每一所述像素单元包括主画素、次画素和接触孔结构，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
所述第一金属层设有朝向所述公共电极层的方向的凸起，所述凸起部分暴露于所述接触孔中；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面，所述接触孔暴露的所述凸起和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一主动开关和第二主动开关，所述数据线通过所述第一主动开关连接所述扫描线与所述主画素；且所述数据线通过所述第二主动开关连接所述扫描线与所述次画素。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第三主动开关，所述接触孔通过所述第三主动开关连接所述公共电极层与所述次画素。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
阵列基板；
对向基板，所述对向基板与所述阵列基板对向设置；以及
液晶层，所述液晶层位于所述阵列基板与所述对向基板之间；
所述阵列基板包括：
基板；
设置于所述基板上的数据线；
设置于所述基板上并与所述数据线阵列分布的扫描线，且所述数据线和所述扫描线之间设置多个像素单元；
其中，每一所述像素单元包括主画素、次画素和接触孔结构，所述接触孔结构包括：
第一金属层；
第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层上；
绝缘层，所述绝缘层位于所述第二金属层背离所述第一金属层的一侧，且所述绝缘层设置有部分暴露所述第一金属层和所述第二金属层表面的接触孔；以及
公共电极层，所述公共电极层位于所述绝缘层背离所述第二金属层的一侧，并分别与所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接；
所述第一金属层设有朝向所述公共电极层的方向的凸起，所述凸起部分暴露于所述接触孔中；
其中，所述接触孔暴露的所述第一金属层和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面，所述接触孔暴露的所述凸起和所述接触孔暴露的所述第二金属层处于同一水平面。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述对向基板包括：
衬底；
透明电极层，所述透明电极层设于所述衬底相对所述阵列基板的一侧。
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