CN110262118A - 阵列基板、显示装置及其显示方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示装置及其显示方法。该阵列基板包括：衬底基板、多个像素单元、反射层以及介电弹性体。多个像素单元位于衬底基板上，多个像素单元的至少之一包括反射层；介电弹性体位于反射层靠近衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近反射层一侧表面的不平坦度，从而改变反射层的不平坦度。该阵列基板可根据环境光照强度而调节自身的反射率，从而优化显示效果。

Description

阵列基板、显示装置及其显示方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示装置及其显示方法。
背景技术
液晶显示器一般由上基板和下基板对盒形成，两个基板之间的空间中封装有液晶。由于液晶分子本身不发光，所以显示器需要光源以便显示图像。根据采用的光源类型，液晶显示器可分为透射式、反射式和半透半反式。透射式液晶显示器使用背光作为光源，由背光发出的光线经过透明电极及液晶层而显示图像，其可以在暗环境下显示图像。反射式液晶显示器使用外界环境光作为光源，外界环境光射入显示屏后经过反射而显示图像，因此其在暗环境下不能显示图像。半透半反式液晶显示器兼具透射式和反射式液晶显示器的特点，在面板内同时设置透射区和反射区，既可以在亮环境使用，也可以在暗环境使用。
发明内容
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及其显示方法。该阵列基板可根据环境光照强度而调节自身的反射率，从而优化显示效果。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；多个像素单元，位于所述衬底基板上，所述多个像素单元的至少之一包括反射层；以及介电弹性体，位于所述反射层靠近所述衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近所述反射层一侧表面的不平坦度，从而改变所述反射层的不平坦度。
在一些示例中，所述反射层共形地形成在所述介电弹性体上。
在一些示例中，所述多个像素单元的至少之一还包括位于所述反射层之外的透射区。
在一些示例中，所述阵列基板还包括控制线，与所述介电弹性体电连接，被配置为向所述介电弹性体施加电压。
在一些示例中，所述介电弹性体包括多个按矩阵排列的介电弹性体块，每个介电弹性体块位于至少一个像素单元所在的区域内，所述控制线包括多条控制线，每个所述介电弹性体块连接至少一条所述控制线。
在一些示例中，所述介电弹性体在对应于所述透射区的区域开设有透光区。
在一些示例中，所述介电弹性体包括层叠设置的导电层和介电弹性材料层，所述导电层与所述控制线电连接，被配置为向所述介电弹性材料层施加电压，所述介电弹性材料层被配置为根据所述导电层施加的电压而改变远离所述衬底基板的一侧的不平坦度。
在一些示例中，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别位于所述介电弹性材料层在垂直于所述衬底基板的方向上的两侧，所述第一导电层与所述第二导电层之一与所述控制线电连接，另一个被配置为施加公共电压。
在一些示例中，所述改变靠近反射层一侧表面的不平坦度包括形成凸起或改变所述凸起的高度。
在一些示例中，所述反射层为彩色反射层。
在一些示例中，所述介电弹性体与所述反射层彼此绝缘。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。
在一些示例中，所述显示装置还包括控制器以及感光元件，所述控制器分别与所述感光元件和所述介电弹性体电连接，所述感光元件配置为检测环境光照强度并向所述控制器提供光照强度信号，所述控制器根据所述光照强度信号向所述介电弹性体施加相应的电压。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置的显示方法，包括：检测环境光照强度；根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压，改变所述介电弹性体靠近所述反射层一侧的不平坦度，从而改变所述反射层的反射率。
在一些示例中，所述多个像素单元的至少之一包括透射区，所述显示装置还包括背光单元，根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压包括：当所述光照强度小于第一预设光照强度时，开启所述背光单元，并停止向所述介电弹性体施加电压；当所述光照强度大于或等于第一预设光照强度，并且小于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第一电压值范围的电压以使所述介电弹性体的表面不平坦度大于预定不平坦度；当所述光照强度大于或等于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第二电压值范围的电压，以使所述介电弹性体的表面不平坦度小于所述预定不平坦度；所述第二预设光照强度大于所述第一预设光照强度，所述第一电压值范围中的电压值大于所述第二电压值范围中的电压值。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图2为图1所示的阵列基板的沿A-A’线的剖视结构示意图；
图3为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图；
图4为图3所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图；
图5为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图；
图6为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的介电弹性体的分块设计示意图；
图7为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体块的结构示意图；
图8为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体的凸起示意图；
图9为根据本公开至少一个实施例的一种彩色反射层图案；
图10为根据本公开至少一个实施例的一种显示面板的结构示意图；
图11为根据本公开至少一个实施例的显示装置的分块控制示意图；
图12A为根据本公开至少一个实施例的在介电弹性体未施加电压时介电弹性体和反射层的结构示意图；
图12B为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体被施加第一电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的结构示意图；
图12C为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体被施加第二电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的凸起示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
半透半反式液晶显示器的技术原理是在反射金属内设置透射区域，将每个像素分为透射部分与反射部分，并引入背光源，实现半透半反的技术效果。在亮环境时，利用反射部分的反射金属来反射环境光线以进行显示；在暗环境时，使用透射光模式，利用背光源的光线来进行显示。
但是半透半反式液晶显示器也存在一些问题，例如，由于存在透射区域，反射区域的面积相应地会减少，从而其在亮环境下的反射率降低；如果增大反射区域的面积，则会减少透射区域的面积，从而其在暗环境下的透过率也会降低。
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及其显示方法。该阵列基板可在不减小透射面积的情况下提高反射率，并且可以根据环境光照强度调节自身的反射率大小，从而优化显示效果。
下面结合附图对本公开的实施例进行详细说明。需要说明的是，不同的附图中相同的附图标记用于指代已描述的相同或相似的元件。
图1为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的结构示意图，图2为图1所示的阵列基板的沿A-A’线的剖视结构示意图。
如图1和图2所示，本公开的至少一个实施例提供一种阵列基板，该阵列基板可用于反射式液晶显示面板。该阵列基板包括：衬底基板101、多个像素单元P、反射层102以及介电弹性体103。多个像素单元P位于衬底基板101上，多个像素单元P的至少一个包括反射区P1。反射区P1包括反射层102，反射层102被配置为反射外界射入的光线；介电弹性体103位于反射层102靠近衬底基板101的一侧，被配置为在电压的作用下改变靠近反射层102一侧表面的不平坦度，从而改变反射层102的不平坦度。
在本公开的实施例中，不平坦度用来评定表面的不平坦程度。例如，表面的不平坦度可以通过测量表面上多个高点与低点的高度差，并计算多个高度差的算术平均值得到。高点或低点的高度是指表面上一点距离基准平面的距离，例如以介电弹性体远离反射区的表面作为基准平面，距离大的点为高点，距离小的为低点。然而，本公开实施例并不限制于此，只要能够评定表面的不平坦程度，也可以采用其他的不平坦度评定方法。
介电弹性体包括电致变形弹性体材料，其可以在外加电场的作用下改变形状或体积，撤销外加电场后会恢复到原来的形状或体积。本公开的实施例通过把介电弹性体应用到阵列基板中来调节其反射率，从而提高其显示效果。
在一些示例中，反射层102共形地(conformally)形成在介电弹性体103上。即，反射层102被配置为随介电弹性体103变形而变形，并且与介电弹性体103靠近反射层102一侧表面的变形一致。如此，当介电弹性体103在电压的作用下改变靠近反射层102一侧表面的不平坦度时，可以使得反射层102的表面不平坦度变化。
例如，也可以是介电弹性体103整体发生变形，从而使得介电弹性体103的靠近反射层102的一侧表面的不平坦度发生变化。
在一些示例中，介电弹性体103表面不平坦度与其上被施加的电压正相关。即，介电弹性体被施加的电压越高，其表面不平坦度越大。在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，由于介电弹性体能够在电压的作用下改变靠近反射层一侧表面的不平坦度，从而改变反射层的表面不平坦度以改变反射层的反射率，因此可以提高使用了该阵列基板的显示面板的显示效果。
在一些示例中，衬底基板101可以是透明或非透明的绝缘基板。例如，衬底基板101可以是玻璃基板或石英基板，或其他适合的材料制作的基板。
在一些示例中，如图1和图2所示，该阵列基板还包括栅线104、数据线105和开关元件106。栅线104和数据线105位于衬底基板101上，相互交叉且相互绝缘以界定多个像素单元P；开关元件106位于像素单元P内，与栅线104和数据线105连接。另外，如图2所示，开关元件106位于介电弹性体103靠近衬底基板101的一侧。
在一些示例中，如图2所示，开关元件106为薄膜晶体管，包括栅极1061、源极1063、漏极1062、半导体层1064以及栅绝缘层1065。半导体层1063位于栅极1061的正上方，并且分别与源极1063和漏极1062连接。栅绝缘层1065覆盖栅极1061，被配置为使栅极1061与源极1063、漏极1062和半导体层1064相互绝缘。
需要说明的是，图2仅以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管为例进行说明，但其还可以为其他类型的薄膜晶体管，例如顶栅型薄膜晶体管、双栅型薄膜晶体管等。
在一些示例中，该阵列基板还包括第一绝缘层108。如图2所示，第一绝缘层108位于反射层102和介电弹性体103之间，被配置为使反射层102和介电弹性体103相互绝缘，并且不影响反射层102和介电弹性体103的共形性。即，第一绝缘层108可以共形地形成在介电弹性体103上，且反射层102共形地形成在第一绝缘层108上。因此，第一绝缘层可以选用硬度较小的材料，并且在不影响绝缘性的前提下第一绝缘层的厚度可以设置的较小。
在一些示例中，如图2所示，该阵列基板还包括第二绝缘层109。第二绝缘层109位于开关元件106和介电弹性体103之间，并覆盖开关元件106，配置为使开关元件106与介电弹性体103绝缘。
在一些示例中，第一绝缘层108和第二绝缘层109均可以是透明或非透明的绝缘层。
在一些示例中，反射层102为导电反射层。例如其材料可以是银、铜、铝、钼等金属导电材料或者其他合适的材料。
在一些示例中，该阵列基板还包括第一过孔110，位于第一绝缘层108上，并且穿透介电弹性体103和第二绝缘层109，使得反射层102通过第一过孔110与薄膜晶体管的源极或漏极中的一个电连接，数据线105与源极或漏极中的另一个电连接。在如图2所示的示例中，反射层102与漏极1062电连接，数据线105与源极1063电连接，栅线104与栅极1061电连接。开关元件106被配置为根据栅线104提供的扫描信号导通或断开数据线105与反射层102之间的电连接。此时，反射层102起到像素电极的作用，即为像素单元P提供像素电压。
在一些示例中，本公开至少一个实施例的阵列基板还可以用于半透半反式的液晶显示面板。图3为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图，图4为图3所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图。图3所示的阵列基板与图1所示的阵列基板结构相似，它们的不同在于图3所示的阵列基板的像素单元P还包括透射区P2。因此，相同的名称和附图标记用于具有相同或相似结构的元件。
如图3和图4所示，多个像素单元P的至少一个还包括位于反射区P1之外的透射区P2，反射区P1和透射区P2组成像素单元P。在透射区P2内，光线能够穿透阵列基板。需要说明的是，反射层102仅位于反射区P1内，透射区P2不包括反射层102；反射区与透射区的面积比可以根据实际需要进行设计，本公开对此不做限定。
对于包括透射区的阵列基板，由于反射区的反射层下设置有介电弹性体，因此可以在不改变反射区与透射区的面积比的前提下，通过介电弹性体实现对反射区的反射率进行调节的目的。
在一些示例中，该阵列基板还包括透射电极112。透射电极112与源极或漏极电连接，用于驱动位于透射区的液晶分子转动。在图4所示的示例中，透射电极112与漏极1062电连接，并且在垂直于衬底基板101的方向上与透射区P2至少部分重叠。需要说明的是，透射电极112也可以与反射层102位于同一层且相互连接。
例如，上述实施例中的反射层和透射电极均与漏极电连接，在进行显示时可以被输入显示信号，分别为反射区和透射区的液晶分子提供像素电压，因此均起到像素电极的作用。
在一些示例中，由于阵列基板包括透射区，因此衬底基板101、第一绝缘层108、栅绝缘层1065和第二绝缘层109是透明绝缘层。
在一些示例中，透射电极112采用透明导电材料制作。例如可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌等透明金属氧化物制作。
图5为根据本公开至少一个实施例的又一阵列基板的结构示意图。如图5所示，该阵列基板还包括控制线113，位于介电弹性体103与反射层102之间，与介电弹性体103电连接并且与反射层102绝缘，被配置为向介电弹性体103施加电压，从而控制介电弹性体103改变靠近反射层102一侧的表面不平坦度。在使用了该阵列基板的显示装置中，控制线可以连接到控制器，从而实现通过控制施加在介电弹性体上的电压控制介电弹性体的表面不平坦度的改变量。
在一些示例中，如图5所示，介电弹性体103包括层叠设置的导电层1031和介电弹性材料层1032。导电层1031与控制线113通过第二过孔114电连接，被配置为向介电弹性材料层1032施加电压；介电弹性材料层1032被配置为根据导电层1031施加的电压而改变靠近反射层102一侧的不平坦度。导电层1031和反射层102均与介电弹性材料层1032共形。因此，导电层可以选用硬度较小的导电材料，并且在不影响导电效果的前提下导电层的厚度可以设置的较小。然而，本公开的实施例对于导电层的硬度和厚度均没有特别限定，只要能够随着介电弹性体的变形而产生表面不平坦度的变化即可。
在一些示例中，如图5所示，导电层1031包括彼此绝缘的第一导电层1031a和第二导电层1031b，第一导电层1031a位于介电弹性材料层1032靠近衬底基板101的一侧，第二导电层1031b位于介电弹性材料层1032远离衬底基板101的一侧。第二导电层1031b通过第二过孔114与控制线113电连接，被控制线113施加第一电压；第一导电层1031a与公共电源连接，被配置为施加公共电压。例如，第一导电层1031a可以在显示区域的周边区通过过孔与周边电源电连接。
以上以第一导电层和第二导电层分别设置在介电弹性材料层的两侧为例进行了描述，然而，本公开的实施例不限于此。例如，第一导电层和第二导电层可以设置在介电弹性材料层的同一侧，且第一导电层和第二导电层彼此电绝缘且其中至少之一为图案化电极，从而能够在第一导电层和第二导电层之间施加电压而产生作用于介电弹性材料层上的电场。例如，第一导电层为图案化电极，第二导电层为板状电极，第一导电层位于第二导电层和介电弹性材料层之间。或者，第一导电层和第二导电层均为图案化电极，第一导电层和第二导电层可以设置在同一层或不同层。例如，在第一导电层和第二导电层位于介电弹性材料层同一侧的情况下，它们可以位于介电弹性材料层远离反射层的一侧。此时，反射层也可以与介电弹性材料层直接接触，从而，能够将介电弹性材料层的变形更好地传递到反射层。
在一些示例中，控制线113的材料例如可以是银、银合金、铜、铜合金、铝、铝合金以及其他合适的材料。
在一些示例中，介电弹性材料层1032的材料例如可以是硅橡胶、聚氨酯或聚丙烯酸酯，也可以是硅橡胶、聚氨酯或聚丙烯酸酯的复合材料或其他合适的材料。不同的介电弹性材料具有不同的性能，例如，聚丙烯酸酯能量密度高、易加工，但驱动电压较高、响应速度慢；硅橡胶响应速度快、适用温度范围广。因此，可根据实际需要选择合适的介电弹性材料，本公开对此不做限定。
在一些示例中，如图5所示，第一绝缘层108包括层叠设置的第一子绝缘层1081和第二子绝缘层1082，第一子绝缘层1081位于第二子绝缘层1082靠近介电弹性体103的一侧，控制线113位于第一子绝缘层1081和第二子绝缘层1082之间。第二过孔114开设在第一子绝缘层1081上，使得控制线113与介电弹性体103的第二导电层1031b电连接。
需要说明的是，第一导电层1031a与第二导电层1031b的位置可以互换。另外，虽然图5示出控制线113位于介电弹性体103的上方，但是控制线113还可以位于介电弹性体103的下方，只要第一导电层1031a和第二导电层1031b其中一个与控制线113电连接，另一个与公共电源电连接即可。当控制线113位于介电弹性体103的下方时，采用类似图5所示的结构，可将第二绝缘层109分为两层绝缘层，控制线113位于第二绝缘层109分为的两层绝缘层之间并通过过孔与第一导电层1031a和第二导电层1031b其中一个实现电连接。
在一些示例中，如图5所示，第一过孔110穿过第二子绝缘层1082、第一子绝缘层1081、第二导电层1031b、介电弹性材料层1032和第一导电层1031a，使反射层102与薄膜晶体管的漏极1062电连接。
图6为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的介电弹性体的分块设计示意图。
如图6所示，介电弹性体103被划分为彼此绝缘的按矩阵排列的多个介电弹性体块1033，控制线113的数量为多个，介电弹性体块1033与控制线113一一对应电连接。需要说明的是，虽然图6示出介电弹性体块1033通过一个第二过孔114与控制线113电连接，但是介电弹性体块1033也通过多个第二过孔114与控制线113电连接。多个第二过孔更有利于实现介电弹性体块与控制线之间的电连接，通过多个连接点之间的并联，可以减小电压信号损失。
在一些示例中，每个介电弹性体块1033覆盖至少一个像素单元P。介电弹性体块1033可以与像素单元P一一对应，也可以一个介电弹性体块1033覆盖多个像素单元P。
图7为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体块1033的结构示意图。图7以一个介电弹性体块1033覆盖9个像素单元P为例。如图7所示，介电弹性体块1033对应于透射区P2的区域开设有透光区115，即介电弹性体块1033在沿垂直于衬底基板101方向上与透射区P2重叠的区域开设有透光区115。例如，透光区115可以通过在介电弹性体块1033上开孔形成。透光区115的面积可以大于、小于或等于对应的透射区P2的面积。透光区115可以避免或减小介电弹性体块1033对透射区P2的透光性的影响。
通过将介电弹性体划分为多个介电弹性体块，可以实现对每个介电弹性体块的独立控制，从而实现阵列基板不同位置的反射率可调的目的，从而可以优化使用了该阵列基板的显示面板的显示效果。
在一些示例中，对于上述的介电弹性体103，改变一侧的表面不平坦度是指在一侧表面形成凸起或改变形成的凸起的高度。图8为根据本公开至少一个实施例的介电弹性体的凸起示意图。如图8所示，介电弹性体103一侧的表面形成波浪形的凸起。其中，H1表示形成凸起后介电弹性体的高点厚度，H2表示形成凸起后介电弹性体的低点厚度，H1-H2表示凸起的高度。凸起的高度越高，表面不平坦度越高，反射率也越高。
需要说明的是，介电弹性体的凸起还可以是其他形状，本公开对此不做限定。
在一些示例中，本公开通过试验的方法得到一种凸起高度与反射率的关系。表1为根据本公开至少一个实施例的一种凸起高度与反射率的关系表。从表1可以看出，随着凸起高度增加，反射率会得到明显的提高。例如，凸起高度为0时，反射率为12％；当凸起高度为1.58μm时，反射率为38％。
表1
需要说明的是，上述凸起高度、反射率以及二者之间的关系仅为一种示例，目的是让读者更容易理解。但是，凸起高度、反射率以及二者之间的关系还受到介电弹性体和反射层的材料、电压等因素影响，因此并不局限于表1。
在一些示例中，对于图1和图2所示的可用于反射式液晶显示面板的阵列基板，所述反射层还可以为彩色反射层，以实现彩色反射，从而实现彩色显示。这样一来，当该阵列基板用于显示面板时，与阵列基板对置的基板上可以不用设置彩色滤光层，从而简化制备工艺。
彩色反射层的一种实现方法例如可以为：在反射层表面涂覆例如红、绿、蓝三种颜色的光刻胶，对光刻胶进行分层蚀刻，以得到彩色反射层图案。
图9为根据本公开至少一个实施例的一种彩色反射层图案。如图9所示，三个相邻像素单元的反射层分别为红色反射层R、绿色反射层G、蓝色反射层B。所有像素单元的反射层组成彩色反射层，从而实现彩色显示。
本公开至少一个实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例提供的阵列基板。
图10为根据本公开至少一个实施例的一种显示面板的结构示意图。如图10所示，该显示面板还包括与阵列基板相对的对置基板和位于阵列基板和对置基板之间的液晶层301。对置基板包括第二衬底基板201、彩色滤光层202和黑矩阵203。彩色滤光层202和黑矩阵203设置于第二衬底基板201上，例如位于第二衬底基板201朝向阵列基板的一侧。
在一些示例中，对于采用了上述彩色反射层的阵列基板，由于阵列基板上设置有彩色反射层，可以起到彩色显示的作用，因此对置基板上也可以不设置彩色滤光层202。
本公开至少一个实施例提供的显示面板，具有和上述实施例提供的阵列基板相同的有益效果，此处不再赘述。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板。
图11为根据本公开至少一个实施例的显示装置的分块控制示意图。该显示装置还包括控制器400以及感光元件401。控制器400位于显示区域的外围，分别与感光元件401和介电弹性体1033电连接；感光元件401可以位于显示区域内也可以位于显示区域之外，只要能接收到环境光即可。感光元件401被配置为检测环境光照强度并向控制器400提供光照强度信号，控制器400根据光照强度信号向介电弹性体块1033施加相应的电压。该控制器400例如通过绑定区以及柔性引线电路板连接到阵列基板之上，阵列基板的每条控制线113都电连接到控制器400。该控制器400例如为集成电路(IC)芯片。
通过将每个介电弹性体块分别连接到控制器，可以实现对每个介电弹性体块的独立控制，从而实现显示装置不同位置的反射率可调的效果。另外，感光元件可为控制器提供环境光照强度信号，可以使反射率调节更能适应环境，从而优化显示效果。
该显示装置例如可以实现为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开至少一个实施例还提供一种上述实施例提供的显示装置的显示方法，包括以下步骤：
S1、通过感光元件401检测环境光照强度；
S2、根据检测到的环境光照强度，向介电弹性体103施加相应的电压，改变介电弹性体103靠近反射层102一侧的不平坦度，从而改变反射层102的反射率。
在一些示例中，显示装置为半透半反式显示装置，即显示装置的多个像素单元P的至少一个包括透射区P2，显示装置还包括背光单元，背光单元与控制器400连接，背光单元的打开或关闭由控制器400控制。此时，在上述步骤S2中，根据检测到的环境光照强度，向介电弹性体103施加相应的电压包括：
S21、当环境光照强度小于第一预设光照强度时，开启背光单元，并停止向介电弹性体103施加电压。
当环境光照强度小于第一预设光照强度时，控制器400判定显示装置处于黑暗环境，启用透射模式，停止向介电弹性体103施加电压，打开背光单元，依靠背光单元提供的光照来显示图像。
图12A为根据本公开至少一个实施例的在介电弹性体未施加电压时介电弹性体和反射层的结构示意图。为了清楚且简便的说明，图中仅仅示出了介电弹性体103和反射层102。此时，如图12A所示，介电弹性体103和反射层102处于平坦状态。此时，反射层的表面平坦，反射率较低。在该状态下可以采用背光光源进行显示。
在一些示例中，在上述步骤S2中，根据检测到的环境光照强度，向介电弹性体103施加相应的电压包括：
S22、当环境光照强度大于或等于第一预设光照强度，并且小于第二预设光照强度时，向介电弹性体施加第一电压值范围的电压以使介电弹性体的表面不平坦度大于预定不平坦度；
S23、当环境光照强度大于或等于第二预设光照强度时，向介电弹性体施加第二电压值范围的电压，以使介电弹性体的表面不平坦度小于所述预定不平坦度。
例如，第二预设光照强度大于第一预设光照强度，第一电压值范围中的电压值大于第二电压值范围中的电压值。第一预设光照强度和第二预设光照强度的数值或范围、第一电压值范围和第二电压值范围、预定不平坦度可以通过计算、测试或经验得到，本公开对此不做限定。
在S22的情况下，即当环境光照强度大于或等于第一预设光照强度，并且小于第二预设光照强度时，控制器400判定显示装置处于外界环境光照不足的情况。此时，控制器400通过向介电弹性体103施加第一电压值范围的电压来提高阵列基板的反射率，从而提高显示装置的亮度。
例如，图12B为介电弹性体被施加第一电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的结构示意图。此时，如图12B所示，介电弹性体103和反射层102处于第一凸起状态。在这种情况下，反射层102的表面不平坦度较大，从而反射率较高。
在S23的情况下，即当环境光照强度大于或等于第二预设光照强度时，控制器400判定显示装置处于外界环境光照充足的情况。此时，控制器400通过向介电弹性体103施加第二电压值范围的电压来降低阵列基板的反射率，从而降低显示装置的亮度，以避免亮度过高而刺激眼睛。
图12C为根据本公开至少一个实施例介电弹性体被施加第二电压值范围的电压时介电弹性体和反射层的凸起示意图。此时，如图12C所示，介电弹性体103处于第二凸起状态，第一凸起的高度h1大于第二凸起h2的高度。在这种情况下，反射层102的表面不平坦度适中，从而反射率适中。在充分利用反射光进行显示的同时，避免过高强度的反射光刺激眼睛。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
多个像素单元，位于所述衬底基板上，所述多个像素单元的至少之一包括反射层；以及
介电弹性体，位于所述反射层靠近所述衬底基板的一侧，且被配置为在电压的作用下改变靠近所述反射层一侧表面的不平坦度，从而改变所述反射层的不平坦度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射层共形地形成在所述介电弹性体上。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述多个像素单元的至少之一还包括位于所述反射层之外的透射区。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括控制线，与所述介电弹性体电连接，被配置为向所述介电弹性体施加电压。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体包括多个矩阵排列的介电弹性体块，每个介电弹性体块位于至少一个像素单元所在的区域内，所述控制线包括多条控制线，每个所述介电弹性体块连接至少一条所述控制线。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体在对应于所述透射区的区域开设有透光区。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体包括层叠设置的导电层和介电弹性材料层，
所述导电层与所述控制线电连接，被配置为向所述介电弹性材料层施加电压，
所述介电弹性材料层被配置为根据所述导电层施加的电压而改变远离所述衬底基板的一侧的不平坦度。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，分别位于所述介电弹性材料层的在垂直于所述衬底基板的方向上的两侧，所述第一导电层与所述第二导电层之一与所述控制线电连接，另一个被配置为施加公共电压。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述改变靠近反射层一侧表面的不平坦度包括形成凸起或改变所述凸起的高度。
10.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述反射层为彩色反射层。
11.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述介电弹性体与所述反射层彼此绝缘。
12.一种显示装置，包括根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括控制器以及感光元件，所述控制器分别与所述感光元件和所述介电弹性体电连接，
所述感光元件配置为检测环境光照强度并向所述控制器提供光照强度信号，所述控制器根据所述光照强度信号向所述介电弹性体施加相应的电压。
14.一种根据权利要求13所述的显示装置的显示方法，包括：
检测环境光照强度；
根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压，改变所述介电弹性体靠近所述反射层一侧的不平坦度，从而改变所述反射层的反射率。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个像素单元的至少之一包括透射区，所述显示装置还包括背光单元，
根据所述光照强度，向所述介电弹性体施加相应的电压包括：
当所述光照强度小于第一预设光照强度时，开启所述背光单元，并停止向所述介电弹性体施加电压；
当所述光照强度大于或等于第一预设光照强度，并且小于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第一电压值范围的电压以使所述介电弹性体的表面不平坦度大于预定不平坦度；
当所述光照强度大于或等于第二预设光照强度时，向所述介电弹性体施加第二电压值范围的电压，以使所述介电弹性体的表面不平坦度小于所述预定不平坦度，
其中，所述第二预设光照强度大于所述第一预设光照强度，所述第一电压值范围中的电压值大于所述第二电压值范围中的电压值。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021004321A1 (zh) * 2019-07-05 2021-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其显示方法
CN113534441A (zh) * 2021-07-26 2021-10-22 北京京东方技术开发有限公司 一种反射率调节结构、制作方法及显示面板
CN114898657A (zh) * 2022-03-24 2022-08-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及拼接显示设备
WO2023226025A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118324A (zh) * 2006-08-04 2008-02-06 奇美电子股份有限公司 半透射半反射式液晶显示装置、液晶面板及其制造方法
CN102246090A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 索尼爱立信移动通讯有限公司 具有可调节反射器的透反型液晶显示器
CN202657950U (zh) * 2012-06-25 2013-01-09 浙江大学 一种实时颜色动态调控微器件
CN103999248A (zh) * 2011-12-21 2014-08-20 皇家飞利浦有限公司 可控聚合物致动器
CN108123056A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 乐金显示有限公司 具有反射区的显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100863571B1 (ko) * 2007-05-23 2008-10-15 삼성전자주식회사 전기활성 고분자를 이용한 디스플레이 화소 및 이를 채용한디스플레이 장치
CN103984175B (zh) * 2013-02-08 2017-03-01 瀚宇彩晶股份有限公司 半穿透式半反射式液晶显示器及其制造方法
WO2017072634A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for manufacturing display device and electronic device
WO2017094746A1 (ja) * 2015-12-02 2017-06-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN107230699A (zh) * 2017-06-05 2017-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其驱动方法
CN107153295A (zh) * 2017-07-13 2017-09-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板以及阵列基板和显示面板的制造方法
CN109116647B (zh) * 2018-09-17 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110262118B (zh) * 2019-07-05 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其显示方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118324A (zh) * 2006-08-04 2008-02-06 奇美电子股份有限公司 半透射半反射式液晶显示装置、液晶面板及其制造方法
CN102246090A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 索尼爱立信移动通讯有限公司 具有可调节反射器的透反型液晶显示器
CN103999248A (zh) * 2011-12-21 2014-08-20 皇家飞利浦有限公司 可控聚合物致动器
CN202657950U (zh) * 2012-06-25 2013-01-09 浙江大学 一种实时颜色动态调控微器件
CN108123056A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 乐金显示有限公司 具有反射区的显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021004321A1 (zh) * 2019-07-05 2021-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其显示方法
CN113534441A (zh) * 2021-07-26 2021-10-22 北京京东方技术开发有限公司 一种反射率调节结构、制作方法及显示面板
CN113534441B (zh) * 2021-07-26 2023-10-31 北京京东方技术开发有限公司 一种反射率调节结构、制作方法及显示面板
CN114898657A (zh) * 2022-03-24 2022-08-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及拼接显示设备
CN114898657B (zh) * 2022-03-24 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及拼接显示设备
WO2023226025A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

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